DE29924183U1 - Housing and lead frame for a semiconductor component with high current conductivity, with large-area connection connections and a modified shape - Google Patents
Housing and lead frame for a semiconductor component with high current conductivity, with large-area connection connections and a modified shapeInfo
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Patentanwälte RechtsanwältePatent Attorneys Lawyers
Dr. jur. Atf-Olav Gleiss, Dipl.-Ing. PA Rainer Große, Dipl.-Ing. PA Dr. Andreas Schrell, Dipl.-Biol. PA Torsten Armin Krüger, RA Nils Heide, RA
Armin Eugen Stockinger, RA Georg Brisen, Dipl.-Ing. PA Erik Graf v. Baudissin, RADr. jur. Atf-Olav Gleiss, Dipl.-Ing. PA Rainer Große, Dipl.-Ing. PA Dr. Andreas Schrell, Dipl.-Biol. PA Torsten Armin Krüger, RA Nils Heide, RA
Armin Eugen Stockinger, Attorney Georg Brisen, Dipl.-Ing. PA Erik Graf v. Baudissin, RA
PA: Patentanwalt European Patent Attorney European Trademark AttorneyPA: Patent Attorney European Patent Attorney European Trademark Attorney
RA: Rechtsanwalt, Attorney-at-law D-70469 STUTTGART MAYBACHSTRASSE 6A Telefon: +49(0)711 81 45 55 Telefax: +49(0)711 81 30 32 E-Mail: office@gleiss-grosse.com Homepage: www.gleiss-grosse.comRA: Attorney-at-law D-70469 STUTTGART MAYBACHSTRASSE 6A Telephone: +49(0)711 81 45 55 Fax: +49(0)711 81 30 32 E-Mail: office@gleiss-grosse.com Homepage: www.gleiss-grosse.com
In cooperation withIn cooperation with
Gehäuse und Leitungsrahmen für ein Halbleiterbauelement hoher Stromleitfähigkeit, mit großflächigen Verbindungsanschlüssen und veränderter FormHousing and lead frame for a semiconductor device with high current conductivity, with large-area connection terminals and modified shape
233 Kansas Street233 Kansas Street
USAUSA
17387t HDtIu
OB.Januar 200217387t HDtIu
OB.January 2002
Patentanwälte Rechtsanwälte München StuttgartPatent Attorneys Lawyers Munich Stuttgart
Hintergrund der ErfindungBackground of the invention
Die Erfindung betrifft ein Hochleistungshalbleiter-, bauelement, insbesondere dessen Leitungsrahmen und Gehäuse mit verbreiterten Verbindungsanschlüssen, einer neuartigen Leitungsreihenfolge der Zuleitungen, einer vergrößerten dielektrischen Kriechstrecke zwischen, benachbarten Leitungen sowie einer veränderten Form.. ■ ... ■The invention relates to a high-performance semiconductor component, in particular its lead frame and housing with widened connection terminals, a new line sequence of the supply lines, an increased dielectric creepage distance between adjacent lines and a modified shape. ■ ... ■
Halbleiterbauelemente, wie. beispielsweise Dioden und Thyristoren, sowie MOS-Gate-gesteuerte Bauelemente wie MOSFETs, IGBTs und dergleichen sind üblicherweise in einem die Dotierung.szonen (junctions) des Bauelements . enthaltenden Silizium-Ha.lbleiter-Chip ausgebildet. Die Chips weisen an ihrer Unterseite metallische Drain- oder andere Leistungselektroden und an ihrer Oberseite Source- und Gate-Elektroden oder andere Leistungselektroden auf. Die Chips werden auf verbreiterten leitenden.Leitungsrahmen-Pads montiert, und ,die Leistungselektroden auf der Oberfläche des Chips weisen. Verbindungsdrähte, auf, die mittels einer Vielzahl von Drähten, eine Drahtverbindung.zwischen, der leitenden Elektrodenfläche des Chips zu ilachen Verbindung-.sanschlußflachen herstellen, die wiederum mit. den, äußeren Leitungszuleitungen des . Lei.tungsrahmens in.Semiconductor components such as diodes and thyristors, as well as MOS gate controlled components such as MOSFETs, IGBTs and the like are usually formed in a silicon semiconductor chip containing the doping zones (junctions) of the component. The chips have metallic drain or other power electrodes on their underside and source and gate electrodes or other power electrodes on their upper side. The chips are mounted on widened conductive lead frame pads, and the power electrodes on the surface of the chip have connecting wires which, by means of a plurality of wires, establish a wire connection between the conductive electrode surface of the chip to flat connection pads which in turn are connected to the external lead leads of the lead frame in.
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Verbindung stehen. Diese äußeren Leitungszuleitungen verlaufen durch eine verpreßte bzw. verschmolzene (molded) Umhüllung (housing), die den Leitungsrahmen und den Chip überzieht. Der Leitungsrahmen enthält eine Vielzahl von identischen Abschnitten, beispielsweise 20 oder mehr, die gleichzeitig hergestellt werden, um jeweils eigene Chips und Drahtverbindungen aufzunehmen und gemeinsam überzogen zu werden. Die einzelnen Bauelemente werden dann nach dem Verpressungsprozeß getrennt. Das fertige Bauelement kann Gehäuseformen gemäß bekanntem Industriestandard aufweisen, wie zum Beispiel die bekannten Gehäuseformen TO22Q oder TO247.These external lead wires pass through a molded housing that covers the lead frame and chip. The lead frame contains a large number of identical sections, say 20 or more, which are manufactured simultaneously to each accommodate its own chips and wire connections and are plated together. The individual components are then separated after the molding process. The finished component can have housing shapes according to known industry standards, such as the well-known TO22Q or TO247 housing shapes.
Gehäuse bekannter Struktur weisen eine. Stromleitfähigkeit auf, . die durch die Anzahl paralleler Verbindungsdrähte, die beispielsweise die Leistungselektrode des Chips, die Source-Elektrode eines Leistungs-MOSFETs oder die Kathode einer Diode mit einem entsprechenden Anschluß am Leitungsrahmen verbinden kann, begrenzt. Es wäre wünschenswert, den Leitungsrahmen derart anzuordnen, daß eine vergrößerte Anzahl paralleler Verbindungsdrähte eingesetzt werden kann, um den Gehäusewiderstand zu verringern, ohne dabei, die Gehäusegröße zu, steigern ..··■Packages of known structure have a current carrying capacity limited by the number of parallel connecting wires that can connect, for example, the power electrode of the chip, the source electrode of a power MOSFET or the cathode of a diode to a corresponding terminal on the lead frame. It would be desirable to arrange the lead frame in such a way that an increased number of parallel connecting wires can be used to reduce the package resistance without increasing the package size..··■
Gehäuse bekannter Struktur, insbesondere für MOS-Gate-gesteuerte Bauelemente . wie beispielsweise Leistungs-MOSFETs, weisen zudem üblicherweise pa-' rallele . äußere Leitungszuleitungen in der .Reihenfolge Gate, Drain und Source auf. Dies bedingt einen größeren Abstand zwischen den Gate- und.■ Source-, Leitungen. Es . wäre sehr nützlich, die Gate- und Source-Leitungen benachbart zueinander, anzuordnen,..Packages of known structure, especially for MOS gate controlled components such as power MOSFETs, also usually have parallel external lead wires in the order gate, drain and source. This requires a larger distance between the gate and source leads. It would be very useful to arrange the gate and source leads adjacent to each other.
während die Source-Anschlußflache maximiert wird. Es wäre des weiteren wünschenswert, die Zuleitungs-Querschnittsfläche der Source oder der anderen verlängerten äußeren Leitungen zu vergrößern.while maximizing the source area. It would also be desirable to increase the cross-sectional area of the source or other extended external leads.
In bekannten Gehäusen mit verpreßter Umhüllung verlaufen die Zuleitungen des Leitungsrahmens aus dem Inneren der hochdielektrischen Umhüllung in ein Gebiet außerhalb des Gehäuses. Die "Kriech"-Strecke entlang der Oberfläche des Gehäuses steht somit zum äußeren Abstand der äußeren Zuleitungen in Beziehung und beschränkt die maximale Spannung, die zwischen diesen Leitungen angelegt werden kann. Es wäre wünschenswert, die Kriechstrecke entlang der Ge-. häuseoberflache, an der die Leitungen des Leitungsrahmens aus dem Gehäuse herauslaufen, zu vergrößern, ohne die Größe des Gehäuses zu steigern.In known compression-wrapped packages, the lead frame leads extend from inside the high dielectric package to an area outside the package. The "creepage" distance along the surface of the package is thus related to the external spacing of the external leads and limits the maximum voltage that can be applied between these leads. It would be desirable to increase the creepage distance along the package surface where the lead frame leads exit the package without increasing the size of the package.
Gehäuse bekannter Struktur weisen Leitungszuleitungen auf,, die vom Leitungsrahmen weg auswärts und durch.die Oberfläche des Kunststoffgehäuses verlaufen. Diese Leitungszuleitungen sind im Stand der Technik rechtwinklig oder V-förmig und sind derart ausgelegt, daß sie in eine metallbeschichtete (metallised) Öffnung in. einer gedruckten Schaltungsplatine passen. Der Querschnitt dieser Zuleitungen muß groß genug sein, um den Strom des Bauelements ohne übermäßige Erwärmung, zu transportieren... Der Durchmesser der Löcher in der Platine ist jedoch begrenzt, weil deren Abstand durch den Abstand der Leitungszuleitungen des Bauelements und durch deren leitende Lochinnenbeschichtung ..beziehungsweise. Durchsteiger (bushings.) bestimmt ist. Es wäre, wünschenswert,, die Querschnittsfläche dieser Leitungs-Housings of known structure have lead wires that run outward from the lead frame and through the surface of the plastic housing. These lead wires are rectangular or V-shaped in the prior art and are designed to fit into a metallised opening in a printed circuit board. The cross-section of these leads must be large enough to carry the current of the component without excessive heating... The diameter of the holes in the board is limited, however, because their spacing is determined by the spacing of the lead wires of the component and by their conductive inner hole coating... or bushings. It would be desirable to reduce the cross-sectional area of these lead wires to
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zuleitungen zu vergrößern, ohne den Durchmesser der Löcher in der Schaltungsplatine, die die Zuleitung aufnimmt, übermäßig zu vergrößern.supply lines without excessively increasing the diameter of the holes in the circuit board that accommodates the supply line.
Die bekannte Gehäuseform weist ein vergleichsweise dickes Kunststoffvolumen auf, das mit einem dünneren Volumen über eine vertikale Erhebung in Verbindung steht. Der dickere Bereich verläuft von der Kante der Leitungszuleitungen des Gehäuses . zu der vertikalen Erhebung, die über einem Mittelbereich des Chips angeordnet ist. Das dünnere Volumen verläuft zu dem Ende des Gehäuses hin, das der Seite der Output-Leitungszuleitungen gegenüberliegt. Die vertikale Erhebung zu dem dickeren Bereich des Gehäuses hin schließt mit der oberseitigen Fläche der. dickeren Region einen Winkel von 90° ein. Das Material innerhalb dieses scharfen Winkels neigt dazu, während des . Verpressens im Kunststoff Blasen anzuhäufen, was zu Ausfällen von Bauelementen und Ausschuß führt. ■ .The known package form has a relatively thick plastic volume that communicates with a thinner volume via a vertical elevation. The thicker region extends from the edge of the package's lead leads to the vertical elevation located above a central region of the chip. The thinner volume extends to the end of the package opposite the side of the output lead leads. The vertical elevation toward the thicker region of the package forms an angle of 90° with the top surface of the thicker region. The material within this sharp angle tends to accumulate bubbles in the plastic during molding, leading to component failures and scrap. ■ .
Wenn Bauelemente obiger Form auf einer.Stützplatine· oberflächenmontiert und durch eine einseitig eingespannte. Feder an. ihrem Ort gehalten werden sollen, drückt die Feder ferner auf die Oberfläche des dicken .Kunststof fbereiches . Folglich wirkt- der .Federdruck an einer Stelle, die von der Stelle über der Mitte der Chips versetzt, ist. Es wäre, wünschenswert,, wenn der Wirkungspunkt des Federdrucks über, der Mitte des innerhalb des Gehäuses montierten Chips wäre. Es wäre ferner wünschenswert, die Montage des Gehäuses unter einer einseitig eingespannten. Feder zu vereinfachen und dabei auf spezielle Werkzeuge verzichten zu können. . ...Furthermore, when components of the above form are to be surface mounted on a support board and held in place by a cantilevered spring, the spring presses on the surface of the thick plastic area. Consequently, the spring pressure acts at a location which is offset from the location above the center of the chips. It would be desirable if the point of action of the spring pressure were above the center of the chip mounted within the package. It would also be desirable to simplify the assembly of the package under a cantilevered spring and to be able to dispense with special tools. . ...
Gemäß einem ersten Merkmal der Erfindung wird anerkannt, daß die Fläche des Drain-Anschlusses und des Gate-Anschlusses des Leitungsrahmens kleiner als jene des Source-Anschlusses sein kann und daß die dadurch frei werdende Fläche zur Vergrößerung der Source-Anschlußflache eingesetzt werden kann. Dies ermöglicht es, eine größere Anzahl von Verbindungsdrähten zur Verbindung der Source-Elektrode des Chips mit dem Source-Anschluß des Leitungsrahmens einzusetzen, wodurch die Stromleitfähigkeit des Gehäuses vergrößert wird.According to a first feature of the invention, it is recognized that the area of the drain and gate terminals of the lead frame can be smaller than that of the source terminal and that the area thus freed up can be used to increase the source terminal area. This enables a greater number of bonding wires to be used to connect the source electrode of the chip to the source terminal of the lead frame, thereby increasing the current carrying capacity of the package.
Gemäß einem weiteren Merkmal der vorliegenden Erfindung wird eine neuartige Struktur des Leitungsrahmens bereitgestellt, in der, beispielsweise für ein Gehäuse vom MOSFET-Typ, die äußere Leitungsreihenfolge der Zuleitungen des Leitungsrahmens von der aus dem Stand der.Technik bekannten Reihenfolge Gate, Drain, Source in die neuartige Reihenfolge Gate, Source, Drain geändert wird. Diese neue Reihenfolge, verbessert die Anwendbarkeit des Bauelements, indem der Abstand zwischen, den Gate- und Source-Verbindungen und damit die Leckinduktanz (leakage inductance) der Gate-Schaltung verringert, wird. Die neuartige Reihenfolge ermöglicht es ferner, die Fläche des Source-Anschlusses zu vergrößern und die Fläche des Drain-Anschlusses (die eine sehr breite an der: Chipuntersei'te befindliche Verbindungsfläche aufweist) zu verringern. Sie ermöglicht zudem eine größere Anzahl von Verbindungs-. drähten von. der Source . des Chips zu dem Source-PadAccording to a further feature of the present invention, a novel lead frame structure is provided in which, for example for a MOSFET type package, the external lead order of the lead frame leads is changed from the prior art gate, drain, source order to the novel gate, source, drain order. This new order improves the applicability of the device by reducing the distance between the gate and source connections and thus the leakage inductance of the gate circuit. The novel order also makes it possible to increase the area of the source connection and to reduce the area of the drain connection (which has a very wide connection area located on the bottom of the chip). It also allows a larger number of connection wires from the source of the chip to the source pad.
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des Leitungsrahmens, um den Gehäusewiderstand ohne Steigerung der Gehäusegröße zu verringern.of the lead frame to reduce package resistance without increasing package size.
Ein weiteres Merkmal der Erfindung sieht an der Stelle, wo die Leitungszuleitungen aus dem Gehäuse heraustreten, einen von außen (von der Mitte des Leitungsrahmens) wieder nach innen gerichteten Verlauf der beiden am weitesten außen biegenden Leitungen gegenüber der mittigsten Leitung des Leitungsrahmens vor, ohne daß der Querschnitt der Leitungszuleitungen verringert würde. Dieser von außen wieder nach innen gerichtete Verlauf vergrößert die Kriechstrecke zwischen den äußeren Leitungen und der mittigen.Leitung entlang der Oberfläche der Gehäuseisolation, was die Durchschlagsspannung .des Bauelements erhöht. Unter einem von außen wieder nach innen gerichteten Verlauf wird ein Verlauf verstanden, bei dem eine etwas längere Zuleitung auf einen im allgemeinen zu der Mitte bzw. Mittelachse des Gehäuses senkrechten Weg umgelenkt und anschließend auf einen zu ihrem ursprünglichen Weg parallelen, jedoch zu diesem beabstandeten Weg wieder.zurückgelenkt wird. ; ■■'...A further feature of the invention provides that at the point where the cable leads emerge from the housing, the two cables that bend furthest outwards are directed inwards again from the outside (from the middle of the cable frame) compared to the central cable of the cable frame, without the cross section of the cable leads being reduced. This course, directed inwards again from the outside, increases the creepage distance between the outer cables and the central cable along the surface of the housing insulation, which increases the breakdown voltage of the component. A course directed inwards again from the outside is understood to mean a course in which a somewhat longer supply line is diverted onto a path that is generally perpendicular to the middle or central axis of the housing and then diverted back onto a path that is parallel to its original path but at a distance from it. ; ■■'...
Ein weiteres ..Merkmal der Erfindung betrifft die Vergrößerung der Querschnittsfläche der äußeren Zuleitungen des Leitungsrahmens, ohne daß dies eine bedeutende Vergrößerung des Durchmessers der. Platinenlöcher erfordern würde . So wurde in'einer ersten Ausführungsform herausgefunden, daß eine hinsichtlich der. Gestalt. quadratischere Ausgestaltung der normalerweise . rechteckigen Zuleitung eine größere Zuleitungsfläche aus Kupfer in eine Öffnung glei-, chen Durchmessers einpaßbar macht.. Ferner wurde he-A further feature of the invention relates to the enlargement of the cross-sectional area of the outer leads of the lead frame without this requiring a significant increase in the diameter of the board holes. Thus, in a first embodiment it was found that a more square design of the normally rectangular lead makes it possible to fit a larger copper lead area into an opening of the same diameter. Furthermore,
rausgefunden, daß eine leichte Abrundung der Kanten der rechteckigen Zuleitung den Gesamtquerschnitt der fertigen Zuleitung vergrößert.found that slightly rounding the edges of the rectangular supply line increases the overall cross-section of the finished supply line.
Als weiteres Merkmal der Erfindung wird die Form des Kunststoffgehäuses derart.verändert, daß es eine einheitliche Dicke und eine flache obere Außenfläche aufweist, die von der Kante der Leitungszuleitungen und auf im wesentlichen der gesamten Fläche des inliegenden Chips verläuft. Die den Leitungszuleitungen gegenüberliegende Endwandung des Gehäuses ist dann gegen die Gehäuseunterseite und kante unter einem Winkel von etwa 45° gegen die Vertikale abwärtsgeneigt.As a further feature of the invention, the shape of the plastic housing is modified to have a uniform thickness and a flat upper outer surface which extends from the edge of the lead wires and over substantially the entire surface of the chip inside. The end wall of the housing opposite the lead wires is then inclined downwards towards the housing bottom and edge at an angle of about 45° to the vertical.
Als Ergebnis dieser neuartigen Struktur kann bei einer Montage des Gehäuses mittels einer einseitig eingespannten Feder die Mitte der gegen die Oberseite des Gehäuses wirkenden Federkraft über der Mitte des Chips zentriert werden, was den .wirkungsvollsten Punkt für die Anwendung der Kraft auf das oberflächenmontierte Bauelement darstellt.As a result of this novel structure, when the package is mounted using a cantilevered spring, the center of the spring force acting against the top of the package can be centered over the center of the chip, which provides the most effective point for applying the force to the surface mount device.
Ferner vergrößert die geneigte Endfläche den Winkel zwischen der Endfläche und der oberseitigen Fläche auf etwa 135°, wodurch . es einfacher wird, Blasen während des Verpressens von dieser .oberseitigen Kantenfläche des.Chips, ablösbar zu machen.Furthermore, the inclined end surface increases the angle between the end surface and the top surface to about 135°, making it easier to release bubbles from this top edge surface of the chip during pressing.
Schließlich ermöglicht, es die geneigte Endfläche des. Gehäuses, das Gehäuse als. Keil· zu. benutzen, um es unter die. aufgespreizte Lippe einer einseitig, eingespannten Feder und unter die Feder selbst, ohne den Einsatz spezieller Werkzeuge: zu drücken. .Finally, the inclined end face of the housing allows the housing to be used as a wedge to press it under the spread lip of a spring clamped on one side and under the spring itself without the use of special tools.
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Figur 1 ist eine Draufsicht auf ein den neuartigen Leitungsrahmen der Erfindung enthaltendes neuartiges Gehäuse.Figure 1 is a plan view of a novel housing incorporating the novel lead frame of the invention.
Figur 2 ist eine Seitenansicht des Gehäuses von Figur 1.Figure 2 is a side view of the housing of Figure 1.
Figur 3 ist eine Ansicht der Unterseite von Figur 1..Figure 3 is a view of the bottom of Figure 1.
Figur 4 ist eine Draufsicht auf einen einzelnen Abschnitt eines Leitungsrahmens, der in dem Gehäuse der Figuren 1, 2 und 3 eingeschlossen sein kann, wobei die neuen vergrößerten auswärtsgebogenen Leitungszuleitungen eingesetzt werden, um die Kriechstrecke entlang der Oberfläche der Kunststoffumhüllung zu vergrößern und wobei die bekannte Reihenfolge der Leitungszuleitungen Gate, Drain und Source zum Einsatz kommt. . .Figure 4 is a plan view of a single section of a lead frame that may be enclosed in the package of Figures 1, 2 and 3, employing the new enlarged outwardly bent lead leads to increase the creepage distance along the surface of the plastic enclosure and employing the known gate, drain and source lead lead sequence. . .
Figur 5 ist eine Draufsicht auf eine.zweite Ausführungsform eines Leitungsrahmens wie jener von Figur 4,. mit der neuartigen Reihenfolge der Leitungszuleitungen. Gate, Source und Drain und einem Source-Anschluß vergrößerter Fläche. . . .Figure 5 is a plan view of a second embodiment of a lead frame like that of Figure 4, with the novel order of the lead leads, gate, source and drain, and a source terminal of increased area. . . .
Figur 5a ist ein entlang der Schnittlinie 5A-5A in Figur 5 genommener Querschnitt von Figur 5. . .Figure 5a is a cross-section of Figure 5 taken along section line 5A-5A in Figure 5. . .
Figur 6 zeigt eine dritte Ausführungsform der Erfindung, in der der Abschnitt des Leitungsrahmens von Figur 5 an einen Dioden-Chip angepaßt ist.Figure 6 shows a third embodiment of the invention in which the portion of the lead frame of Figure 5 is adapted to a diode chip.
Figur 7 zeigt eine vierte Ausführungsform der Erfindung und stellt eine Abwandlung von Figur 4 dar, bei der die Source-Anschlußflache vergrößert ist.Figure 7 shows a fourth embodiment of the invention and represents a modification of Figure 4 in which the source pad is enlarged.
Figur 8 ist ein entlang der Schnittlinie 8-8 von Figur 7 genommener Querschnitt von Figur 7.Figure 8 is a cross-section of Figure 7 taken along section line 8-8 of Figure 7.
Figur 9 ist eine Draufsicht auf eine weitere Ausführungsform der Erfindung, die so verändert wurde, daß sie als Gehäuse vom oberflächenmontierten Typ einsetzbar wird. .Figure 9 is a plan view of another embodiment of the invention modified to be useful as a surface mount type package. .
Figur 10 ist eine Seitenansicht von Figur 9.Figure 10 is a side view of Figure 9.
Figur 11 ist eine Draufsicht auf die Unterseite von Figur 9.Figure 11 is a plan view of the bottom of Figure 9.
Figur 12 ist ein Querschnitt durch eine Zuleitung des Leitungsrahmens eines .TO220-Standard-Gehäuses für einen Nennwert von 50 Ampere..Figure 12 is a cross-section of a lead frame lead of a standard .TO220 package rated for 50 amps.
Figur 13 und Figur 14 sind Querschnitte durch verbesserte erf-indungsgemäße Zuleitungen des Leitungsrahmens, die höhere Stromleitfähigkeit aufweisen.Figure 13 and Figure 14 are cross sections through improved inventive leads of the lead frame, which have higher current conductivity.
Figur 15 ist ein Querschnitt, durch eine verbesserte. erfindungsgemäße Zuleitung des Leitungsrahmens, in der. die Kanten der rechteckigen. Zuleitungen abgerundet sind, um einen größeren Zuleitungsqu.er-Figure 15 is a cross-section through an improved lead frame lead according to the invention in which the edges of the rectangular leads are rounded to provide a larger lead cross-section.
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schnitt ohne übermäßige Vergrößerung des Lochdurchmessers auf der Schaltungsplatine zu ermöglichen.cut without excessively increasing the hole diameter on the circuit board.
Figur 16 ist eine Seitenansicht der Gehäuseform' eines Bauelements gemäß Stand der Technik mit Montagefeder. Figure 16 is a side view of the prior art package form of a device with mounting spring.
Figur 17 ist eine Seitenansicht einer neuartigen erfindungsgemäßen Gehäuseform mit einer Montagefeder. Figure 17 is a side view of a novel housing shape according to the invention with a mounting spring.
Figur 18 ist eine Draufsicht auf das Gehäuse von Figur 17 ...Figure 18 is a plan view of the housing of Figure 17...
In den Figuren 1, 2 und 3 ist ein Gehäuse 20 eines Halbleiterbauelements des Typs TO220 gezeigt, das einige Merkmale der vorliegenden Erfindung aufweist. Das Gehäuse 20 besteht aus einer, herkömmlichen kunststoffverpreßten Umhüllung 21, die. trans-' ferverpreßt (transfer molded) sein kann, und die einen Halbleiter-Chip 22 einschließt, der in . Figur 2 durch gestrichelte Linien dargestellt ist. Ein unterseitiges leitendes Haupt-Paddle . 23 des Leitungsrahmens nimmt die unterseitige Drain-Elektrode des Chips 22 auf. Drei Leitungszuleitungen 25, 26 und .27 verlaufen durch die Vorderwandung 28 der Kunststoffumhüllung 21. Die Leitungen 25, 26 und 27 können für. den Chip 22 (wenn dieser der Chip eines Leistungs-MOSFETs ist) die. Gate-, Drain- bezie-, hungsweise Source-K.ontakte :. sein oder, gemäß einem noch, zu beschreibenden Aspekt der Erfindung,. ..die.. Gate-, Source- beziehungsweise Drain-Kontakte. .In Figures 1, 2 and 3 there is shown a package 20 of a semiconductor device of the TO220 type which incorporates some features of the present invention. The package 20 consists of a conventional plastic molded enclosure 21 which may be transfer molded and which encloses a semiconductor chip 22 which is shown in dashed lines in Figure 2. A bottom conductive main paddle 23 of the lead frame receives the bottom drain electrode of the chip 22. Three lead leads 25, 26 and 27 extend through the front wall 28 of the plastic enclosure 21. The leads 25, 26 and 27 may provide the gate, drain and source contacts, respectively, for the chip 22 (if this is a power MOSFET chip) . or, according to an aspect of the invention yet to be described, the gate, source and drain contacts.
Gemäß einem wichtigen Merkmal der Erfindung verlaufen durch wieder nach innen ausgeformte Verläufe 30 beziehungsweise 31 die Zuleitungen 25 und 27 in zu der Vorderfläche 28 benachbarten Gebieten weg von der Mitte der Leitung 26 und der des Gehäuses 20. Dies bewirkt zusätzliche Kriechstrecken 32 und 33 entlang der Fläche 28, was das Anlegen höherer Spannungen zwischen den Leitungen 25 und 27 und der mittleren Leitung 26 zuläßt.According to an important feature of the invention, the leads 25 and 27 extend away from the center of the lead 26 and that of the housing 20 in areas adjacent to the front surface 28 through inwardly formed paths 30 and 31, respectively. This causes additional creepage distances 32 and 33 along the surface 28, which allows the application of higher voltages between the leads 25 and 27 and the central lead 26.
Figur 4 zeigt einen Abschnitt 35 eines viele Abschnitte aufweisenden Leitungsrahmens, der in dem Gehäuse 20 der Figuren 1, 2 und 3 eingesetzt werden kann. Die unterlegte Fläche 3.6 zeigt die Abschnitte des Leitungsrahmens, die üblicherweise nach der Verpressung der Umhüllung 21, wie in den Figuren 1 bis 3 gezeigt, abgeschnitten (trimmed away) werden. Der Paddle-Abschnitt 23 kann aus jedwedem geeigneten Kupfer oder jedweder geeigneter Kupferlegierung bestehen und eine Dicke von beispielsweise 1,27 Millimetern aufweisen.- Die, oberseitige Fläche des Paddles 23, die. den Halbleiterchip 22. aufnimmt, kann unplattiert (unplated) sein, um die Verbindung der unterseitigen Elektrode des Chips 22 (wie beispielsweise die unterseitige Drain eines . MOSFET-Chips) mit dem. Paddle 23 beispielsweise durch Anlöten oder dergleichen zu verbessern. Der Rest des Leitungsrahmens 35 kann nickelplattiert, (nickel plated) sein. : . . .' . ' . :Figure 4 shows a section 35 of a multi-section lead frame that can be used in the housing 20 of Figures 1, 2 and 3. The underlined area 3.6 shows the sections of the lead frame that are usually trimmed away after the compression of the encapsulation 21 as shown in Figures 1 to 3. The paddle section 23 can be made of any suitable copper or any suitable copper alloy and have a thickness of, for example, 1.27 millimeters. The top surface of the paddle 23 that receives the semiconductor chip 22 can be unplated to improve the connection of the bottom electrode of the chip 22 (such as the bottom drain of a MOSFET chip) to the paddle 23, for example by soldering or the like. The remainder of the lead frame 35 may be nickel plated. : . . .' . ' . :
Der Abschnitt des Rahmens. 35, der die äußeren Leitungszuleitungen aufweist, kann ebenso aus nickelplattiertem Kupfer; bestehen und eine Dicke von 0,8The portion of the frame 35 which has the external lead wires may also be made of nickel-plated copper and have a thickness of 0.8
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Millimetern aufweisen. Die äußeren Leitungszuleitungen oder Finger 25 und 27 enden an Lötanschlüssen 40 beziehungsweise 42, die den Gate- beziehungsweise Source-Verbindungen entsprechen. Man beachte, daß die Lötanschlüsse 40 und 42 koplanar sind und sich in einer Ebene befinden, die über der Ebene der Oberfläche des Paddles 23 ist. Das Paddle 23 weist zudem eine Erweitung 41 auf, die mit der Zuleitung 26 ausgerichtet und mit ihr einstückig ausgebildet ist. Der Chip 22 ist so an seiner Oberseite mit einer Source-Elektrode 43 und einer Gate-Elektrode 44 verbunden. Die Gate-Elektrode 44 ist mit dem Anschluß 40 (der freihängend (suspended) über dem Pad 23 und von diesem isoliert ist) draht- - verbunden, und die Source-Elektrode 43 ist mit dem Anschluß 42, der ebenfalls über Pad 23 und von diesem isoliert ist, drahtverbunden (siehe Figur 2). Wegen der vergleichsweise kleinen. Fläche des Anschlusses 42 . können nur zwei 20-Milli-Inch-Verbindungsdrähte 45 und 46 eingesetzt werden, um die Source-Elektrode 43 mit dem Anschluß 42 (und so mit der äußeren Leitungszuleitung oder dem Finger 27, wenn das schattiert dargestellte Überschußmetall abgestreift wird) zu verbinden.millimeters. The outer lead wires or fingers 25 and 27 terminate in solder pads 40 and 42, respectively, which correspond to the gate and source connections, respectively. Note that the solder pads 40 and 42 are coplanar and are in a plane which is above the plane of the surface of the paddle 23. The paddle 23 also has an extension 41 which is aligned with and integral with the lead 26. The chip 22 is thus connected at its top to a source electrode 43 and a gate electrode 44. The gate electrode 44 is wire-connected to the terminal 40 (which is suspended above and insulated from the pad 23), and the source electrode 43 is wire-connected to the terminal 42 which is also above and insulated from the pad 23 (see Figure 2). Because of the relatively small. area of terminal 42 . only two 20 mil bonding wires 45 and 46 can be used to connect source electrode 43 to terminal 42 (and thus to the outer lead or finger 27 when the shaded excess metal is stripped off).
Die Figuren 5 und. 5a zeigen einen weiteren Aspekt der Erfindung, der zusätzliche Verbindungsdrähte an der.Source-Elektrode 43 zuläßt. So sind die Zuleitungen 25, 26 und 27 Gate-, Source- beziehungsweise Drain-Elektroden., ■ was die Source- und Gate-Zuleitungen, wie. in. Figur. 5 .gezeigt, näher zusammenrücken läßt. Ferner, ist der Source-Anschluß 50 jetzt . mittig angeordnet urtd viel breiter als der Anschluß 42 in Figur 4. Insbesondere, kann der An-Figures 5 and 5a show another aspect of the invention that allows for additional connecting wires to the source electrode 43. Thus, leads 25, 26 and 27 are gate, source and drain electrodes respectively, which brings the source and gate leads closer together as shown in Figure 5. Furthermore, the source terminal 50 is now centrally located and much wider than the terminal 42 in Figure 4. In particular, the
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Anschluß 50 breiter als etwa die Hälfte der Breite des Leitungsrahmens sein. Dies ermöglicht vier 20-Milli-Inch-Verbindungsdrähte 51, 52, 53 und 54, von denen jeder mit den Drähten 45 und 46 in Figur 4 identisch ist, von der Source-Elektrode 43 zu dem Anschluß 50, der von der Zuleitung 26 weg verläuft. Der Einsatz von vier Verbindungsdrähten anstatt von zweien läßt eine bedeutende Verringerung des Gehäusewiderstandes.- und somit eine Vergrößerung der Stromleitfähigkext des Gehäuses ohne eine Änderung der Gehäusegröße oder der Chipgröße zu. .Terminal 50 must be wider than about half the width of the lead frame. This allows four 20 mil bonding wires 51, 52, 53 and 54, each of which is identical to wires 45 and 46 in Figure 4, from source electrode 43 to terminal 50 extending from lead 26. The use of four bonding wires instead of two allows a significant reduction in package resistance and thus an increase in package current conductivity without changing package size or chip size. .
Die Verbindungsdrähte 45, 46 und 51 bis 54 sind vorzugsweise Drähte aus reinem Aluminium (Reinheit 0,9999) und mit einem Durchmesser von 20 Milli-Inch. Ein einzelner Draht weist einen Widerstand von fast einem Milli-Ohm auf; zwei parallele Drähte weisen.einen Widerstand, von etwa 0,5 Milli-Ohm auf und vier Drähte weisen einen Widerstand von etwa 0,25 Milli-Ohm auf. Der Einsatz von zusätzlichen Drähten bewirkt so eine wesentliche Verringerung des Gehäusewiderstandes.The connecting wires 45, 46 and 51 to 54 are preferably pure aluminum wires (0.9999 purity) and 20 mils in diameter. A single wire has a resistance of almost one milli-ohm; two parallel wires have a resistance of about 0.5 milli-ohm; and four wires have a resistance of about 0.25 milli-ohm. The use of additional wires thus causes a substantial reduction in the case resistance.
Der Gate-Anschluß. 56, der nur einen dünnen Gate-Verbindungsdraht aufnimmt, weist eine kleinere Fläche auf, und die Pad-Erweiterung 41 von Pad 23 wird versetzt, um mit der Leitungszuleitung 27 ausgerichtet und.verbunden zu sein. Man beachte, daß die Drain-Verbindung 27 auf dem . Potential des Pads 23 ist. ' ,· ■. :' ' ;.. · '·■ .■■■..■■■■■.·■ ■ - ■ ■ ■.. The gate terminal 56, which only accommodates a thin gate connection wire, has a smaller area and the pad extension 41 of pad 23 is offset to align and connect with the line lead 27. Note that the drain connection 27 is at the potential of pad 23. ' ,· ■. :'';.. · '·■ .■■■..■■■■■.·■ ■ - ■ ■ ■..
Figur .6 zeigt den neuartigen Leitungsrahmen, der eher für einen Dioden-Chip 60 als für einen MOSFET-Chip 22 einsetzbar ist. In,Figur.6 weist eine DiodeFigure 6 shows the novel lead frame, which is more suitable for a diode chip 60 than for a MOSFET chip 22. In Figure 6, a diode
eine unterseitige Elektrode, die mit dem Pad 23 verbunden ist, auf. Die Drahtverbindungsanschlüsse sind verändert, damit die Anschlüsse' 50 und 56 von Figur 5 in'einen einzigen großflächigen Anschluß 61 zusammengelegt sind. Der Anschluß 61 ermöglicht den Einsatz von fünf Verbindungsdrähten 62, 63, 64, 65 und 66 von der oberseitigen Elektrode 67 der Diode. Das Metall der mittigen Zuleitung wird während des Herstellungsschritts des Metallabstreifens, der der Kunststoffeinschließung folgt, abgestreift.a bottom electrode connected to pad 23. The wire bonding terminals are modified so that terminals 50 and 56 of Figure 5 are combined into a single large area terminal 61. Terminal 61 allows the use of five bonding wires 62, 63, 64, 65 and 66 from the top electrode 67 of the diode. The metal of the center lead is stripped during the metal stripping manufacturing step that follows plastic enclosure.
Die Figuren 7 und 8 zeigen/ eine weitere Ausführungsform des Leitungsrahmens (zwei Abschnitte sind gezeigt), wobei die Reihenfolge der Leitungen von Figur 4 zum Einsatz kommt, in der der Anschluß 42 von Figur 4 abgewandelt (verbreitert) ist, damit drei Verbindungsdrähte die obere Elektrode eines Chips auf Pad 23 mit dem Anschluß 70 verbinden können. Vorzugsweise weist der Anschluß 70 eine Breite auf, die nahe, an etwa der Hälfte der Breite des Leitungsrahmens liegt. Man beachte, daß das Pad 23: eine verengte und gekrümmte Erweiterung 71 aufweist, die. mit der äußeren Zuleitung 26 (einer Drain-Zuleitung) verbunden ist.Figures 7 and 8 show another embodiment of the lead frame (two sections shown) using the order of leads of Figure 4 in which the lead 42 of Figure 4 is modified (widened) to allow three connecting wires to connect the top electrode of a chip on pad 23 to the lead 70. Preferably, the lead 70 has a width that is close to about half the width of the lead frame. Note that the pad 23 has a narrowed and curved extension 71 that is connected to the outer lead 26 (a drain lead).
Die Figuren 9, 10 und 11 zeigen eine Abwandlung des Gehäuses 20 der Figuren 1, 2 und 3, wobei hier ein Gehäuse vom oberflächenmontierten Typ geschaffen, wird. So ist das Kunststoffgehäuse 80 mit einem Leitungsrahmen versehen, der -wie jene, in den vorherigen Figuren- ein, Hauptstütz-Pad. 23 des Chips und .drei nach außen .verlaufende Leitungszuleitungen 81., 82 und 83 aufweist. Die Zuleitungen 81, 82; und 83 können ; Gate-, Drain- beziehungsweise Source-Figures 9, 10 and 11 show a modification of the housing 20 of Figures 1, 2 and 3, whereby a surface mount type housing is created. Thus, the plastic housing 80 is provided with a lead frame which, like those in the previous figures, has a main support pad 23 of the chip and three outwardly extending lead leads 81, 82 and 83. The leads 81, 82 and 83 can be gate, drain and source leads respectively.
. ···&ogr; a. ···&ogr; a
Zuleitungen sein und können die Grundstruktur von jenen der Figuren 4 oder 7 aufweisen. Die Zuleitungen 81 und 83 sind jedoch -wie in den Figuren 10 und 11 gezeigt- wieder nach innen gerichtet abwärtsgebogen, um in einer zu der Ebene der freiliegenden unterseitigen Fläche des Pads 23 parallelen Ebene zu liegen. So wird das Bauelement der Figuren 9 bis 11 für die Oberflächenmontage geeignet und weist dennoch die vielfältigen, anhand der Figuren 4 und 7 vorher beschriebenen Vorteile auf.Leads 81 and 83 can be made of aluminum and can have the basic structure of those of Figures 4 or 7. However, as shown in Figures 10 and 11, leads 81 and 83 are again bent inwardly and downwards to lie in a plane parallel to the plane of the exposed underside surface of pad 23. The component of Figures 9 to 11 is thus suitable for surface mounting and yet has the many advantages previously described with reference to Figures 4 and 7.
Figur 12 zeigt einen Querschnitt.durch eine beliebige Leitungszuleitung. 25 bis 27 der Figuren 1 bis 3. In dem Gehäuse TO220 des Standes der Technik wies die Zuleitung 25 eine Höhe von etwa 0,8 Millimetern und eine Breite von etwa 0,46 Millimetern auf, was eine Querschnittsfläche von .etwa 0,388 Quadratmillimetern ergab. Dies kam für Bauelemente mit einem Nennwert von etwa 50 Ampere (mittlerer quadratischer Fehler RMS) zum Einsatz und erforderte auf der gedruckten Schaltungsplatine ein Loch mit etwa 0,92 Millimeter Durchmesser.Figure 12 shows a cross-section through any of the lead wires 25 to 27 of Figures 1 to 3. In the prior art TO220 package, lead wire 25 had a height of about 0.8 millimeters and a width of about 0.46 millimeters, giving a cross-sectional area of about 0.388 square millimeters. This was used for devices rated at about 50 amperes (RMS) and required a hole of about 0.92 millimeters diameter on the printed circuit board.
Man fand heraus,, daß der Einsatz von zusätzlichen Verbindungdrähten innerhalb des Gehäuses -wie in Figur 5 gezeigt- eine Vergrößerung des Stroms durch das Bauelement ermöglichte. So kann der Querschnitt des Kontakts. 25, wie in Figur. 13 gezeigt, auf 0, 8 Millimeter . &khgr; 0,8 Millimeter ausgelegt werden, was einen Querschnitt von .0,64 Quadratmillimeter, ergibt . Dies' erfordert nur eine geringfügige Vergrößerung des. Lochdurchmessers der Platine auf 1,15 Millimeter, läßt j edoch eine . vergrößerte Stroml.eitfähigkeit .von 65 . Ampere (mittlerer quadratischerIt was found that the use of additional connecting wires within the housing, as shown in Figure 5, enabled an increase in the current through the device. Thus, the cross-section of the contact 25, as shown in Figure 13, can be designed to be 0.8 millimeters x 0.8 millimeters, giving a cross-section of 0.64 square millimeters. This requires only a slight increase in the hole diameter of the board to 1.15 millimeters, but allows an increased current conductivity of 65 amperes (mean square
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Fehler . RMS) ohne eine zusätzliche Temperaturerhöhung oder einen vergrößerten Gehäusewiderstand zu.Error . RMS) without an additional increase in temperature or an increased case resistance.
Ferner ermöglicht, wie in Figur 14 gezeigt, eine Vergrößerung des Platinenlochdurchmessers auf 1,27 Millimeter einen Kontaktquerschnitt von 0,8 Millimeter &khgr; 1,0 Millimeter, was die Stromleitfähigkeit auf etwa 80 Ampere (mittlerer quadratischer Fehler RMS) vergrößert.Furthermore, as shown in Figure 14, increasing the board hole diameter to 1.27 millimeters allows a contact cross-section of 0.8 millimeters x 1.0 millimeters, which increases the current carrying capacity to about 80 amperes (RMS).
Figur 15 zeigt abgerundete Kanten 90 bei der rechteckigen Zuleitung. 25. Dies ermöglicht den Einsatz eines vergrößerten Kupferquerschnitts der Zuleitung 25 ohne eine Veränderung des Durchbruchs 91 in einer Schaltungsplatine"..Figure 15 shows rounded edges 90 on the rectangular supply line 25. This enables the use of an enlarged copper cross-section of the supply line 25 without changing the opening 91 in a circuit board".
Figur 16 zeigt die Form, die bei dem Plastikgehäuse, beispielsweise demjenigen der Form TO220 oder dergleichen, zum Einsatz kommt. Wie bei dem Gehäuse der Figuren 1 bis 10. weist das Gehäuse 20 (dargestellt mit dem Leitungsrahmen der Erfindung) einen vergleichsweise dicken.. Bereich mit einer flachen Platte 200, einen vergleichsweise dünnen Bereich mit einer flachen Platte:-201 (shelf) und vertikalen oder fast vertikalen Wandungen 202 und 203 auf.. Die Wandung 202 durchschneidet die oberseitige Fläche 200 unter fast 90°. Dies ergab, einProblem bei der Verpressung, da hierdurch Luftblasen in dem Kantenbereich 204, eingeschlossen werden. Überdies wird das Gehäuse 20 häufig auf einer Schaltungsplatine 210 oder einer anderen Oberfläche/durch eine einseitig eingespannte Feder 211 montiert, die an ei-, nem.Ende an der Stützfläche.210 befestigt ist. Die Feder 211 kann eine nach" oben gerichtete EndkanteFigure 16 shows the mold used in the plastic package, such as that of the TO220 mold or the like. As with the package of Figures 1 to 10, the package 20 (shown with the lead frame of the invention) has a relatively thick flat plate portion 200, a relatively thin flat plate portion 201 (shelf) and vertical or nearly vertical walls 202 and 203. The wall 202 intersects the top surface 200 at nearly 90°. This has presented a problem in the crimping process as it traps air bubbles in the edge portion 204. Moreover, the package 20 is often mounted on a circuit board 210 or other surface by a cantilevered spring 211 which is attached at one end to the support surface 210. The spring 211 may have an upwardly directed end edge
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212 aufweisen, die ebenfalls einen Druckpunkt festlegt, um Druck auf die oberseitige Fläche 200 auszuüben, damit das Gehäuse 20 gegen die Stützfläche gedrückt wird.212, which also defines a pressure point for exerting pressure on the upper surface 200 so that the housing 20 is pressed against the support surface.
In der Ausgestaltung des Gehäuses gemäß Stand der Technik ist der Druckpunkt 215 in Richtung auf eine Kante des Chips 22 hin versetzt. Um den Kontaktwiderstand zwischen dem Rahmen 23 und der Oberfläche 210 zu verringern und um den Druck besser über die Fläche des Chips 22 zu verteilen, ist vorzuziehen, den Punkt der Druckbeaufschlagung in Richtung auf die Mitte des Chips 22 hin zu versetzen.In the prior art housing design, the pressure point 215 is offset towards an edge of the chip 22. In order to reduce the contact resistance between the frame 23 and the surface 210 and to better distribute the pressure over the surface of the chip 22, it is preferable to offset the point of pressure application towards the center of the chip 22.
Ein weiteres Problem hinsichtlich des Gehäuses von Figur 16 besteht darin, daß an der Stelle, wo die Wandung 202 die Fläche 201 durchschneidet, die Kante des Gehäuses niedrig.ist, was die Biegetoleranz des Leitungsdrahtes 46 verringert.Another problem with the housing of Figure 16 is that where the wall 202 intersects the face 201, the edge of the housing is low, which reduces the bending tolerance of the lead wire 46.
Erfindungsgemäß wird die Gehäuseform, wie besonders in den Figuren 17 und 18 dargestellt,, verändert. So wird in den Figuren 17 und 18 die flache oberseitige Fläche 220 über-die Mitte des Chips 22 hinaus erweitert, und die Endwandung 221 bildet einen Winkel von etwa 45° gegen die Vertikale. Folglich wirkt der Druckpunkt der Feder 211 über der Mitte des Chips 22, was die Montage des Gehäuses 20 auf der Oberfläche 210 sowohl elektrisch als auch mechanisch verbessert. .According to the invention, the package shape is changed, as particularly shown in Figures 17 and 18. Thus, in Figures 17 and 18, the flat top surface 220 is extended beyond the center of the chip 22 and the end wall 221 forms an angle of about 45° to the vertical. Consequently, the pressure point of the spring 211 acts over the center of the chip 22, which improves the mounting of the package 20 on the surface 210 both electrically and mechanically.
Überdies ermöglicht die neuartige! Keilgestalt des Endes des Gehäuses'. 20 der Figuren 17 und 18 dessen Montage.in der Feder 211, in dem einfach das ..Gehäu--Moreover, the novel wedge shape of the end of the housing 20 of Figures 17 and 18 enables its assembly in the spring 211 by simply removing the housing.
se 20 in den Figuren nach rechts gedrückt wird, wodurch das Ende 212 der Feder 211 nach oben gelangt, und das Gehäuse 20 unter die Feder 211 in eine gewünschte Position geschoben wird. Eine Kerbe oder Positionsmarken (nicht dargestellt) können in dem Gehäuse 20 ausgebildet sein, um das Gehäuse 20 in seiner gewünschten Endposition zu sichern.se 20 is pushed to the right in the figures, causing the end 212 of the spring 211 to come up and the housing 20 to be pushed under the spring 211 to a desired position. A notch or position marks (not shown) may be formed in the housing 20 to secure the housing 20 in its desired final position.
Ein weiterer Vorteil der Gehäuseform der Figuren 17 und 18 besteht darin, daß die Kante 230 während des Verpressens keine Luft einschließt. Überdies ist zusätzlicher Raum für die Leitung 4 6 und andere ähnliche Leitungen vorgesehen, ohne daß zu befürchten ist, daß diese einer flachen Platte wie in Figur 16 zu nahe kommen. Man beachte, daß in dem^Gehäuse der Figuren 1 bis 10 eine leichte Abrundung an.der zu der Kante 202 in Figur 16 entsprechenden Kante vorgefunden wird, um die. Ausbildung von Blasen in jener Kante während des.Verpressens zu verhindern. .,'■■■·Another advantage of the housing shape of Figures 17 and 18 is that the edge 230 does not trap air during compression. Moreover, additional space is provided for the lead 46 and other similar leads without fear of them coming too close to a flat plate as in Figure 16. Note that in the housing of Figures 1 to 10 a slight rounding is found on the edge corresponding to the edge 202 in Figure 16 to prevent the formation of bubbles in that edge during compression. .,'■■■·
Obwohl die vorliegende Erfindung mit Blick auf besondere Ausführungsformen beschrieben wurde, erschließen sich dem Fachmann viele andere Variatio-. nen, Abwandlungen und Einsatzmöglichkeiten. Es ist daher vorzuziehen, den Schutzbereich der vorliegenden Erfindung nicht durch die spezifische Offenbarung, sondern nur. durch die. angefügten Ansprüche zu beschränken. . . . . . ■ ;Although the present invention has been described with reference to particular embodiments, many other variations, modifications and uses will become apparent to those skilled in the art. It is therefore preferable to limit the scope of the present invention not by the specific disclosure, but only by the appended claims. . . . . . ■ ;
Claims (14)
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US8422498P | 1998-05-05 | 1998-05-05 | |
| US09/103,035 US6476481B2 (en) | 1998-05-05 | 1998-06-23 | High current capacity semiconductor device package and lead frame with large area connection posts and modified outline |
| DE19920381A DE19920381A1 (en) | 1998-05-05 | 1999-05-04 | Semiconductor device with increased power capacity for given size |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE29924183U1 true DE29924183U1 (en) | 2002-03-28 |
Family
ID=27219127
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE29924183U Expired - Lifetime DE29924183U1 (en) | 1998-05-05 | 1999-05-04 | Housing and lead frame for a semiconductor component with high current conductivity, with large-area connection connections and a modified shape |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE29924183U1 (en) |
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