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DE2949490A1 - Supply voltage monitor for dynamic RAM - monitors test core to detect bit change indicative of voltage change - Google Patents

Supply voltage monitor for dynamic RAM - monitors test core to detect bit change indicative of voltage change

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Publication number
DE2949490A1
DE2949490A1 DE19792949490 DE2949490A DE2949490A1 DE 2949490 A1 DE2949490 A1 DE 2949490A1 DE 19792949490 DE19792949490 DE 19792949490 DE 2949490 A DE2949490 A DE 2949490A DE 2949490 A1 DE2949490 A1 DE 2949490A1
Authority
DE
Germany
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supply voltage
failure
bit pattern
memory
change
Prior art date
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Application number
DE19792949490
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German (de)
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DE2949490C2 (en
Inventor
Klaus Dieter 3553 Cölbe Schmidt
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Deutsche Fernsprecher GmbH
Original Assignee
Deutsche Fernsprecher GmbH
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Publication date
Application filed by Deutsche Fernsprecher GmbH filed Critical Deutsche Fernsprecher GmbH
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Publication of DE2949490A1 publication Critical patent/DE2949490A1/en
Application granted granted Critical
Publication of DE2949490C2 publication Critical patent/DE2949490C2/en
Expired legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/0703Error or fault processing not based on redundancy, i.e. by taking additional measures to deal with the error or fault not making use of redundancy in operation, in hardware, or in data representation
    • G06F11/0751Error or fault detection not based on redundancy
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    • GPHYSICS
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    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
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    • G06F11/26Functional testing
    • G06F11/273Tester hardware, i.e. output processing circuits
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    • GPHYSICS
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Abstract

A volatile, random access, solid state memory includes a facility for monitoring the supply voltage level. The unit is intended for use where back up battery packs may not be acceptable and some means of detecting the point at which information is going to be lost must be provided. The memory contains a section set aside for the storage of a test code samole that is continuously monitored. When the supply voltage falls below a specific level, the bits of the code change and this is logically detected to indicate that main contents may be affected.

Description

BESCIIREIBUG DESCRIBE

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Uberwachung der Versorgungsspannung eines flüchtigen Festkörperspeichers mit mehreren Speicherplätzen, deren Inhalt beim Wiedereinschalten nach einem vorangegangenen Ausfall der Versorgungsspannung bestimmte Ausfall-Bitmuster annimmt.The invention relates to a method for monitoring the supply voltage a volatile solid-state memory with several storage locations, their content when switching on again after a previous failure of the supply voltage assumes certain failure bit patterns.

Flüchtige Festkörperspeicher, z.B. aus Halbleiterelementen aufgebaute Direktzugriffsspeicher, RAM, verlieren ihren Speicherinhalt, wenn eine Unterbrechung der Versorgungsspannung eintritt. Der Inhalt der einzelnen Speicherplätze geht bei Wiedereinschalten der Versorgungsspannung nach deren vorausgegangenem Ausfall in die einzelnen Speicherplätze kennzeichnende Bitmuster, die Ausfall-Bitmuster, über. Um diesen unerwünschten Verlust des Speicherinhalts zu verhindern, werden in den meisten Fällen Pufferbatterien eingesetzt, welche bei Ausfall der Versorgungsspannung aus einer ersten Spannungsquelle die weitere Speisung des Festkörperspeichers übernehmen und dadurch den Ausfall der Versorgungsspannung verhindern.Volatile solid-state memories, e.g. built up from semiconductor elements Random access memory, RAM, loses its memory contents if an interruption occurs the supply voltage occurs. The content of the individual memory locations is included Switching on the supply voltage again after its previous failure in bit patterns characterizing the individual memory locations, the failure bit patterns. In order to prevent this undesired loss of memory contents, the In most cases, backup batteries are used, which in the event of a supply voltage failure Take over the further supply of the solid-state memory from a first voltage source and thereby prevent the failure of the supply voltage.

Bei verschiedenen Anwendungsfällen ist jedoch der Einsatz von Pufferbatterien zur Verhinderung eines Ausfalls der Versorgungsspannung nicht möglich. So wird z.B. in einigen Anwendungsfällen der Einsatz von Pufferbatterien in mit flüchtigen Festkörperspeichern bestückten Fernsprechteilnehrnerapparaten o. dgl. nicht zugelassen. In derartigen Anwendungsfällen muß der Ausfall der Versorgungsspannung dem Benutzer zuverlässig angezeigt werden, damit der Verlust des in dem flüchtigen Festkörper gespeicherten Speicherinhalts zur Kenntnis gebracht wird, und eine erneute Einschreibung des Speicherinhalts erfolgt, bevor der Festkörperspeicher im Auslesebetrieb betrieben wird.However, buffer batteries are used in various applications not possible to prevent a failure of the supply voltage. E.g. in some use cases the use of Backup batteries in with Volatile solid-state memories equipped telephone subscriber sets o. the like. not allowed. In such applications, the failure of the supply voltage reliably displayed to the user, thus preventing the loss of the volatile Solid-state stored memory content is brought to the attention, and a new one The memory contents are written in before the solid-state memory is in readout mode is operated.

Es sind vielerlei Einrichtungen bekannt, um das Vorhandensein bzw. Nichtvorhandensein einer Versorgungsspannung zu überwachen und anzuzeigen. Diese Einrichtungen sind ständig aktiv zugeschaltet und verbrauchen daher ständig Energie. Darüber hinaus sind derartige Einrichtungen oder Schaltungen relativ aufwendig aufgebaut.A wide variety of devices are known to monitor the existence or To monitor and display the absence of a supply voltage. These Facilities are always actively switched on and therefore constantly consume energy. In addition, such devices or circuits are relatively complex.

Aufgabe der Erfindung ist es demgegenüber, ein Verfahren der eingangs genannten Art derart weiterzubilden, daß der Ausfall der Versorgungsspannung in besonders einfacher Weise angezeigt wird, um dem Benutzer den Verlust des Speicherinhalts des Festkörperspeichers mitzuteilen.In contrast, the object of the invention is to provide a method of the above mentioned type in such a way that the failure of the supply voltage in particularly easy way to show the user the loss of memory of solid-state storage.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß in mindestens einem vorgegebenen Speicherplatz ein von dem betreffenden Ausfall-Bitmuster verschiedenes, vorgegebenes Bitmuster (Prüfbitmuster) eingespeichert und überwacht wird, und daß bei einer Anderung des Bitmusters im überwachten Speicherplatz der Ausfall der Versorgungsspannung angezeigt wird.This object is achieved in that in at least a given memory location a different from the respective failure bit pattern, predetermined bit pattern (test bit pattern) is stored and monitored, and that in the event of a change in the bit pattern in the monitored memory location, the failure of the supply voltage is shown.

Die Vorteile der Erfindung liegen insbesondere darin, daß ein Ausfall der Versorgungsspannung indirekt über die änderung des Inhalts mindestens eines vorgegebenen Speicherplatzes überwacht wird, in dem ein vorgegebenes Bitmuster, das sogenannte Prüfbitmuster eingespeichert ist, wobei das Prüfbitmuster von dem Ausfall-Bitmuster verschieden ist, welches der betreffende Speicherplatz bei Ausfall der Versorgungsspannung annimmt. Sobald ein Bitmuster ausgelesen wird, das von dem zuvor eingespeicherten Prüfbitmuster verschieden ist, wird ein Ausfall der Versorgungsspannung angezeigt. Zur Durchführung dieses Verfahrens reichen die zum Ein- und Auslesen des flüchtigen Festkörperspeichers vorhandenen Schaltungseinheiten aus, zusätzliche Schaltungen zum berwachen der analogen Versorgungsspannung können entfallen.The advantages of the invention are in particular that a failure the supply voltage indirectly by changing the content of at least one specified memory space is monitored in which a specified bit pattern, the so-called test bit pattern is stored, the test bit pattern from the Failure bit pattern is different, which memory space in question is in the event of failure the supply voltage assumes. As soon as a bit pattern is read out from the previously stored test bit pattern is different, there is a failure of the supply voltage displayed. To carry out this process, the reading in and reading out is sufficient of the volatile solid-state memory from existing circuit units, additional Circuits for monitoring the analog supply voltage can be omitted.

Bevorzugt wird zur Uberwachung des in dem bzw. den Prüf-Speicherplätzen vorgegebenen Prüfbitmusters dieser Speicherplatz periodisch ausgelesen und auf seinen Inhalt Cberprüft.It is preferred to monitor the test memory location (s) predetermined check bit pattern this memory space is read out periodically and on its Contents checked.

Gemäß einer besonders bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird das Prüfbitmuster gleich der Negation des Ausfall-Ritmusters gewählt. Dadurch wird eine durch Spannungsschwankungen od. dgl. hervorgerufene Änderung des Speicherinhalts des flüchtigen Festkörperspeichers mit der größtmöglichen Wahrscheinlichkeit pro Prüf-Speicherplatz erfaßt. Es reicht dann im wesentlichen ein Pruf-Speicherplatz aus, um mit der erforderlichen Zuverlässigkeit unerwünschte zufällige Änderungen des Speicherinhalts festzustellen.According to a particularly preferred embodiment of the invention the check bit pattern is chosen to be equal to the negation of the failure rit pattern. This will a change in the memory content caused by voltage fluctuations or the like of volatile solid-state storage with the greatest possible probability per Test memory space recorded. A test memory space is then essentially sufficient out to with the required reliability unwanted random changes of the memory contents.

Das erfindungsgemäße Verfahren besitzt den entscheidenden Vorteil, daß der Ausfall der Versorgungsspannung indirekt über den Inhalt eines Prüf-Speicherplatzes sicher und zuverlässig erkennbar, daß darüber hinaus aber auch durch andere Ursachen bewirkte unerwünschte zufällige Änderungen des Inhalts des flüchtigen Festkörperspeichers zuverlässig festgestellt werden.The method according to the invention has the decisive advantage that the failure of the supply voltage indirectly via the content of a test memory location safely and reliably recognizable that in addition but also through other causes caused undesirable random changes in the contents of the volatile Solid-state storage can be reliably determined.

Claims (3)

Verfahren zur Uberwachung der Versorgungsspannung eines flüchtigen Festkörperspeichers ANSPRUCHE 1. Verfahren zur Uberwachung der Versorgungsspannung eines flüchtigen Festkörperspeichers mit mehren ren Speicherplätzen, deren Inhalt beim Wiedereinschalten nach einem vorangegangenen Ausfall der Versorgungsspannung bestimmte Ausfall-Bitmuster annimmt, dadurch gekennzeichnet, daß in mindesteiis einem vorgegebenen Speicherplatz ein von dem betreffenden Ausfall-Bitmuster verschiedenes, vorgegebenes Bitmuster (Prüfbitmuster) eingespeichert und überwacht wird, und daß bei einer änderung des Ritmusters im überwachten Speicherplatz der Ausfall der Versorgungsspannung angezeigt wird.Method for monitoring the supply voltage of a volatile Solid-state memory CLAIMS 1. Procedure for monitoring the supply voltage a volatile solid-state memory with several storage spaces, their content when switching on again after a previous failure of the supply voltage assumes certain failure bit patterns, characterized in that in at least a given memory location a different from the respective failure bit pattern, predetermined bit pattern (test bit pattern) is stored and monitored, and that In the event of a change in the ritual pattern in the monitored memory location, the failure of the supply voltage is shown. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Prüfbitmuster gleich der Negation des Ausfall-Bitmustcrs ist.2. The method according to claim 1, characterized in that the test bit pattern is equal to the negation of the failure bit pattern. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Speicherplätze, in welche die Prüfbitmuster eingespeichert wurden, periodisch ausgelesen und mit den betreffenden vorgegebenen Prüfbitmustern verglichen werden.3. The method according to claim 1 or 2, characterized in that the Memory locations in which the test bit patterns were stored, read out periodically and compared with the respective predetermined check bit patterns.
DE19792949490 1979-12-08 1979-12-08 Method for monitoring the supply voltage of a storage system Expired DE2949490C2 (en)

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