DE2920807C2

DE2920807C2 - Lichtempfindliche Anordnung für die Elektrophotographie

Info

Publication number: DE2920807C2
Application number: DE2920807A
Authority: DE
Inventors: Yasushi Yokosuka Kanagawa Hoshino; Rikuo Zushi Kanagawa Takano; Kazuyoshi Tateishi
Original assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Current assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date: 1978-05-22
Filing date: 1979-05-22
Publication date: 1982-09-02
Also published as: JPS54151842A; US4265989A; DE2920807A1

Description

eine Speichereinrichtung bekannt, in der eine lichtempfindliche Schicht und eine Elektrolumineszenzschicht zwischen zwei transparenten Elektroden übereinander angeordnet sind. Diese Einrichtung wird jedoch nur zum Verstärken von Licht verwendet, wobei eine Wechselspannung zwischen den transparenten Elektroden angelegt wird. Das heißt, die Einrichtung wird nicht als lichtempfindliche Anordnung verwendet.

Es ist daher Aufgabe der Erfindung, eine lichtempfindliche Anordnung der angegebenen Gattung so wei«erzubilden, daß der lichtelektrische Wirkungsgrad gesteigert, insbesondere über I erhöht werde« kann, und außerdem einstellbar ist

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die Weiterbildung des Gegenstandes nach dem Oberbegriff durch die Merkmale des kennzeichnenden Teils des Anspruchs 1 gelöst

Wenn also die erste lichtempfindliche, photoleitfähige Schicht gleichförmig elektrostatisch aufgeladen wird und auf sie ein Lichtbild auftrifft, um ein elektrostatisches latentes Bild zu schaffen, wird beim Ajftreffen des Lichtbildes auf die erste lichtempfindliche Schicht der Teil der lichtemittierenden Feldeffektschicht, der dem einfallenden und auftreffenden Lichtbild entspricht das Licht an der ersten lichtempfindlichen Schicht emittieren. Dadurch wird ein elektrostatisches Bild an der ersten lichtempfindlichen, photoleitfähigen Schicht sowohl durch das auftreffende Lichtbild als auch durch das Licht geschaffen, das von der lichtemittierenden Feldeffektschicht emittiert worden ist 3»

Vorteilhafte Weiterbildungen sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.

Die somit für elektrophotographische Verfahren geschaffene, lichtempfindliche Anordnung hat eine solche Lichtverstärkung, daß sie eine äußerst hohe Empfindlichkeit aufweist. Ferner kann der Verstärkungsfaktor in Abhängigkeit von der Stärke des angelegten elektrischen Feldes geändert werden, so daß die Empfindlichkeit erforderlichenfalls geändert werden kann. Darüber hinaus gilt: je höher die Frequenz (des einfallenden Lichtes) ist, um so größer wird die von der Feldeffektschicht emittierte Lichtmenge, so daß die Wirkungen der Erfindung im Falle von Belichtungen mit sehr schnellen Impulsen (d. h. mit Impulsen hoher Frequenz) erheblich ausgeprägter sein können. Außer- « dem brauchen keine einzelnen Kristalle zum Ausbilden der lichtemittierenden Feldeffektschicht verwendet zu werden, so daß die Herstellungsschritte sehr vereinfacht werden können. Infolgedessen kann, wenn die beanspruchte lichtempfindliche Anordnung in einem elektrophotographischen Kopiergerät in Verbindung mit einer Impuls-Belichtungseinrichtung oder in einem sehr schnellen Aufzeichnungsgerät mit einer Laserstrahl-Abtasteinrichtung verwendet wird, die Lichtquellenleistung gesenkt und ein sehr schnelles Kopieren oder Aufzeichnen erreicht werden.

Nachfolgend wird die Erfindung anhand von bevorzugten Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die Zeichnungen im einzelnen erläutert. Es zeigt

F i g. 1 eine Darstellung zur Erläuterung des der &o Elektrophotographie zugrundeliegenden Prinzips;

Fig. 2 Kennlinien von einigen herkömmlichen, verfügbaren lichtempfindlichen Teilen, wobei der photoelektrische Wirkungsgrad über der Wellenlänge aufgetragen ist; b5

Fig. 3 bis 5 in einem größeren Maßstab Schnittansichten von ersten, zweiten und dritten Ausführungsformen gemäß der Erfindung jeweils von Teilen von lichtempfindlichen Anordungen, wobei in den Schnittansichten der lichtempfindlichen Schichten jeweils die rechte Seite weggeschnitten ist und der Kontraktionsmaßstab jeweils von einer Figur zur nächsten unterschiedlich sein kann; und

F i g. 5 die Kennlinien der dritten, in F i g. 5 wiedergegebenen Ausführungsform.

In Fig. 1 ist eine schematische Ansicht eines elektrophotographischen Kopiergeräts dargestellt, das nach dem sogenannten Carlson-Verfahren arbeitet. Hierbei wird eine photoleitfähige Trommel 2 zuerst gleichförmig mittels einer Ladeeinrichtung 1 geladen, und ein Lichtbild 3 einer Vorlage wird auf der geladenen Trommel 2 scharf eingestellt. Die Oberflächenladung auf einem Flächenbereich der Trommel, auf welchen das Licht auftrifft, verschwindet dann, wodurch ein elektrostatisches, latentes Bild geschaffen werden kann. Das latente Bild wird dann mit Hilfe des in einem Entwickler 4 enthaltenen Toners entwickelt, und das Tonerbild wird an ein Bildempfangsmaterial 5 übertragen. Das auf diese Weise auf das Bildempfangsmaterial 5 übertragene Tonerbild wird mittels einer Fixiereinrichtung 7 fixiert, und der Toner, der nach der Bildübertragung noch auf der Trommel zurückgeblieben ist, wird mittels einer Reinigungseinrichtung 8 entfernt.

Der photoelektrische Wirkungsgrad η der lichtempfindlichen, photoleitfähigen Schichten, die derzeit verfügbar sind und in elektrophotographischen Kopiergeräten der vorbeschriebenen Art verwendet werden, ist in F i g. 2 dargestellt. Hierbei gibt die Kurve I den photoelektrischen Widerstand von CdS, die Kurve 11 den von SeTe und die Kurve III den eines lichtempfindlichen Schichtaufbaus wieder, der aus einer Schicht Polyvinylcarbazol und einer Schicht Se besteht. Da der photoelektrische Widerstand niemals eins übersteigt, ist eine große Lichtmenge erforderlich, um das Lichtbild 3 scharf einzustellen.

In Fig. 3 ist eine erste Ausführungsfonn der Erfindung dargestellt. Wie bei den herkömmlichen, lichtempfindlichen Anordnungen besteht eine erste photoleitfähige Schicht 9 aus Se, SeTe, CdS oder ZnO und kann z. B. mittels einer Koronaentladung gleichförmig geladen werden. Eine lichtverstärkende Schicht 10 besteht aus einer transparenten Elektrode 11, einer lichtemittierenden Feldeffektschicht 12, einer zweiten photoleitfähigen Schicht 13 und einer zweiten Elektrode 14. Die transparente Elektrode 11 ist geerdet, während an die Elektrode 14 eine Wechsel- oder Gleichspannung von einer Einrichtung 15 aus angelegt wird.

Während des Betriebs wird die erste lichtempfindliche, photoleitfähige Schicht 9 z. B. mittels einer Koronaentladung gleichförmig geladen. Da die transparente Elektrode 11 geerdet ist, wird ein Teil des auf die erste photoleitfähige Schicht 9 auftreffenden Lichts wie bei den herkömmlichen lichtempfindlichen Anordnungen in dieser Schicht absorbiert. Das nichtabsorbicrte Licht wird von der ersten lichtempfindlichen Schicht 9. der transparenten Elektrode 11 und der lichtemittierenden Feldeffektschicht 12 zu der zweiten lichtempfindlichen, photoleitfähigen Schicht 13 durchgelassen. Der Widerstand der zweiten photoleitfähigen Schicht 13 ist dann herabgesetzt, so daß das elektrische Feld zwischen der transparenten Elektrode il und der Elektrode 14 in der lichtemittierenden Feldeffektscliicht 12 konzentriert ist. Folglich ist an der lichtemittierenden Feldeffektschicht 12 ein stufenartiges elektrisches Feld angelegt, so daß ein Verschiebungsstrom erzeugt wird, aufgrund dessen die lichtemittierende Feldeffektschicht 12 für ein

kiii/cs /eitinicr\a!l luüliici. I.in Teil des '.on dc hchtcmntiereiiden I cUti I!cktschifln 12 einiuierieu l.ichts ι ill ι i ι ulic et Mo Iu h (empfindliche, phololeit'ahige Schlicht 4 cm. 13; ι *-. liciHi. das Licht, welches durch die Schicht 4 /ti ilc: licht \ erstarkenden Sciiicht 10 durchs.'« !.r-scn \\ ml w n >. ι ι si ,ι rk I und /u der Sch ich ι ^u /iinickgckitet. Inli'i.'cilcs'-cn k:■ tin der lichtelektrische Wirkungsgrad der lichie-mplindliehen Anordnung offen b;ir iiix'i' cms hinaus c ι höh ι werden. N;ich der I.icluemission durch die licliieiniilierende I ckleffektschiehi 12 nininil die /weile phoioleilfühigc Schichl Π u leder ihren Ausgangs/ustand ein. Die vorbeschriebenen Vorgänge w lederholcn sieh, wenn d;is Licht auf die erste lichtempfindliche Schicht 9 aultrifft.

Die erste Schicht 4 hat /wci einander gegenüberliegende Flächen, auf welche das Lichtbild 3 bzw. das von der lichtemittierende!! l-eldeffektschicht 13 emittierte i.ieiii auiinffi. Din die Lieiiieuipitiidhclikcii der lichtempfindlichen Anordnung zu erhöhen, ist es infolgedessen \oiteilhalt, die erste lichtempfindliche Schicht 9 mit einem Ladungs-Transferkomplex, wie beispielsweise Polyvinylcarbazol-Trinitrofiuorenon (PVCz-TNF) zu bilden, welcher bezüglich eines Ladungstransfers bipolar ist. Wenn jedoch eine trägererzeugende Schicht wie bei einer übereinandergeschichteten. lichtempfindlichen Anordnung aus PVCz/Sc äußerst dünn ist, so daß ein Teil des auffallenden Lichts durchgelassen wird, braucht die erste lichtempfindliche Schicht 9 nicht mit bipolaren Materialien gebildet zu sein.

Die lichtemittierende Feldeffektschicht 12 muß Licht von der ersten lichtempfindlichen Schicht 9 zu der zweiten lichtempfindlichen, photoleitfähigen Schicht 13 durchlassen. Die Schicht 12 kann z. B. aus ZnS oder ZnSc gebildet sein. Diese Materialien können durch Aufdampfen im Vakuum auf eine Schicht aufgebracht werden. Andererseits können sie in Bindemittel, wie Cvanzellulose feinstverteilt sein, das auf einen Träger aufzubringen ist.

Die ersten und zweiten lichtempfindlichen Schichten 9 und 13 können aus denselben Materialien gebildet sein. Die erste transparente Elektrode 11 kann z. B. aus CuI oder ln?Oj hergestellt sein, während die zweite Elektrode 14 aus Al oder Cu hergestellt sein kann.

Eine sperrende Isolierschicht kann zwischen der ersten transparenten Elektrode 11 und der lichtemittierenden Feldeffektschicht 12 oder zwischen der zweiter, leitfähigen Schicht 13 und der zweiten Elektrode 14 angeordnet sein. Die sperrende Isolierschicht kann z. B. aus Polycarbonatharzen oder Polyäthylen-Terephthalat hergestellt sein.

Die zweite Elektrode 14 kann auch transparent sein, indem sie z. B. aus CuI, In₂Oj gebildet wird. Nachdem die tlSIV 1Ι\.ΙΙ(1-ΐιΐμΊ lllU

ist. kann ein Lichtbild auf der zweiten transparenten Elektrode 14 scharf eingestellt werden, so daß außer dem Licht, das durch die zweite photoleitfähige Schicht 13 und die lichtemittierende Feldeffektschicht 12 durchgelassen worden ist, das von der Schicht 12 emittierte Licht die erste lichtempfindliche Schicht 9 erreicht. Das heißt, das Lichtbild wird verstärkt Ein elektrostatisches, latentes Bild wird auch auf der ersten lichtempfindlichen Schicht 9 geschaffen.

In einer zweiten, in F i g. 4 dargestellten Ausführungsform ist die Lage der ersten transparenten Elektrode 11. der lichtemittierenden Feideffektschicht IZ der zweiten photoleitfähigen Schicht 13 und der zweiten transparenten Elektrode 14 der ersten Ausführungsform umge- kehri. und die /weile transparente Elektrode 14 ist geerdet, wahrend die erste transparente Elektrode 11 mit eier Anordnung 15 verbunden ist. Wie bei der ersten Aiisli.h.nngslorm kann das Lichtbild entweder auf die ' erste transparente Elektrode 11 oder auf die erste lichtcMylmdliche Schicht 9 auftreffen. In beiden Fallen wird das licht durch die lichtemittierende Feldeffcktsehicht 12 verstärkt so daß der lichtelektrische Wirkungsgrad offensichtlich erhöht werden kann.

i" Bei einer dritten, in I" i g. 5 dargestellten Ausführungsform bestein die lichtverstarkende Schicht 10 aus einer Elektrode lh aus Ag, aus einer zweiten photoleitfähigen Schicht 17. die hauptsächlich aus Kupferphthalocyanin besieht, aus einer lichiemittierenden Feideffektschicht

η 18 aus mit Mn dotiertem ZnS, aus Elektroden 19 und 21 aus Al und einer dünnen Polyäthylenterephthalat-Schicht 20. Die erste lichtempfindliche photoleitfähige Schicht 9 weist eine ScTc-Sehieh: 22, die durch Aufdampfen im Vakuum gebildet ist, und eine Schicht 23 hauptsächlich aus Polyvinylcarbazol auf. Die Elektroden und 21 sind geerdet und sind in ihrer Funktion der ersten in F i g. 3 dargestellten Elektrode äquivalent, so daß die dünne Schicht 20 keinen Einfluß auf die Wirkung der lichtempfindlichen Anordnung der dritten Ausfüh rungsform hat. Die dünne Schicht 20 wird verwendet, um die strukturelle Festigkeit der lichtempfindlichen Anordnung zu verstärken.

Die verschiedenen Schichten der hier beschriebenen lichtempfindlichen Anordnungen können durch die

.so folgenden Verfahren geschaffen werden:

1. die Elektroden 19 und 21 werden dadurch gebildet, daß im Vakuum Al in einer Dicke von etwa 10 nm auf beide Oberflächen der dünnen Schicht 20

3-3 aufgedampft wird.

2. Bei der lichternittierenden Feideffektschicht 18 wird ebenfalls das Aufdampfen im Vakuum angewendet, um mit Mn dotiertes ZnS in einer Dicke von etwa 2 μίτι über der Al-Elektrode 19

■»ο aufzubringen. Die lichtemittierende Feideffektschicht hat einen spezifischen Widerstand von 1O¹⁰ bis 10¹¹Dm und eine optische Durchlässigkeit μ ■■-■ 'ir a!^c 60% in dem Bereich langer : ichi-W'.ieniänuc. „·π mehr als 500 nm.

3. Bei der photoleitfähigen Schicht 17 wird Kupferphthalocyanin der jS-Form 72 h lang in einer Kugelmühle feinverteilt. Danach werden 5 Gewichtsprozent von 2,4,7 Trinitrofluorenon hinzugefügt, und dann werden die Copolymere von

% 'inylchlorid und Vinylazetat in der vierfachen

Gewichtsmenge der Mischung aus Kupferphthalocyanin der /J-Form und 1,4,7 Trinitrofluorenon zugegeben. Die Mischung wird dann in Methylke-ϊοπ aufgelöst und °einischt und in einer Ku^cimüh- Ie 8 h lang durchgeknetet, um eine lichtempfindliche Dispersion aufzubereiten. Die auf diese Weise geschaffene Dispersion wird dann mittels einer Streichschneide gleichförmig über der lichtemittierenden Feideffektschicht 18 ausgebreitet. Danach

so wird das auf diese Weise aufbereitete Halberzeugnis 2 h lang in einem Heißluftofen getrocknet, dessen Inneres auf einer gleichförmigen Temperatur von 150° C gehalten wird. Auf diese Weise kann die zweite photoleitfähige Schicht 17 in einer Dicke

s>5 zwischen 2 und 3 μΐη erhalten werden. Messungen von Proben haben gezeigt, daß die zweite photoleitfähige Schicht 17 einen spezifischen Widerstand von 10" Ω - m hat

4. Die Ag-Elektrode 16 kann durch Aufdampfen von Ag im Vakuum auf die /weite photoleitfähige Schicht 17 gebildet werden.

5. Die erste lichtempfindliche Schicht 9 kann über der Al-Elektrode 21 in einer Dicke von etwa 1 μπι durch Aufdampfen von SeTe im Vakuum (wobei der Te-Gehalt 4°/» ist) gebildet werden. Danach wird in Tetrahydrofuran gelöstes Polyvinylcarbazol mittels einer Streichschneide bzw. eines -messers gleichförmig auf die Se-Te-Schicht aufgebracht. Danach wird das Halberzeugnis 24 h lang bei Raumtemperatur getrocknet. Nach dem Trocknen beträgt die Dicke der ersten lichtempfindlichen Schicht 9 etwa 20 μπι.

Mit den auf die vorbeschriebene Weise hergestellten, lichtempfindlichen Anordnungen wurden Versuche durchgeführt. Die beiden Al-Elektroden 19 und 21

wurden geerdet, während die Ag-Elektrode 16 mit dem negativen Anschluß der Gleichspannungsquelle in der Weise verbunden wurde, daß die geerdete Seite ein positives Potential hat. Die lichtempfindliche Anordnung wurde einer Koronaentladung ausgesetzt, um so ein Oberflächenpotential von — 1000 V zu erhalten, und wurde mit einer Xe-Blitzlampe bei einer optischen Impulsdauer von etwa 50 μβ belichtet, worauf die Abnahme des Oberflächcnpotentials gemessen wurde. Die Ergebnisse sind in F i g. 6 dargestellt. Die Kurve I zeigt die Abnahme des Oberflächenpotentials, wenn das angelegte elektrische Feld 0 V betrug. Die Wirkungen sind denen sehr ähnlich, die bei den herkömmlichen Lichtempfindlichen Anordnungen erhalten wurden. Wenn das angelegte elektrische Feld jedoch —300 V betrug, nahm das Oberflächenpotential merklieh ab, wie durch die Kurve Il gezeigt ist. Dies bedeutet, daß die Empfindlichkeit beträchtlich verbessert werden konnte.

Hierzu 3 Blatt Zeichnungen

Claims

Patentansprüche:

1. Lichtempfindliche Anordnung für die Elektrophotographie, mit

einer ersten lichtempfindlichen photoleitfähigen Schicht, die gleichförmig elektrostatisch aufladbar ist, einer zweiten lichtempfindlichen Schicht, und mindestens einer elektrisch leitenden Schicht,

dadurch gekennzeichnet, daß die zweite lichtempfindliche Schicht und die elektrisch leitende Schicht Bestandteile einer aus

einer ersten transparenten Elektrode (11; 21, 20, 19) einer lichtemittierenden Feldeffektschichi (12; 18), einer zweiten phctoleitiähigen Schicht (13; 17), und einer zweiten Elektrode (14; 16), die in dieser Reihenfolge aufeinandergeschichtetsind,

aufgebauten lichtverstärkenden Schicht (10) sind, und daß eine Einrichtung (15) zum Anlegen einer Spannung zwischen der ersten (H; 19—21) und der zweiten (14; 16) Elektrode vorgesehen ist.

2. Lichtempfindliche Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste lichtempfindliche photoleitfähige Schicht (9) eine im Vakuum aufgedampfte SeTe-Schicht (22) und eine Polyvinylcarbazol-Schicht (23) aufweist;

daß in der lichtverstärkenden Schicht (10)

die erste transparente Elektrode (19,20,21) aus Polyäthylenterephthalat (20) besteht, dessen beide Oberflächen durch im Vakuum aufgedampfte A!-Elektroden (19,21) gebildet sind, die lichtemittierende Feldeffektschicht (12; 18) aus mit Mn dotiertem ZnS besteht, die zweite photoleitfähige Schicht (13; 17) hauptsächlich aus Kupferphthalocyanin besteht, und die zweite Elektrode eine Ag-Elektrode (16) ist,

und daß die Einrichtung (15) ein elektrisches Gleichspannungsfeld zwischen der ersten transparenten Elektrode (20; 19, 21) und der Ag-Elektrode (16) ausbildet.

3. Lichtempfindliche Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die erste lichtempfindliche, photoleitfähige Schicht (9) mit der ersten transparenten Elektrode (11) der lichtverstärkenden Schicht (10) verbunden ist.

4. Lichtempfindliche Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die erste lichtempfindliche, photoleitfähige Schicht (9) und die zweite Elektrode (14) der lichtverstärkenden Schicht (10) miteinander verbunden sind, wobei die zweite Elektrode lichtdurchlässig ist.

5. Lichtempfindliche Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtung (15,25) eine Gleichstromquelle ist.

6. Lichtempfindliche Anordnung nach einem der Ansprüche i oder 3 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtung (15) eine Wechselst romquelle ist. Die Erfindung betrifft eine lichtempfindliche Anordnung für die Elektrophotographie nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.

Materialien für elektrophotographische, lichtempfindliche Anordnungen oder Teile sind z. B. Se, SeTe, ZnO oder CdS. Ein lichtempfindliches Teil kann durch Aufdampfen von Se im Vakuum auf eine Elektrode geschaffen werden. Eine lichtempfindliche Anordnung aus ZnO wird dadurch geschaffen, daß feine ZnO-Kxistalle, die in einem Bindemittel feinstvertcilt sind, auf eine Elektrode aufgebracht werden. Eine lichtempfindliche Anordnung aus CdS wird dadurch geschaffen, daß feine CdS-Kristalle, die in einem Bindemittel feinstverteilt sind, auf eine Elektrode aufgebracht und über der CdS-Schicht eine Isolierschicht ausgebildet wird.

In der Elektrophotographie werden die auf die vorstehend beschriebene Weise hergestellten, lichtempfindlichen Anordnungen folgendermaßen verwendet. Zuerst wird die lichtempfindliche Anordnung gleichförmig geladen und ein Lichtbild einer wiederzugebenden Vorlage wird auf der gleichförmig geladenen Oberfläche scharf eingestellt, so daß ein elektrostatisches, latentes Bild geschaffen werden kann. Dieses latente Bild wird dann mittels Toner entwickelt, und das Tonerbild wird auf ein entsprechendes Bildempfangsmaterial übertragen. Auf diese Weise ist dann eine Kopie geschaffen.

Wenn ein elektrostatisches, latentes Büd geschaffen wird, ist d<;r photoelektrische Wirkungsgrad η gegeben durch

τ}=Δα/ Fo

wobei Fo = eine Anzahl von auf eine Flächeneinheit auftreffender Photonen, und

Δα = eine Anzahl von Oberflächenladungsionen auf einer Flächeneinheit ist, die entsprechend dem Auftreffen eines Lichtbildes verschwunden sind.

Die Empfindlichkeit der lichtempfindlichen Anordnung wird im allgemeinen durch den vorstehend angegebenen photoelektrischen Wirkungsgrad ausgedrückt.

Eine lichtempfindliche Anordnung der eingangs angegebenen Art ist aus der DE-AS 22 51 312 bekannt. Bei der bekannten lichtempfindlichen Anordnung ist es ⁴S jedoch nicht möglich, einen lichtelektrischen Wirkungsgrad größer als 1 zu erhalten und ferner ist es nicht möglich, diesen Wirkungsgrad einstellbar zu machen.

Ferner ist aus der US-PS 30 03 869 e>ne lichtempfindliche Anordnung mit einer hohen Quantenausbeute bekannt, bei der auf einer Unterlage eine Elektrode, eine Elektrolumineszenzschicht, eine transparente Elektro denschicht und eine lichtempfindliche Schicht ausgebil det sind. Wenn ein ultraviolettes Lichtbild auf die Unterlage dieser Anordnung scharf eingestellt wird, wird das Licht in der Elektroluminenszenzschicht absorbiert, so daß die Träger erregt werden. Unter einem hohen, durch das Oberflächenpotential erzeug ten, elektrischen Feld bewirken die erregten Träger einen lawinenartigen Durchbruch bzw. eine entsprechende Entladung, wodurch es zu einer Erhöhung der Träger kommt. Diese Träger verschwinden nach dem Emittieren des Lichts. Ein Teil des auf diese Weise emittierten Lichts wird in die lichtempfindliche Schicht gepumpt, wodurch sich die Verstärkung des auftreffenden Lichtes ergibt. Diese Anordnung muß jedoch mit ultraviolettem Licht belichtet werden, d. h. zur Belichtung kann kein weißes Licht verwendet werden.

Aus der GB-PS 8 33 188 sind ein Lichtverstärker und