DE2723914C3

DE2723914C3 - Lichtfühler

Info

Publication number: DE2723914C3
Application number: DE2723914A
Authority: DE
Inventors: Eiichi Kodaira Maruyama; Makoto Matsui; Hideaki Yamamoto
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1976-05-28
Filing date: 1977-05-26
Publication date: 1979-02-15
Also published as: DE2723914A1; JPS52144992A; JPS5514554B2; US4307372A; NL174519B; NL7705779A; DE2723914B2; NL174519C

Description

Die Erfindung betrifft einen Lichtfühler und insbesondere einen Dünnschicht-Lichtfühler, der beispielsweise im Zusammenhang mit einer Lichtfühleranordnung eines Faksimile-Sendegerätes od. dgl. als photoelektrischcr Wandler für ein ebenes Bild verwendet werden kann.

Bis jetzt wurden in einer Reihe angeordneter SiIicium-Photodioden als photoelektrische Wandler bzw. als photoelektrische Fühler oder Sensoren für ein Faksimile-Sendegerät verwendet. Ein Silicium-Einkristall kann jedoch nur bis zu einer bestimmten Größe und Abmessung gefertigt werden. Daher ist es schwierig, eine lineare Anordnung von Silicium-Photod-oden groß bzw. lang zu machen.

Dagegen kann eine Dünnschicht-Lichtfühleran-Ordnung, bei der eine CdSe-Schicht, eine amorphe Se-As-Te-Dünnschicht od. dgl. als Lichtfühler verwendet wird, durch Vakuumaufdampfen hergestellt ' und daher lang und in großen Abmessungen gefertigt werden. Eine bei einem solchen Lichtfühler verwendete, lichtdurchlässige Elektrode weist jedoch die Nachteile auf, daß der spezifische Widerstand einer solchen Elektrode im Vergleich zu einer Metallelektrode vergleichsweise hoch ist, so daß der Verdrahtungs- bzw. Leiterwiderstand hoch wird, wenn die lichtdurchlässige Elektrode als sehr dünne, feine Elektrode für die Verdrahtung vorliegt. Wenn weiterhin auch Teile der Elektrode über das für den Lichtsignaleinfall vorgesehene Fenster lichtdurchlässig bleiben, treten zusätzliche, unerwünschte Lichtsignale auf und werden mit den eigentlichen Lichtsignalen vermischt, so daß sich die Auflösung einer Bildaufnahme verschlechtert. Ein weiterer Nachteil besteht darin, daß bei der elektrischen Verbindung der lichtdurchlässigen Elektrode und eines Drahtleiters zwei Photoätz-Vorgänge hoher Genauigkeit zur einzelnen Ausbildung der Elektrode und des Drahts oder Verbindungsleiters erforderlich sind.

Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, einen Lichtfühler zu schaffen, der die genannten Nachteile,, bekannter Lichtfühler nicht aufweist und der leicht und mit hoher Genauigkeit und geringem Auschuß hergestellt werden kann.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch den in Anspruch 1 angegebenen Lichtfühler gelöst.

Der in Anspruch 8 angegebene Lichtfühler löst ebenfalls die gestellte Aufgabe.

Vorteilhafte Ausgestaltungen der erfindungsgemäßen Lichtfühler sind in den Unteransprüchen angegeben.

Der erfindungsgemäße Lichtfühler besitzt ein lichtdurchlässiges Elektrodenfenster für den Lichtsignaleinfall.

Bei dem erfindungsgemäßen Lichtlühlcr ist eine der

Elektroden aus einer Doppelschicht hergestellt, die aus einer lichtundurchlässigen Metall-Dünnschicht hoher Leitfähigkeit und einer lichtdurchlässigen Leiterschicht besteht, so daß es dadurch möglich ist, die Verdrahtung bzw. Verbindung zwischen einem lichtdurchlässigen Elektrodenfenster und einer Elektrode sehr genau, zuverlässig und einfach mit dem Selbstausrichtungs-Verfahren herzustellen.

Der erfindungsgemäße Dünnschicht-Lichtfühler weist also eine auf einer Oberfläche einer dünnen Photolerterschicht aufgebrachte lichtdurchlässige Elektrode und eine auf der anderen Oberfläche der dünnen Photoleiterschicht aufgebrachte Gegen- bzw. Zählerelektrode auf. Mit Ausnahme eines Fensters für den Lichtsignaleinfall ist die lichtdurchlässige Elektrode mit einer lichtundurchlässigen Dünnschicht überzogen. Der erfindungsgemäße Lichtfühler wird insbesondere im Zusammenhang mit einer Lichtfühleranordnung für ein Faksimile-Sendegerät od. dgl. verwendet.

Die Erfindung wird nachstehend an Hand der Zeichnungen beispielsweise näher erläutert. Es zeigt

Fig. 1 eine erfindungsgemäße Ausführungsform in Aufsicht,

Fig. 2 A bis 2F und 2 A' bis 2F' Darstellungen zur Erläuterung der Herstellungsschritte der in Fig. i dargestellten Anordnung, wobei die Fig. 2 A bis 2F Querschnitte entlang der in Fig. 1 eingezeichneten Schnittlinie A-A' und die Fig. 2 A' bis 2F' Querschnitte entlang der in Fig. 1 eingezeichneten Schnittlinie B-B' darstellen,

Fig. 3 eine Schaltungsanordnung eines Faksimile-Sendegeräts, bei dem der erfindungsgemäße Lichtfühler verwendet wird, und

Fig. 4 ein Diagramm von Signalschwingungsformen, die an verschiedenen Schaltungspunkten der in Fig. 3 dargestellten Schaltung auftreten.

Fig. 1 zeigt eine Ausführungsform der Erfindung in Aufsicht. Auf der Oberfläche eines durchsichtigen Substrates 1 befinden sich ausgedehnte streifenförmige untere Elektroden S sowie eine Photoleiterschicht 7. Und auf der den unteren Elektroden 5 abgewandten Seite der Photoleiterschicht 7 liegt eine obere Elektrode 8, beispielsweise eine metallische Dünnschicht. Die Bereiche 6 sind lichtdurchlässige Elektrodenfenster, auf die Lichtsignale: auffallen. Da die Dünnschicht der Photoleiterschicht 7 einen hohen elektrischen Widerstand aufweist, kann die Photoleiterschicht 7 selbst nicht auseinandergeschnitten werden, und nur die unteren Elektroden 5 können unterteilt sein. Bei dem in Fig. 1 dargestellten Falle dringt das einfallende Licht von unterhalb der unteren Elektrode 5 her, d. h. von der Rückseite des Zeichnungsblattes her in das lichtdurchlässige Substrat 1 ein. Das lichtdurchlässige Elektrodenfenster 6 dient dazu, den Nutzungsgrad des Lichtes zu erhöhen. Wenn die untere Elektrode 5 aus einem lichtundurchlässigen und leitenden Material, beispielsweise aus einer metallischen Dünnschicht, besteht, kann der andere Teil mit Ausnahme des Fensters für den Einfall des Lichtsignals lichtundurchlässig gemacht werden.

Als Substanz, aus der diese lichtundurchlässige Dünnschicht gebildet wird, kann irgendein Material verwendet werden. Besonders vorteilhaft sind Chrom, Titan, Silber, Aluminium, Gold, Beryllium, Wismut, Cadmium, Kobalt, Kupfer, Eiseji, Indium, Mangan, Molybdän, Niob, Nickel, Blei, Palladium, Platin. Rhodium. Zinn. Tantal, Vanadium, Wolfram, Zink und Zirkonium.

Als Material für die Photoleiterschicht sind zahlreiche Substanzen bekannt, die alle auch im Zusammenhang mit der vorliegenden Erfindung verwendet werden können. Vorteilhaft sind dabei insbesondere eine CdSe-Schicht, eine amorphe Se-As-Te-Schieht, eine CdS-Schicht, eine Te-Schicht, eine Se-Schicht, eine As₂Se-Schicht, eine CdTe-Schicht, eine Sb₁S₃-Schicht, eine PbO-Schicht, eine ?bS-Schicht, eine

ίο amorphe Siliciumschicht, eine amorphe Gc-Schicht, eine GaAs-Schicht, eine ZnTe-Schicht und Gemische bzw. Kombinationen davon.

Als lichtdurchlässige Leiterschichten werden bereits bekannte lichtdurchlässige Leiterschichten verwendet. Zahlreiche dieser lichtdurchlässigen Leiterschichten bestehen im wesentlichen aus Zinnoxid, Indiumoxid u. dgl. Als lichtdurchlässige Leiterschicht werden bekannte lichtdurchlässige Leiterschichten verwendet. Viele dieser lichtdurchlässigen Leiterschichten bestehen im wesentlichen aus Zinnoxid, Indiumoxid usw. Um die lichtdurchlässige Leiterschicht auszubilden, ist es erforderlich, das Substrat 1 auf eine hohe Temperatur von über 300⁰C zu erhitzen. Um nachteilige Effekte auf der Photoleiterschicht 7 zu

vermeiden, wird die lichtdurchlässige Elektrode daher vorzugsweise schon vorher auf dem Substrat 1 ausgebildet.

Der erfindungsgemäße Lichtfühler kann beispielsweise mit dem nachfolgend beschriebenen Verfahren

3d hergestellt werden. Auf einem lichtdurchlässigen Substrat, beispielsweise auf Glas, wird eine lichtdurchlässige Leiterschicht und eine lichtundurchlässige metallische Dünnschicht jeweils übereinander ausgebildet. Nach Ausbildung der metallischen

j5 Dünnschicht wird die lichtdurchlässige Leiterschicht unter Verwendung der ausgebildeten metallischen Dünnschicht als Maske aufgebracht. Danach werden Teile der metallischen Dünnschicht entfernt, um die lichtdurchlässigen Elektrodenfenster für den Lichtsignaleinfall zu bilden.

Anschließend soll die vorliegende Erfindung an Hand von Ausführungsbeispielen im einzelnen erläutert werden.

Beispiel 1

Fig. 1 zeigt den Elektrodenaufbau eines Lichtfühlerbereichs mit einem amorphen Se-As-Te-Halbleitersystem, wobei lichtdurchlässige Elektrodenfenster für den Lichtsignaleinfall vorgesehen sind. Die Fig. 2 Abis 2 F und die Fig. 2 A'bis 2 F'zeigen Querschnitte durch den Lichtfühlerbereich und dienen der Erläuterung der Herstellungsschritte. Die Fig. 2 A bis 2 F zeigen Teilquerschnitte entlang der in Fig. 1 eingezeichneten Schnittlinie A-A' und die Fig. 2 A' bis 2 F' zeigen Teilquerschnitte entlang der ebenfalls in Fig. 1 eingezeichneten Schnittlinie B-B'. Auf der Oberfläche eines Glassubstrats 1 wird eine lichtdurchlässige Leiterschicht aus Zinnoxid 2 in einer Dicke von 1000 A aufgebracht. Darauf wird dann eine

bo 2000 A dicke Chromschicht 3 aufgebracht. Die lichtundurchlässigen, streifenförmigen Elektroden werden dadurch gebildet, daß die Chromschicht 3 an Stellen, die einem nicht erforderlichen bzw. nicht gewünschten Bereich 4in Fig. 2B und Fig. 2 B' entsprechen, durch

_b5 Thotoätzen entfernt wird. Daraufhin wird die verbleibende Chromschicht 3 als Maske verwendet. Die lichtdurchlässige Leiterschicht 2 aus Zinnoxid wird an Stellen, die dem unnötigen Bereich 4 in Fig. 2C und

Fig. 2C entsprechen, durch Sputter-Ätzen entfernt. Auf diese Weise werden die lichtundurchlässigen, streifenförmigen unteren Elektroden 5 (an der Stelle 5 in Fig. 2C und Fig. 2C) ausgebildet. Wenn die in dieser Weise ausgebildete Chromschicht 3 an den Endbereichen (den Stellen, die in Fig. 2D und Fig. 2 D'mit dem Bezugszeichen 6 versehen sind) der unteren Elektroden 5 photogeätzt wird, verbleibt die lichtdurchlässige Le-terschicht 2 aus Zinnoxid an den Endbereichen und bildet die lichtdurchlässigen Elektrodenfenster 6 für den Lichtsignaleinfall. Auf dem sich auf diese Weise ergebenden Substrat wird eine 4 μ;η dicke Se-As-Te-Photoleiterschicht 7 unter Verwendung einer Schattenmaske durch Aufdampfen ausgebildet. Darüber hinaus ist auf der Photoleiterschicht unter Verwendung einer Schattenmaske durch Aufdampfen eine Golddünnschicht aufgebracht. Von der Seite des Substrats her fällt das Licht ein. Da bei dieser Elektrodenanordnung alle Teile mit Ausnahme der für den Lichtsignaleinfall vorgesehenen, lichtdurchlässigen Elektrodenfenster 6 mit der Chromschicht bedeckt und lichtundurchiässig sind, treten ungewünschte Lichtsignalströme nicht auf und beeinflussen die eigentlichen Lichtsignalströme nicht, so daß die Auflösung bei der Bildaufnahme sehr gut ist. Auf Grund der Chromverdrahtung ist darüber hinaus auch der Verdrahtungs-Widerstand auch dann gering, wenn eine sehr dünne, feine Verdrahtung bzw. Leiterschicht vorliegt. Mit dem vorliegenden Ausführungsbeispiel kann der Elektrodenaufbau sehr einfach hergestellt werden und weist dennoch zwei erhebliche Vorteile, nämlich eine hohe Auflösung und einen geringen Verdrahtungswiderstand auf. Darüber hinaus ist es möglich, große Lichtfühlerflächen zu schaffen. Daher ist der erfindungsgemäße Lichtfühler besonders als Lichtfühler für ein Faksimilegerät geeignet. Bei dem vorliegenden, zuvor beschriebenen Ausführungsbeispiel liegen fünf lichtdurchlässige Elektrodenfenster vor. Selbstverständlich kann die Anzahl der Fenster auch beliebig erhöht werden.

Beispiel 2

Bei diesem Ausführungsbeispiel handelt es sich um eine CdSe-Schicht-Lichtfühleranordnung mit demselben Elektrodenaufbau wie beim Beispiel 1. An Stelle der Chromschicht 3 beim Ausführungsbeispiel 1 wird im vorliegenden Falle eine 1000 A dicke Titanschicht, eine 2 μίτι dicke CdSe-Schicht als Photoleiterschicht 7 und eine Aluminiumschicht als obere Elektrode 8 verwendet. Wie Fig. 1 und die Fig. 2 A bis 2 F und 2 A' bis 2 F' zeigen, werden die streifenförmigen unteren Elektroden 5 in Form einer Doppelschicht, die aus einer lichtdurchlässigen Leiterschicht 2 aus Zinnoxid und einer Titanschicht 3 bestehen, auf der Oberfläche des Glassubstrats 1 ausgebildet und die Titanschicht an den Endbereichen der Doppelschicht wird entfernt, um die lichtdurchlässigen Elektrodenfenster 6 zu bilden. Dabei wird dasselbe Verfahren wie beim Ausführungsbeispiel 1 angewandt. Bei einer Substrattemperatur von 150⁰C wird die CdSe-Schicht der Photoleiterschicht 7 danach dem Aufdampfverfahren unter Verwendung einer Schattenmaske in einem Vakuum von 3 · 10 ~ ^h Torr unterzogen. Nach Abschluß des Aufdampfverfahrens wird das gesamte Substrat in einer Sauerstoffatmosphäre bei Normaldruck 1 Stunde lang auf 350°C erhitzt, um die Rekristallisation der Photoleiterschicht 7 der CdSe-Schicht zu beschleunigen und zu unterstützen, und um die Empfindlichkeit hoch n< machen. Danach wird die obere Elektrode 8 der Aluminiumschu'.n auf der Photoleiterschicht 7 der CdSe-Schic'.V durch Aufdampfen unter Verwendung einer Schattenmaske ausgebildet, wobei das Glassubstrat 1 auf Zimmertemperatur gehalten wird.

Beispiel 3

Nachfolgend soll ein Beispiel für einen photoelekfrischen Wandler beschrieben werden, der ein auf einem ebenen Aufzeichnungsmedium vorliegendes Bild unier Verwendung der erfindungsgemäßen Lichtfühleranordriung in seitlich aufeinanderfolgende elektrische Signale umsetzt.

ι 5 Bei Verweüdung des erfindungsgemäßen Lichtfühlers für einen Faksimile-Sender od. dgl. wird als photoelektrischer Wandler für das ebene Bild ein System verwendet, bei dem die erfindungsgemäße Lichtfühleranordnung geradlinig angeordnet ist. Die Abta-

-'(i stung der Ebene wird durch die elektrische Abtastung in einer bestimmten Richtung und die mechanische Verschiebung in einer zur elektrischen Abtastrichtung senkrechten Richtung durchgeführt. Ein solches System weist hinsichtlich der Arbeitsgeschwindigkeit, Länge der Lebensdauer usw. erhebliche Vorteile auf.

Fig. 3 zeigt schematisch eine Ausführungsform für

eine Schaltung, mit der die elektrische Umschaltung und Abtastung durchgeführt wird, und Fig. 4 gibt die Signalschwingungsformen wieder, die bei der in Fig. 3

jo dargestellten Schaltung auftreten.

Fig. 3 zeigt ein optisches System und eine elektrische Schaltungsanordnung. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist nur ein Teil einer Anordnung aus Lichtfühlern dargestellt, die jeweils fünf streifenförm ige

!5 Elektroden aufweisen, wogegen der andere Teil weggelassen ist.

Fig. 3 zeigt eine Bildebene 9, einen geraden Bereich 10 zum Verbinden der photoelektrischen Umsetzung (dieser gerade Bereich erstreckt sich senk-

4(i recht zum Figurenblatt), eine Beleuchtungseinrichtungll.eine Linse 12 und einen dem geraden Bereich 1.0 entsprechenden Abbildungsbereich 13 auf der erfindungsgemäßen Lichtfühleranordnung 30. Schalter S₁ bis S₅ werden in den leitenden Zustand versetzt,

4-, wenn Signale N₁ bis N₅ jeweils anliegen, und sonst sind diese Schalter S₁ bis S₅ nicht-leitend (beispielsweise können als Schalter Feldeffekttransistoren verwendet werden). Eine Abtastschaltung 14 bewirkt, daß ein Startsignal M, das an einem Eingang /₀ anliegt, nacheinander an die Anschlüsse Z₁ bis /₅ gelegt wird (beispielsweise kann die Abtastschaltung 14 ein Schieberegister sein). Eine Abtaststeuerstufe 15 stellt ein Taktsignal L für den Betrieb der Abtastschaltung bereit. Eine Bereitstellungsstufe 16 für das Startsignal M liefert dieses an den Anschluß /₀ der Abtastschaltung während des Zeitraumes der elektrischen Abtastung und ein Verstärker 17 verstärkt die Ausgangssignale O für die streifenförmigen unteren Elektroden 5. Ein Ausgangsanschluß ist mit dem Bezugszeichen 18 versehen. Eine Spannungsquelle E liefert der oberen Elektrode 8 eine Vorspannung und legt sie auf ein positives (negatives) Potential. Weiterhin ist ein Widerstand R und ein Kondensator C vorgesehen. Die elektrische Abtastung wird entlang des geraden Bereichs 10 in der zum Zeichenblatt senkrecht liegenden Richtung X vorgenommen, wogegen die mechanische Abtastung senkrecht dazu in der Y-Richtung durchgeführt wird.

Die Arbeiisweise der ir. Fig. 3 claigesinüten Sch;:! lung wird nachfolgend an Hand von Fig. 4 evliiiiicrt. Wenn das Startsignal M anliegt, wild die Abtastschaltung 14 durch das Taktsignal L mit einer Frequenz von 500 Hz betrieben, die Schalter .V₁ bis S\ werden nacheinander durch die Signale N₁ bis N₅ in den leitenden Zustand versetzt, und das Ausgangssignal O ικ'langt zum Verstärker 17. Wenn die Helligkeitsverteilung an den Punkten h_t bis /?, auf 'Jem geraden Bereich 10, der Bildebene 9 liegt und der die Zeichenebene in 90° schneidet (vgl. K in Fig. 4). ergeben sich Ausgangssignalc O, wie sie unter O in Fig. 4 dargestellt sind, und die Ausgangssignale am Ausgangsanschluß 18 stimmen mit den Helüfkeitszuständen auf der Geraden K überein.

Wie bereits erwähnt, werden mit dem erfindungsgemäßen Lichtfühler folgende Wirkungen erzielt: Von den Lichtsignalen auf einem geraden Bereich einer Bildebene eriiält man ein reelles Bild mit ausgezeichneten Abbildungseigensrhaften und hoher Helligkeit, und es kann eine photoelektrische Umsetzung des ebenen Bildes zeitlich hintereinander mit hoher Auflösung zusätzlich zu einer elektrischen Schaltung und Abtastung einer Photozellenanordnung und auch zusätzlich zu der mechanischen Abtastung in einer der elektrischen Abtastrichtung orthogonalen Richtung erzielt werden.

Bei dem Ausfuhrungsbeispiel gemäß Fig. 3 wird eine Linse 12 verwendet. Es ist jedoch auch eine Anordnung möglich, bei der die Lichtfühli.'ranordnung 30 ohne Verwendung von Linsen oder Abhildungs-' einrichtungen nahe bei der Bildebene 9 liegt.

Bei den zuvor beschriebenen Ausführungsl'ormcn fällt das Einfallicht von der Seite des Glassubstrates 1 her in die Lichtfühler. Es ist jedoch auch möglich, eine Anordnung zu verwenden, bei der das Eintrittslicht

i« von der oberen Elektrode 8 her einfällt. Diese Ausbildung kann beispielsweise dadurch realisiert werden, daß Fenster in der oberen Elektrode 8 auf dieselbe Weise wie bei den zuvor beschriebenen Ausführungsformen und keine Fenster in den unteren Elektro-

i- den S ausgebildet werden. Bei den zuvor beschriebenen Ausführungsformen ist die untere Elektrode 5 streifenförmig. Selbstverständlich ist es auch möglich, die one/ν Elektrode 8 in Streifenform auszubilden.

-'<> Die Beschreibung des erfindungsgemäßen Lichtfühlers macht also deutlich, daß dieser mit Elektroden hoher AufKivi.g und mit einem geringen Reihenwi-('rrstand in einfacher Weise hergestellt werden kann. Darüber hinaus kann die Lichtfühleranordnung sehr

'^r! groß bzw. lang ausgeführt werden, so daß der Lichtfühler als Lichtfühler für Faksimilegerätc usw. verwendet werden kann.

Hierzu 4 Blatt Zeichnungen

Claims

Patentansprüche:

1. Dünnschicht-Lichtfühler mit einer Elektrode aus einer auf einer Oberfläche einer dünnen Pho- "> toleiterschicht aufgebrachten, lichtdurchlässigen Leiterschicht und einer auf der anderen Oberfläche der dünnen Photoleiterschicht aufgebrachten Gegenelektrode, dadurch gekennzeichnet, daß die lichtundurchlässige Leiterschicht-Elek- i» trode (2) mit Ausnahme eines Fensters (6) für den Lichtsignaleinfall mit einer lichtundurchlässigen Dünnschicht (3) überzogen ist.

2. Lichtfühler nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die lichtundurchlässige Dünnschicht (3) eine Metall-Dünnschicht hoher Leitfähigkeit ist.

3. Lichtfühler nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Metall-Dünnschicht (3) aus wenigstens einem der Metalle Chrom, Titan, SiI-ber, Aluminium, Gold, Beryllium, Wismut, Cadmium, Kobalt, Kupfer, Eisen, Indium, Mangan, Molybdän, Niob, Nickel, Blei, Palladium, Platin, Rhodium, Zinn, Tantal, Vanadium, Wolfram, Zink und Zirkonium besteht.

4. Lichtfühler nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß db Gegenelektrode (8) eine Metalldünnschicht ist.

5. Lichtfühler nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die als Gegenelektrode (8) dienende Metall-Dünnschicht eine Aluminium-Dünnschicht ist.

6. Lichtfühler nach einem der Ansprüche 1 bis

5, dadurch gekennzeichnet, daß die dünne Photoleiterschicht (7) aus wenigstens einer CdSe- » Schicht, einer amorphen Se-As-Te-Schicht, einer CdS-Schicht, einer Te-Schicht, einer Se-Schicht, einer As₂Se-Schicht, einer CdTe-Schicht, einer Sb₂S₃-Schicht, einer PbO-Schicht, einer PbS-Schicht, einer amorphen Si-Schicht, einer GaAs-Schicht, einer ZnTe-Schicht und/oder einer Schicht aus einer Mischung bzw. Kombination der genannten Schichten besteht.

7. Lichtfühler nach einem der Ansprüche 1 bis

6, dadurch gekennzeichnet, daß die lichtundurchlässige Dünnschicht (3) mit der lichtdurchlässigen Leiterschichtelektrode (2) in Berührung steht.

8. Dünnschicht-Lichtfühler mit einer Elektrode aus einer auf einer Oberfläche einer dünnen Photoleiterschicht aufgebrachten, lichtdurchlässigen Leiterschicht und einer auf der anderen Oberfläche der dünnen Photoleiterschicht aufgebrachten Gegenelektrode, dadurch gekennzeichnet, daß die lichtdurchlässige Leiterschicht-Elektrode (2) auf einem lichtdurchlässigen Substrat (1), eine lichtundurchlässige Dünnschicht (3) mit Ausnahme der Stellen, die einem Fenster (6) für den Lichtsignaleinfall entsprechen, auf der lichtdurchlässigen Leiterschicht-Elektrode (2), die dünne Photoleiterschicht (7) auf wenigstens dem Fenster (7) auf t,o wenigstens dem Fenster (6) für den Lichtsignaleinfall in der lichtdurchlässigen Leiterschicht-Elektrode (2) und die Gegenelektrode (8) auf wenigstens einem Teil der dünnen Photoleiterschicht (7) aufgebracht ist. 1,5

9. Lichtfühler nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die lichtundurchlässige Dünnschicht (3) cine Mctall-Dünnschicht hoher Leitfä-

higkeit ist.

10. Lichtfühler nach Ansprüche oder 9, dadurch gekennzeichnet, daß die dünne Photoleiterschicht (7) auch auf einem Teil der lichtundurchlässigen Dünnschicht (3) vorgesehen ist.

11. Lichtfühler nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die als Gegenelektrode (8) dienende Metall-Dünnschicht eine Gold-Dünnschicht ist.