DE2706580C3

DE2706580C3 - Vorspannschaltung für eine Gegentaktschaltung der Klasse B

Info

Publication number: DE2706580C3
Application number: DE19772706580
Authority: DE
Inventors: Hisashi Kawasaki Yamada
Original assignee: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1977-02-16
Filing date: 1977-02-16
Publication date: 1983-12-29
Also published as: DE2706580A1; DE2706580B2

Description

Die Erfindung betrifft eine Vorspannschaltung für eine Gegentaktschaltung der Klasse B, bestehend aus einem ersten und einem zweiten Transistor des gleichen Leitfähigkeitstyps, einer Diodenschaltung mit wenigstens einer ersten und einer zweiten, in Reihe geschalteten Diode, einer konstanten Stromquelle zum Zuführen eines konstanten Stromes zur Diodenschaltung und zum ersten und zweiten Transistor, und einem dritten Transistor, der ein zu verstärkendes Signal empfängt, wobei die Diodenschaltung durch einen Teil eines Treiberstroms zum ersten und zweiten Transistor vorwärts vorgespannt ist und wobei die jeweiligen Enden der in Reihe geschalteten Dioden jeweils an die Gate-Anschlüsse des ersten und zweiten Transistors angeschlossen sind.

Zur Verhinderung einer Übergangsverzerrung nahe des Nullpunkts eines Signals muß durch eine Geg' ίtaktschaltung der Klasse B unter Verwendung von komplementären Transistoren ein kleiner Ruhestrom fließen. Hierbei ist für den stabilen Betrieb einer solchen Gegentaktschaltung ein stabiler Ruhestrom erforderlieh. Wenn der Ruhestrom zu groß ist, treten Leistungsverlust und thermische Drift auf. Ist der Ruhestrom dagegen zu klein, so tritt eine Übergangsverzerrung auf. Insbesondere erfordert eine spa^nungsgesteuerte Schaltung mit veränderlicher Verstärkung

ίο (vgl. US-PS 36 99 467) bei einer Rauschunterdrückungsschaltung einen höchst genauen, kleinen Ruhestrom zur Gewährleistung einer ausgezeichneten Tonleistung. Eine Vorspannschaltung ermöglicht dabei einen Ruhestromfluß.

Fig. 1 zeigt eine bisher übliche Vorspannschaltung 10 in Form eines pnp-Transistors 16 mit einem Kollektor, der an eine zu einer positiven Stromquelle + B führende Klemme 12 angeschlossen ist, und einem Emitter, der mit einer zu einer negativen Stromquelle — B führenden Klemme 14 verbunden ist, und einer Reihenschaltung aus zwei Widerständen 18 und 20, deren Verzweigung mit der Basis des Transistors 16 verbunden ist. Gemäß F i g. 1 sind Vorspannungs-Abgriffanschlüsse 22 und 24 vorgesehen. Die bisher übliche Vorspannschaltung ist jedoch einspielsweise mit den folgenden Nachteilen behaftet:

1. Ein induzierter Ruhestrom besitzt eine hohe Abhängigkeit von Umgebungstemperaturschwankungen, d. h. der Wert des Ruhestroms variiert in einem weiten Bereich abhängig von Änderungen der Umgebungstemperatur.

2. Der induzierte Ruhestrom besitzt eine hohe Abhängigkeit von Siromquelle-Spannungsschwankungen, d. h. der Wert des Ruhestroms ist großen Schwankungen auf Grund solcher Spannungsschwankungen unterworfen.

3. Die Vorspannung der Vorspannschaltung bestimmt sich durch das Widerstandsveri.äMnis der Reihenwiderstände 18 und 20. so daß sich die Vorspannung nicht für die Ausbildung als integrierter Schaltkreis eignet.

Die Umgebungstemperaturabhängigkeit ist nachstehend an Hand der F i g. 1 und 2 erläutert.

•ti F i g. 2 zeigt eine Gegentaktschaltung der Klasse B, in welcher die Vorspannschaltung 10 vorgesehen ist. Die Gegentaktschaitung umfaßt komplementäre Transistoren 26 und 28, die in Kaskadeschaltung zwischen die positive Stromquelle +ßund die negative Stromquelle — B eingeschaltet sind, einen zwischen den Emitter des Transistors 16 und die neg.itive Stromquelle — B eingeschalteten und als Treiberelement wirkenden npn-Transistor 30 sowie eine Konstantstromquellc 32. die zwischen die positive Stromquelle + B und den Kollektor des Transistors 16 eingeschaltet ist.

Unter der Voraussetzung, daß die Kollektor-Emiiter-Spannung des Transistors 16 mit V_cc bezeichnet ist, gilt

Λ, +

ι ·

^y"

worin

Vfr, die Basis-Emitter-Spannung des Transistors 16.
/?i den Widerstandswert des Widerstands 18 und
R} den Widerstandswert des Widerstands 20

bedeuten.

Um den Ruhestrom Λ (d. h. den Ruhestrom über die Transistoren 26 und 28) temperatuirunabhängig zu machen, muß Ri = Ri, d. h. V« = 2 V₆,. entsprechen. Üblicherweise sollte der Ruhestrom mit Mx (mit χ = eine kleine Zahl) des Werts des Treiberstroms /</ (d. h. eines Treiberstroms über den Transistor 30) für die Gegentaktschaltung der Klasse B und mit l/y(mit y = einige Hundert) des Werts des Treiberstroms /«/für eine spannungsgesteuerte Schaltung mit veränderlicher Verstärkung bei üner Rauschunterdrückungsschaltung gewählt werden. Dabei sollten R\ und R₂ so gewählt werden, daß die Kollektor-Emitter-Spannung V_n kleiner wird als das Zweifache der Basis-Emitter-Spannung Ni_x- In diesem Fall besitzt der Ruhestrom einen positiven Temperaturkoeffizienten, und bei niedrigerer Temperatur tritt eine Übergangsverzerrung {crossover distortion) auf, während bei höherer Temperatur der Leistungsverlust zunimmt. Diese Erscheinungen treten noch deutlicher zutage, wenn das Verhältnis dem Treiberstrom Id und dem Ruhestrom /i groß wird. Infolgedessen ist die Vorspannschaltung bei Verwendung in einer Vorspannschaltung für eine Gegentaktschaltung der Klasse B, insbesondere bei einer spannungsgesteaerten Schaltung mit veränderlicher Verstärkung bei einer Rauschunterdrückungsschaltung, mit einem großen Nachteil behaftet.

Fi g. 3 zeigt eine bekannte Vorspannschaltung 34 als Schaltung zur Verringerung der Abhängigkeit von Temperaturänderungen. Bei der Vorspannschahung gemäß Fig.3 ist zur Vorspannschalturig 10 gemäß F i g. 1 ein dritter Widerstand 36 hinzugefügt, der zwischen den Transistor 16 und die positive Stromquelle + B eingeschaltet ist. Bei der Vorspannschaltung 34 gemäß F i g. 3 sind die Widerstandswerte R\ und R₂ der Widerstände 18 und 20 so gewählt, daß die Kollektor-Emitter-Spannung V« so groß wie eine zweifache Basis-Emitter-Spannung VieOder noch etwas größer ist. Ein Spannungsunterschied zwischen einem Spannungsabfall über eine Reihenschaltung aus den Widerständen R] und R2 und einem Spannungsiabfall über den Widerstand 36 wird als Vorspannung zwischen die Ausgangsklemmen 22 und 24 angelegt Obgleich durch die Vorspannschaltung 34 die Abhängigkeitscharakteristik eines Ruhestroms von Umgebungstemperaturänderungen verringert werden kann, wird seine Abhängigkeit vcn Sp?nnungsänderungen der Stromquelle unvorteilhaft groß, weil der Spannungsabfall am Widerstand 36 von einem Treiberstrom an eimer Treiberstufe abhängt. Diese Abhängigkeit von der Stromquellen-Spannungsänderung wird noch deutlicher — ebenso wie die Temperaturabhängigkeit — bei einer Vergrößerung des Werts eines Verhältnisses zwischen dem Treiberstrom Jd an der Treiberstufe und dem Ruhestrom. Infolgedessen ist es praktisch unmöglich, die genannte Vorspannschaltung bei der spannungsgesteuerten Schaltung mit veränderlicher Verstärkung einer Rauschunterdrückungsschaltung anzuwenden.

Bei Konstruktion als integrierter Schaltkreis besitzt die bisher übliche Vorspannschaltung die im folgenden geschilderten Nachteile.

Bei der in Fig.2 gezeigten Gegentaktschaltung der Klasse B wird der Wert des Ruhestroms h durch Einstellung eines Spannungsteilverhältnisses zwischen den Reihenwiderständen 18 und 20 in der Vorspannschahung 10 eingestellt. Im allgemeinen besitzt jeder in einer integrierten Schaltung vorzusehende Widerstand eine vergleichsweise hohe relative Genauigkeit, wobei es möglich ist. Widerstände mit einer relativen Genauigkeitsabweichung von ±2% vorzusehen. Da jedoch die relative Genauigkeit der Widerstandswerie R\ und A₂ der Widerstände 18 und 28 bei der Vorspannschaltung 10 gemäß F i g. 1 einen exponentiellen Einfluß auf einen Ruhestrom ausübt, führen selbst derart geringe Abweichungen (±2% der relativen Genauigkeit) zu großen Schwankungen des Ruhestroms.
Aus der DE-AS 12 89122 ist eine galvanisch gekoppelte Transistorschaltung in integrierter Bauweise bekannt, die einen ersten Transistor enthält, dessen Basis mit einer Eingangsklemme gekoppelt ist und dessen Emitter mit dem Emitter eines zweiten Transistors sowie einem gemeinsamen Emitterwiderstand verbunden ist, die weiter einen an den Kollektor des zweiten Transistors angeschlossenen Kollektorwiderstand und einen in Kollektorschaltung arbeitenden dritten Transistor enthält, dessen Basis mit dem Kollektor des zweiten Transistors una dessen Emitter mit einem Arbeitswiderstand gekoppelt ist. Bei dieser bekannten Transistorschaltung handelt es sich somit um eine Transistorverstärker- oder Begrenzsrschaltung, bei welcher die Basisvorspannungen der ersten beiden Transistoren, die Werte des gemeinsamen Emitter-Widerstands und des Kollektorwiderstands des zweiten Transistors und die Betriebsspannungen der Transistoren derart gewählt sind, daß an einen mit einer Ausgangsklemme gekoppelten Punkt des an den Emitter des dritten Transistors angeschlossenen Ar-

jo beitswiderstands eine mit der Basisruhevorspannung des ersten Transistors wenigstens annähernd übereinstimmende Ruhegleichspannung auftritt.

Aus der DE-AS 12 40 942 ist eine Stabilisierungsschaltung für Transistor-Leistungsverstärker ohne Aus- gangstransformaior bekannt, die im B-Betrieb arbeitet und bei welcher zur Stabilisierung des Arbeitspunktes gegenüber Temperatur- und Betriebsspannungsänderungen die Basisvorspannung mittels eines Spannungsteilers erzeugt wird, in dessen Querzweig eine in Flußrichtung betriebene Flächendiode in Gestalt eines Transistors liegt, dessen nicht benutzte Sperrschicht kurz geschlossen ist. Das Wesentliche dieser bekannten Stabüisieningsschaltung besteht darin, daß die Kollektordiode des Transistors invers zur üblicher. Betriebsweise in Flußrichtung arbeitet, und die üblicherweise in Flußrichtung vorgespannte Emitierdiode kurzgeschlossen ist, und daß parallel zur Kollektordiode ein Widerstand liegt, der derart bemessen ist, daß er im nicht ausgesteuerten Zustand des Verstärkers gegenüber dem Durchlaßwiderstand der Kollektordiode groß ist, jedoch so klein ist, daß er bei Aussteuerung c.es Verstärkers keinen wesentlichen Verlust an Steuerleistung verursacht.
Es v'ii-d noch darauf hingewiesen, daß die bekannten Schaltungsanordnungen gemäß den Fi g. I und 2 einem Stand der Technik gi.mäß der DE-OS 24 38 276 und die Schaltungsanordnung gemäß Fig. 3 einem Stand der Technik gemäß der US-PS 36 99 467 entsprechen.

Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe

bo besteht darin, eine Vorspannschaltung der eingangs definierten Art derart zu verbessern, daß sie die Zufuhr eines Ruhestromes zu einer Gegentaktschaltung der Klasse B ermöglicht, der von der Umgebungstemperatur bzw. Änderungen der Umgebungstemperatur und b5 von Änderungen in der Versorgungsspannung weitgehenst unabhängig ist und sich in integrierter Schaltungstechnik ausführen läßt.
Ausgehend von der Vorspannschaltung der eingangs

definierten Art wird diese Aufgabe erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß der erste und der zweite Transistor in Kaskade geschaltet sind, und daß die Emitter-Spannungen des ersten und des zweiten Transistors an eine nachgeschaltete Gegentaktstufe der Klasse B angelegt -> sind.

Durch die vorliegende Erfindung läßt sich somit ein höchst genauer, kleiner Ruhestrom realisieren, wodurch eine ausgezeichnete Tonleistung gewährleistet wird. Die Stabilität des Ruhestromes wird auch durch in Umwelteinflüsse nicht verändert.

Besonders vorteilhafte Weiterbildungen und Ausgestaltungen ergeben sich aus den Ansprücnen 2 bis 5.

Im folgenden sind bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung im Vergleich zum Stand der Technik an ι; Hand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigt

Fig. 1 ein Schaltbild einer bisher verwendeten Vo γϊ "2 η π sch 2 !tu π ^σ

Fig.2 ein Schaltbild einer Gegentaktschaltung der Klasse B, bei welcher die Vorspannschaltung nach >o Fig. I vorgesehen ist,

Fig.3 ein Schaltbild einer anderen, bisher üblichen Vorspannschaltung,

F i g. 4 ein Schallbild einer Vorspannschaltung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung, 25-

Fig.5 ein Schaltbild einer Gegentaktschaltung der Klasse B, in welche die Vorspannschaltung nach Fig.4 einbezogen ist.

Fig.6 ein Schaltbild einer abgewandelten Ausführungsform der Erfindung,

Fig.7 ein Schaltbild einer weiter abgewandelten Ausführungsform der Erfindung und

Fig.8 ein Schaltbild einer spannungsgesteuerten Schaltung mit veränderlicher Verstärkung zur Verwendung bei einer Rauschunterdrückungsschaltung. y>

Fig.4 veranschaulicht eine Ausführungsform einer Vorspannschaltung 40 gemäß der Erfindung, die in Kaskadenschaltung vorliegende npn-Transistoren 42 und 44 sowie diodenverknüpfte oder -gekoppelte npn-Transistoren 46 und 48 aufweist. Der Kollektor des Transistors42ist zu seiner Basis kurzgeschlossen und mit einem zu einer positiven Stromquelle + B führenden Anschluß 50 verbunden. Der Emitter des Transistors 42 ist mit dem Kollektor des Transistors 44 verbunden, dessen Emitter mit einem zu einer negativen Stromquel-Ie - B führenden Anschluß 52 verbunden ist. Die Emitter der Transistoren 42 und 44 sind an Spannungsabgriff-Ausgangsanschlüsse 54 bzw. 56 angeschlossen. Die Basis des Transistors 46 ist mit seinem Kollektor verbunden. wobe< die Verzweigung zwischen Basis und Kollektor des Transistors 46 mit Kollektor und Basis des Transistors 42 verbunden ist. Der Emitter des Transistors 46 liegt am Kollektor des Transistors 48. dessen Basis mit seinem Kollektor verbunden ist, während sein Emitter mit der Basis des Transistors 44 verbunden ist.

Die vorstehend beschriebene Vorspannschaltung 40 ist gemäß F i g. 5 mit einer Gegentaktschaltung 80 der Klasse B verbunden und in diese einbezogen. Die Gegentaktschaltung 80 umfaßt komplementäre Transi- w) stören 82 und 84, die zwischen die positive und die negative Stromquelle + B bzw. — B eingeschaltet sind, eine zwischen positive Stromversorgung +ßund den Kollektor des Transistors 42 geschaltete Konstantstromquelle 86 und einen npn-Transistor 88, der zwischen die negative Stromquelle - B und den Emitter des Transistors 44 geschaltet ist und als Treiberelement zu wirken vermag.

Bei der Schaltungsanordnung gemäß F i g. 5 fließt der größte Teil eines Stroms Ij über den Transistor 88 von den Transistoren 42 und 44 her, wobei nur \lhfe des Stroms /rf über die Transistoren 46 und 48 fließt (hfe — Gleichstromverstärkung des Transistors 44). Wenn die Transistoren 42 und 44 die gleiche Kennlinie besitzen, sind die Basis-Emitter-Spannungen Vo, der Transistoren 42 und 44 gleich groß, wobei ein Potential am einen Ende der Reihenschaltung aus den Transistoren 46 und 48 an der Ausgangsklemme 54 erscheint, während ein Potential am anderen Ende der Reihenschaltung an der Ausgangsklemme 56 erscheint; dies bedeutet, daß die Kollektorspannung des Transistors 46 an der Ausgangsklemme 54 und die Emitterspannung des Transistors 48 an der Ausgangsklemme 56 erscheint. Die Kollektorspannung des Transistors 46 wird als Vorspannung an die Basis des Transistors 82 angelegt, während die Emi'.terspaüüüng des Transistors 4? ?!* Vorspannung an die Basis des Transistors 84 angelegt wird. Wenn die an die Ausgangsklemmen 54 und 56 angeschlossenen npn-Transistoren 82 bzw. 84 die gleiche Kennlinie besitzen, kann ein Ruhestrom /,über die Transistoren 82 und 84 mit \lhfe bestimmt werden (mit hfe = Gleichstromverstärkung des Transistors 44). Dies bedeutet, daß der Wert des Ruhestroms /, vom Faktor hfe des Transistors 44 abhängt. Im allgemeinen beträgt der Faktor hfe dieses Transistors etwa 200—300, so daß die Abhängigkeitscharakteristika von Umgebungstemperaturänderungen und Stromquellen-Spannungsänderungen sehr klein sind. Info'gedessen wird der Ruhestrom /,· sehr klein, und die eben genannten Abhängigkeiten werden ebenfalls klein.

Falls sich gleiche Eigenschaften oder Kennlinien des npn-Transistors 82 und des pnp-Transistors 84 schwierig erzielen lassen, kann einer der Transistoren 46 und 48 durch einen pnp-Transistor ersetzt werden.

F i g. 6 zeigt eine Vorspannschaltung 100 gemäß einer abgewandelten Ausführungsform der Erfindung, bei welcher zur Schaltung gemäß Fig.4 eine Stromumgehung-Reihenschaltung aus einem diodenverknüpften oder gekoppelten npn-Transistor 102 und einem Widerstand 104 hinzugefügt ist. Die den Teilen von Fig.4 entsprechenden Teile sind mit denselben Bezugsziffern wie dort bezeichnet, so daß sich ihre Erläuterung erübrigt. Bei der Vorspannschaltung 100 wird ein Strom über die Transistoren 46 und 48 durch den Transistor 102 und den Widerstand 104 zum Emitter des Transistors 44 umgeleitet, mit der Ausnahme, daß ein vernachlässigbar kleiner Strom in die Basis des Transistors 44 fließt. Hierdurch wird die Abhängigkeit eines Ruhestroms von Umgebungstemperaturänderungen verbessert.

F i g. 7 zeigt eine Vorspannschaltung 120 gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung, bei welcher zur Vorspannschaltung 100 gemäß F i g. 6 eine aus npn-Transistoren 122. 124 und 126 bestehende-Schaltung zum Verschieben des Spannungspegels hinzugefügt ist. Genauer gesagt, ist der Transistor 122 ein diodenverknüpfter Transistor, dessen Kollektor mit seiner Basis verbunden isL Der Kollektor-des Transistors 122 ist mit dem Anschluß 50 verbunden, während sein Emitter mit der Basis des Transistors 42 verbunden ist. Der Kollektor des Transistors 124 ist an den Emitter des Transistors 122 angeschlossen, während sein Emitter mit dem Anschluß 52 und seine Basis mit der Basis des Transistors 44 verbunden ist. Der Kollektor des Transistors 126 ist zu seiner Basis kurzgeschlossen und mit dem Emitter des Transistors 46 verbunden. Der

Emitter des Transistors 126 ist an den Kollektor des Transistors 4« angeschlossen. Der Transistor 122 dient zur Verschiebung des Spannungspegels, während der Transistor 124 als Stromquelle dient. Der Transistor 126 ist zum Kompensieren der Basis-Emitter-Spannung des ·> Transistors 122 vorgesehen. Da die Schaltung 120 mit der vorstehend beschriebenen Schaltung zum Verschieben r^s Spannungspegels versehen ist, kann ein Ruhestrom innerhalb weiter Grenzen variiert werden, ohne daß das Flächenverhälmis zwischen den Transistoren 42 und 44 geändert wird. Auch bei diesf r Schallung wird ein Strom über die Transistoren 46, 126 und 48, ebenso wie bei der Vorspannschaltung gemäß Fig. 6, über die Reihenschaltung aus dem Transistor 102 und dem Widerstand 104 zum Emitter des Transistors 44 umgeleitet, wodurch die Abhängigkeit des Ruhestroms von Umgebungstemperaturänderungen verringert wird.

Obgleich bei den beschriebenen Vorspannschaltun· gen 40, !00 und !20 npn-T.^r2ns!s!or?p. ^vorg?s?h?" sind, können dieselben Ergebnisse dann erzielt werden, wenn :o diese Vorspannschaltungen aus pnp-Transistoren aufgebaut sind. In diesem Fall ist ersichtlicherweise die Polarität umgekehrt.

F i g. 8 zeigt eine spannungsgesteuerte Schaltung mit veränderlicher Verstärkung zur Verwendung bei einer ii Rauschunterdrückungsschaltung. Bei 140 ist eine Vorspannschaltung angedeutet, die einen Ruhestrom /,über Transistoren 142 und 144 sowie Transistoren 146 und 148 fließen läßt. Bei 150 und 152 sind Verstärker vorgesehen. Obgleich der Ruhestrom /,- durch den jo Poten :alunterschied zwischen einem Anschluß 154 und Masse Änderungen unterworfen ist, ist er bei an Masse liegendem Anschluß 154 mit einem Wert von etwa 1 μΑ gewählt. Ein Treiberstrom U über einen als Treiber dienenden Transistor 156 beträgt etwa 1 mA. Bei Verwendung der bisher üblichen Vorspannschaltung gemäß Fig. 1 muß die Vorspannung etwa l,5mal so groß gewählt werden wie die Basis-Emitter-Spannung. Wenn sich hierbei die Umgebungstemperatur von Raumtemperatur auf etwa ±50°C ändert, wird der Ruhestrom /, um einen einem Mehrfachen von 10 entsprechenden Faktor erhöht oder verringert. Beim Absinken des Ruhestroms besteht die Gefahr, daß nahe eines Nullpunkts eine Übergangsverzerrung auftritt. Bei der Erhöhung des Ruhestroms besteht andererseits die Gefahr dafür, daß eine Erhöhung des Leistungsverlusis sowie eine thermische Drift induziert werden.

Aus den vorstehenden Ausführungen ist ersichtlich. daß die Vorspannschaltungen 40, 100 und 120 den Fluß eines Ruhestroms /,ermöglichen,dessen Abhängigkeitscharakteristik von Umgebungstemperaturänderungen und Stromquellen-Spannungsänderungen verringert ist, so daß eine genaue Arbeitsweise der snannungsgesteuerten Schaltung mit veränderlicher Verstärkuns gewährleistet wird.

Mit der Erfindung wird also eine Vorspannschaltung zur Ermöglichung eines Ruhestromflusses durch eine Gegentaktschaltung der Klasse B geschaffen, wobei die Abänderung des Ruhestroms von Umgebungstemperaturänderungen und Stromquellen-Spannungsänderungen verringert ist. Ein besonders gutes Ergebnis wird dann erzielt, wenn die Vorspannschaltung gemäß der Erfindung spezieil auf eine Schaltung, wie eine spannungsgesteuerte Schaltung mit veränderlicher Verstärkung für eine Rauschunterdrückungsschaltung, angewandt wird, die einen kleinen, stabilen Ruhestrom benötigt. Da die Vorspannung nicht vom Widersiandsverhältnis der Reihenwiderstände abhängig ist, eignet sich die Vorspannschaltung vorteilhaft zur Ausführung als integrierter Schaltkreis.

Claims

Patentansprüche:

1. Vorspannschaltung für eine Gegentaktschaltung der Klasse B, bestehend aus einem ersten und einem zweiten Transistor des gleichen Leitfähigkeitstyps, einer Diodenschaltung mit wenigstens einer ersten und einer zweiten, in Reihe geschalteten Diode, einer konstanten Stromquelle zum Zuführen eines konstanten Stromes zur Diodenschaltung und zum ersten und zweiten Transistor, und einem dritten Transistor, der ein zu verstärkendes Signal empfängt, wobei die Diodenschaltung durch einen Teil eines Treiberstromes zum ersten und zweiten Transistor vorwärts vorgespannt ist und wobei die jeweiligen Enden der in Reihe geschalteten Dioden jeweils an die Gate-Anschlüsse des ersten und zweiten Transistors angeschlossen sind, dadurch gekennzeichnet, daß der erste und der zweite Transistor {42, 44) in Kaskade geschaltet sind und daß die tmitterspannungen des ersten und des zweiten Transistors (42,44) an eine nachgeschaltete Gegentaktstufe (82,84) der Klasse 5 angelegt sind.

2. Vorspannschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Schaltung (102, 104) zwischen den Emitter und die Basis des ersten Transistors (44) angeschaltet ist, über welche der größte Teil des durch die Diodenschaltung fließenden Stromes fließt.

3. Vorspannschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltung (102, 104) aus einer dritten Diode (102) und einem Widerstand (104) besteht, die in Rühe zwischen den Emitter und die Basis des ersten Transistors (44) eingeschaltet sind.

4. Vorspannschallung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Schaltung (122, 124, 126) zum Verschieben des Spannungspegels vorgesehen ist, um eine Pegelverschiebung einer Spannung über die Reihenschaltung aus erster und zweiter Diode (46,48) herbeizuführen.

5. Vorspannschaltung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltung zur Verschiebung des Spannungspegels einen dritten Transistor (122) für eine Pegelverschiebung, einen vierten Transistor (124) als eine mit dem dritten Transistor verbundene Stromquelle und einen fünften Transistor (126) zum Kompensieren einer Basis-Emitter-Spannung des fritten Transistors (122) aufweist.