DE2614019C3 - Schaltungsanordnung zur Erzeugung definierter Ausgangspotentiale in Einrichtungen zum tastenbetätigten Verbindungsaufbau in Fernmelde-, insbesondere Fernsprechanlagen - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zur Erzeugung definierter Ausgangspotentiale in Einrichtungen zum tastenbetätigten Verbindungsaufbau in Fernmelde-, insbesondere Fernsprechanlagen mit tastenbetätigter elektronischer Wählimpulserzeugung, Verpolungs- und Überspannungsschutz sowie Nummernschalterimpuls- und Nummernschalterarbeitskontakt.

In Einrichtungen von Fernsprechanlagen, z. B. Fernsprechapparaten mit tastenbetätigter Wähleinrichtung, ist es notwendig, eine Einrichtung vorzusehen, die sicher zwischen Sprech- und Wählbetrieb umschaltet. Hierzu werden in bekannter Weise wegen der geringen Erregerleistung und des geringen Übergangswiderstandes im Sprechkreis bistabile Relais verwendet (vgl. DE-OS 24 25 603). So muß bei Abnahme des Handapparates sichergestellt sein, daß die Sprechschaltung in die Amtsleitung geschaltet ist, damit der Teilnehmer das Wählzeichen erkennen kann, die Einschaltung des Sprechkreises nach Abnahme des Handapparates ist auch deshalb notwendig, weil einige elektronische Vorfeldeinrichtungen — z. B. Wählsternschalter — zur Identifizierung des Teilnehmers bei kleinen Speiseströmen einen niederohmigen Apparatewiderstand benöti gen. Wegen der in Wähleinrichtungen verwendeten Halbleiter ist jedoch ein niedriger Widerstand der Wähleinrichtung bei kleinen Speiseströmen nicht sichergestellt Neben den erwähnten Vorteilen (geringe Erregerleistung usw.), die ein bistabiles Relais aufweist, ist jedoch von Nachteil, daß es durch mechanische Erschütterung umgeschaltet werden kann, was zur Folge hat, daß bei Gesprächsbeginn der Sprechkreis abgeschaltet ist

Aus der DE-OS 24 25 603 ist beispielsweise eine Schaltungsanordnung bekanntgeworden, bei der die Rückstellung des bistabilen Relais NSA letztmalig bei Auflegen des Handapparates mittels eines zusätzlichen Gabelumschaltkontaktcs erfolgt Der Nachteil dieser Anordnung ist jedoch, daß der Gabelumschaltkontakt über zwei zusätzliche Leitungen an die Wähleinrichtung herangeführt werden muß und daß ferner die gesamte Endeinrichtung funktionsunfähig wird, wenn durch mechanische Einflüsse — z. B. Herunterfallen des Apparate?. — das bistabile Relais NSA in den Wählzustand geschaltet wird. Selbst wenn die bekannte Anordnung durch eine zusätzliche Schaltung erweitert würde, die bei Einsetzen des Schleifenstromes das bistabile Relais zurücksetzt, ist im Falle der Identifizie rung durch Wählsternschalter infolge des geringen Speisestromes eine sichere Funktion der Wähleinrichtung nicht gewährleistet.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die erwähnten Nachteile der bekannten Schaltung zu vermeiden und eine Schaltung zu schaffen, die stets vor Gesprächs- bzw. Wahlbeginn nach Abnahme des Handapparates eine definierte Ausgangslage des bistabilen Relais sicherstellt und die folgende Bedingungen erfüllt:

a) Rückstellung des bistabilen Relais bei Anschaltung

an Wählsternschalter; b) Rückstellung des bistabilen Relais bei Anschaltung

an herkömmliche Ämter. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die

Vereinigung folgender Merkmale gelöst:

a) bei Anschaltung an Wählsternschalter dadurch, daß nach Abnahme des Handapparates und Wähllage des Kontaktes des bistabilen Relais der Kondensator über die Reihenschaltung aus dem Widerstand

so R₆ und dem über R7 durchgeschalteten Transistor geladen wird, wobei der Ladevorgang erst dadurch möglich ist, da3 der dem Kondensator parallelgeschaltete, mit der Diode in Reihe liegende Transistor durch die zunächst gesperrte erste

Vierschichtdiode ebenfalls gesperrt bleibt und daß

die so gespeicherte Energie von C₃ über die von ihr gezündete zweite Vierschichtdiode über die Diode D5 an die Relaiswicklung des bistabilen Relais geschaltet wird, wodurch der Relaiskontakt in die

Sprechlage gebracht wird;

b) bei Anschaltung an herkömmliche Ämter dadurch, daß nach Abnahme des Handapparates und Wähllage des Kontaktes des bistabilen Relais der Spannungsabfall an der Zenerdiode bedingt durch

h5 den durchgeschalteten Transistor, verzögert durch

das Verzögerungsglied und mittels des Schaltungsteils zu einem Impuls geformt wird, welcher über die Diode die Relaisansteuerung aktiviert, wodurch

das Relais geschaltet und der Kontakt in die Sprechlage gebracht wird.

Weitere Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung und dem Schaltbild, in dem das Ausführungsbeispiel der Erfindung dargestellt ist

Anhand der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung gemäß der Abb. sei deren Wirkungsweise näher erläutert. Nach Abheben des Handapparates ist der in der Schleife La/Lb liegende Stromkreis über den Sprechkreis SK und die in Reihe liegenden Kontakte U und nsa ,geschlossen. Die Wähleinrichtung ist über die beiden Kontakte U und nsa in diesem Zustand kurzgeschlossen.

Anschaltung an Wählsternschalter

Unter Wählsternschalter werden Vorfeldeinrichtungen der Bundespost verstanden, die den Anschluß einer größeren Anzahl von Teilnehmern an sine geringe Anzahl von Amtsleitungen gestattet — z. B. 20 Teilnehmer an vier Amtsleitungen -. Der Grundgedanke der Wählsterneinrichtung geht davon aus, daß von den Teilnehmern jeweils maximal so viele sprechen, wie Amtsleitungen zur Verfugung stehen. Die Wählsterneinrichtung ordnet dann dem sprechwilligen Teilnehmer jeweils eine Amtsleitung zu. Um zu erkennen, ob eine Endeinrichtung an die Amtsleitung angeschaltet werden soll — bei Abheben des Handapparates beim Fern-Sprechapparat —, wird in der Wählsterneinrichtung eine Widerstandsmessung der Endeinrichtung vorgenommen. Diese Widerstandsmessung kann nur mit kleinen Strömen erfolgen, da die gesamte Wählsterneinrichtung aus einer der Amtsleitungen gespeist werden muß. Diese Überprüfung der Endeinrichtung wird unter Identifizierung verstanden.

Befindet sich beispielsweise der Kontakt nsa des bistabilen Relais NSA bei Abheben des Handapparates in der Sprechlage SL, so fließt der Identifizierungsstrom durch den Sprechkreis SK, wodurch eine Identifizierung und nachfolgende Aufschaltung der Amtsleitung sichergestellt ist. Durch mechanische Beeinflussung — z. B. Fall des Apparates — kann das Relais NSA schon in die Wähllage IVL geraten, bevor der Handapparat abgehoben wurde. Bei Abnahme des Handapparates wird dann die Schleife La/Lb auf die Wähleinrichtung geschaltet. Da wegen des sehr geringen Identifizierungsstromes (etwa 0,1 mA) die Vierschichtdiode VD1 gesperrt bleibt, ist auch der Transistor T\ gesperrt. Somit fließt der Identifizierungsstrom über eine Diode des Gleichrichters GL, den Widerstand Rs, den Transistor Γ3 parallel zum Widerstand Λ7 in den Kondensator C3 und lädt diesen auf. Der Stromkreis wird geschlossen über die zweite leitende Diode des Verpolungsschutzgleichrichters GL Erreicht der Kondensator C3 seine durch die Zündspannung der Vierschichtdiode VD 2 definierte Betriebsspannung, so schaltet VD 2 durch. Der Kondensator Q entlädt sich über die Diode D₅ auf die Relaiswicklung des Relais NSA, wodurch der Relaiskontakt nsa in die Sprechschaltung gebracht wird. Durch Dimensionierung ist sichergestellt, daß die Vierschichtdiode VD 2 auf jeden Fall bei einer niedrigeren Spannung durchzündet als die Vierschichtdiode VD1. In einer anderen Ausgestaltung b5 der Schaltung ist es auch möglich, die Vierschichtdiode VDl und VD2 durch eine äquivalente Anordnung aus Transistoren und Zenerdioden zu ersetzen. Anschaltung an herkömmliche Ämter

Bei dieser Maßnahme wird sofort nach Abnahme des Handapparates der volle Schleifenstrom auf den Fernsprechapparat geschaltet Liegt der Relaiskontakt nsa in der Sprechlage SL, dann ist die Schleife La/Lb über den Sprechkreis SK geschlossen und die Wähleinrichtung abgeschaltet Nach erstmaligen Drükken einer Taste der Wähltastatur WT wird der Sprechkreis SK über den niederohmigen Widerstand R\ und den Kontakt Ukurzgeschlossen und die Schleife auf die Reihenschaltung einer Diode des Gleichrichters GL den Transistor Γι, die Zenerdiode Z parallel zum Widerstand R2, sowie die zweite stromführende Diode des Gleichrichters GL geschaltet Mit Anschalten der Spannung an den Wählkreis baut sich über die Diode Z die Zenerspannung auf, aus der über die Diode D\ der Kondensator Q aufgeladen wird. Im Moment des Einschaltens fließt der Schleifenstrom über die Basis-Emitter-Strecke des Transistors Γι, Vierschichtdiode VDl, Verstärker V, so daß durch den hohen Schleifenstrom die Vierschichtdiode VD1 sofort durchgezündet wird und in leitendem Zustand verbleibt. Durch diese Schaltungsmaßnahme wird der leitende Zustand von T\ sichergestellt. Das Ansteigen der Versorgungsspannung an der Zenerdiode Z wird durch die Schaltung VZ1 verzögert und an die Tastwahlelektronik /Cübergeben.

Das daraufhin in der Tastwahlelektronik /C erzeugte Signal wird über die Kapazität Ci, die Diode Dz und ein Widerstand R3 differenziert, in den Gattern Gi und Gi verstärkt und über die Diode Dj als Formierimpuls an die Relaisansteuerung RA gegeben, wodurch das bistabile Relais NSA mittels eines Impulses zunächst nach kurzem Umschalten in die Wähllage in der Sprechlage SL fixiert wird. Die Relaisansteuerung RA differenziert die über die Eingangsdioden D3 und Dt angeschalteten Impulse in der Weise, daß bei ansteigender Flanke des Ansteuersignals das NSA-Relais in die Wähllage, bei abfallender Flanke in die Sprechlage geschaltet wird. Gleich danach wird über einen Ansteuerimpuls aus der Tastwahlelektronik /C über die Diode Da ein weiterer Umschaltimpuls an die Relaisansteuerung RA gegeben, die den Relaiskontakt nsa in die Wähllage WL bringt. Der gleiche Impuls aus der Tastwahlelektronik /C verhindert über den Widerstand /?5 und den Transistor Ti durch Sperrung von Transistor Ti die Aufladung des Kondensators C3. Diese Maßnahme ist erforderlich, um den Parallelweg zum Transistor Γι sicher zu sperren. Durch die Sperrung von T₃ bleibt die Vierschichtdiode VD 2 außer Funktion. Für den Fall, daß durch äußere mechanische Einflüsse, z. B. Fall des Fernsprechapparates, der Relaiskontakt nsa des bistabilen Relais NSA bereits vor Abheben des Handapparates sich in der Wähllage IVL befindet, wird nach dem Abheben des Handapparates der Schleifenstrom den erwähnten Weg, nämlich über die leitende Diode des Gleichrichters GL den leitenden Transistor Γι und die Zenerdiode Z, durchfließen. Die sich an der Zenerdiode aufbauende Spannung wird durch die Schaltungseinzelheit VZ1 verzögert, danach der Tastwahlelektronik IC zugeführt und danach über die Bauelemente C₂, Di, Ri, Gi, G2 und Di als Formierimpuls der Relaisansteuerung RA zugeführt, welche ein Umschalten des Relaiskontaktes nsa in die Sprechlage SL bewirkt. Der Kurzschluß über den Sprechkreis SK ist hierdurch aufgehoben, und die Wahl einer Rufnummer kann in der beschriebenen Weise beginnen.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (1)

1. Patentanspruch:

   Schaltungsanordnung zur Erzeugung definierter Ausgangspotentiale in Einrichtungen zum tastenbetätigten Verbindungsaufbau in Fernmelde-, insbesondere Fernsprechanlagen mit tastenbetätigter elektronischer Wahlimpulserzeugung, Verpolungs- und Überspannungsschutz sowie Nummernschalterimpuls- und Nummernschalterarbeitskontakt, gekennzeichnet durch die Vereinigung folgender Merkmale:

   a) bei Anschaltung an Wählsternschalter dadurch, daß nach Abnahme des Handapparates und Wähllage (WL) des Kontaktes (nsa) des bistabilen Relais (NSA) der Kondensator (G) über die Reihenschaltung aus dem Widerstand (Rs) und dem über (Rj) durchgeschaltetem Transistor (Tj) geladen wird, wobei der Ladevorgang erst dadurch möglich ist, daß der dem Kondensator (C₃) parallel geschaltete, mit der Diode (Z) in Reihe liegende Transistor (Ti) durch die zunächst gesperrte erste Vierschichtdiode (VD i) ebenfalls gesperrt bleibt und daß die so gespeicherte Energie von (C₃) über die von ihr gezündete zweite Vierschichtdiode (VD 2) über die Diode (D₅) an die Relaiswicklung des bistabilen Relais (NSA) geschaltet wird, wodurch der Relaiskontakt (nsa) in die Sprechlage (SL)gebracht wird;

   b) bei Anschaltung an herkömmliche Ämter dadurch, daß nach Abnahme des Handapparates und Wähllage (WL) des Kontaktes (nsa) des bistabilen Relais (NSA) der Spannungsabfall an der Zenerdiode (Z), bedingt durch den durchgeschalteten Transistor (T-), verzögert durch das Verzögerungsglied (VZl) ^unc* mittels des Schaltungsteils (C₂, D₂, Rj, G₂, Gi) zu einem Impuls geformt wird, welcher über die Diode (L\) die Relaisansteuerung (RA) aktiviert, wodurch das Relais (NSA) geschaltet und der Kontakt (nsa) in die Sprechlage (SL) gebracht wird.