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DE2548483A1 - Feldeffekttransistor und verfahren zu seiner herstellung - Google Patents

Feldeffekttransistor und verfahren zu seiner herstellung

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Publication number
DE2548483A1
DE2548483A1 DE19752548483 DE2548483A DE2548483A1 DE 2548483 A1 DE2548483 A1 DE 2548483A1 DE 19752548483 DE19752548483 DE 19752548483 DE 2548483 A DE2548483 A DE 2548483A DE 2548483 A1 DE2548483 A1 DE 2548483A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
field effect
layer
electrodes
effect transistor
connections
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19752548483
Other languages
English (en)
Inventor
James Anthony Benjamin
Robert Albin Pucel
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Raytheon Co
Original Assignee
Raytheon Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Raytheon Co filed Critical Raytheon Co
Publication of DE2548483A1 publication Critical patent/DE2548483A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
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    • H10D64/23—Electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. sources, drains, anodes or cathodes
    • H10D64/251—Source or drain electrodes for field-effect devices
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    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
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Description

DR.-PHIL. G. NICKTL · Df! -IX1G. J. DORNER
8 MÜNCHEN Ki
LANDWEHRSTR. 35 · POSTFACH 104
TEL. (08 11) 55 5719
München, den 29· Oktober 1975 Anwaltsaktenz.: a7 - Fat. 125
Jiaytheon Company, 1^1 Spring Street, Lexington, hass. U;.il735 Vereinigte Staaten von Amerika
Feldef feiet tr ausist or und iAerfahren zn seiner iierstellimg.
Die Erfindung bezieht si ei* auf einen xür none Leistungen bestimmten Feldeffekttransistor, welcher eine Vielziml von Steuer elektroden, Quell enelektrodeii und Ableituiigselektroden besitzt! im einzelnen bezieht sich die Erfindung auf in Planartechnik: gefertigte Feldeffekttransistoren uoher Leistung und für hohe Frequenz mit Schottky— Sperrsciiiclitübergängen. Derartige 'i'ransistoren werden mit Vorteil zur I'likrowelleiisigrialverstärkung und in der Radartecimik verwendet.
Zu Verstärkung s zweck en in der kikrowellentechnik und der j.<acartechnik wird seit langer Zeit ein für hohe Frequenzen bestimmter Hochleistungsfeldeffekttransxstor benötigt. Feldeffekttransistoren sind Bipolartransistoren und den verschiedenen Arten der einen negativen Widerstand aufweisenden Verstärkuugsdioden vorzuziehen, da Feldeffekttransistoren charakteristxsclierweise eine niedrigere Rausch-ivenngröße besitzen als andere Geräte. Außerdem sind im Gegensatz zum Betrieb verstärkender, negativen ' Widerstand aufweisender uioden bei Feldeffekttransistoren S keine Mikrowellenzirkulatoren notwendig. Ferner sind die Irnpe- ! danzwerte, welche bei Feldeffekttransistoren anzutreffen sind, j oft bei der Konstruktion eines Verstärkers günstiger als die
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inipeaanzwerte auuerer eierdte·
Ira Unterschied von einem Bipolartransistor ist ein Feldefi'ekttransistor ein 'i'rc-gerMei'irneiten—Jächaltungseleiiieivt. Der Feldeffekttransistor arbeitet ciaiier nicnt aurch Trägeremission über eine temperaturempfindliche Sperrschicht oder einen übergang hinweg und zeigt deilier keine Abhängigkeit von einem Leitungsmechanisnius, welcher sich mit der Temperatur exponentiell ändert. Aus diesem Grunde erleidet ein Feldeffekttransistor nicht in der Weise wie der bipolartransistor t.uer::iisch bedingte Scnwaiiicungeri oder Abweichuagen. Aulyriuid des ium eigentümlichen LeitLiiigsniecnaniSiuus Kann eier /eluei't'eicttransistor in einem weiten Bereich der ui.jgebüngsbedingungen zufriedenstellend arbeiten und ertrsigt höhere Äbsolutteinperaturen als der Bipolartransistor. Weiter kann mit Feldeffekttransistoren eine höhere temperaturfeste Packung erreicht werden, cils man sie mit Bipolartransistoren zulassen oder eneicnen könnte.
Bei einigen bekannten i/eldeffeicttransistoren mit einer Vielzahl von ^uelleucieictroaeii, A'u'leitungselektroaen und Steuereleivtrociej). ο der - ans ciilii s s en wurde die Verbindung zu einzelnen der aktiven Elemente durch den Körper aes Gerätes hindurch. Hergestellt. Eine solche Konstruktion ex'gab jedoch hohe ltückitopplungskapazitäten zwischen den Eingangs- und Ausgangs elementen. Der Widerstand des Materials des iialbleitericörpers war oft auch ein begrenzender Faktor bei der Bestimmung aes Frequenzveriialtens des Gerätes. Solche nalbleitergeräte konnten oft nicut vollständig in FlanartechniK hergestellt werden.
Es zeigte sich bald- daß es zweJskimäliig wäre, die Verbindung zu sämtlichen drei Grupnen von Elektroden oder Anschlüssen auf der überfläche des betreffenden Bauteiles zu bilden. Es wurden Geräte konstruiert, bei welchen eine Vielzahl von Elektroden oder Anschlüssen jeweils zweier Arten zusammengefaßt wurde, ' während die Verbindungexi zu der dritten Elektrode oder den j dritten Anschluß jeweils einzeln hergestellt wurden. Verschie- !
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dene geometrische Formen zur kontaktierung der Elektroden waren 'Gegenstand von Versuchen. Bisher ist es jedoch nicht gelungen, unter Verwendung solcher Konstruktionen die Vorteile des Feldeffekttransistors der hier betrachteten Art voll auszunützen, da sich im Betrieb Beschriiinciiji.^oii aufgrünet der Verwendtmg nur einer einzigen Verbindung zu jeweils einer Art der drei Kl eic tr odenar t en oder — anschlüsse ergaben.
Durcii die Erfindung soll die Aufgabe gelöst werden, einen für hohe Leistungen und hohe Frequenzen bestimmten Feldeffekttransistor so auszugestalten, daß sich niedrige Uückkopplungskapazitäten zwiscnen Eingangselektroden und Ausgangselektroden ergeben und daß die .Herstellung vollständig in Planartechnik erfolgen kann.
Insbesondere soll bei einem Feldeffekttransistor mit einer Vielzahl von tiuellenelektroden, Steuerelektroden und Ableituiigselektroden oder -anschlüssen eine Zusammenfassung der Elektroden oder Anschlüsse jeder der drei Arten von Elektroden oder Anschlüssen möglich sein.
Bei einem Feldeffekttransistor mit einem Halbleitersubstrat, auf dem sich mehrere aktive Elemente befinden, wird diese Atifgabe erfinduiigsgemäß dadurch gelöst, daß zur Verbindung jeweils entsprechender Elemente oder entsprechender Anschlüsse zu den Elementen mindestens teilweise übereinander gelegene und gegeneinander isolierte Verbinduiigs- und Anschlußmittel vorgesehen sind. Insbesondere haben die Verbindungs- und Anschlußmittel die Gestalt von mehreren Metallisierungsschichten, von denen mindestens eine auf dem Halbleitersubstrat angeordnet ist.
Die auf dem Halbleitersubstrat angeordneten aktiven Elemente weisen also jeweils tiuellenelektroden, Steuerelektroden und Ableitungselektroden oder -anschlüsse auf und gleiche Elektroden oder Anschlüsse sind jeweils über die Verbiruhings- und
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AnsclilußiTiittoi zusammengefaßt, welche mindestens bereichsweise übereinander liegeno ausgebildet sind.
Bei einer praktischen Ausfuhrungsfonn enthält ein Feldeffekttransistor atif einem rialbl ei ter substrat eine Vielzahl von Steuerelektroden, Ableitungselektroden und Quellenelektroden oder -anschlüssen in einer alternierenden E'olge längs einer im wesentlichen geradlinigen Keine von aktiven Elementen. Zwei Gruppen dieser Elektroden werden durch Metallisierungsschichten kontaktiert, welche auf einer dielektrischen Isolierschicht gebildet sind, die die aktiven Bereiche des Substrates des Feldeffekttransistors abdeckt. Eine weitere dielektrische Isolierschicht überdeckt die beiden genannten Metallisierungsschichten. Die dritte Gruppe von Elektroden oder Anschlüssen wird über Offnungen kontaktiert, die sich in der zweiten dielektrischen Isolierschicht befinden. Dies geschieht durch eine oberflächliche Metallisierungsschicht, welche die Verbindung zu der dritten Gruppe von Elektroden oder Anschlüssen über die genannten Öffnungen herstellt. Im Betrieb werden die Elektroden, welche über die dritte Metallisierungsschicht miteinander verbunden sind, vorzugsweise auf Erdpotential betrieben, um die Rückkopplungskapazität zwischen den Eingangselektroden und den Ausgangselektroden auf minimalem Wert zu halten.
Feldeffekttransistoren, wie sie hier vorgeschlagen sind, können als Bestandteil unmittelbar in integrierte Mikrowellenschaltungen eingefügt werden, welche Impedanzanpassungselemente enthalten. Bevorzugtes Anwendungsgebiet sind Mxkrowellensignal-
:Relaisverstärker und Verstärker für Radarsysteme mit phasenge- ;steuerten Antennenanordnungen.
Weiiere Einzelheiten ergeben sich aus der folgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die anliegende Zeichnung. Es stellen dar:
Fig. IA eine Reihe von Querschnitten durch einen Feldeffekttransistor der hier vorgeschlagenen Art in verschiedenen Zuständen während der -Z1-
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Herstellung,
Fig. 2 eine Aufsicht auf einen norizontalschnitt durch den Transistor in dem in Figur IF gezeigten Herstellungszustand,
Fig. 3 eine Aufsicht auf einen uOi-i/ontalscimitt durch den Feldeffekttransistor gemäß Figur IG entsprechend der in dieser /ieichnungsfigur angegebenen Schnittebene 3 - 3i
Fig. 4 eine Aufsicht auf einen Schnitt durch eine planare Transistorpackung mit einem Feldeffekttransistor der hier angegebenen Art,
Fig. 5 einen Schnitt entsprechend der in Figur 4 angedeuteten Schnittebene 5-5 und
Fig. 6 eine Aufsicnt auf ein iialbleitergeriit der hier vorgeschlagenen Art am einem Verbindungssockel zur Verwendung in der liinrichtung nach den Figuren 4 und 5·
Das bevorzugte Ausführungsbeispiel eines Feldeffekttransistors der hier angegebenen Art ist in verschiedenen Zuständen oder Stufen während der Herstellung in den Figuren IA bis 3 gezeigt. Aus Gründen größerer bbersichtliciikeit ist in den Figuren Ia bis IG jeweils nur ein kontakt bzw. eine Elektrode der drei Arten von Kontakten oder Elektroden gezeigt, während eine praktische Aus führung sform eines solchen Gerätes eine Vielzahl
) von Anschlüssen in sich wiederholender Anordnung besitzt. Dies j ist aus den Figuren 2 und 3 ohne weiteres zu ersehen, in welchen ein größerer Teil des gesamten Gerätes in einem liorizontalschnitt abgebildet ist.
Die Herstellung eines Feldeffekttransistors der vorliegend betrachteten Art soll anhand der Figuren IA bis IG näher erläu-
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tert werden. Gemäli Figur IA beginnt laan mit der Herstellung ausgehend von einem den rialbleiterkörper oder das Substrat bildenden Plättchen, auf welcnem sich eine epitaktische Schicht iO'jt befindet. Das Substrat 102 ist leicht dotiert und hat einen entsprechend niedrigen Widerstand. Vorzugsweise wird als Material für den halbleiterköruer Galliumarsenid venieadet, docii eignen sich aucii SiliziuM und andere Halbleitermaterialien. Das Substrat ibü iiat vorzugsweise eine L/icke zwischen 0,25 ΐιϋ;ϊ ()is 0,3^ "i;.i, doch siuti auch Stiir±cen aes Substrates eis iiiiiuiiter zu O, Ij I=^i «ögiicn. Als Dotierung si ritt el eignet sicii Chroia in solchen Zusätzen, daß sich ein spezifischer von 10 Ukiiazeiitiiueter «is IO Ohiazeutiftieter oder
darüber ergibt, ύ±& epitaktiscae Sciiicnt iti4 iiat vorzugsweise eine Stärke im jJereicn von ^5 1 Mioron bis 15 t 3 Mikron und
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eine Dotierungsiliciite ini iiereica von IO bis 10 Atoaie Je es
Als näclistes wird geuiiiL· Figur lii die epx'taktisciae Sciiiciit Iü4 zu exjiej* l-iesa-liOiifiguaratioii in deia gesacätea iiereicli. abgeätzt, in welchem Steuereiektroaeu, ttuelleiielektrodeji und Ableituags— elektroden hergestellt werden sollen. Sodann wird eine Glassciiicht 106 über dein gesaraten, bisher gebildeten JBlörper abgelagert. Diese erste Glasschicht 106 hat eine Stärke von etwa IQOO 1,
iiemäii Figur IC werden dann unter Anwendung einer Photoresisttecixniic Offirungen in Gestalt der gewünschten Metailisierungs— anordnungen und feetallisieruiigsanschlüsse durch die erste ülassciiicht 1O6 hindurch eingeätzt. Lu.. diesem Zwecke wird auf die gesaiate Oberfläciie der Glassciiient 106 eine Piiotoresistscliiciit lOß gelegt. Die iPiiotoresi-stscIiicIit 10Ü wird sodarai in. desjenigen Bereichen maskiert oder abgedeckt, in welchen das Photoresistraaterial verbleiben soll, während die übrigen Teile der Schicht belichtet werden. Die belichtete Photoresxstschxclit wird sodann entwickelt vLud teilweise chemisch aufgelöst, so daß sich die in Figur IC gezeigten beiden rechteckigen Durch-
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brüche ergeben, uierauf wird ein Material, welches .:iit dem
"Galliumarsenid einen Schottky-Sperrschicntübergang bilden kann, abgelagert, was unter Anwendung an sich bekannter Verfahren
geschehen kann, beispielsweise durch Sputtern oder durch Aufdampfen. Durch diesen Verfahrensschritt werden also die die
fcjuellenanschlüsse zusammenfassende Metallisierungsschicnt 112 und die die Ableituiigsanscnlüsse zusaumenfassencte Metallisierung sscinciiit li'i gebildet, welche die epitaktische Scnicht iOk kontaktieren. Als Werkstoff für die Metallisieruiigsschichten
eignet sich eine eutektische Mischung aus Gold und Germanium
oder JMxckel. Die Stärke der Metallisierungsschichten 112 und
Il4 beträgt bei dem bevorzugten Ausfünrungsbeispiel etwa 1000 A. Betrachtet laan Figur 2, so erkennt i.ian die Forn der Metallisierungsschichten 112 und Il4 in der Aufsicht. Die übrigen Bereiche 110 der Metallschicht und die Photoresistschicht 108
werden dann wieder aufgelöst und auf diese Weise entfernt.
Figur ID zeigt den nächsten Schritt zur Vorbereitung der Ablagerung der dritten Kontaktierungsschicht zur Zusammenfassung
der Steuerelektroden, über der ersten Glasschicht 10b und den Metallisierungsschienten 112 und lli wird eine zweite Glasschicht 116 abgelagert. Diese zweite Glasscnicht Il6 hat vorzugsweise eine Stärke von etwa %Ü00 A.
Die nächsten iierstellungsschritte, welche anhand von Figur IE zu beschreiben sind, entsprechen denjenigen, welche beim Übergang von dem Zustand nach Figur IB zu dem Zustand nach Figur IC auszuführen sind. Über der zweiten Glasschicht 116 wird wieder eine Photoresistschicht 118 aufgebracht, welche in rechteckigen Bereichen jeweils zwischen den von den Metallisierungsschichten 112 und 11% kontaktierten Elektroden oder Anschlüssen belichtet wird. Das belichtete Photoresistmaterial wird dann entfernt und sowohl durch die zweite Glasschicht Il6 und auch die ierste Glasschicht 106 werden bis zur Oberfläche der epitaktischen Schicht 10% Durchbrüche geätzt. Eine Metallschicht 120, vorzugsweise eine Legierung aus Chrom und Gold, wird dann auf der freiliegenden Oberfläche abgelagert und bildet die Kontakte
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122. Diese Kontakte sind vorzugsweise dicker als die Kontakt- und ketallisierungssciiichten 112 und 11.4. Vorzugsweise beträgt ihre Dicke etwa yOÜÜ A. Die erste Glasschicht 106, die zweite Glasschicht lib, die Photoresistschicht Il8 Lind die Iietallschicht 120 werden in denjenigen Bereichen, in denen sie nicht benötigt werden, aufgelöst, so daß die freiliegenden Kontakte und die Metallisierungsschichten zurückbleiben. Figur zeigt in Aufsicht einen Horizontalschnitt durch das Gerät in diesem Fertigungszustand.
V7ie aus Figur IF ersichtlich, wird jetzt die freiliegende Oberfläche des Gerätes mit einer dritten Glasschicht 124 beschichtet. Unter Verwendung einer Photoresisttecimik wird über der Metallisierungs-Kontakt schicht 122 jeweils eine Öffnung durch die Glasschicht 124 geätzt.
Die letzten Metallisierungsvorgänge werden dann durchgeführt, wie aus Figur IG zu ersehen ist. Zuerst wird eine dünnen Titanschicht 126 über der Oberfläche des Gerätes in einer Anordnung abgelagert, welche aus Figur 3 zu ersehen ist. Über der Titanschicht 126 wird eine dickere Goldschicht 128 abgelagert, welche, wie aus Figur 3 .zu entnehmen, dieselbe Gestalt besitzt. Bei dem hier beschriebenen bevorzugten Ausführungsbeispiel sind die Breiten der Kontaktbereiche der Metallisierungsschichten und 114 und der Kontakte 122 in dieser Reihenfolge 15 Mikron, 10 Mikron und 1,5 Mikron. Je nach Bedarf können andere Abmessungen, andere Formen und Anordnungen der Kontakte und andere relative Lagen der Kontakte gewählt werden, nachdem die in der Zeichnung wiedergegebenen Darstellungen nur zur Erläuterung des grundsätzlichen Gedankens dienen. Selbstverständlich können nach Belieben die Steuerelektroden, die Quellenelektroden oder die Ableitungselektroden mit der oberflächlichen Metallisierungsschicht verbunden werden, um auf diese"Weise in der Schaltung zusammengefaßt zu werden.
Bei dem beschriebenen Ausführungsbeispiel ist im Betrieb die Anordnung so getroffen, daß die oberflächliche Metallisierungs-
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schickt und die damit verbundenen Elektroden oder Anschlüsse geerdet sind. Bei dem oben näher untersuchten Gerät können die Quellenanschliisse oder -elektroden geerdet werden, so . daß sich durch die Metallisierungsschichteri· bedingte kapazitäten nur zwischen Quellenelektrode und Steuerelektrode .sowie zwischen Quellenelektrode und Ableitungselektrode ergeben· Hur seur geringe kapazitätswerte entstehen zwischen den Steuerelektroden und Ableitungselektroden, da diese durch die Wahl der Metallisierungsmuster und durch die Erdung der Anschlüsse zur Erde kurzgeschlossen sind. Aus diesem Grunde ergeben sich sehr kleine, durch die Metallisieruiigsschichten bedingte itückuopplungskapazitäten zwischen den Steuerelektrouen und Auleituiigselektrodeii. Die riaximalfrequenz, bei welcher Geräte der hier beschriebenen Art verwendbar sind und einen verwertbaren Verstärkungsgewimi zeigen, wird durch diese Konstruktion stark erhönt.
Die Figuren 4, 5 und 6 zeigen einen Feldeffekttransistor der hier angegebenen Ai-1 in einer geeigneten halterung zum unmittelbaren Gebrauch in einer Schaltung. Das iialb.leitergerät ist aui einem mit Gold plattierten kupf er-iief estigungssockel seinerseits befestigt. Der Sockel l60 wiederum befindet sich auf einem als Wärmesenke dienenden kupferblock l62, welcher einen Schraubansatz 15Ö aufweist. Ein keramischer Schaltungsträger 154 umgibt den als Wärmesenke dienenden kupferblock I56. Auf der Oberfläche des Schaltungsträgers 154 sind Metallisierungen in bestimmter Anordnung vorgesehen, um das iialbleiter-1 gerät mit äußeren Schaltungsteilen verbinden zu können. Die Gestalt der Metallisierungsmuster ist so gewählt, daß sich eine integrierte Mikrowellenschaltung ergibt, in welcher die Impedanz des HaSLbI ext erg erät es an diejenige der Schaltung angepaßt ist, in der das Halbleitergerät Verwendung findet. Die linearen Abmessungen der verschiedenen Schenkel der Metallisierungen werden auf die Betriebsfrequenz des Gerätes abgestimmt. Mit der die Ableitungselektroden zusammenfassenden Ketallisierungsschicht Il4 hat der Ableitungskontakt JA 6 Verbindung, der über den Metallisierungsstreifen l44 zu dem Ableitungsanschluß l42 der Anordnung Verbindung hat. In entsprechender V7eise ist der
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Steuerelektrodeiiansculuii I1Lb, der mit der die Steuerelelctroden zusammenfassenden Metallisierungssciiicirt 122 verbunden ist J1
über den Metallisierungsstreifen 15ü an den äußeren Steuerelelctrodeiiahsciiluß 152 gelegt. Die die liuellenelektroden ziisamnenfasseiide tietallisieraiig l".o ist über den Defestigxiügssockel loC, den kupier 53. ο ei-: 1^b und den Scliraubansats- lyü au järüe gelegt, fiine uerauisc^e Abuec:amg 15^> scnlieiät dicht an dea kernajaisehen Sciialtungsträger l%h an, wodurch. <iie gesamte Anordnung vervollständigt ist.
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Claims (6)

  1. Patentansprüche.
    (l·/ Feldeffekttransistor mit einem Halbleitersubstrat, auf dem sicxi mehrere aktive Elemente befinden, dadurch gekennzeichnet daß zur Verbindung jeweils entsprecheiiüer Elemente oder entsprechender Anschlüsse (112, 114:, 122) zu den Elementen (lO4) mindestens teilweise übereiiiandex-gelegene und gegeneinander isolierte (1O6, 124) Verbindungs- und Anschlußmittel (112, Il4, 126) vorgesehen sind.
  2. 2. Feldeffekttransistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbxndungs- und Ansciilußmittel von mehreren Metallisierungsschichten (112, 114, 126, 128) gebildet sind, von denen mindestens eine auf dem Halbleitersubstrat (1Ü2) angeordnet ist.
  3. 3· Feldeffekttransistor nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens zwei Metallisierungsschichten (112, Il4; I26, 12ii) mittels einer dielektrischen Schicht (124:) voneinander getrennt sind.
  4. 4. Feldeffekttransistor nach Anspruch 2 oder 3» dadurch gekennzeichnet, daß die aktiven Elemente eine Anzahl von Schottky-Sperrschichtübergängen umfassen, welche jeweils mit den Metallisierungsschi chten (112, 114, 122, I26, 12b) verbunden sind.
  5. 5. Feldeffekttransistor nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß als Halbleitermaterial zur Bildung der aktiven Elemente GaI 1 iuniar s eni d di ent.
    !
  6. 6. Feldeffekttransistor nach einem der Ansprüche 1 bis 5» daidurch gekennzeichnet, daß auf der Oberfläche des Halfoleitersub- ;strates oder eines Halbleiterkörpers eine Vielzahl von aktiven Elementen mit jeweils drei Arten von Elektroden oder Anschlüssen ;(112, Il4, 122) gebildet sind, von denen die Elektroden oder
    j Anschlüsse jeweils zweier Arten durch jeweils eine damit je-
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    weils verbundene leitfähige Schicht zusammengefaßt sind, wobei sich diese 1 eitfähige Schichten im weseiitliehen unmittelbar über der Oberfläche des Halbleitersubstrates oder des Halbleitencörpers befinden, daß über den genannten leitfähigen Schichten eine bzw. die dielektrische, isolierende Schicht angeordnet ist, welche mindestens Teile der beiden genannten leitfähigen Schichten überdeckt und eine Anzahl von Durchbrüchen aufweist und daß eine dritte leitfähige Schicht sich über die Durchbrüche hinweg erstreckt und die Verbindung zu der dritten Art von Elektroden oder Anschlüssen über die genannten Durchbrüche herstellt. '
    7. Feldeffekttransistor nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper ein aus Halbleitermaterial bestehendes Substrat und eine epitaktische Schicht (lO4) enthält, | welche aus derselben Art von Halbleitermaterial besteht wie das Substrat und aus welcher die aktiven Elemente des Feldeffekttransistors gebildet sind.
    8. Feldeffekttransistor nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß die dritte leitfähige Schicht geerdet bzw. in einer Schaltung an Erde anschließbar ist.
    9. Feldeffekttransistor nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß einige der Anschlüsse oder Elektroden zu dem Halbleiterkörper hin Schottky-Sperrschichtübergänge bilden«
    10. Feldeffekttransistor nach einem der Ansprüche 1 bis 9ν dadurch gekennzeichnet, daß die Verbindungs- und Anschlußtnittel bzw, die Metallisierungsschichten. mit den jeweils zugehörigen Anschlüssen oder Elektroden einstückige Metallisierungen bilden.
    11. Feldeffekttransistor nach Anspruch 9 oder IO, dadurch gekennzeichnet, daß die mit dem Galliumarsenid enthaltenden Halbleiterkörper Schottky-Sperrschichtübergänge bildenden Elektroden
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    oder Anschlüsse eine Gold-Gennaniuni-Legierung enthalten.
    12. Feldeffekttransistor nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die dritte leitfüiiige Schicht nine uir-'ittelocir an die zugehörigen Elektroden oder Anschlüsse angrenzende Titansciiicat und eine auf dieser üexiimliciie Goldscüicnt er.thält.
    13· Feldeffekttransistor nacii eine- der /nis.iirüche 7 bis IM, dadurch gekennzeichnet, daß die auf den halbleitersubstrat gebildete epitaktiscne Schicht jnälJig dotiert und aus deiaselben Leitfähigkeitstyp wie das Substrat-nalbleitermaterial gebildet ist, daß sich ferner auf der epitaitti sehen Schicht Steuerelektroden, Quellenelektrode!! und AbIeitungselektröden der Transistorelemente alternierend aneinnimerreinen, unu weiter neben eier epitaictiscnen Scuicht bzw. den von dieser gebildeten Transistorelemeiiten zwei i-ietallisierungsschichten zur ^usaninienf assung je einer Art von Anschlüssen oder Elektroden vorgesehen sind, welche von der darüber oefindlichen, mit Durchbrüchen über den Anschlüssen oder Elektroden der dritten Art versehenen dielektrischen, isolierenden Schickt von der dritten Metaiiisierungsschicht getrennt sind, die sich auf der isolierenden dielektrischen Schicht befindet τιηα die Anschlüsse oder Elektroden der dritten Art
    l4. Feldeffekttransistor nach Ansprucii 13-, dadurcn gekennzeichnet, daß die Ciuellenanschlüsse und die Ableitungsanschlüsse oder- elektroden eine Legierung aus Gold und Germanium enthalten.
    15· Feldeffekttransistor nach Anspruch I^, dadurch gekennzeichnet, daß die Steueranschlüsse oder -elektroden eine Legierung aus Chrom und Gold enthalten.
    l6. Feldei"fekttransistor nach Anspruch 15, dadurch geicennzeichnet, daß als Halbleitermaterial Galliumarsenid verwendet wird.
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    1?. /elaoi'feiittransistpi- nacü iiusprucü 16, dadurch gekennzeichnet, cieiü der speziiiscue Uiderstand des iialbleitersubstrates im ßereicii von 1Ü ühmzentiiiecer bis IO Ohiazentimeter liegt und daß die epitaktiscne Schient mit Chrom so dotiert wird, daß die Dotierung seil chte im bereich von 1Ü bis 10 iitonie je eis betriigt.
    Ib. i'"eloefiekttransistor naci. ^usi.-rucii l/, dadurch gekenuaeiciiiiec, ciai. cjr in eiue /erstLix-'-cersciailtimg einscuaJ.tbar ist.
    Iy. i''eldOiiekttransistor .aci.. ^tsorucii Io, ciadurcü gckeiinzeiciiiiet, daij die dritte l-ietallisierungsschicht an Erde ansciilieiabar ist.
    20. ■ Verfahren zur uerstellung eines i'eldefi'ekttrausistors nach einem eier Ansprücae 1 bis 19 ι dadurch gekennzeichnet, daii zuri'uenst ein ^-alüleitersubstrat bereitgestellt Λ-rird, auf Tfelcues eine nalbleitcrsciiiciit c litaatiscii aui'geuracnt τ/iru, aajj diese epi taktische üciiicitt mit einer ersten xsolierscJiicut abrede eic t wird, welctie "teilweise in iiereictieri uestimsiter tiestalt iibcr dei" epitaktisciieii Sdiiciit wieder eütierut wii-d, ctaii dann auf die beiden Öereicxxe bestinaater Gestalt luetallsciiichten aufge- «"erden, wonacli die beiden He tall scai chten und die erste
    mit einer ZT^eitexi Isoüersciiickrt iifeerdecict werden, worauf aus der zweiten Isolierschicht und der ersten Isolierschicht Bereiche entfernt irerden, die zvrisciien den ^enaniiten beiden J-ie tall schichten liegen, wonach eine dritte lie tall schicht in diesen afiischenge agerten Bereichexi über der epitaicxischeii Scnicht aufgebracht wird, daß weiter anschließend die verliIiebenen freien *ieüe der ersten und tier ssweiten iso-Ii er schickt entfernt werden und die erste, die zweite und die dritte i-ietallscliiclit bzw« die aaraus gebildeten iContalctbereicüe mit einer dritten isolierschicht üijerdectct werden, eius welcher bestimmte dereiene über1 eiiier üer arei geiiaiiiiten Metalls chi eilten eiitferiit werden und oaü sciilieiilicü aeaiu eine vierte Metallschicht aufgebracht wird, welche-über die in der dritten Iso-
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    2548A83
    lierschicht gebildeten Öffnungen die Verbindung zu der betreffenden darunter befindlichen lie tall schicht herstellt.
    21. Verfahren nach Anspruch 20, dadurch gekemizeicimet,
    zur Bildung mindestens einer der drei genannten l>ie tall schicht en eine Gold-üerij.:aniuin-Legierung verwendet wird.
    22. Verfahren nach Anspruch 20 oder 21, dadurch gekennzeichnet, dais zur iiildung mindestens einer der drei genannten Isolierschichten Siliziumdioxid verwendet wird.
    23· Verfahren nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, daß die vierte Metallschicht in der Weise gebildet wird, daß zunächst eine Titanschiclit abgelagert wird, auf der dann eine Goldschicht gebildet wird.
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