DE2523989C3 - Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von photographischen Aufzeichnungsmaterialien durch Aufdampfen von Silberhalogeniden im Vakuum - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von photographischen Aufzeichnungsmaterialien durch Aufdampfen von Silberhalogeniden im VakuumInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren, sowie eine Vorrichtung zur Herstellung von photographischen Aufzeichnungsmaterialien durch Aufdampfen
von Silberhalogeniden und Dampfabscheidung auf einen kontinuierlich laufenden Schichtträger im Vakuum.
Die Möglichkeit, photographische Aufzeichnungsmaterialien durch Aufdampfen von Silberhalogeniden
im Vakuum herzustellen, ist bekannt. Die Vorteile der so erhaltenen photographischen Materialien gegenüber
den konventionellen Emulsionsmaterialien sind beträchtlich: eine einfachere und schneilere Bearbeitung
wegen der Abwesenheit von Bindemittel; eine hohe optische Homogenität, die die Rayleighische Streuung
in dem Aufzeichnungsmedium vermindert und den Erhalt eines Bildes mit erhöhter Randschärfe erlaubt;
eine geringfügige Schichtdicke des photographischen Aufzeichnungsmaterials — stets kleiner als die Fokustiefe der Objektive mit hoher numerischer Apertur, die
eine Deformation des im Volumen der photographischen Schicht projizierten Bildes ausschließt; eine hohe
Empfindlichkeit gegenüber energiearmen ionisierten Teilchen und kurzwelliger Ultraviolettstrahlung. Diese
Vorteile sind von besonderer Bedeutung bei der Herstellung photographischer Aufzeichnungsmaterialien für spezielle Anwendungsfälle: z. B. Photomasken
für die Mikroelektronik oder Systeme für optische Informationsspeicherung.
Unabhängig von diesen Vorteilen ist bis jetzt noch kein photographisches Aufzeichnungsmaterial, das
durch Aufdampfen von Silberhalogenid im Vakuum erhalten wird, auf dem Weltmarkt erschienen, obgleich
in dieser Richtung umfangreiche Arbeiten durchgeführt wurden, was aus den zahlreichen Patenten auf diesem
Gebiet offenkundig wird. Das läßt sich dadurch erklären, daß keines der bekannten Verfahren imstande
ist, die Herstellung eines photographischen Materials mit reproduzierbaren Eigenschaften zu sichern. Ursache
dafür ist, wie in manchen neueren Patenten festgestellt wurde, der Einbau von Verunreinigungen in der
Silberhalogenidschicht, die deren Eigenschaften unkontrollierbar beeinflussen. Es sind Patente bekannt, in
denen Bedingungen beschrieben sind, die auf die Beseitipng dieser Nebenerscheinungen abzielen, indem
verlangt wird, daß ein photographisches Aufzeichnungsmaterial mit reproduzierbarer Empfindlichkeit zu
erhalten ist. Gemäß GB-PS 11 50 626 zum Beispiel wird der Träger, auf dem Silberbrornid aufgetragen ist, ituerst
bis zu -500C gekühlt, um die Freisetzung flüchtiger
Substanzen von der Trägeroberfläche zu verhindern, da diese Substanzen das aufgetragene Silberbromid verunreinigen und folglich seine Empfindlichkeit negativ
beeinflussen. Gemäß GB-PS 1166 999 erfolgt die
Verdampfung des Silberbromids aus einem Silbertiegel
oder einem Tiegel aus hochreinem, mechanisch festem Graphit Die Vakuumkammerwände sind mit einem
Stoff bedeckt, der mit Silberbromid nicht reagiert, wie Silber, Nickel, Monel, Glas oder Kunststoffen, die frei
von flüchtigen Substanzen sind.
Es ist aber auch bekannt, dab die reinen Silberhalogenidknstalle
völlig lichtunempfindlich sind und bei Belichtung kein entwickelbares latentes Bild erzeugen,
Die photographische Empfindlichkeit der Silberhalogenide ist durch die sensibilisierende Wirkung verschiedener
Zusätze (Metallsalze, Schwefelverbindungen u. dgl.) bedingt. Die Tatsache, daß die gemäß der. GB-PS
1150 626 und 1166 999 erhaltenen Silberhalogenidschichten
lichtempfindlich sind, ist ein sichtbarer Beweis, daß während der Schichtherstellung Verunreinigungen
unkontrollierbar in die Schicht eingeschlossen werden.
Gemäß dem Verfahren der DT-OS 14 47 801 wird Silberhalogenid bei einer Temperatur oberhalb seiner
Zersetzungstemperatur unter Bildung einer mikrokristallinen Schicht aufgedampft. Obwohl dabei beispielsweise
hochgereinigtes Silberbromid als Ausgangsmaterial verwendet wird, ergibt sich eine Schicht mit
photographischer Empfindlichkeit; vgl. Tabelle auf Seite 16.
Auch beim Verfahren der DT-PS 9 38 644 zum kontinuierlichen Aufdampfen von Silberhalogenidschichten
sind keine Maßnahmen vorgesehen, um eine unkontrollierbare Verunreinigung der Schichten zu
vermeiden.
Offensichtlich sind bis jetzt noch keine wirksamen Mittel gefunden worden, um den unkontrollierbaren
Einschluß von Verunreinigungen während der Verdampfung und Abscheidung von Silberhalogeniden auf
einen Träger zu beseitigen.
Offenbar ist die Entwicklung eines Verfahrens zum Aufdampfen von höchstreinen lichtunempfindlichen
Silberhalogenidschichten, die überhaupt keine photographische Empfindlichkeit haben, die einzige Möglichkeit,
um Silberhalogenidschichten mit vollständig kontrollierbaren und reproduzierbaren Eigenschaften
zu erhalten. Nur aus solchen Schichten, die zusätzlich einem gerichteten und kontrollierbaren Sensibilisierungsprozeß
unterworfen werden, sind photographisehe Aufzeichnungsmaterialien mit zuverlässigen und
reproduzierbaren Eigenschaften zu erhalten.
Ein allgemeines Merkmal fast aller bis jetzt bekannter Verfahren ist der direkte Kontakt zwischen di:m
Heizelement des Tiegels und der Silberhalogenidschmelze. Im geschmolzenen Zustand ist das Silberhalogenid
ein guter lonenleiter, so daß es sich unter der Einwirkung des Stroms, der im Heizelement durchfließt,
elektrolytisch zersetzt. Seinerseits ist die thermische Zersetzung ein autokatalytischer Vorgang, so daß die
Anhäufung von elektrolytischem Silber zu einer starken Beschleunigung des Verfahrens bzw. zu einer beschleunigten
Abscheidung von stark reaktivem, gasförmigem Halogen führt, das in gewissem Grade für die
Verunreinigung der aufgedampften Silberhalogenidschicht verantwortlich ist.
Aus der DT-AS 12 98 834 ist ein Verfahren zum Aufdampfen von Schichten auf einen Träger im
Hochvakuum bekannt. Dabei wird ein zylindrischer Körper eines Veraarr.pfungstiegels mit einem speziell
angeordneten Strahlunpsheizelement beheizt. Bei diesem Verfahren sind aber keine Maßnahmen vorgesehen,
um auf die Schichtträger einen kollimierten intensiven
Dampfstrahl zu richten. Insbesondere ist nicht ersichtlich, daß eine Beheizung von außerhalb der Vakuumkammer
sowie eine besondere Heizung des parallele Wände aufweisenden Tiegelhalses vorgesehen ist.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zur Vakuumbedampfung und Abscheidung von reinen
Silberhalogenidschichten auf einen kontinuierlich laufenden mit einer geeigneten Haftschicht belegten
Schichtträger zu entwickeln, bei dem alle Möglichkeiten zu einer unkontrollierbaren Sensibilisierung durch die
Verunreinigungen in der Vakuumkammer beseitigt sind, so daß die Herstellung eines photographischen Aufzeichnungsmaterials
mit völlig reproduzierbaren und kontrollierbaren Eigenschaften gesichert ist. Ferner soll
auch eine Vorrichtung zur Durchführung eines derartigen Verfahrens geschaffen werden.
Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung eines photographischen Aufzeichnungsmaterials
unter Verwendung einer Vakuumapparatur durch Aufdampfen von Silberhalo.-.nid mit einer
Reinheit nicht unter 99,999 Prozent atr> einem aus inertem Material gefertigten Tiegel mit einem zylindrischen
Tiegelkörper und einem parallele Wände aufweisenden Tiegelhals auf einen kontinuierlich laufenden
Träger, wobei der zylindrische Tiegelkörper durch Wärmestrahlung beheizt wird, das dadurch gekennzeichnet
ist, daß man neben dem Tiegelkörper auch den Tiegelhals durch ein außerhalb der Vakuumkammer
angebrachtes Strahlungsheizelement auf gleichmäßige Temperatur heizt, wobei die Silberhalogeniddämpfe in
einem intensiven Dampfstrahl kollimiert und senkrecht zum Schichtträger gerichtet werden, der vorher mit
einer Haftschicht überzogen worden ist und unmittelbar über den heißen Wänden der Tiegelöffnung in einem
Abstand von nicht größer als 10 mm kontinuierlich vorbeigeführt wird, wobei eine gleichmäßige lichtunempfindliche
Schicht aus Silberhalogenid mit einer Dicke von 0,1 bis 1,5 μ mit einer GeschwimJigkei; von
200 bis 2000 Ä/sek abgeschieden wird.
Als inertes Material für den Tiegel kommt beispielsweise
Quarz, Silber oder hochreiner, mechanisch fester Graphit in Frage.
Die erfindungsgemäß erzielte hohe Aufwachsgeschwindigkeit der Silberhalogenidschicht sowie auch die
höhere Schichtträgertemperatur ermöglicnen die Beseitigung der Verunreinigungen während des Abscheidungsprozesses,
wobei eine homogene, hochreine, völlig lichtunempfindliche Silberhalogenidschicht mit einer
Dicke von nicht mehr als 0,5 μιη erhalten wird. Somit
besteht die Möglichkeit, die Silberhalogenidschicht weiter vollständig kontrollierbar und reproduzierbar zu
sensibilisiereri, indem durch Behandlung mit einer Lösung von Gold-Iridiumsaizen ein negatives photographisches
Aufzeichnungsmaterial und durch Verschleierung mittels zusätzlicher Vakuumabscheidung von einer
monoatomaren Silber- oder Goldschicht ein positives photographisches Aufzeichnungsmaterial hergestellt
wird.
Die für die Herstellung des erfindungsgemäßen photographi!*Qhen Aufzeichnungsmaterials benutzten
Schichtträger werden vor der Abscheidung der Silberhalogenidschicht in der Vakuumkammer durch ein
Strahlungsheizelement erhitzt. Die Glas- oder Glimmerträger werden bis zu 2000C, die Polyesterfilmoder
Acetatfilmträger oder die mit Kunststoff belegten Papierträger aber bis zu einer Temperatur von nicht
mehr als 100° C erhitzt. Nach Abschluß des Aufdampfr.yklus
wird die Vakuumkammer mit Stickstoff einer
Reinheit von 99,999 Prozent, der den Forderungen der
Halbleiterindustrie entspricht, aufgefüllt. Demzufolge wird die . rische Überfläche der Silberhalogenidschichtcn
durch Adsorption von hochreinem und photogra phisch inaktivem Stickstoff effektiv blockiert und so die <
Möglichkeit beseitigt, daß sich die Oberfläche durch unkontrollierbare Adsorption von in der Luft zufällig
vorhandenen Verunreinigungen unreproduzierbar sensibilisiert.
Als besonders geeignet für die Haftschicht gemäß der ι
vorliegenden Erfindung erweisen sich die handelsüblichen Photoresistlacke auf der Basis von Polyvinylzinnamit
oder Polyisopren. Diese Photolacke verursachen eine bessere Adhäsion am Träger als die üblicherweise
benutzten Harzschichten aus Gelatine oder Silicium- ,<,
monoxid und ermöglichen eine Sensibilisierung mit wäßrigen Lösungen bei höheren Temperaturen, wo·
--■--■- tJ CJ CJ
so gewonnenen photographischen Aufzeichnungsmaterials erreicht wird. :r,
Erfindungsgemäß wird in ein direkt positives photographisches Aufzeichnungsmaterial mit einer
höheren Empfindlichkeit unter Verwendung einer Haftschicht aus Metallchromat mit einer Dicke bis zu
500 Ä erzeugt, indem die Schicht durch Aufdampfen von ^
Bleichromat. Bleioxydchromat, Bariumchromat. Silbermonochromat und Wismutchromat, vorzugsweise
Bleichromat. im Vakuum auf einen erhitzten Träger aufgebracht wird.
Die Empfindlichkeit des direkt positiven photogra- v,
phischen Aufzeichnungsmaterials kann auch wesentlich erhöht werden, wenn erfindungsgemäß d>e Siibcrhalogenidschicht
vor deren Verschleierung mit einer monoatomaren Metallschicht aus Silber oder Gold mit
Gelatine mit einer Schichtdicke bis zu 0,1 μπι überzogen ^
wird. Die Gelatineschicht verursacht eine bedeutende Erhöhung der photographischen Empfindlichkeit. Das
Ausbleichen des so erhaltenen positiven Materials verlangt bei bildgerechter Belichtung eine etwa 30- bis
40mal kleinere Lichtenergie. v
Die Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgtmäßen verfahrens besteht aus einem Tiegelhalter 1 und
einem Tiegel 2. die beide aus inertem Material gefertigt sind, wobei der Tiegel 2 einen zylindrischen Körper 4
und einen parallele Wände 6 aufweisenden TiegelhaK :;
besitzt, einem Strahlungsheizelement 3 zur gleichmäßigen
Beheizung des zylindrischen Tiegelkörpers und einer Vakuumkammer 7. Diese Vorrichtung ist dadurch
gekennzeichnet, daß außerhalb der Vakuumkammer 7. ein den zjlindrisch'in Körper 4 und die parallelen ;
Wände des Tiegelhalses 6 auf gleichmäßige Temperaturen beheizendes Strahlungsheizeiement vorgesehen ist.
wobei die Querschnittfläche des Tiegeikörpers 4 des
Tiegels 2 wenigstens 5mal größer als die Querschnittsfläche
seiner rechteckigen Öffnung 5 und der Anstand ;--zwischen
der Öffnung 5 und dem laufenden Träger 8 nicht größer als 10 mm ist. so daß die Silberhalogeniddämpfe
nur mit den heißen Wänden 6 der. Tiegels 2 und
mit dem Träger 8 in Berührung kommen.
In der erfindungsgemäß vorgesehenen Vakuumkam- '.-,
,Tier ist mittels einer öldiffusionsvakuumpumpe ein
Druck von etwa 10"5 bis 10-' Tor: zu erreichen. In der
Vakuumkammer sind eine Vorrichtung zur Verdampfung des Süberhalogenids. eine Führungsschiene für den
Trägertransport mit einer gesteuerten Geschwindigkeit ι■-
und ein Widerstandsheizelement für das Erhitzen der
Träger zusätzlich eingebaut. Die Vakuumkammer ist aus rostfreiem, korrosionsbeständigem Chrom-Nickelstahl
gefertigt. Alle isolierenden Elemente in der Vakuumkammer sind aus Quarz und Teflon und die
elektrischen Leitungen aus Silber oder Platin.
In den F i g. 1 und 2 ist eine bevorzugte Ausführungsform der erfindungsgemäßen Vorrichtung erläutert, mit
der höchstreine Silberhalogenidaufdampfschichten, die keine photographische Empfindlichkeit aufweisen, hergestellt
werden können. Diese Vorrichtung weist neben dem Tiegelhalter 1, dem speziell geformten Tiegel 2 und
dem Strahlungsheizelement 3 ein kühlbarcs Silberschutzblech auf.
Der Tiegelhalter 1 und der Tiegel 2 sind aus Quarz, Silber oder hochreinem, mechanisch festen Graphit als
eine untrennbare Einheit gefertigt. Der Normalbetrieb des Tiegels ist durch eine spezielle Form gesichert, die in
den Fig. I und 2 gezeigt ist. Der Tiegel stellt einen ziemlich großen zylindrischen Körper 4 mit einer
viprprjf ισρη OffnijniJ ^ dar CJ!*1 vnn Hpn naraljpj
verlängerten Wänden 6 begrenzt ist. Durch die spezielle Tiegelform wird eine relativ große Abdampfoberfläche
des geschmolzenen Süberhalogenids, welches sich im Körper 4 des Tiegels 2 befindet, erzielt. Durch die
heißen, verlängerten Wände 6 der Öffnung 5 kollimieren die Silberhalogeniddämpfe in einem intensiven
Dampfstrahl, der senkrecht zu dem Träger 8 gerichtet ist. Der Träger wird mittels der Führungsschiene 9 in
einem At--'and von nicht mehr als 10 mm an der
Tiegelöffnung 5 vorbeigeführt. Dadurch wird eine hohe Geschwindigkeit der Dampfabscheidung erreicht, so
daß auch bei einer Temperatur, die wesentlich unter der Zersetzungstemperatur des Silberhalogenids liegt, eine
Abscheidungsgeschwindigkeit von mindestens 200 Ä pro Sekunde erreicht wird. Der ganze Tiegelhalter ist
mit einem Silberschutzblech umrahmt, das wassergekühlt und mit einer Öffnung versehen ist, die ganz genau
rings um die erhitzten Wände der Öffnung 5 des Tiegels 2 zentriert ist. Demzufolge kommen die Silberhalogeniddämpfe
nur mit dem Tiegel und dem erhitzten Träger in Berührung, so daß die Möglichkeit, die aufwachsende
Schicht zu verunreinigen, beseitigt ist.
Die folgenden Beispiele sollen die Erfindung näher veranschaulichen:
Glasträger werden zunächst während einiger Stunden in erhitzte Bichromatschwefelsäure getaucht, und
alsdann mit deionisiertem Wasser reichlich abgespült. Nach Trocknung werden die Glasträger nach der
üblichen Technik für Vakuumbedampfung mit einer dünnen Siliciummonoxidschicht mit einer Dicke Dn
etwa 0,1 Mikron überzogen. Die so gereinigten und beschichteten Glasträger sind für die Silberhalogenidauftragung
durch Au'dampfen im Vakuum bereit und zeigen eine befriedigende Adhäsion gegenüber einer
Silberhalogenidschicht. so daß eine Bearbeitung bei Zimmertemperatur möglich ist.
l.i. In der Vakuumbedampfungsanlage wird ein Quarztiegel
mit einer Form nach A b b. 1 und 2 eingebaut, so daß sich die Tiegelöffnung 10 mm unter den
Glasträgerführungsschienen befindet Der Quarztiegel wird zuerst sorgfältig gewaschen und alsdann
mit Siiberbromid mit einer Reinheit von 99,999% auigeftillL Die Vakuumkammer wird bis zu einem
Druck von I0~5 Torr evakuiert Das Siiberbromid
wird durch die indirekte Bestrahlung von dem außerhalb der Vakuumkammer eingebauten Heizelement
bis zu 600°C erhitzt Es wird ein Silberhromid-Dampfstrahl mit großer intensität
erhalten, der für eine Abscheidungsgesehwindigkeit
in der Größenordnung von etwa 400 Λ je Minute gut ist. Die Vorschubgeschwindigkeit der
Glasträger wird so ausgewählt, daß eine Silberbromidschicht mit einer Dicke von
<etwa 0,5 μ zu erhalten ist, wobei die über den Tiegel laufenden
Glasträger aufeinanderfolgend beschichtet werden. Nach Abkühlung des Tiegels wird die Vakuumkammer
mit reinem Stickstoff aufgefüllt, und nach einigen Minuten werden die Muster herausgenommen.
1.2. Das Aufdampfen von Silberbromid erfolgt nach der
Beschreibung in 1.1. mit dem Unterschied, daß in dem Tiegel ein Wolframheizelement in unmittelbarem
Kontakt mit dem Silberbromid eingebaut ist.
1.3. Für diesen Versuch wird eine Standardanlage zur
Vakuumbedampfung ein Wolfram-Verdampfungsschiffchen in einem Abstand von etwa 100 mm
unter die Glasträgerführungsschienen eingebaut. Nach Auffüllung mit Silberbromid und Evakuierung
der Kammer bis zu einem Druck unter 10 5 Torr wird das Verdampfungsschiffchen durch
Anschluß der Leitungen an eine Niederspannungsqucllc auf 600°C erhitzt und bei dieser Temperatur
gehalten. Bei diesen Bedingungen sind etwa 10 Minuten notwendig, um eine Schicht mit einer
Dicke von etwa 0,5 Mikron zu erhalten. Nach Abkühlung des Verdampfungsschiffchens und Lufteinlaß
in die Vakuumkammer werden die Muster herausgenommen.
Muster von den drei Versuchen werden durch einen sensitometrischen Stufenkeil blitzbelichtet und nachher
sek lang gleichzeitig in einem Mittchels Entwickler mit folgender Zusammensetzung behandelt:
Metol | 0,67 g |
Natriumsulfit, wasserfrei | 26 g |
Hydrochinon | 2,5 g |
Natriumcarbonat, wasserfrei | 26 g |
Kaliumbromid | 0,67 g |
Gelatine | 1,67 g |
Wasser bis | 1 I |
40
Nach Eintauchen für ein paar Minuten in einem Essigsäure-Stopbad, reichlichem Abspülen mit Wasser
und Trocknung werden die erhaltenen optischen Dichten mit einem Standarddensitometer gemessen.
Eine andere Musterserie aus den obengenannten drei Versuchen wird einer Gold-Iridiumsensibilisierung
unterworfen,so wie es von Saunders beschrieben ist so
(J. Chem. Phys, 37, 1126 [1962]), indem die Muster 10
Minuten lang in eine Lösung mit der Zusammensetzung: Natrium-Goldthiosulfat — 20 mg/I, Animoniumhexachloroiridat
(IV) — 20 mg/1 und Gelatine — 0,5 g/l eingetaucht werden. Nach Abspülen und Trocknen ss
werden die Muster, wie bei der ersten Serie belichtet, entwickelt und gemessen.
Die erhaltenen Ergebnisse sind in Tabelle 1 zusammengefaßt
Aus der Tabelle ist zu ersehen, daß die unsensibilisier- <so
ten Muster des ersten Versuchs 1.1. im Gegensatz zu den
Mustern der Versuche 1.2. und 13. überhaupt keine Empfindlichkeit besitzen. Sie lassen sich aber sehr
effektiv sensibilisieren, wobei viel bessere und reproduzierbare Parameter zu erreichen sind als bei den r>s
Mustern, die entsprechend der in 1.2. und besonders in 13. geschilderten Herstellungstechnik erhalten wurden.
Die Muster von Versuch 13. zeigen die schlechtesten und höchst unproduzierbaren Parameter, die sich durch
Sensibilisierung nicht verbessern lassen. Der zweite Versuch 1.2. führt zu stabileren Ergebnissen, doch die
Empfindlichkeit ist relativ niedrig und laut sich praktisch durch weitere Sensibilisierung nicht verbessern.
f j lasträger, die entsprechend Beispiel 1 gereinigt sind,
werden nach drei verschiedenen Verfahren beschichtet.
2.1. Bei dem ersten Versuch werden die Glasträger mit Siliciummonoxid belegt, wie es im Beispiel I
beschrieben ist.
2.2. Bei dem zweiten Versuch werden die Glasträger auch durch Vakuumbedampfung mit einer Bleichromatschicht
mit einer Dicke von 100 Ä überzogen.
2.3. Bei dem dritten Versuch werden die Glasträger in einer Zentrifuge mit Photoresistiack KIhK, einem
»Eastman Kodakw-Erzeugnis, beschichtet, indem die Herstelleranweisungen streng befolgt werden.
Die Muster der obengenannten drei Versuche werden mit einer Silberbromidschicht mit einer Dicke von etwa
0,35 Mikron entsprechend der im Versuch 1.1. des Beispiels I geschilderten Technik belegt. Wie dort
gezeigt, besitzen alle Muster, die nicht zusätzlich sensibilisiert sind, überhaupt keine photographische
Empfindlichkeit, so daß das gewonnene Aufzeichnungsmaterial, wie unten gezeigt, für die Herstellung von
photographischen Aufzeichnungsmaterialien, die bei Belichtung ein direkt positives Bild erzeugen, besonders
geeignet ist.
Zu diesem Zweck werden alle Muster, die entsprechend 2.1., 2.2. und 2.3. beschichtet sind, einer
absichtlichen Verschleierung durch ein weiteres Auftragen von einer monoatomaren Silberschicht unterworfen,
indem die von Malinowski beschriebene
Technik (Berichte Inst. phys. Chem., BuIg. Akad. Wissenschaft., 3, 119 [1963] verwendet wird, so daß die
bei Entwicklung erhaltene maximale Schwärzungsdichte (Dmax) ungefähr 3 beträgt.
Nach der Verschleierung werden die Schichten durch einen Stufenkeil bildgerecht belichte! und entsprechend
Beispiel 1 entwickelt. Alle Muster weisen eine ausgeprägte Ausbleichung der ursprünglichen Schwärzungsdichte
auf, die durch die absichtliche Verschleierung mit Silber verursacht wird.
Die so erhaltenen Ergebnisse sind in Tabelle 2 zusammengefaßt.
Wie zu ersehen ist, werden alle Muster bei ausreichender Belichtung völlig ausgeblichen, wobei die
minimale Schwärzungsdichte (praktisch dem Schleier äquivalent) bei den mit Siliciummonoxid beschichteten
Glasträgern ein wenig höher ist Die bei der Verschleierung mit Silber erhaltene maximale Schwärzungsdichte
und die effektive Ausgleichsempfindlichkeit sind bestimmt höher bei den Glasträgern, die mit
Bleichromat — Versuch 2.2. oder mit KTFR — Versuch 23. beschichtet sind. Tabelle 2 veranschaulicht die
Vorteile der Beschichtung mit KTFR und Bleichromat.
Anstatt Glasträger wird in diesem Falle natürlicher Glimmer benutzt, wobei seine Oberfläche unmittelbar
vor jedem Gebrauch durch Abspaltung einer dünnen Schicht aufgefrischt wird.
ίο
3.1. Bei dem ersten Versuch wird die Silberbromidschicht,
entsprechend der im Versuch 1.1. de-Beispiels 1 geschilderten Technik, auf die Glimmerträger
aufgebracht. Während der Versuchsdauer werden die Glimmerträger bei Zimmertemperatur
gehalten.
3.2. Bei dem zweiten Versuch, unmittelbar vor dem Auftragen des Silberbromids werden die Glimmerträger auf 200° C erhitzt.
Die Hälfte der Muster aus jedem Versuch wird gold-iridiumsensibilisiert, um ein negatives photographisches
Aufzeichnungsmaterial, entsprechend der Beschreibung im Beispiel 1 herzustellen. Die andere
Hälfte wird mit Silber verschleiert, um ein positives photographisches Aufzeichnungsmaterial entsprechend
der Beschreibung im Beispiel 2 zu erhalten. Alle Muster wprripn akdann belichtet und bearbeitet, so wie es im
Beispiel 1 geschildert ist. Die photographischen Parameter der so gewonnenen Schichten werden in
Tabelle 3 verglichen.
Es ist offensichtlich, daß die Muster, die bei der Abscheidung des Silberbromids auf die erhitzten
Glimmerträger erhallen worden sind, bestimmt bessere photographische Eigenschaften besitzen.
Die Glasträger werden gereinigt und mit Siliciumoxyd beschichtet, so wie es im Beispiel 1 beschrieben ist.
Darüber wird eine Silberbromidschicht mit einer Dicke von etwa 0,5 Mikron aufgetragen, indem die in Versuch
1.1. von Beispiel 1 geschilderte Technik verwendet wird.
Die Muster werden aus der Vakuumkammer heraus- is
genommen und die Hälfte davon mit einer Gelatineschicht mit einer Dicke kleiner als 0,1 Mikron belegt,
indem ein paar Tropfen von einer 0,1 °/oigen Lösung von Gelatine auf die in einer Zentrifuge angeordneten
Glasplatten angebracht werden. Die Zentrifuge wird )0 eine Minute lang mit einer Geschwindigkeit von etwa
5000 U/min betrieben.
Alle unbelegten oder mit Gelatine belegten Platten werden wieder in die Vakuumkammer eingebracht.
Durch Aufdampfen nach der im Beispiel 2 beschriebe- 4^
nen Technik wird Silber aufgebracht, dessen Menge so ausgewählt ist, daß der bei Entwicklung ohne Belichtung
erhaltene Dm^-Wert etwa 3 beträgt. Alsdann werden
Muster der beiden Plattenarten belichtet und entwikkelt, wie es im Beispiel I beschrieben ist. Die erhaltenen
Ergebnisse sind \r. Tabelle 4 zusammengestellt.
Offensichtlich führt die Beschichtung mit Gelatine vor der Verschleierung zu einer wesentlichen Empfindlichkeits-
und Gradationszunahme, ohne daß sich dabei die minimale Schwärzungsdichte, die bei Belichtung erhalten
worden ist (der effektive Schleier), erhöht.
Die folgenden Vorteile der vorliegenden Erfindung erlauben lichtunempfindliche Silberhalogenidschichten
zu erhalten, die sich zwecks Herstellung von negativen und positiven photographischen Aufzeichnungsmaterialien
absichtlich und reproduzierbar zusätzlich sensibilisieren lassen.
1. Der unmittelbare Kontakt zwischen dem Heizelement
der Bedampfungsvorrichtung (dem Tiegel) und der Silberhalogenidschmelze — eine der
Hauptursachen für die Verunreinigung des Silberhalogenids
— ist beseitigt.
2. Es werden Bedingungen geschaffen, bei denen ein Silberhalogenid-Dampfstrahl mit hoher Intensität
erhalten wird und dementsprechend die aufgetragene Schicht mit einer relativ hohen Geschwindigkeit
aufwächst, so daß die konkurrenzfähige Adsorption der Verunreinigungen von der Vakuumkammer
vermindert wird. Die auf dem Träger ablaufende Adsorption von Verunreinigungen ist
auch wegen der vorherigen Trägererhitzung unmittelbar vor der Silberhalogenidabscheidung
geringer.
3. Verbesserte Adhäsion zwischen der im Vakuum aufgetragenen Silberhalogenidschicht und dem
Träger ist durch dessen Beschichtung mit einer Haftschicht aus metallischem Chromat oder Photoresistlack
erreicht. Außerdem führt die verwendete Haftschicht zu einer Verbesserung der photographischen
Eigenschaften des erhaltenen positiven photographischen Aufzeichnungsmaterials.
4. Verbesserte photographische Eigenschaften des direkt positiven AufzeichnungsmaterwJs werden
durch die Abscheidung einer dünnen Schicht aus Gelatine über die Silberhalogenidschicht unmittelbar
vor dem Auftragen der monoatomaren Schicht aus Silber oder Gold erreicht.
Beseitigung der Möglichkeit für eine selektive und unreversible Adsorption der in Luft enthaltenen
Verunreinigungen wird erreicht, indem die Vakuumkammer mit hochreinem Stickstoff (anstatt Luft)
nach Abschluß des Aufdampfzyklus aufgefüllt wird.
Tabelle | *) | Bearbeitung | Schleier | Maximale Schwärzungsdichte |
Gradation | Relative Empfind lichkeit |
Versuch | (Do) | (Dmx) | ir) | (Srel) | ||
Unsensibilisiert Sensibilisiert |
0 0,05-0,10 |
0 2,50-2,70 |
0 1,20-1,50 |
0 500-600 |
||
1.1. | Unsensibilisiert Sensibilisiert |
0,05-0,10 0,15-0,20 |
1,10-UO 1,30-1,50 |
0,80-1,00 0,80-1,20 |
80-100 100-150 |
|
1.2. | Unsensibilisiert Sensibilisiert |
υ,ί 0-0,20 0,20-^,30 |
0,80-UO 1,00-1,50 |
0,70—1,00 0,80-1,00 |
20-100 50-110 |
|
1.3. |
*) Manche Muster von allen Versuchen zeigen eine unbefriedigende Adhäsion. Bei einer geringen Verlängerung der Bearbeitungsdauer
ist eine klare Tendenz zum Abstreifen der Silberbromidschicht von dem Glasträger zu beobachten.
11 12
"abelle 2*)
Versuch | Haftschicht | Minimale | Maximale | (!radation | Relative |
Sehwär/.ungsdichle | Schwär/unk'sdichlc | Fimpfincl- | |||
lichkcit | |||||
(lh,,,,,) | (Ιλ,,η) | (}') | (Srcli | ||
2.1. | Siliciummonoxid | 0.10-0,15 | 2,80-3,00 | 1,50-2,00 | 40-bO |
2.2. | Blcichromai | 0.01-0.05 | 2.80-3,20 | 1,70-2,10 | !50-18O |
2.3. | KTFR | 0,05-0,10 | 2.90-3,30 | 1,70-2.00 | 80-90 |
*) Wiederum wird eine mangelhafte Adhäsion der Silberbromidsctncht beobachtet, aber nur bei den Schichten, die auf den mit
Siliciummonoxid beschichteten Trager aufgebracht sind. Bei Schichten aber, die auf die beulen anderen Träger aufgebracht sind,
ist keine Tendenz zum Abstreifen dieser Schichten /ti bemerken.
iviiüiiViärO maximale viiaciation relative
.Schwärzungsdichte Schwärzungsdichtc Lmpfind-
lichkeil
(Dmm) (O„uJ (}■) (■%·■/)
3.1 Negativ sensibilisiert 0,05 2.60-2,70 1,10-1,20 400-500
Positiv sensibilisicrt 0,10 2,80-3,00 1.50-1,70 40-50
3.2. Negativ sensibilisicrt 0,05 3,00 2,00 1000
Positiv sensibilisiert 0,10 2,80 2,50 300
*) Die Adhäsion aller Glimmerträger ist sehr gut. unabhängig von der Temperatur, bei der das Silberbromid abgeschieden wird.
Tabelle 4
Bearbeitung vor Verschleierung Minimale Maximale Gradation Relative
Schwärzungüdichte Schwa'm.ngsilichte hmpfind-
lichkeit
(Dmm) (Dm.„) (γ) (S.-cl)
0,01-0,05 3,0 2.50 40
Beschichtet mit Gelatine 0,01-0,05 3.0 4,00 1000
Hierzu I Blatt Zeichnungen
Claims (7)
1. Verfahren zur Herstellung eines photographischen Aufzeichnungsmaterials unter Verwendung s
einer Vakuumapparatur durch Aufdampfen von Silberhalogenid mit einer Reinheit nicht unter 99,999
Prozent aus einem aus inertem Material gefertigten Tiegel mit einem zylindrischen Tiegelkörper und
einem parallele Wände aufweisenden Tiegelhals auf einen kontinuierlich laufenden Träger, wobei der
zylindrische Tiegelkörper durch Wärmestrahlung beheizt wird, dadurch gekennzeichnet,
daß men neben dem Tiegelkörper auch den Tiegelhals durch ein außerhalb der Vakuumkammer
angebrachtes Strahlungsheizelement auf gleichmäßige Temperatur heizt, wobei die Silberhalogeniddämpfe in einem intensiven Dampfstrahl kollimiert
und senkrecht zum Schichtträger gerichtet werden, der vorher roit einer Haftschicht überzogen worden
ist und unmittelbar über den heißen Wänden der Tiegelöffnung in einem Abstand von nicht größer als
10 mm kontinuierlich vorbeigeführt wird, wobei eine
gleichmäßige lichtunempfindliche Schicht aus Silberhalogenid mit einer Dicke von 0,1 bis 1,5 μ mit einer
Geschwindigkeit von 200 bis 20G0 Ä/sek abgeschieden wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man auf den Schichtträger eine dünne
Haftschicht aus handelsüblichem Photoresistlack auf der Basis von P'.lyvinylzinnamat aufträgt
3. Verfahren nach Anspruch '. dadurch gekennzeichnet, daß man als Schichtträger natürlichen
Glimmer mit frisch abgespalteter Oberfläche verwendet.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß man auf den Schichtträger eine dünne Haftschicht aus Metallchromat,
wie Bleichromat, Bleioxidchromat, Bariumchromat, Silbermonochromat oder Wismutchromat, Vorzugs- 4c
weise Bleichromat, mit einer Schichtdicke bis zu 500 A durch Aufdampfen im Vakuum aufbringt.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß man unmittelbar vor
der Abscheidung der Silberhalogenidschicht die mit Haftschicht versehenen Träger in der Vakuumkammer bis zu 200"C für die Glas- und Glimmerträger
und bis zu 100°C für die Polyester- und Papierträger
erhitzt.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß man zwecks der
Herstellung von photographischen direkt positiven Aufzeichnungsmaterialien auf die Silberhalogenidschicht, die auf den mit Haftschicht versehenen
Träger aufgebracht ist, eine dünne Schicht aus Gelatine mit einer Schichtdicke bis zu 0,1 Mikron
aufträgt und unmittelbar obenauf eine monoatomare Schicht aus Silber oder Gold durch Aufdampfen im
Vakuum aufbringt
7. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens ho
nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bestehend aus einem Tiegelhalter (1) und einem Tiegel (2), die beide
aus inertem Material gefertigt sind, wobei der Tiegel (2) einen zylindrischen Körper (4) und einen
parallele Wände (6) aufweisenden Tiegelhals besitzt, (>s
einem Stahlungsheizelement (3) zur gleichmäßigen Beheizung des zylindrischenTiegelkörpers und einer
Vakuumkammer (7), dadurch gekennzeichnet, daß
außerhalb der Vakuumkammer (7) ein den zylindrischen Körper (4) und die parallelen Wände des
Tiegelhalses (6) auf gleichmäßige Temperaturen beheizendes Strahlungsheizelement vorgesehen ist,
wobei die Querschnittsfläche des Tiegelkörpers (4) des Tiegels (2) wenigstens 5mal größer als die
Querschnittsfläche seiner rechteckigen öffnung (5) und der Abstand zwischen der öffnung (5) un^ dem
laufenden Träger (8) nicht größer als 10 mm ist, so
daß die Silberhalogeniddämpfe nur mit den heißen Wänden (6) des Tiegels (2) und mit dem Träger (8) in
Berührung kommen.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
BG26984A BG20711A1 (de) | 1974-06-14 | 1974-06-14 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2523989A1 DE2523989A1 (de) | 1976-01-02 |
DE2523989B2 DE2523989B2 (de) | 1977-08-25 |
DE2523989C3 true DE2523989C3 (de) | 1978-04-20 |
Family
ID=3900409
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2523989A Expired DE2523989C3 (de) | 1974-06-14 | 1975-05-30 | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von photographischen Aufzeichnungsmaterialien durch Aufdampfen von Silberhalogeniden im Vakuum |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4123280A (de) |
JP (1) | JPS5133621A (de) |
BE (1) | BE829805A (de) |
BG (1) | BG20711A1 (de) |
DD (1) | DD119661A5 (de) |
DE (1) | DE2523989C3 (de) |
FR (1) | FR2274955A1 (de) |
GB (1) | GB1491615A (de) |
NL (1) | NL7507110A (de) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5506059A (en) * | 1993-05-14 | 1996-04-09 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Metallic films and articles using same |
US20130269613A1 (en) * | 2012-03-30 | 2013-10-17 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for generating and delivering a process gas for processing a substrate |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE938644C (de) * | 1953-07-03 | 1956-02-02 | Hubert Mansfeld | Verfahren zur Aufbringung lichtempfindlicher Stoffe auf Schichttraeger |
US3219451A (en) * | 1962-12-11 | 1965-11-23 | Technical Operations Inc | Sensitizing photographic media |
CH452313A (de) * | 1965-12-18 | 1968-05-31 | Balzers Patent Beteilig Ag | Vorrichtung zur Verdampfung von Stoffen im Vakuum |
US3775157A (en) * | 1971-09-24 | 1973-11-27 | Fromson H A | Metal coated structure |
-
1974
- 1974-06-14 BG BG26984A patent/BG20711A1/xx unknown
-
1975
- 1975-05-29 DD DD186344A patent/DD119661A5/xx unknown
- 1975-05-30 DE DE2523989A patent/DE2523989C3/de not_active Expired
- 1975-06-03 BE BE2054379A patent/BE829805A/xx not_active IP Right Cessation
- 1975-06-10 FR FR7518093A patent/FR2274955A1/fr active Granted
- 1975-06-12 US US05/586,429 patent/US4123280A/en not_active Expired - Lifetime
- 1975-06-13 GB GB25457/75A patent/GB1491615A/en not_active Expired
- 1975-06-13 NL NL7507110A patent/NL7507110A/xx not_active Application Discontinuation
- 1975-06-14 JP JP50072612A patent/JPS5133621A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB1491615A (en) | 1977-11-09 |
DE2523989A1 (de) | 1976-01-02 |
JPS5133621A (en) | 1976-03-22 |
DD119661A5 (de) | 1976-05-05 |
FR2274955A1 (fr) | 1976-01-09 |
US4123280A (en) | 1978-10-31 |
FR2274955B1 (de) | 1981-07-24 |
BG20711A1 (de) | 1975-12-20 |
NL7507110A (nl) | 1975-12-16 |
BE829805A (fr) | 1975-10-01 |
DE2523989B2 (de) | 1977-08-25 |
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