DE2506035C3 - Filmschaltung - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Filmschaltung entsprechend dem Oberbegriff des Anspruchs 1.

Eine Filmschaltung besteht aus einer Trägerplatte aus einem Isoliermaterial, ζ. B. Glas oder Keramik, auf der mit Hilfe der dazu geeigneten Techniken Leiterbahnen angebracht sind, die die verschiedenen Elemente einer Schaltung miteinander verbinden. Diese Elemente sind integrierte Schaltungen und Elemente, die aus technischen oder wirtschaftlichen Gründen nicht in eine integrierte Schaltung aufgenommen werden können. Von diesen Elementen, die nicht in die integrierten Schaltungen aufgenommen sind, können eine Anzahl mit Hilfe der dazu geeigneten Techniken auf der Trägerplatte angebracht werden. Widerstände, Induktivitäten und Kondensatoren

ι» sind mit Hilfe dieser Techniken innerhalb bestimmter Grenzen vei-wirklichbar. Für Kondensatoren kann die obere Grenze in der Praxis auf etwa 10 000 pF gesetzt werden.

Filmschal tungen können in zwei Gruppen unterteilt werden, und zwar die sogenannten Dünnfilmschaltungen und die Dickfilmschaltungen. Der Unterschied zwischen den beiden genannten Typen von Schaltungen liegt im wesentlichen in der Weise, auf die die verschiedenen Strukturen und Leiterbahnen auf der

jo Trägerplatte angebracht werden. Bei den Dünnfilmschaltungen erfolgt dies u. a. durch Aufdampf- oder Sputtertechniken, während bei Dickfilmschaltungen die Strukturen und Leiterbahnen u. a. mittels verschiedener Pasten angebracht werden, nachdem die Trägerplatte auf geeignete Weise teilweise abgedeckt worden ist.

Wenn eine Schaltung, in der eine große Zeitkonstante erzielt werden muß, mit den bisher benutzten Techniken hergestellt wird, besteht die Schaltung

)o größtenteils aus einer oder mehreren integrierten Schaltungen, die zusammen mit gegebenenfalls in Filmtechnik ausgeführten integrierten Elementen und einem Kondensator zur Erzielung dieser großen Zeitkonstante auf einem mit Leiterbahnen versehenen

υ Träger angeordnet werden. Von dem notwendigen Kondensator können die räumlichen Abmessungen derartig sein, daß sie die Abmessungen der übrigen Einzelteile der Schaltung wenigstens in einer Richtung erheblich überschreiten, wodurch ein wesentlicher

4(i Vorteil der vorhandenen integrierten Schaltung verlorengeht. Wenn ein derartiger Kondensator z. B. auf der Trägerplatte einer Filmschaltung montiert wird, werden die Dickenabmessungen der Platte und des Kondensators zusammen erheblich größer als die der

4-> Platte allein sein.

Die Anwendung der verzögernden Eigenschaften geheizter tecnperaturempfindlicher Widerstände ist an sich bekannt. Die bekannten Schaltungen lassen sich im wesentlichen in zwei Kategorien unterteilen, und

ίο zwar: Einerseits Schaltungen, in denen ein Heizstrom durch den temperaturempfindlichen Widerstand geführt wird, wobei im Gegensatz zu der erfindungsgemäßen Anwendung die Wechselstromkomponente des Heizstromes eine Wechselspannung statt einer Gleichspannung über dem temperaturempfindlichen Element herbeiführt, und andererseits Schaltungen (siehe Proc. IEEE [1964] 12, 1496-1501 und IEEE Journal SSC [1971] 1,8-14), in denen ein direkt heizbarer temperaturempfindlicher Widerstand verwen-

bo det wird, wobei die verzögernden Eigenschaften durch die verzögernde Wirkung eines wärmeleitenden Mediums zwischen dem Heizelement und dem temperaturempfindlichen Element erhalten werden, welches wärmeleitende Medium sich elektrisch wie eine lange

b5 Leitung verhält.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Filmschaltung gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1 so auszugestalten, daß sich sowohl ein einfa-

eher Aufbau, als auch günstige elektrische Eigenschaften ergeben.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die im kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1 angegebenen Merkmale gelöst.

Die Erfindung gründet sich auf dei Erkenntnis, daß eine Wärmekapazität als äquivalent für eine elektrische Kapazität auf einfache Weise in einer Filmschaltung für die Erzielung einer RC-Zeitkonstante verwendet werden kann. i"

Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.

Die Erfindung wird nachstehend beispielsweise anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigt

Fig. 1 ein Schaltbild einer Schaltung nach der Erfindung, wobei Fig. la ein Prinzipschaltbild der Schaltung nach Fig. 1, in Filmtechnik ausgeführt, darstellt, und Fig. Ib einen Querschnitt durch die Konfiguration nach Fig. la zeigt,

Fig. 2 die Spannungssprungkennlinie der Schal- -° tung nach Fig. 1,

Fig. 3 ein Schaltbild einei Schaltung nach der Erfindung, wobei die Auflade- und die Entladezeitkonstante einander gleich sind, und

Fig. 4, 5 und 6 einige Anwendungen der Schaltung nach der Erfindung.

Fig. 1 zeigt einen ersten Transistor T₁ und einen zweiten Transistor T₂, beide vom npn-Typ, mit einem gemeinsamen Emitterkreis, der über einen Widerstand 8 mit einer negativen Speiseklemme 13 verbun- w den ist. Die Basis des Transistors T₁ ist mit einer Eingangsklemme 1 und die Basis des Transistors T₂ ist mit einer Ausgangsklemme 2 verbunden. Der Kollektor des Transistors T₁ ist mit einer positiven Speiseklemme 12 verbunden, während der Kollektor des Transistors T₂ über eine Heizwiderstandsschichl 11 mit der positiven Speiseklemme 12 verbunden ist. Die Widerstandsschkht 11 ist derart in thermischem Kontakt mit einem Widerstand 10 mit einem negativen Temperaturkoeffizienten (nachstehend als NTC be- 4« zeichnet), daß dieser NTC 10 die gleiche Temperatur wie die Widerstandsschicht 11 aufweist. Der NTC IO verbindet die Basis von T₂ mit der negativen Speiseklemme 13, während diese Basis über den Widerstand 9 mit der positiven Speise klemme verbunden ist, 4 > wodurch der Widerstand 9 und der NTC IO einen temperaturabhängigen Spannungsteiler zwischen den Speiseklemmen 12 und 13 bilden.

Fig. la zeigt das Prinzip des Aufbaus der Schaltung nach Fig. 1 auf einer Trägerplatte und stellt keines- 5« wegs eine praktische maßstäbliche Ausführungsform dar. Mit dem Block 16 sind schematisch alle Elemente der Schaltung nach Fig. 1, ausgenommen der NTC 10 und die Widerstandsschicht 11, dargestellt. Dieser Block kann eine integrierte Schaltung enthalten, von der die Schaltung nach Fig. 1 einen Teil bildet, und er kann aus einzelnen Elementen bestehen, die auf der Trägerplatte 17 angebracht und nicht im Detail dargestellt sind. Die auf der Trägerplatte 17 angebrachte Widerstandsschicht 11 ist über die Leiterbah- t>o nen 18 und 19 mit der positiven Speiseklemme 12 bzw. mit dem Kollektor des in den Block 16 aufgenommenen Transistors T₂ (nicht näher dargestellt) verbunden. Auf der Widerstandsschicht 11 ist, von dieser Schicht durch eine elektrisch isolierende Schicht 20 getrennt, der NTC 1.0 angebracht, der über die Leiterbahnen 21 und 22 mit der negativen Speiseklemme 13 bzw. der Basis des nicht näher dargestellten Transistors T₂ verbunden ist.

Fig. Ib zeigt einen Querschnitt längs der Linie A-A' der Fig. la. Die Isolierschicht 20 ist derart dünn, daß sie einen vernachlässigbaren Wärmewiderstand bildet, so daß angenommen werden kann, daß die Widerstandsschicht 11 und der NTC IO stets nahezu die gleiche Temperatur aufweisen.

An Hand der Fig. 2 wird das Verhalten der Schaltung nach Fig. 1 erörtert. Wenn zu einem bestimmten Zeitpunkt i, ein negativer Spannungssprung an dem Eingang auftritt, wird die Basis-Emitter-Spannung von T₁ abnehmen, wodurch der Emitterstrom von T₁ und also der Spannungsabfall über dem Widerstand 8 abnimmt. Dadurch weist die Basis-Emitter-Spannung von T₂ zu dem Zeitpunkt t, einen positiven Sprung auf, so daß auch der Kollektorstrom von T₂ plötzlich zunimmt. Die Widerstandsschicht 11 in der Kollektorleitung von T₂ nimmt infolge der Wärmekapazität allmählich eine höhere Temperatur an, gleich wie der NTC 10. Soll dieser NTC 10 der Temperatur der Heizwiderstandsschicht direkt folgen, so muß die Wärmekapazität dieses NTC-Widerstandes 10 klein in bezug auf die der Heizwiderstandsschicht 11 sein und muß, wie erwähnt, die elektrische Isolierung zwisehen der Widerstandsschicht 11 und dein NTC IO einen geringen Wärmewiderstand aufweisen.

Der Widerstandswert des NTC-Widerstandes nimmt mit zunehmender Temperatur ab, so daß infolge des aus dem NTC 10 und dem Widerstand 9 bestehenden Spannungsteilers das Basispotential des Transistors T₂ abnimmt, was zur Folge hat, daß die Basis-Emitter-Spannung von T₂ und demzufolge der Kollektorstrom von T₂ abnimmt. Durch die Abnahme des Kollektorstroms von T₂ wird die Widerstandsschicht 11 weniger schnell angeheizt. Dieser Vorgang setzt sich fort, bis die Spannung V₁₁ einen derartigen Wert erreicht hat, daß der Kollektorstrom von T₂ der Widerstandsschicht 11 gerade genügend Leistung liefert, um den Wärmeverlust dieses Widerstands infolge von Abkühlung auszugleichen. Die Schaltung soll derart entworfen sein, daß dieses Gleichgewicht erreicht ist, wenn V₁₁ nahezu gleich V₁ ist, was durch die Werte der Widerstände und der Speisespannung mitbestimmt wird. Die Zeit T₁, die zwischen dem Zeitpunkt I₁ und dem Zeitpunkt vergeht, zu dem die Ausgangsspannung einen Teil (1-1/e) der gesamten Änderung erfahren hat, ist die RC-Zeitkonstante der Schaltung.

Die genannte RC-Zeitkonstante bestimmt die Frequenz desjenigen Eingangssignals, dessen Amplitude das Ausgangssignal noch eben folgen kann. Wäre zwischen der Heizwiderstandsschicht 11 und dem NTC 10 ein nicht vernachlässigbarer Wärmewiderstand vorhanden, so würden die Temperaturänderungen des NTC-Widerstandes 10 gegenüber den Temperaturänderungen der Heizwiderstandsschicht 11 nacheilen. Bei einem Eingangssignal mit einer die obengenannte Frequenz erheblich unterschreitenden Frequenz folgt die Temperatur der Heizwiderstandsschicht 11 diesem Eingangssignal, während der Signal an der Ausgangsklemme und also an der Basis des Transistors T₂ der Temperatur des NTC-Widerstandes 10 folgt, wodurch ein i'ierwünschter Pliasenunterschied zwischen dem Eingangssignal und dem Ausgangssignal auftritt. Dieser Phasenunterschied kann für bestimmte Frequenzen derart groß werden, daß er Unstabilitäten herbeiführen kann. Ein Wärmewideistand verhält sich ja elektrisch wie eine lange Leitung, die, im Gegensatz

zu einem RC-Netzwerk, bei zunehmender Frequenz eine stets zunehmende Phasenverschiebung zwischen dem Eingangssignal und dem Ausgangssignal herbeiführt.

Zu '.iem Zeitpunkt t, tritt ein positiver Spannungs- *pi uiig am Eingang auf, wodurch dieser Vorgang in umgekehrter Reihenfolge stattfindet, mit der Maßgabe, daß die Abnahme der Temperatur der Widerstandsschicht 11 durch Wärmeableitung an die Umgebung herbeigeführt wird. Dadurch ist die Zeitkonstante T₂ der positiven Spannungssprungkennlinie nicht dieselbe wie die Zeitkonstante τ der negativen Spannungssprungkennlinie. Die thermische Isolierung der Widerstandsschicht kann, erwünschtenfalls. derart gewählt werden, daß T₂ = T₁ ist. Wenn die beiden Konstanten einander sehr genau gleich sein sollen, bewährt sich die Schaltung nach Fig. 1 nicht, weil sich die Abkühlung der Widerstandsschicht schwer vorhersagen und regeln läßt. Die Schaltung nach Fig. 3 weist diese Nachteile nicht auf.

In der Schaltung nach Fig. 3 ist der Widerstand 9 der Schaltung nach F i g. 1 durch einen NTC 14 ersetzt, der von einer Widerstandsschicht 15 angeheizt wird, die die Kollektorleitung des Transistors T₁ mit der positiven Speiseklemme 12 verbindet.

Wenn an der Klemme 1 ein positiver Spannungssprung auftritt, nimmt die Basis-Emitter-Spannung von T₁ zu und nimmt die Basis-Emitter-Spannung von T₂ ab. Dementsprechend nimmt der Kollektorstrom von T₁ zu und nimmt der Kollektorstrom von T₂ ab, wodurch die Temperatur der Widerstandsschicht 15 zunimmt, und die Temperatur der Widerstandsschicht 11 abnimmt. Der Widerstandswert des NTC-Widerstandes 10 nimmt dadurch zu und der Widerstandswert des NTC-Widerstandes 14 nimmt ab, was zur Folge hat, daß V_u zunimmt. Umgekehrt wird bei einem negativen Spannungssprung am Eingang die Ausgangsspannung V_u abnehmen. Bei passender Wahl der verschiedenen Widerstände sind die auftretenden Zeitkonstanten einander gleich.

Die Schaltung nach Fig. 3 weist außerdem den Vorteil auf, daß eine Wechselspannung mit einer Frequenz, die viel höher als V₁ ist, an den Eingangsklemmen eine Temperaturerhöhung des NTC-Widerstandes 10 sowie des NTC-Widerstandes 14 herbeiführen wird, was bei einer richtigen Gleichgewichtseinstellung der Schaltung keinen Einfluß auf die Ausgangsspannung V_u ausübt; dies im Gegensatz zu der Schaltung nach Fig. 1, in der die Ansgangsgleichspannung etwas abnimmt, wenn eine Wechselspannung an den Eingang angelegt wird.

Die Schaltung nach der Erfindung kann in allen Schaltungsanordnungen Anwendung finden, in denen große RC-Zeitkonstanten benutzt werden und bei denen Kondensatoren großer räumlicher Abmessungen nicht erwünscht sind.

Fig. 4 zeigt schematisch einen Kreis, bei dem eine Regelspannung V₁ ferneingestellt werden kann, welche Spannung über einen Leiter einem Regelkreis 27 zugeführt wird. Durch kapazitive und induktive Einflüsse treten an der Leitung Störsignale auf, die einen unerwünschten Einfluß auf den Regelmechanismus ausüben. Indem zwischen der langen Leitung und dem Regelkreis 27 eine Schaltung nach der Erfindung angeordnet wird, tritt am Eingang des Regelkreises eine Regelgleichspannung V_u gleich dem Gleichspannungspegel von V₁ auf.

Fig. 5 zeigt einen Verstärker, der aus drei Stufen mit Transistoren T₃, T₄ und T₅ besteht. IndenKoHck torkreisen dieser Transistoren sind die Widerstände 16, 17 bzw. 18 angeordnet, während der Kollektoi des Transistors T₃ über ein Kopplungselement, das ■ den Gleichspannungspegel der Basis des Transistors T₄ mit dem Gleichspannungspegel des Transistors 7'. koppelt, mit der Basis des Transistors T₄ verbunden ist. Ein solches Kopplungselement kann z. B. aus einei Zenerdiode oder, wie in der Figur dargestellt ist, aus

in der Reihenschaltung einiger in der Durchlaßrichtung geschalteten Dioden (D₁ und D₂) bestehen. Ebensc ist der Kollektor des Transistors T₄ über ein solches Kopplungselement, das aus der Reihenschaltung vor Dioden D₁ und D₄ besteht, mit der Basis des Transij stors T₅ verbunden. Der Kollektor des Transistors T, ist mit einer Ausgangsklemme 25 verbunden und außerdem über die Schaltung nach Fig. 3 auf die Eingangsklemme 24 rückgekoppelt. Die rückgekoppelte Spannung in Reihe mit einem Eingangssignal ist an der Basis des Transistors T₃ vorhanden.

Jeder Verstärkerstufe der Schaltung führt für Niederfrequenzsignale eine Phasenverschiebung von 180° herbei. Wenn die Basisspannung des Transistors der betreffenden Verstärkerstufe zunimmt, nimmt der

r> Kollektorstrom dieses Transistors zu und demzufolge die Kollektorspannung ab. Da die Spannung an der Klemme 2 der Schaltung nach Fig. 3 der Niederfrequenzspannung an der Klemme 1 dieser Schaltung folgt, wird diese Niederfrequenzspannung völlig ge-

i(i gengekoppelt. Diese Niederfrequenzgegenkopplung stabilisiert die Vorstromeinstellung der verschiedenen Transistoren. Die in den Gegenkopplungskreis aufgenommene Schaltung nach Fig. 3 verhindert, daß Hochfrequenzsignale rückgekoppelt werden, wo-

j5 durch das Oszillieren der Schaltung vermieden wird.

Bei einer Anwendung der Schaltung nach Fig. 3

der in diesem Beispiel angegebenen Art leuchtet es ein, daß ein Wärmewiderstand zwischen der Heizwiderstandsschicht und der temperaturempfindlichen

4» Widerstandsschicht unerwünscht ist. Der Wärmewiderstand führt zu einer zusätzlichen Phasenverschiebung in der Gegenkopplungsschleife, was bei einer hohen Schleifenverstärkung zu einer unstabilen Schaltung Anlaß geben kann.

Fig. 6 zeigt ein drittes Anwendungsbeispiel einer Schaltung nach der Erfindung. Der Widerstand 8 in Fig. 3 ist dabei durch eine Stromquelle ersetzt, die einen Gleichstrom 21 dem gemeinsamen Emitterkreis der Transistoren T₁ und T₂ entzieht. Da das Basispotential des Transistors T₂ gleich der Gleichspannungskomponente des Signals ist, das der Eingangsklemme 1 der Schaltung zugeführt wird, sind die Gleichstromkomponenten der Kollektorströme der Transistoren T₁ und T₂ einander gleich und unter

Vernachlässigung der Basisströme gleich I. Die Wechselstromkomponenten der Kollektorströme sind der Wechselspannungskomponente des Eingangssignals proportional und zueinander gegenphasig. Wenn die Spannung, die durch den Kollektorstrom

bo des Transistors T₁ über dem Widerstand 14 herbeigeführt wird, einer Klemme 25 zugeführt wird, besteht die Klemmenspannung der Klemme 25 aus einer Gleichspannungskomponente, die von dem Eingangssignal unabhängig ist, und aus einer Wechselte Spannungskomponente, die zu der Wechselspannungskomponente des Eingangssignals proportional und gleichphasig ist. Die Schaltung nach Fig. 3 kann in der Abwandlung nach Fig. 6 als Spitzendetektor

dienen.

Es versteht sich, daß iür den Differenzverstärker, der durch die Transistoren Γ, und T₂ gebildet wird, jeder andere Differenzverstärkertyp verwendet werden kann. Auch beschränkt sich die Erfindung nicht auf einen bestimmten Transistortyp. Statt Widerstandsschichten mit einem negativen Temper^turkoeffizienten können Widerstandsschichten mit einem positiven Temperaturkoeffizienten (nachstehend als PTC bezeichnet) Anwendung finden, mit der Maßgabe, daß entweder die temperaturempfindliche Widerstandsschicht in dem Spannungsteiler und das andere Element des Spannungsteilers ihre Stellen wechseln, oder daß die zugehörigen Heizwiderstandsschichten in den anderen Ausgangskreis des Differenzverstärkers aufgenommen werden. In bezug auf die Schaltung nach Fig. 1 führt dies u. a. zu den folgenden Möglichkeiten:

- Die Heizwiderstandsschicht 11 in dem Kollektorkreis des Transistors T₂, während die Widerstandsschicht 11 einen PTC anheizt, der zwischen die Basis des Transistors T₂ und die positive Speiseklemme 12 aufgenommen ist, wobei der Widerstand 9 zwischen die Basis des Transistors T₂ und die negative Speiseklemme 13 aufgenommen ist.

— Die Heizwiderstandsschicht 11 in dem Kollektorkreis des Transistors T₁, während die Widerstandsschicht 11 einen PTC anheizt, der zwischen die Basis des Transistors T₂ und die negative Speiseklemme 1.3 aufgenommen ist, wobei der ^r> Widerstand 9 auf die in Fig. 1 dargestellte Weise

in die Schaltung aufgenommen ist.

- Die Heizwiderstandsschicht 11 in dem Kollektorkreis des Transistors T₁, während die Widerstandsschicht 11 einen NTC anheizt, der zwi-

¹⁽¹ sehen die Basis des Transistors T₂ und die positive Speiseklemme 12 aufgenommen ist, wobei der Widerstand 9 zwischen die Basis des Transistors T₂ und die negative Speiseklemme 13 aufgenommen ist.

- Die Heizwiderstandsschicht 11 in dem Kollektorkreis des Transistors T₂, während die Widerstandsschicht 11 den NTC 10 und einen den Widerstand 9 ersetzenden PTC anheizt, und

- die Heizwiderstandsschicht 11 in dem Kollektor-M kreis des Transistors T₁, während die Widerstandsschicht 11 einen den Widerstand 9 ersetzenden NTC und einen den NTC IO ersetzenden PTC anheizt.

In bezug auf die Schaltung nach Fig. 3 können die NTC-Widerstände 14 und 10 durch PTC-Widerstände ersetzt werden, wobei die Heizwiderstandsschichten 11 und 15 ihre Stellen wechseln.

Hierzu 3 Blatt Zeichnungen

Claims (3)

Patentansprüche:

1. Filmschaltung mit einer großen, durch thermische Effekte realisierten RC-Zeitkonstante, mit mindestens einem Heizelement und einem temperaturempfindlichen Element, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen einer Eingangsklemme und einer Ausgangsklemme der Schaltung die große RC-Zeitkonstante unter Vermeidung der Anwendung von Kondensatoren verhältnismäßig großer Abmessungen dadurch erzielt wird, daß die Schaltung statt der elektrischen Kapazität die Wärmekapazität wenigstens einer Widerstandsschicht benutzt, durch die ein Heizstrom fließt, der durch den Unterschied zwischen der Ein- und der Ausgangsspannung der Schaltung bestimmt wird, wobei mindestens eine temperaturempfindliche Widerstandsschicht, die mit der Heizwiderstandsschicht in direktem Wärmekontakt steht, die Ausgangsspannung der Schaltung mit der Maßgabe bestimmt, daß der Heizstrom für den Fall, daß die Ausgangsspannung gleich der Eingangsspannung ist, eben genügend ist, um den Wärmeverlust der Heizwiderstandsschicht auszugleichen, wodurch entsprechend einer RC-Schaltung bei einer konstanten Eingangsspannung nahezu eine gleiche Ausgangsspannung erhalten wird, während die Ausgangsspannung schnellen Änderungen des Eingangssignals nicht folgt.

2. Filmschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Heizstromschaltung zwei als Differenzverstärker geschaltete Transistoren (T_x, T₂) enthält, deren Basiselektroden mit dem ersten (1) bzw. dem zweiten Eingang (2) verbunden sind, daß die Hauptstrombahn eines dieser Transistoren (T₂) den Ausgangsstromkreis bildet und daß die temperaturempfindliche Widerstandsschicht (10) einen Teil eines zwischen Versorgungsklemmen liegenden Spannungsteilers (10,9) bildet, mit dem die an der Schaltungsanordnung auftretende, von der Temperatur der temperaturempfindlichen Widerstandsschicht (10) abhängige Spannung erhalten wird, wobei die mit Hilfe des Spannungsteilers erhaltene Spannung der Gleichspannungskomponente der Eingangsspannung folgt.

3. Filmschaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Heizstromversorgungsschaltung (T_x, T₂, 8) einen Teil einer integrierten Schaltung (16) bildet, die auf einem isolierenden Träger (17) angebracht ist, auf dem außerdem die Zusammenschaltung von Heizwiderstandsschicht (11) und temperaturempfindlicher Widerstandsschicht (10) in Dick- oder Dünnschicht-Technik als Doppelschicht mit einer dünnen dazwischenliegenden Isolierschicht (20) angebracht ist.