DE2421861C2 - Elektrischer Vanadium-Ruthenium-Widerstand - Google Patents
Elektrischer Vanadium-Ruthenium-WiderstandInfo
- Publication number
- DE2421861C2 DE2421861C2 DE2421861A DE2421861A DE2421861C2 DE 2421861 C2 DE2421861 C2 DE 2421861C2 DE 2421861 A DE2421861 A DE 2421861A DE 2421861 A DE2421861 A DE 2421861A DE 2421861 C2 DE2421861 C2 DE 2421861C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- vanadium
- ruthenium
- oxide
- weight
- resistance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/065—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
- H01C17/06506—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
- H01C17/06513—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component
- H01C17/06533—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component composed of oxides
- H01C17/0654—Oxides of the platinum group
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/06—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material including means to minimise changes in resistance with changes in temperature
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Details Of Resistors (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Description
Die Erfindung bezieht sich air" einen elektrischen
Vanadium-Ruthenium-Widerstand mit niedrigem, über einen weiten Temperaturbereich konstantem WiderstandstemperaturkoefTizienten,
der mit Hilfe eines Blei-Bor-Silikatglases auf ein isolierendes, hochtemperaturfestes
Substrat aufgebrannt ist.
Die Mechanismen, welche die Thermostabilität von
Cermet-Widerständen steuern oder verändern, sind noch nicht voll bekannt.
Es wurde beobachtet, daß verschiedene Halbleiteroxide einen Einfluß auf das Widerstandstemperaturver- -»5
halten von Cermet-Widerständen haben, so daß letztere thermisch stabiler werden. Vor der Erfindung zeigten
nur die in der Elektronikindustrie als Dünnschichtwiderstände bezeichneten Widerstände einen niedrigen
Widerstandstemperaturkoeffizienten. Gemäß den US-PSen 2950995, 29 50 996 und 35 16 949 wrrd Vanadiumoxid
in Verbindung mit Edelmetall-Metallisiermassen in vergleichsweise geringen Mengen verwendet,
um die Agglomeration der Metallteüchen zu verhindern und außerdem die Lötbarkeit, die Leitfähigkeit
und/oder die Haftungseigenschaften der Metallisiermaterialien zu verbessern. Die gleiche Verbesserung
der Lötbarkeit dieser Massen durch Zugabe von Vanadiumpentoxid ist auch in der US-PS 34 40 182 aufgezeigt.
In der US-PS 35 53 109 ist die Verwendung von
Vanadiumpentoxid zur Steuerung des WiderstandstemperaturkoefTizienten
in einer Widerstandsmasse des Wismuthruthenat-Typs beschrieben, die ein Glasfrittenbindemittel
aus 80%Bleioxid, 10%Siliziumoxidund *>5
10% Boroxid verwendet. Nach den Lehren dieser Patentschrift wurde ein Glas zubereitet und mit einer
zur Herstellung der Widerstände gemäß der Erfindung zeichnet, daß er weiterhin Wismuthtrioxid in einer
Menge von höchstens etwa 10,00 Gew.-% enthält
7. Widerstand nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Glasphase Calciumoxid in einer
Menge von höchstens etwa 2,00 Gew.-% enthält
8. Widerstand nach Anspruch 7, dadun.ii gekennzeichnet,
daß das Calciumoxid in einer Menge von etwa 1,00 - 2,00 Gew.-% vorhanden ist
9. Widerstand nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß er Aluminiumtrioxid in einer Menge
von höchstens etwü 10,00 Gew.-% enthält
10. Widerstand nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß das Aluminiumtrioxid in einer Menge
von etwa 1,00 bis 7,00 Gew.-% vorhanden ist
11. Widerstand nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Glasphase etwa 1,00 - 2,00 Gew.-% Calciumoxid und etwa 1,00-2,00 Gew.-% Aluminiumtrioxid
enthält
12. Widerstand nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß er weiterhin Wismuthtrioxid in
einer Menge von höchstens etwa 2,25 Gew.-% enthält
13. Widerstand nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß er als Vanadiumoxid Vanadiumpentoxid
enthält
H.Widerstand nach Anspruch 11, dadurch
gekennzeichnet, daß er weiterhin Calciumoxid und Aluminiumoxid jeweils in einer Menge von etwa
1,00 - 2,00 Gew.-% enthält
dienenden leitfähigen Phase aus Rutheniumdioxid, Vanadiumpentoxid und Aluminiumtrioxid, wie in Beispiel
11 beschrieben, vereinigt. Diese Masse besaß einen spezifischen Bahn- oder Schichtwiderstand von
5,49 kQ/sq./mil. sowie einen Widerstandstemperaturkoeffizienten
von + 170 ± 10 ppm/°C, gemessen zwischen + 25° und - 55° C, sowie von + 270 ±
10 ppm/°C, gemessen zwischen + 25 und + 1500C.
Diese Ergebnisse zeigen deutlich, daß mit Rutheniumdioxid und Vanadiumpentoxid, welche die
erfindungsgemäß bevorzugten Werkstoffe darstellen, bei Verwendung in Verbindung mit dem Glas gemäß
der genannten Patentschrift kein niedriger Widerstandstemperaturkoeffizient erzielt werden kann.
Außerdem wurd'j versucht, ein Widerstandsmaterial mit niedrigem Widerstandstemperaturkoeffizienten
unter Verwendung eines handelsüblichen Glases mit 11% Calciumoxid, 44,1% Bleioxid, 4,0 Aluminiumtrioxid,
5,5% Bortrioxid und 35,4 % Siliziumdioxid herzustellen. Dieses Glasmaterial wurde mit einem leitfähigen
Material aus Rutheniumdioxid in einer Menge von 5,34 Gew.-% hergestellt aus Rutheniumresinat mit
5,26 Gew.-% Rutheniumdioxid, Iridiumdioxid in einer Menge von 7,2 Gew.-%, zubereitet aus Iridiumresinat
mit 6,99 Gew.-%Iridiumdioxid, 2,95 Gew.^Wismuthtrioxid,
4,18 Gew.-% Vanadiumpentoxid und dem vorher beschriebenen Glas in einer Menge von 80,41
Gew.-% vereinigt. Das auf diese Weise gebildete Widerstandsmaterial besaß einen spez. Bahn-oder Schichtwiderstand
von 24000 Ω/sq./mii. sowie einen Widerstandstemperaturkoeffizienten
von — 160 ± 10 ppm/ 0 C, gemessen zwischen + 25° und — 55° C, sowie von —
50 ± 10 ppm/0 C, gemessen zwischen +25° und + 1500C, was im Vergleich zu den Werten bei den
erfindungsgemäßen Materialien als schlechter anzusehen ist.
Der Erfindung liegt damit die Aufgabe zugrunde, einen neuartigen Widerstand zu schaffen, bei welchem
der Widerstandstemperaturkoeffizient über einen wei- > ten Temperaturbereich hinweg in einem engen Toleranzbereich
gehalten wird. Damit soll ein niedriger Widerstandstemperaturkoeffizient für ein Cermet-Material
gewährleistet werden, bei dem ein Vanadiumoxid mit Ruthenium- und Iridiumdioxid in vor- m
bestimmten Mengen kombiniert wird. Insbesondere bezweckt die Erfindung die Schaffung eines Cermet-Widerstands
mit niedrigem Widerstandstemperaturkoeffizienten, der durch Verwendung von Vanadiumoxiden
in Verbindung mit einer speziellen Glasfritte gewährleistet wird. Dieser Widerstand soll nach üblichen
Herstellungsverfahren herstellbar sein, wobei entweder Oxid- oder metallische Resinatvorläufermaterialien
sowohl für die Edelmetalloxide als auch für das Vanadiumoxid verwendet werden können.
Diese Aufgabe wird bei dem anfangs genannten Vanadium-Ruthenium-Widerstand erfindungsgernäS
dadurch gelöst, daß er aus 1 - 10%Vanadium«iioxidund
1 - 30% Rutheniumdioxid und zu 50 - 98 % aus einer Glasphase besteht, die aus 35 - 45 %Bleioxid, 15 - 25 %
Bortrioxid und 30 - 40 % Kieselsäure aufgebaut ist Diese Stoffe werden gemeinsam gebrannt und ergeben
einen neuartigen Widerstand, der über einen weiten Temperaturbereich hinweg unerwartet niedrige Werte
des Widerstandskoeffizienten zeigt. Wahlweise kann in der Widerstandsmaterialmasse Wismuthtrioxid verwendet
werden. Die Ruthenium-, Iridium- und Vanadiumoxide können dabei in ihrer Oxidform oder in
Form von Resinatvorläufermaterialien in Kombination mit der speziellen Glasfritte geliefert werden.
Im folgenden sind bevorzugte Ausführungsbeispiele derErfindung anhand der beigefügten Zeichnung näher
erläutert. Es zeigen:
F i g. 1 eine graphische Darstellung des niedrigen und engen Bereichs des Widerstandstemperaturkoeffizienten
in ppm/' C eines Widerstands über einen Temperaturbereich von - 55°C bis + 1500C hinweg, wobei die
leitfähige Phase aus dem Resinat der Metalle gebildet wurde und wobei die aufgetragenen Daten für die
gemäß den Beispielen 2, 3 und 5 hergestellten Materialien gelten, und
F i g. 2 eine F i g. 1 ähnelnde graphische Darstellung
dergleichen kritischen Eigenschaften,jedoch für einen
Widerstand, deraus den in den Beispielen 11, Hund 15
beschriebenen Oxiden hergestellt worden ist. so
Der Keramik/Metall- ozw. Cermet-Widerstand kann
entweder unter Verwendung von Ruthenium- und Iridiumoxid in Resinatform zur endgültigen Umwandlung
in das Dioxid oder unter Verwendung von Ruthenium- und/oder Iridiumoxid selbst als Ausgangsmaterial hergestellt
werden. Im folgenden ist zunächst die aus den Resinaten von Ruthenium und Iridium hergestellte
Cermet-Widerstandsmasse beschrieben. Die spezieilen Resinate von Ruthenium und Iridium, die gemäß den
Beispielen von Tabelle 3 und in Beispielen 20,21 und 22 verwendet werden, werden durch den Lieferanten, die
Firma ENGELHARD INDUSTRIES, INC., Hanovia Liquid Gold Division, East Newark, New Jersey, USA,
mit A-1124 und A-1123 bezeichnet. Dabei handelt es sich um Resinatlösungen mit 4,0% Ruthenium oder
5,26% Rutheniunrlioxid bzw. 6,0% Iridium oder 6,99% Iridiumdioxid. Die Bereiche der Ausgangsmaterialien
Pur die Massen auf Resiratbasis und für das Glas sind in
den folgenden Tabellen 1 und 2 aufgeführt.
Zusammensetzungsbereich des Widerstandsmaterials (Leitfahige Phase)
Bestandteile | Gew.-% | Gew.-% (Oxid) | Gew.-% | Gew.-% |
Rutheniumresi nat | 20,00 - 85,00 | 1,00-30,00 | (bevorzugt) | |
Iridiumresinat | 5,00 - 45,00 | 1,00 - 15,00 | ||
Wismuthtrioxid | 0,00- 2,25 | 0,00 - 10,00 | ||
Vanadiumpentoxid | 0,50- 2,50 | 1,00-10,00 | ||
Glas | 5,0 -40,00 | 50,00 - 98,00 | ||
Tabelle 2 | ||||
Zusammensetzungsbereich der Glasmatrix | ||||
(Glasphase) | ||||
Bestandteile | ||||
PbO | 35,0 | -45,0 | 38,0 | -45,0 |
B2O3 | 15,0 | -25,0 | 17,0 | -.21,0 |
SiO2 | 30,0 | -40,0 | 33,0 | -37,0 |
CaO | 0 | - 2,0 | 1,0 | - 2,0 |
Al2O3 | 0 | - 2,0 | 1,0 | - 2,0 |
In den folgenden Beispielen 1 bis 10,20,21 und 22, in
denen die Oxide von den Resinatvorläufern erhalten werden, werden in allen Fällen die zum Stand derTechnik
gehörenden folgenden Verfahren angewandt:
Resinatverfahren
1. Bestandteile in den gewünschten Mengenanteilen abwiegen.
2. Organische Anteile der Resinatlösung bei 300 4800C
in Gegenwart einer Glasfritte mittlerer Teilchngröße
von weniger als 20μ abbrennen.
3. Organischen Rückstand 30 - 90 min lang bei 400 6000C
in Luft kalzinieren bzw. brennen.
4. Reduzieren der Teilchengröße des Rückstands auf weniger als 20μ, vorzugsweise auf eino mittlere Teilchengröße
von 5 ± 2μ, beispielsweise mittels einer Kugelmühle mit Aluminiumoxid-Mahlmedium.
5. Vermischen des resultierenden Pulvers mit einem zweckmäßigen Träger zu einer Paste der gewünschten
Konsistenz. Der Träger kann aus einerbeliebigen, hochsiedenden organischen Flüssigkeit, wie l-Äthyl-2-hexanol
bestehen, die in Verbindung mit dem WiderstanJspulver eine für den Siebdruck, das Tauchen oder das
Aufstreichen auf ein Substrat geeignete Viskosität besitzt.
6. Siebdruck auf einem isolierenden Keramiksubstrat nach den in der Dickschichtelektronik üblichen
Verfahren. Ein Beispiel für ein anwendbares Substratmaterial ist Alurr:niumoxid CRL 95 (Centralab. Division
der Firma GLOBE UNION INC.).
7. Brennen bei 850 - 95O0C in einem Bandofen (belt
kiln) bei einem Brennzyklus von 0,5 - 3 Stunden.
Tabelle 3 veranschaulicht die Zusammensetzungen und die Versuchsergebnisse des neuartigen, erfindungsjgemäß
hergestellten Widerstandsmaterials unter Verwendung von Ruthenium- und Iridiumresinaten als
Ausgangsmaterialien.
Rohmaterial Bei- Bei- Bei- Bei- Bei- Bei- Bei- Bei- Bei- Bei
spiel I spiel 2 spiel 3 spiel 4 spiel 5 spiel 6 spiel 7 spiel 8 spiel 9 spiel IO
Ru-Resinat, Gew.-o/o*) 22,16 9,30 4,76 3.55 3,52 24,32 10,38 5,36 2.12 1,79
(5,26% RuO2)
Ir-Resinat, Gew.-%*) 3,32 13,04 6,69 4.97 4,93 3,46 13,81 7,12 6,23 2,36
(6,99% IrO2)
Bi2O3 Gew.-% 3,30 3,04 2,98 4,58 4,55 2,93 2,99 2,95 1,89 0,14
V2O5Gew.-% 5,75 6,48 4,23 5,00 5.57 5,82 5,81 4.17 1,34 0,46
Glas FB-199N **) 65,72 68,14 81,33 81,89 81,41 63,46 67,01 80,39 88,41 95,25
Gew.-%
Durchschnittl. spez. ***) 200 310 1300 2600 3070 100 300 1500 3000 10000
Schichtwiderstand
Ω/sq./mil.
standstemperatur- | -28 | — 8 | + | 3 | -2 |
koefTizient ppm/°C ·**·) | + 4 | - 15 | + | 15 | -6 |
-55° C bis 25° C | |||||
250C bis 150°C | |||||
-23 -15 -13 -5 +1 -14
-21 +16 t-5 +10 +14 +56
-21 +16 t-5 +10 +14 +56
·) Bezogen auf Oxidzusammensetzung
··) Ferro Corporation: 44.9 Gew-% PbO 20.1 Gew-% B2O3, 35,0 Gew.-% SiO;
"") Alle Ziffern des durchschnitt!. Schichtwiderstand: in abgerundeten Zahlen
··*·) WiderstandstemperalurkoefHzienl gemessen auf ± 3 ppm/°C
Wie aus Tabelle 3 und insbesondere anhand von Beispiel 10 ersichtlich ist, werden die besten Ergebnisse
dann erzielt, wenn die Resinat-Ausgangsmaterialien bei niedrigeren Widerstandswerten eingesetzt werden.
Im folgenden ist das mit Oxid arbeitende Ausfuhrungsbeispiel beschrieben.
Die Beispiele Π bis 18 in Tabelle 5 verdeutlichen die
Verwendung von kuihcniumöXiu äis Aüägängämäienäi
in Verbindung mit einer in Tabelle 2 allgemein erläuterten Glasfritte. Für eine Reihe von Widerstandsmaterialien
unter Verwendung von Oxiden als Ausgangsmaterialien sind die in der folgenden Tabelle 4 aufgeführten
Zusammensetzungen bzw. Verbindungen brauchbar:
Zusammensetzungsbereich des Widerstandsmaterials (Leitfähige Phase)
Bestandteil | Gew.-% | Gew.Jfe | 25,00 |
14,00 | |||
RuO2 | 1,00-30,00 | (bevorzugt) | 5,00 |
IrO2 | 1,00-15,00 | 2,00- | 8,00 |
Bi2O3 | 0,00 - 10,00 | 3,00- | 7,00 |
V2O5 | 1,00- 10,00 | 0,00- | 95,00 |
Al2O3 | 0,00 - 10,00 | 1,00- | |
Glas *) | 50,00 - 98,00 | 0,00- | |
63,00 - |
35
40
45
50 Ersichtlicherweise entsprechen die Mengenanteile der vorbestimmten Zusammensetzungen nach dem
Brennen auf dem Substrat den in dieser Tabelle und in der in Tabelle 1 mit »Gew.-% (Oxid)« bezeichneten
Spalte angegebenen Mengen. Die bevorzugten Mengenanteile der Stoffe sind daher in den Tabellen 1
und 4 jeweils gleich.
Das an sich bekannte Verfahren zur Herstellung der einzelnen Cermet-Widerstandsmassen nach Beispiel
11-18 wird wie folgt durchgeführt:
Oxidverfahren
1. Abwiegen der Bestandteile in den gewünschten Mengenanteilen.
2. Vermischen der Bestandteile in einer Kugelmühle mit Aceton zur Bildung einer Aufschlämmung und in
einer Kugelmühle mit einem Aluminiumoxid-Mahlmedium während einer Zeitspanne von 0,1 - 8,0 Stunden.
3. Trocknen des Gemisches bei 700C.
4. Vermischen mit einem Träger, wie l-Äthyl-2-hexanol,
zur Bildung einer Streichmasse.
5. 0,1 - 2 Stunden langes Mahlen der erhaltenen Streichmasse in einer Drei walzenmühle zur Gewährleistung
der Dispersion und Einstellen der Konsistenz für den Siebdruck durch Zugabe eines Lösungsmittels.
6. Siebdrucken auf einem isolierenden Keramiksubstrat.
7. Brennen bei 850 - 950° C in einem Bandofen (belt type kiln) in einem Brennzyklus von 0,5 - 3 Stunden.
*) Gleiche Zusammensetzung wie in Tabelle 2.
60
spiel Il spiel 12 spiel 13 spiel 14 spiel 15 spiel 16 spiel 17 spiel 18
RuO2 Gew.-%
5,67 5,95 4,73 3,90 4,60 3,75 5,78 5,78
M.B. M.B. Typ A *) Typ P **)
IrO2 Gew.-% | — | — | — | — | 1,90 | - | — | 1,90 | — | 1,50 | — | 1,73 | - | — | U73 |
V2O5 Gew.-% | 2,83 | 2,77 | 3,15 | 94,1 | 7,00 | - | 92,49 | - | |||||||
AI2Oj Gew.-% | 0,75 | 1,41 | 6,90 | 53200 | 86,50 | 94,75 | 400000 | 92,49 | |||||||
Glas FB-199N **♦) Gew.-% | 90,73 | 90,26 | 85,22 | 112900 | 449100 | 30000 | |||||||||
Durchschnittl. spez. | 6180 | 8600 | 27900 | ||||||||||||
Schichtwiderstand ****) | |||||||||||||||
cysq./mil. | |||||||||||||||
Durchschnittl. Wider- | |||||||||||||||
siüridsierfiperäiür- | -23 | -6 | |||||||||||||
koeffizient ppm/°C *****) | - 18 | O O |
- 14 | + 12 | -20 | ||||||||||
-55° C bis 25° C | 0 | + 10 | + 16 | + 14 | + 24 | + 23 | |||||||||
25° C bis 150° C | + 4 | + 10 | + 13 |
Tabelle 5 zeigt, daß mit dem Oxid von Ruthenium in Verbindung mit Vanadiumpentoxid über den gesamten
Temperaturbereich hinweg niedrige Widerstandstemperaturkoeffizienten erzielt werden.
Wie in den Beispielen 1 bis 18 von Tabellen 3 und 5 angegeben, besitzen die Widerstandstemperaturkoeffizienten
der neuartigen Widerstände über einen weiten Temperaturbereich hinweg sehr niedrige Werte. Die
Dickschicht Widerstandsmaterialien können auch aus anderen Vorläufern der leitfähigen Phase als den Resinaten
hergestellt werden. Beispielsweise kann Rutheniumhydrat als Ausgangsmaterial benutzt werden, wie
dies im folgenden Beispiel angegeben ist:
Gew.-%
Rutheniumhydrat (55% RuO2) 5,78
V2O5 1,73
Glas FB-199N 92,49
(wie in Tabellen 3 und 5 angegeben)
(wie in Tabellen 3 und 5 angegeben)
Dieses Material wird nach dem gleichen Verfahren verarbeitet, wie es für das Oxid-Ausgangsmaterial unter
der Überschrift »Oxidverfahren« beschrieben ist
Ergebnisse:
Schichtwiderstand: 20000 £ysq./mil.
Widerstandstemperaturkoeffizient ppm/° C:
-55° -25°C -12
25° -150° C +4
-55° -25°C -12
25° -150° C +4
Wenn, wie in Beispiel 19 angegeben, das Rutheniumoxid
in Form des Hydrats zugesetzt wird, ist der Wider-
40
50
55
60
65 standstemperaturkoeffizient nicht so niedrig wie bei Verwendung des Oxids oder Resinats als Ausgangsmaterial.
Das folgende Beispiel 20 veranschaulicht die Verwendung von Vanadiumpentoxid, das vorher in dem Glas
mit der Bezeichnung FB-199N in einer Menge von 6,48 Gew.-% gelöst worden ist.
Gew.-%
Rutheniumresinat (5,26% RuO2) 10,37
Iridiumresinat (6,99% IrO2) 13,78
Bi2O3 2.99
Glas FB-199N/V2O5 72,85
(FB-199N: gem. Tabellen 3 und 5)
Diese Stoffe werden nach dem vorstehend unter »Resinatverfahren« erläuterten Verfahren verarbeitet:
Ergebnisse: Schichtwiderstand: etwa 500 Ω/sq./mil.
Widerstandstemperaturkoeffizient ppm/° C:
-55°bis 25°C -29±3
25° bis 150° C -27 ±3
Widerstandstemperaturkoeffizient ppm/° C:
-55°bis 25°C -29±3
25° bis 150° C -27 ±3
Bei allen vorstehenden Beispielen wurde das Vanadiumoxid vorzugsweise in Form von Vanadiumpentoxid
zugegeben. Es ist jedoch daraufhinzuweisen, daß auch andere Oxide des Vanadiums, wie Vanadiumtrioxid,
gleichfalls verwendet werden können. Außerdem kann das Vanadiurnoxid mittels eines Vanadiurnresinat-Vorläufermaterials
eingeführt werden. Dies ist in den folgenden Beispielen 21 und 22 veranschaulicht:
Gew.-% Oxid
Rutheniumresinat (5,26% RuO2) | 10,48 |
Iridiumresinat (6,99% IrO2) | 13,93 |
V2O3 | 4,84 |
Bi2O3 | 3,02 |
Glas FB-199N | 67,72 |
(gem. Tabellen 3 und 5) |
Diese Stoffe werden nach dem vorher unter »Resinatverfahren« erläuterten Verfahren verarbeitet.
Ergebnisse:
Schichtwiderstand: etwa 330 Ω/sq./mil.
Widerstandstemperaturkoeffizient ppm/° C: - 55°- 25° C + i3±3
25°- 1500C + 19 ±3
25°- 1500C + 19 ±3
Das folgende Beispiel 22 verdeutlicht die Verwendung von als Vanadiumresinat eingerührtem Vanadiumoxid.
Gew.-% Oxid *
Rutheniumresinat (5,26% RuO2) 9,98
Iridiumresinat (6,99% IrO2) 13,27
Vanadiumresinat (13,92% V2O5) 9,48
Bi2O3 2,88
Glas FB-199N 64,39
(gem. Tabellen 3 und 5)
Die obigen Stoffe werden nach dem unter »Resinatverfahren«
erläuterten Verfahren verarbeitet.
Ergebnisse:
Schichtwiderstand: 280 iVsq./mil. Widerstandstemperaturkoeffizient ppm/° C:
-55°- 25° C + 26 ±3
25°- 1500C + 21 ±3
25°- 1500C + 21 ±3
ίο
Wie erwähnt, ist die wesentliche Bedingung zur Erzielung des niedrif^n Widerstandstemperaturkoeffizienten
die Verwendung von Vanadiumoxid mit Rutheniumdioxid, das vorzugsweise auch Iridiumdioxid enthalten
kann, in den bestimmten Mengenanteilen und in Verbindung mit einer speziellen Glaszusammensetzung.
Das Vanadiumoxid sowie das Rutheniumdioxid und das Iridiumdioxid können als Oxide eingesetzt oder
von Resinatvorläufern erhalten werden. Obgleich Vanadiumpentoxid das bevorzugte Oxid von Vanadium darstellt,
können vorteilhaft auch andere Oxide, wie Vanadiumtrioxid oder die von der Pyrolyse von Vanadiumresinat
stammenden Oxide, verwendet werden.
Ersichtiicherweise wird mit der Erfindung somit ein Cermet- bzw. Keramik/Metall-Widerstand mit niedrigem
Widerstandstemperaturkoeffizienten geschaffen, der als Extremwerte und allgemein unter 20 ppm/0 C
gehalten werden kann und der über einen weiten Temperaturbereich hinweg erhalten bleibt. Das Vanadiumoxid
kann, ebenso wie die Ruthenium- und Iriüiumuioxide, in verschiedenen Oxidationsstufen und in
der Form des Resinats eingesetzt werden. Die Materialien lassen sich leicht zu einer Widerstands-Streichmasse
verarbeiten. Für den Ersatz der üblicheren Massen durch die Cermet-Widerstandsmassen des neuen
Widerslands brauchen keinerlei zusätzliche Kapitalinvestitionen aufgewandt zu werden, und diese Massen
können ohne besonderes technisches Geschick seitens des Herstellers leicht zu Dickschichtwiderständen verarbeitet
werden.
Zusammenfassend werden mit der Erfindung Cermet-Widerstände auf der Basis von Rutheniumdioxid
und Iridiumdioxid geschaffen, die ungewöhnlich niedrige Widerstandstemperaturkoeffizienten zeigen,
wenn eine spezielle Glasfritte und ein Vanadiumoxid-Additiv verwendet werden. Diese speziellen Widerstände
besitzen Widerstandstemperaturkoeffizienten von unter ±25 ppm/°C über einen Bereich von—55° bis
+ 1500C, wobei die Extremwerte des Widerstandstemperaturkoeffizienten
um weniger als 20 ppm schwanken. Die Vanadium-, Iridium- und Rutheniumoxide können als solche eingesetzt oder von Metü'lresinaten
gewonnen werden.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (6)
1. Elektrischer Vanadium-Ruthenium-Widerstand mit niedrigem, über einen weiten Temperaturbereich
konstantem Widerstandstemperaturkoeffzienten,
der mit Hilfe eines Blei-Bor-Silikatglases auf ein isolierendes, hochtemperaturfestes Substrat aufgebrannt
ist, dadurch gekennzeichnet, daß er aus 1 - 10% Vanadiumdioxid und 1 - 30%
Rutheniumdioxid und zu 50 - 98 % aus einer Glasphase besteht, die aus 35 - 45% Bleioxid, 15 - 25%
Bortrioxid und 30 - 40% Kieselsäure aufgebaut ist
2. Widerstand nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß er weiterhin Iridiumdioxid in einer
Menge von etwa 1,00 - 15,00 Gew.-% enthält
3. Widerstand nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Rutheniumdioxid in einer Menge
von etwa 2,00 - 25,00 Gew.-%, das Iridiumtricxid in
einer Menge von etwa 3,00 - 14,00 Gew.-%, das
Vanadiunu>xid in einer Menge von etwa 1,00 - 8,00 Gew.-% und die Glasphase in einer Menge von etwa
63,00 - 95,00 Gew.-% vorhanden ist
4. Widerstand nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Glasphase etwa 38,00-45,00
Gew.-% Bleioxid enthält und daß die Masse etwa 17,00-21,00 Gew.-% Bortrioxid und etwa 33,00-37,00
Gew.-% Siliziumdioxid enthält
5. Widerstand nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Vanadiumoxid Vanadiumpentoxid
ist
6. Widerstand nach Anspruch 2, dadurch gekenn-
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US359244A US3899449A (en) | 1973-05-11 | 1973-05-11 | Low temperature coefficient of resistivity cermet resistors |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2421861A1 DE2421861A1 (de) | 1974-12-05 |
DE2421861C2 true DE2421861C2 (de) | 1984-03-29 |
Family
ID=23412973
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2421861A Expired DE2421861C2 (de) | 1973-05-11 | 1974-05-06 | Elektrischer Vanadium-Ruthenium-Widerstand |
Country Status (12)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3899449A (de) |
JP (1) | JPS6037601B2 (de) |
AR (1) | AR202024A1 (de) |
BR (1) | BR7403843D0 (de) |
CA (1) | CA1037705A (de) |
CH (1) | CH620544A5 (de) |
DE (1) | DE2421861C2 (de) |
ES (1) | ES426228A1 (de) |
FR (1) | FR2229122B1 (de) |
GB (1) | GB1459327A (de) |
IN (1) | IN142722B (de) |
IT (1) | IT1012245B (de) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL7800355A (nl) * | 1978-01-12 | 1979-07-16 | Philips Nv | Weerstandsmateriaal. |
US4362656A (en) * | 1981-07-24 | 1982-12-07 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick film resistor compositions |
US5250958A (en) * | 1987-12-10 | 1993-10-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thermal head and manufacturing method thereof |
FR2809388B1 (fr) * | 2000-05-23 | 2002-12-20 | Saint Gobain Vitrage | Vitrage comprenant au moins une couche a proprietes thermochromes |
CN112309606A (zh) * | 2019-07-31 | 2021-02-02 | 湖北中烟工业有限责任公司 | 一种复合型金属浆料组合物及其制备方法和用途 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3304199A (en) * | 1963-11-12 | 1967-02-14 | Cts Corp | Electrical resistance element |
DE1646882B1 (de) * | 1965-07-29 | 1970-11-19 | Du Pont | Edelmetallmasse zum Aufbrennen auf keramische Traeger |
NL137152C (de) * | 1966-10-24 | |||
CA944938A (en) * | 1970-01-16 | 1974-04-09 | Rajnikant B. Amin | Critical temperature resistors comprising a selected glass and vanadium dioxide or metal-doped vanadium dioxide |
-
1973
- 1973-05-11 US US359244A patent/US3899449A/en not_active Expired - Lifetime
-
1974
- 1974-04-09 CA CA197,202A patent/CA1037705A/en not_active Expired
- 1974-04-18 GB GB1706474A patent/GB1459327A/en not_active Expired
- 1974-04-18 IN IN890/CAL/74A patent/IN142722B/en unknown
- 1974-05-06 DE DE2421861A patent/DE2421861C2/de not_active Expired
- 1974-05-10 IT IT22551/74A patent/IT1012245B/it active
- 1974-05-10 FR FR7416228A patent/FR2229122B1/fr not_active Expired
- 1974-05-10 JP JP49052127A patent/JPS6037601B2/ja not_active Expired
- 1974-05-10 AR AR253700A patent/AR202024A1/es active
- 1974-05-10 BR BR3843/74A patent/BR7403843D0/pt unknown
- 1974-05-10 CH CH644674A patent/CH620544A5/de not_active IP Right Cessation
- 1974-05-11 ES ES426228A patent/ES426228A1/es not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5016097A (de) | 1975-02-20 |
GB1459327A (en) | 1976-12-22 |
FR2229122B1 (de) | 1982-06-11 |
CH620544A5 (de) | 1980-11-28 |
ES426228A1 (es) | 1976-07-01 |
IN142722B (de) | 1977-08-20 |
FR2229122A1 (de) | 1974-12-06 |
BR7403843D0 (pt) | 1974-12-03 |
JPS6037601B2 (ja) | 1985-08-27 |
DE2421861A1 (de) | 1974-12-05 |
CA1037705A (en) | 1978-09-05 |
US3899449A (en) | 1975-08-12 |
AR202024A1 (es) | 1975-05-09 |
IT1012245B (it) | 1977-03-10 |
AU6789074A (en) | 1975-10-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2912402C2 (de) | ||
DE69216634T2 (de) | Additivzusammensetzungen für hohe thermozyklen- und alterungsbeständige adhäsion. | |
DE1194539B (de) | Widerstandsglasurmasse | |
DE1771503C3 (de) | Thermisch kristallisierbares Glas und Glaskeramik auf der Basis SiO2-PbO-BaO-Al2O3-TiO2 und ihre Verwendung | |
DE2746320A1 (de) | Kupfer-glas-stoffzusammensetzung und ihre verwendung | |
EP0327828B1 (de) | Unter Stickstoff einbrennbare Widerstandsmassen | |
EP0076011B1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Dielektrikums | |
DE1596851A1 (de) | Widerstandsmaterial und aus diesem Widerstandsmaterial hergestellter Widerstand | |
DE2946753A1 (de) | Widerstandsmaterial, elektrischer widerstand und verfahren zur herstellung desselben | |
DE2650465C2 (de) | Material und Verfahren zur Herstellung leitender Anschlüsse an elektrischen Metallkeramik-Bauelementen | |
DE68906841T2 (de) | Dielektrische keramische Zusammensetzung. | |
DE2421861C2 (de) | Elektrischer Vanadium-Ruthenium-Widerstand | |
DE2403667C3 (de) | Elektrische Widerstandsmasse aus elektrisch-leitfähigen, wismuthaltigen, polynären Oxiden pyrochlorverwandter Kristallstruktur und einem dielektrischen Feststoff und deren Verwendung zur Herstellung elektrischer Widerstände | |
DE3016412C2 (de) | ||
DE2640316A1 (de) | Material fuer einen elektrischen widerstand und verfahren zur herstellung eines widerstandes | |
DE3011977C2 (de) | ||
DE4127845C1 (de) | ||
DE602005001305T2 (de) | Dickschichtwiderstandspaste und ein Dickschichtwiderstand | |
DE3914844C2 (de) | ||
DE2635699C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Widerstands | |
DE1113407B (de) | Verfahren zur Herstellung eines keramischen, dielektrischen Materials | |
DE2946679C2 (de) | ||
DE2846577C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Widerstandsmaterial und durch dieses Verfahren hergestellte Widerstandskörper | |
DE69300503T2 (de) | Zusammensetzung für einen Dickschichtwiderstand. | |
DE2835562C2 (de) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: CENTRALAB INC., 53201 MILWAUKEE, WIS., US |
|
8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: HENKEL, G., DR.PHIL. FEILER, L., DR.RER.NAT. HAENZ |
|
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8328 | Change in the person/name/address of the agent |
Free format text: MEIER, F., DIPL.-ING., PAT.-ANW., 2000 HAMBURG |
|
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |