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DE2363725B2 - SEMI-CONDUCTOR RECTIFIER ARRANGEMENT - Google Patents

SEMI-CONDUCTOR RECTIFIER ARRANGEMENT

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DE2363725B2
DE2363725B2 DE19732363725 DE2363725A DE2363725B2 DE 2363725 B2 DE2363725 B2 DE 2363725B2 DE 19732363725 DE19732363725 DE 19732363725 DE 2363725 A DE2363725 A DE 2363725A DE 2363725 B2 DE2363725 B2 DE 2363725B2
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DE
Germany
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semiconductor
contact part
carrier plate
semiconductor element
components
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DE19732363725
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German (de)
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DE2363725C3 (en
DE2363725A1 (en
Inventor
Winfried 8542 Roth; Heilbronner Heinrich Dr.-Ing. 8501 Deutenbach Schierz
Original Assignee
Semikron Gesellschaft für Gleichrichterbau und Elektronik mbH, 8500 Nürnberg
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semikron Gesellschaft für Gleichrichterbau und Elektronik mbH, 8500 Nürnberg filed Critical Semikron Gesellschaft für Gleichrichterbau und Elektronik mbH, 8500 Nürnberg
Priority claimed from DE19732363725 external-priority patent/DE2363725C3/en
Priority to DE19732363725 priority Critical patent/DE2363725C3/en
Priority to ES1974208235U priority patent/ES208235Y/en
Priority to SE7415838A priority patent/SE404976B/en
Priority to IT30760/74A priority patent/IT1027832B/en
Priority to FR7442171A priority patent/FR2255708A1/en
Priority to CH1707774A priority patent/CH588769A5/xx
Priority to BR10723/74A priority patent/BR7410723D0/en
Publication of DE2363725A1 publication Critical patent/DE2363725A1/en
Publication of DE2363725B2 publication Critical patent/DE2363725B2/en
Publication of DE2363725C3 publication Critical patent/DE2363725C3/en
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Description

Hie Lösung dieser Aufgabe besteht darin, daß die Trägerplatte zur Ableitung der Verlustwärme des Halbleiterelements beim Betrieb eine zum Isolierstoffkörper vergüeichsweise große Flächena :sdehnung aufweist, daß das Kontaktteil lose an der von der Trägerplatte abgewandten Stirnfläche des Isolierstoffkörpers anliegt, daß die zur Aufnahme des Halbleiterelemei.ts vorgesehene öffnung des Isolierstoffkörpers eine zur Führung des Ansatzes des Kontaktteils dienende, zum Kontaktteil gerichtete Ausbuchtung aufweist, Ausbuchtung aufweist, und daß der innerhalb der exzentrischen öffnung des Isoliemoffkörpers befindliche, aus Halbleiterelement und deren durch den Ansatz gebildeten Anschlußleiter bestehende Aufbau in einer Kunststoffmasse eingeschlossen ist.Hie solution to this problem is that the carrier plate to dissipate the heat loss of the Semiconductor element during operation has a comparatively large area expansion compared to the insulating body, that the contact part loosely on the end face of the insulating material body facing away from the carrier plate that the opening of the insulating material body provided for receiving the semiconductor element is connected to the Has the guide of the approach of the contact part serving and directed toward the contact part bulge, bulge has, and that the located within the eccentric opening of the Isoliemoffkörpers, made of semiconductor element and its connection conductor formed by the approach, consisting of a plastic compound is included.

An Hand der in den F i g. 1 und 2 dargestellten Ausführungsbeispiele werden Aufbau und Wirkungsweise des Gegenstandes der Erfindung aufgezeigt und erläutert. In Fig. 1 ist im Schnitt eine mit einem Halbleiterelement und seinen Kontaktbauteilen versehene Hälfte eines zu einer Symmetrieebene spiegelbildlichen, erfindungsgemäßen Aufbaus dargestellt und F i g. 2 zeigt in Draufsicht eine auf einem Ausschnitt einer Trägerplatte erstellte Anordnung nach der Erfindung. Für gleiche Teile sind in beiden Figuren gleiche Bezeichnungen gewählt. On the basis of the FIGS. 1 and 2 illustrated embodiments structure and mode of operation of the subject matter of the invention are shown and explained. In Fig. 1 is a section provided with a semiconductor element and its contact components half a structure according to the invention that is a mirror image of a plane of symmetry and FIG. 2 shows in Top view of an arrangement according to the invention created on a section of a carrier plate. For same Parts have been given the same names in both figures.

Bei einer Ausführungsform gemäß der Darstellung in F i g. 1 weist ein flacher Isolierstoffkörper 1 eine zentrale Durchbohrung la zur Durchführung eines Bolzens oder einer Spindel und wenigstens zwei zu dieser Durchbohrung konzentrische, beispielsweise zylindrische öffnungen to zur Aufnahme je eines Halbleiterelements 4 und seiner Kontaktbauteile auf.In one embodiment as shown in FIG. 1, a flat insulating body 1 has a central one Through hole la for the implementation of a bolt or a spindle and at least two for this Through-hole concentric, for example cylindrical, openings to for receiving one semiconductor element each 4 and its contact components.

Der Isolierstoffkörper 1 kann beliebige Form haben, beispielsweise ringscheibenförmig ausgebildet sein, und besteht vorzugsweise aus Keramik oder Kunststoff. Er ist an einer Stirnseite vorteilhaft mittels Lötung mit einer Trägerplatte 2 von vergleichsweise großer Flächenausdehnung flachenhaft fest verbunden und zu diesem Zweck mit einer entsprechenden Metallisierung 3 versehen.The insulating body 1 can have any shape, for example be designed in the shape of an annular disk, and is preferably made of ceramic or plastic. It is advantageously by means of soldering on one end face a carrier plate 2 of comparatively large surface area firmly connected flat and to this Purpose provided with a corresponding metallization 3.

Die Trägerplatte 2 bildet zusammen mit dem Isolierstoffkörper 1 durch einseitige Abdeckung der öffnungen Ib je ein Gehäuse für je ein Halbleiterelement 4 und dient gleichzeitig als Stromleiter desselben. Dadurch entfällt der bei bekannten Anordnungen gegebene Wärmeübergang zwischen Trägerplatte des Halbleiterelements und zusätzlicher Kühlplatte. Die Trägerplatte 2 kann aus Aluminium, Kupfer, Eisen oder aus einem anderen, hinreichend thermisch und elektrisch leitenden Metall oder aus Legierungen solcher Metalle bestehen. Ihre Dicke und ihre Fiächenausdehnung werden durch die Forderung nach ausreichender Ableitung der in den Halbleiterelementen beim Einsatz entstehenden Verlustwärme und durch die Wärmeleitfähigkeit des verwendeten Materials bestimmt. An der der Trägerplatte 2 gegenüberligenden Stirnseite des Isolierstoffkörpers 1 ist ein Kontaktteil 6 zur gemeinsamen Kontaktierung der oberen Kontaktelektroden der Halbleiterelemente 4 vorgesehen, das bedarfsweise gleichzeitig zur Kontaktierung mit einer weiteren, auf einer gemeinsamen Spindel anschließenden Anordnung dient.The carrier plate 2 forms together with the insulating body 1 by covering the openings on one side Ib each has a housing for one semiconductor element 4 and serves at the same time as the conductor of the same. Through this the heat transfer between the carrier plate of the semiconductor element, which occurs in known arrangements, is dispensed with and additional cooling plate. The carrier plate 2 can be made of aluminum, copper, or iron another, sufficiently thermally and electrically conductive metal or from alloys of such metals exist. Their thickness and their surface area are determined by the requirement for sufficient discharge the heat loss that occurs in the semiconductor elements during use and the thermal conductivity of the material used. On the end face of the insulating body opposite the carrier plate 2 1 is a contact part 6 for joint contacting of the upper contact electrodes of the Semiconductor elements 4 are provided, which, if necessary, can be used at the same time to make contact with another a common spindle subsequent arrangement is used.

Das Kontaktteil 6 ist im wesentlichen ringscheibenförmig ausgebildet, in Anpassung an den Isolierstoffkörper 1 und die Trägerplatte 2 mit einer zentralen Durchbohrung versehen und in seiner Flächenausdeh-ηηηκ rterienieen der Stirnfläche des Isolierstoffkörpers im Bereich zwischen den Öffnungen Xb angepaßt. Konzentrisch zu seiner zentralen Durchbohrung weist das Kontaktteil 6 je einen zungenförmigen Ansatz 7 zur weiteren Kontaktierung des jeweiligen Halbleiterelements auf, der aus einer bogenförmigen Ausbildung zum Ausgleich von Wärmedehnungen und einem in die zugeordnete öffnung 16 hineinragenden, den oberen Anschlußleiter des Halbleiterelements bildenden Kontaktabschnitt besteht.The contact part 6 is essentially annular disc-shaped, provided with a central through-hole to match the insulating body 1 and the carrier plate 2, and its surface area is adapted to the end face of the insulating body in the area between the openings Xb . Concentric to its central through-hole, the contact part 6 has a tongue-shaped projection 7 for further contacting the respective semiconductor element, which consists of an arcuate design to compensate for thermal expansion and a contact section which protrudes into the associated opening 16 and forms the upper connection conductor of the semiconductor element.

Das Kontaktteil 6 ist aus Kupfer oder aus anderem elektrisch gut leitenden Material. Die Dicke wird durch die Forderung nach hinreichender Ableitung des geringen Anteils an Verlustwärme der Halbleiteranordnung bestimmt, der bei Befestigung eines Halbleiterelements auf einem thermisch gut leitenden Grundkörper und bei weiterer Kontaktierung mit einem draht- oder litzenförmigen Leiter als oberem Anschlußleiter des Elements über diesen abfließt.The contact part 6 is made of copper or of another material with good electrical conductivity. The thickness is through the requirement for adequate dissipation of the small proportion of heat loss from the semiconductor arrangement determined when a semiconductor element is attached to a thermally highly conductive base body and in the case of further contact with a wire-shaped or stranded conductor as the upper connecting conductor of the element over this drains.

Zur einwandfreien, flächenhaften Kontaktierung der oberen Elektrode der Halbleiterelemente, die beispielsweise aus Halbleiterscheibe und einer an jeder Seite derselben befestigten Kontaktscheibe bestehen, kann zusätzlich ein metallisches Kontaktstück 5 aus thermisch und elektrisch gut leitendem Material, beispielsweise aus Kupfer, vorgesehen sein. Es dient außerdem zur Verbesserung des thermischen Betriebsverhaltens und, bei der Herstellung der erfindungsgemäßen Anordnung, als Gewicht bei der Durchführung des Lötprozesses zur Kontaktierung des Halbleiterelements und ist zur Verbindung mit angrenzenden Kontaktbauteilen bedarfsweise entsprechend oberflächenbehandelt. Das Kontaktteil 6 liegt im übrigen lose an dem Isolierstoffkörper 1 an, so daß betriebsbedingte Wärmedehnungen der verschiedenen aneinandergrenzenden und/oder miteinander verbundenen Materialien oder Bauteile keinen unerwünschten Einfluß auf die physikalischen und elektrischen Eigenschaften der Anordnung haben.For perfect, extensive contact with the upper electrode of the semiconductor elements, for example can consist of a semiconductor wafer and a contact disk attached to each side of the same in addition, a metallic contact piece 5 made of material with good thermal and electrical conductivity, for example made of copper. It also serves to improve the thermal operating behavior and, when producing the arrangement according to the invention, as a weight when carrying out the soldering process for contacting the semiconductor element and is for connection to adjacent contact components if necessary, surface treated accordingly. The contact part 6 lies loosely on the rest of the Insulating body 1, so that operational thermal expansions of the various adjoining and / or interconnected materials or components do not have an undesirable effect on the physical and electrical properties of the arrangement.

Die Höhe des Isolierstoffkörpers richtet sich im wesentlichen nach dem Mindestabstand der Trägerplatten 2 von aufeinanderfolgenden Anordnungen zur Gewährleistung einer ausreichenden Selbstkühlung im Betrieb. Seine Wandstärke im Bereich der zentralen Durchbohrung Xa wird durch die gewünschte stirnseitige Kontaktfläche gegenüber der Trägerplatte der anschließenden Anordnung sowie durch die Forderung nach ausreichender Druckbelastbarkeit festgelegt, und seine Wandstärke im Bereich der öffnungen Xb wird durch fertigungstechnische Gesichtspunkte bestimmt.The height of the insulating material depends essentially on the minimum distance of the supporting plates 2 of successive configurations to r ensure a sufficient self-cooling during operation. Its wall thickness in the area of the central through-hole Xa is determined by the desired end face contact surface with respect to the carrier plate of the subsequent arrangement as well as by the requirement for sufficient compressive strength, and its wall thickness in the area of the openings Xb is determined by manufacturing aspects.

Zum Schutz des Halbleiterelements in seinem einseitig offenen Gehäuse gegenüber schädlichen Einflüssen der Umgebung ist der in der öffnung Xb befindliche Aufbau in eine nicht dargestellte Kunststoffmasse eingeschlossen. To protect the semiconductor element in its housing, which is open on one side, against harmful influences from the environment, the structure located in the opening Xb is enclosed in a plastic compound (not shown).

Bei der in F i g. 2 in Draufsicht gezeigten Ausführungsform mit einem Ausschnitt der Trägerplatte 2 ist der Isolierstoffkörper 1 annähernd rhombusförmig ausgebildet. Eine Spindel 8 ist durch die achsengleich angeordneten zentralen Durchbohrungen von Trägerplatte 2, Isolierstoffkörper 1 und Kontaktteil 6 geführt. Das letztere ist nur mit einem von zwei Ansätzen 7 dargestellt, um die besondere Ausgestaltung des Isolierstoffkörpers im Bereich der öffnungen Xb aufzuzeigen. In the case of the in FIG. 2, the embodiment shown in plan view with a section of the carrier plate 2, the insulating body 1 is approximately rhombus-shaped. A spindle 8 is guided through the axially aligned central through bores of the carrier plate 2, the insulating material body 1 and the contact part 6. The latter is shown with only one of two approaches 7 in order to show the special configuration of the insulating material in the area of the openings Xb .

Die Öffnung Xb weist in ihrem Verlauf durch den Isolierstoffkörper t eine gleichmäßige, beispielsweise nutenförmige, zur Führung des Ansatzes 7 dienende, zum Kontaktteil 6 gerichtete Ausbuchtung Ic auf. InIn its course through the insulating body t, the opening Xb has a uniform, for example groove-shaped, bulge Ic which is used to guide the projection 7 and is directed towards the contact part 6. In

der nicht abgedeckten öffnung \b der Darstellung in F i g. 2 ist das Kontaktstück 5 mit beispielsweise vierekkigem Querschnitt gezeigt.the uncovered opening \ b of the illustration in FIG. 2 shows the contact piece 5 with, for example, a square cross-section.

Beispielsweise konnte bei erfindungsgemäßen Anordnungen mit Kühlplatten aus einer bekannten Aluminiumlegierung und mit einer Dicke von 1,5 mm gegenüber bekannten Halbleitergleichrichteranordnungen unter gleichen Voraussetzungen eine etwa um den Faktor 1,4 bis 1,5 höhere Strombelastbarkeit erzielt werden. For example, in the case of arrangements according to the invention with cooling plates made of a known aluminum alloy and with a thickness of 1.5 mm compared to known semiconductor rectifier arrangements under the same conditions, a current carrying capacity that is approximately 1.4 to 1.5 times higher can be achieved.

Der Isolierstoffkörper 1 kann im Bereich der öffnungen Ifc gegenüber dem zentralen Bereich stufenförmig abgesetzt ausgebildet sein und die Ausbuchtung Ic zur Aufnahme des Ansatzes 7 kann sich bis in den zentralen, zur Auflage des Kontaktteils 6 vorgesehenen Bereich erstrecken.The insulating body 1 can be in the area of the openings Ifc be formed stepwise offset from the central area and the bulge Ic for The attachment of the extension 7 can extend into the central area provided for supporting the contact part 6 extend.

Das Kontaktstück 5 kann an seiner dem Ansatz 7 des Kontaktteils 6 zugewandten Fläche eine besondere, zur Führung des zur Kontaktierung vorgesehenen Teils des Ansatzes 7 dienende Ausbildung aufweisen, und das Kontaktteil 6 kann aus elastischem Leitermaterial bestehen. The contact piece 5 can on its surface facing the extension 7 of the contact part 6 a special, for Have leadership of the intended for contacting part of the approach 7 serving training, and that Contact part 6 can consist of elastic conductor material.

Das Halbleiterelement kann auch unter Auslassung des Kontaktstücks 5 direkt mit dem entsprechend ausgebildeten Abschnitt des Ansatzes 7 des Kontaktteils 6 kontaktiert werden.The semiconductor element can also with the omission of the contact piece 5 directly with the correspondingly formed Section of the approach 7 of the contact part 6 are contacted.

Erfindungsgemäße Halbleitergleichrichteranordnungen können in überraschend einfacher Weise hergestellt werden. Ein zur Erzielung von Trägerplatten 2 vorgesehener, bedarfsweise vorbehandelter Metallstreifen wird in einer durch Anzahl und Größe der gewünschten Gleichrichteranordnungen bestimmten Teilung mit Durchbohrungen versehen. An jeder Durchbohrung wird in übereinstimmender Anordnung derselben mit dessen zentraler Durchbohrung la ein Isolier-Stoffkörper 1 mit seiner metallisierten Fläche auf den Metallstreifen aufgelegt. Danach wird in jeder exzentrischen öffnung Ib des Isolierstoffkörpers ein aus Halbleiterelement 4 und Kontaktstück 5 gebildeter, auf dem Metallstreifen aufliegender Stapel gebildet und durch auf die Mittelachse der Durchbohrung des Metallstreifens bezogene Anordnung des Kontaktteil 6 mittels dessen Ansatz 7 fixiert.Semiconductor rectifier arrangements according to the invention can be produced in a surprisingly simple manner will. A metal strip which is pretreated if necessary and provided to achieve carrier plates 2 is in a division determined by the number and size of the desired rectifier arrangements provided with through holes. At each perforation, the same is arranged in a matching arrangement with its central through hole la an insulating material body 1 with its metallized surface on the Metal strips applied. Thereafter, a semiconductor element is made in each eccentric opening 1b of the insulating material 4 and contact piece 5 formed, resting on the metal strip stack formed and through relative to the central axis of the through hole of the metal strip arrangement of the contact part 6 by means its approach 7 fixed.

In einem anschließenden Verfahrensschritt werden beispielsweise im Durchlaufofen durch Löten gleichzeitig sämtliche Bauteile an jeweils entsprechenden Stellen zu einer Baueinheit verbunden. Im Verlauf der Abkühlung des Aufbaus nach dem Lötprozeß wird jede öffnung \b mit einer Kunststoffmasse gefüllt, um das Halbleiterelement und seinen oberen Anschlußleiter einzuschließen. Nach dem Aushärten der Gießmasse kann der Metallstreifen in Baugrößen mit einer oder mehreren Baueinheiten zerteilt werden.In a subsequent process step, for example in a continuous furnace, all components are simultaneously connected to a structural unit at corresponding points by soldering. In the course of the cooling of the structure after the soldering process, each opening \ b is filled with a plastic compound in order to enclose the semiconductor element and its upper connection conductor. After the casting compound has hardened, the metal strip can be divided into sizes with one or more structural units.

Der Zusammenbau erfindungsgemäßer Gleichrichteranordnungen zu Gleichrichtereinheiten erfolgt in einfacher Weise durch Aufreihen zusammen mit Abstandsstücken und Anschlußbauteilen auf wenigstens einer Spindel in einer durch die gewünschte Schaltung bestimmten Zuordnung und durch entsprechende äußere Verbindungen unabhängig von der Anzahl der aufgereihten Anordnungen.The assembly of rectifier arrangements according to the invention to form rectifier units takes place in a simple manner by lining up together with spacers and connecting components on at least a spindle in an assignment determined by the desired circuit and by corresponding external Connections regardless of the number of lined up arrangements.

Die Vorteile der erfindungsgemäßen Halbleitergleichrichteranordnung bestehen auf Grund direkter Befestigung des Halbleiterelements auf einem Kühlbauteil in einem verbesserten thermischen Betriebsverhalten und in einem wirtschaftlicheren Zusammenbau mehrerer Anordnungen zu einer gewünschten Gleichrichterschaltung sowie darin, daß im Vergleich zu bekannten Bauformen eine geringere Anzahl von teilweise einfacheren Bauteilen erforderlich ist, und daß das Halbleiterelement gleichzeitig mit allen anderen Bauteilen in einem Verfahrensschritt kontaktiert werden kann.The advantages of the semiconductor rectifier arrangement according to the invention exist due to the direct attachment of the semiconductor element to a cooling component in improved thermal performance and in more economical assembly several arrangements to a desired rectifier circuit as well as that compared to known Structures a smaller number of sometimes simpler components is required, and that the Semiconductor element can be contacted simultaneously with all other components in one process step can.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

Claims (7)

Patentansprüche:Patent claims: 1. Halbleitergleichrichteranordnung, bei welcher eine metallische Trägerplatte, ein flacher Isolier-Stoffkörper und ein plattenförmiges, metallisches Kontaktteil, jeweils an einer zentralen Durchbohrung übereinstimmend, gestapelt sind, bei welcher wenigstens ein auf der Trägerplatte befestigtes und mit dem Kontaktteil verbundenes Halbleiterelement innerhalb einer zur Achse der zentralen Durchbohrung exzentrisch liegenden, durchgehenden öffnung des zwischen Kontaktteil und Trägerplatte befindlichen Isolierstoffkörpers angeordnet ist, und bei der das Kontaktteil mit einem sich in die exzentrische öffnung erstreckenden, als ein Anschlußleiter des Halbleiterelements vorgesehenen Ansatz versehen ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Trägerplatte (2) zur Ableitung der Verlustwärme des Halbleiterelements (4) beim Betrieb eine zum Isolierstoffkörper (1) vergleichsweise große Flächenausdehnung aufweist, daß das Kontaktteil (6) lose an der von der Trägerplatte (2) abgewandten Stirnfläche des Isolierstoffkörpers (1) anliegt, daß die zur Aufnahme des Halbleiterelements (4) vorgesehene öffnung (16) des Isolierstoffkörpers (1) eine zur Führung des Ansatzes (7) des Kontaktteils (6) dienende, zum Kontaktteil (6) gerichtete Ausbuchtung (Ic) aufweist und daß der innerhalb der exzentrischen öffnung (ib) des Isolier-Stoffkörpers (1) befindliche, aus Halbleiterelement (4) und deren durch den Ansatz (7) gebildeten Anschlußleiter bestehende Aufbau in einer Kunststoffmasse eingeschlossen ist.1. Semiconductor rectifier arrangement, in which a metallic carrier plate, a flat insulating material body and a plate-shaped, metallic contact part, each corresponding at a central through-hole, are stacked, in which at least one semiconductor element fastened on the carrier plate and connected to the contact part within one to the axis the central through-hole is arranged eccentrically through opening of the insulating material body located between the contact part and the carrier plate, and in which the contact part is provided with a shoulder which extends into the eccentric opening and is provided as a connection conductor of the semiconductor element, characterized in that the carrier plate (2 ) to dissipate the heat loss of the semiconductor element (4) during operation has a comparatively large area to the insulating body (1), that the contact part (6) loosely on the end face of the isolating device facing away from the carrier plate (2) ierstoffkörpers (1) is applied so that the opening (16) of the insulating material body (1) provided for receiving the semiconductor element (4) has a bulge (Ic) which serves to guide the extension (7) of the contact part (6) and is directed towards the contact part (6) and that the structure, which is located within the eccentric opening (ib) of the insulating material body (1) and consists of the semiconductor element (4) and its connection conductor formed by the extension (7), is enclosed in a plastic compound. 2. Halbleitergleichrichteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Trägerplatte (2) aus einer Aluminiumlegierung besteht und einen Nickelüberzug aufweist.2. Semiconductor rectifier arrangement according to claim 1, characterized in that the carrier plate (2) is made of an aluminum alloy and has a nickel coating. 3. Halbleitergleichrichteranordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Trägerplatte (2) zwei oder mehr zur Anordnung je eines Isolierstoffkörpers (1) und eines Kontaktteils (6) dienende Durchbohrungen aufweist.3. Semiconductor rectifier arrangement according to claim 1 or 2, characterized in that the Carrier plate (2) two or more for the arrangement of an insulating body (1) and a contact part (6) has serving through holes. 4. Halbleitergleichrichteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Isolierstoffkörper (1) aus Keramik oder Kunststoff besteht und an seiner zur Verbindung mit der Trägerplatte (2) vorgesehenen Fläche (3) mit einer Metallisierung (3) Versehens ist.4. Semiconductor rectifier arrangement according to one of claims 1 to 3, characterized in that the insulating body (1) consists of ceramic or plastic and at its for connection with the Carrier plate (2) provided surface (3) is provided with a metallization (3). 5. Halbleitergleichrichteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem Halbleiterelement (4) und dem Ansatz (7) des Kontaktteils (6) ein die Kontaktierung des Halbleiterelements (4) beim Lötprozeß begünstigendes Kontaktstück (5) angeordnet ist.5. Semiconductor rectifier arrangement according to one of claims 1 to 4, characterized in that between the semiconductor element (4) and the extension (7) of the contact part (6) a contact of the semiconductor element (4) during the soldering process favoring contact piece (5) is arranged. 6. Halbleitergleichrichteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die übereinstimmenden Durchbohrungen von Trägerplatte (2), Isolierstoffkörper (i) und Kontaktteil (6) vieleckig ausgebildet sind.6. Semiconductor rectifier arrangement according to one of claims 1 to 5, characterized in that the matching through-holes of the carrier plate (2), insulating body (i) and contact part (6) are polygonal. 7. Halbleitergleichrichtereinheit mit Halbleitergleichrichteranordnungen nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß zwei oder mehr Halbleitergleichrichteranordnungen in einer durch die gewünschte Schaltung bestimmten, ge- 6S genseitigen Zuordnung auf wenigstens einer Spindel (8) aufgereiht und kontaktiert sind.7. The semiconductor rectifier unit rectifying semiconductor arrangements according to one of claims 1 to 6, characterized in that two or more semiconductor rectifying devices specified in by the desired circuit, Ge 6 S mutual association are lined up on at least one spindle (8) and contacted. Die Erfindung betrifft eine Halbleitergleichrichteranordnung, bei welcher eine metallische Trägerplatte, ein flacher Isolierstoffkörper und ein plattenförmiges, metallisches Kontaktteil, jeweils an einer zentralen Durchbohrung übereinstimmend, gestapelt sind, bei --veicher wenigstens ein auf der Trägerplatte befestigtes und mit dem Kontaktteil verbundenes Halbleiterelement innerhalb einer zur Achse der zentralen Durchbohrung exzentrisch liegenden, durchgehenden öffnung des zwischen Kontaktteil und Trägerplatte befindlichen Isolierstoffkörpers angeordnet ist, und bei der das Kontaktteil mit einem sich in die exzentrische öffnung erstreckenden, als ein Anschlußleiter des Halbleiterelements vorgesehenen Ansatz versehen ist.The invention relates to a semiconductor rectifier arrangement, in which a metallic carrier plate, a flat insulating body and a plate-shaped, metallic contact part, each at a central through-hole matching, are stacked, with --veicher at least one attached to the carrier plate and with the semiconductor element connected to the contact part within an eccentric to the axis of the central through-hole lying, continuous opening of the insulating body located between the contact part and the carrier plate is arranged, and in which the contact part with an extending into the eccentric opening, is provided as a connection lead of the semiconductor element approach. Bekannte Halbleitergleichrichteranordnungen weisen ringförmige Halbleiterbauelemente auf, die flächenhaft zwischen plattenförmigen, vorzugsweise gleichzeitig zur Stromleitung dienenden Kühlbauteilen angeordnet sind. Diese Halbleiterbauelemente bestehen aus einem ringförmigen Keramikkörper, aus an dessen Stirnseiten mit diesem fest verbundenen metallischen Deckplatten mit zentraler Aussparung und aus wenigstens einem Halbleiterelement, die in einer exzentrisch angeordneten, axialen Durchbohrung des Keramikkörpers auf der Innenseite der einen Deckplatte befestigt und mit ihrer weiteren Elektrode mit der anderen Deckplatte kontaktiert ist. Durch Aufreihung solcher auch als Siliziumringgleichrichter bezeichneten Halbleiterbauelemente und der Kühlbauteile auf einer Spindel können gewünschte Halbleitergleichrichteranordnungen erzielt werden.Known semiconductor rectifier arrangements have ring-shaped semiconductor components that are flat between plate-shaped cooling components, which are preferably used simultaneously to conduct electricity are arranged. These semiconductor components consist of a ring-shaped ceramic body from an its end faces with this firmly connected metallic cover plates with a central recess and from at least one semiconductor element which is located in an eccentrically arranged, axial through-hole in the ceramic body attached to the inside of one cover plate and with its other electrode to the other Cover plate is contacted. By lining them up, they are also known as silicon ring rectifiers Semiconductor components and the cooling components on a spindle can be desired semiconductor rectifier arrangements be achieved. Aus der US-Patentschrift 32 90 566 und aus der deutschen Auslegeschrift 12 59 470 sind derartige Siliziumringgleichrichter bekanntgeworden. Diese bekannten Ausführungsformen erfordern jedoch zur einwandfreien Ableitung der in ihnen beim Einsatz entstehenden Verlustwärme eine besondere Bearbeitung der äußeren Kontaktfläche der Deckplatten zur Anlage an den Kühlbauteilen, sowie eine weitgehend planparallele Anordnung dieser Kontaktflächen zur zentrischen Verspannung aller Bauteile auf der Gewindespindel. Weiterhin ist der Zusammenbau von Keramikkörper, Deckplatten und Halbleiterelement nicht in gewünschtem Maß wirtschaftlich, und schließlich ist für Gleichrichierschaltungen mit einer durch Parallelschaltung solcher Ringgleichrichter erzielten höheren Strombelastbarkeit ein beträchtlicher, vielfach unwirtschaftlicher Aufwand an Bauteilen und Platzbedarf erforderlich. From US patent specification 32 90 566 and from the German Auslegeschrift 12 59 470 such silicon ring rectifiers have become known. These well-known However, embodiments require the proper derivation of the resulting in them during use Heat loss a special processing of the outer contact surface of the cover plates to rest on the Cooling components, as well as a largely plane-parallel arrangement of these contact surfaces for central bracing of all components on the threaded spindle. Furthermore, the assembly of ceramic bodies, Cover plates and semiconductor element are not economical to the extent desired, and ultimately it is for rectifying circuits with a higher current carrying capacity achieved by connecting such ring rectifiers in parallel a considerable, often uneconomical expenditure on components and space required. Entsprechende Ausführungsformen sind in der französischen Patentschrift 13 70 304 beschrieben, wobei der zwischen den beiden Deckplatten befindliche, mit Aussparungen zur Aufnahme von Halbleiterelementen versehene Körper aus wenigstens einer mittleren Schicht aus Isoliermaterial und aus je einer äußeren metallischen Schicht zur dichten Verbindung mit den Deckplatten bestehen soll. Auch diese bekannten Anordnungen zeigen die vorstehend genannten Nachteile.Corresponding embodiments are described in French patent 13 70 304, wherein the one located between the two cover plates, with recesses for receiving semiconductor elements provided body made of at least one middle layer of insulating material and one outer each metallic layer should exist for a tight connection with the cover plates. Also these known arrangements show the disadvantages mentioned above. Die Erfindung bezieht sich auf solche zur Aufreihung auf einer Spindel vorgesehene Halbleitergleichrichteranordnungen. The invention relates to those for lining up semiconductor rectifier assemblies provided on a spindle. Es lag die Aufgabe zugrunde, derartige Halbleitergleichrichteranordnungen mit einem Aufbau zu schaffen, bei dem einfachere Bauteile ohne aufwendige Vorbehandlung besonders rationell zusammengebaut werden können, und der eine weniger aufwendige Herstellung von Gleichrichterschaltungen mit gewünschter Strombelastbarkeit ermöglicht.It was based on the object of such semiconductor rectifier arrangements to create with a structure in which simpler components without complex pretreatment can be assembled particularly efficiently, and the less expensive production of rectifier circuits with the desired current carrying capacity.
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