DE2339949B2 - Gerät zum Auftragen einer dünnen Schicht auf einer Unterlage mittels von einer Ionenquelle erzeugten Molekülionen - Google Patents
Gerät zum Auftragen einer dünnen Schicht auf einer Unterlage mittels von einer Ionenquelle erzeugten MolekülionenInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Gerät nach dem Gattungsbegriff des Patentanspruches 1.
Bekannt ist ein Verfahren und ein Gerät /ur
Oberflächenbehandlung (US-PS 27 02 8bJ) einer Unterlage,
nämlich der Oberfläche von Linsen und anderen optischen Bauteilen, bei dem von einer Plasma-loneriquelle
u. a. Molekülionen emittiert werden, die beschleunigt und in Richtung auf die Unterlage gelenkt werden,
so daß sie in der Unterlage eine gewisse gewünschte Durchdringungstiefe erreichen und eine Veränderung
der Eigenschaften der Oberflächenschicht der Unterlage bewirken.
Es ist auch eine Ionenquelle zur Erzeugung eines monoenergetischen, fokussierten Ionenstrahl bekannt
(DE-OS 19 55 137), bei der ein Beschleunigungsfeld vorgesehen ist, mit welchem Ionen aus einem von einem
Elektronenstrahl verdampften, elektrisch leitenden Material herausgezogen werden.
Das Aufbringen von Materialien auf Unterlagen, so z. B. auf Linsen und dergleichen, erlangt zunehmende
Bedeutung, da es beispielsweise möglich ist, verhältnismäßig weiche Unterlagen, so Kunststofflinsen, mit
Überzügen aus harten Materialien zu versehen.
Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, die Ionenquelle eines Gerätes der eingangs genannten Art
so weiterzubilden, daß die emittierten Molekularteilchen ionisiert bzw. die emittierten Molekülionen weiter
ionisiert werden, so daß sie in vorbestimmter Weise beschleunigt und so geleitet werden können, daß eine
optimale Beschichtung der Unterlage, insbesondere von Kunststofflinsen oder anderen optischen Bauteilen aus
Kunststoff erreicht werden kann.
Die Lösung dieser Aufgabe besteht bei einem Gerät der eingangs genannten Art aus den Merkmalen des
Kennzeichnungsteils des Patentanspruches 1.
Mit Hilfe der Beschleunigungs- und Feldemissionsvorrichtung können die mit Hilfe des Elektronenstrahls
erzeugten Molekularteilchen und Molekülionen nach ihrer Emission negativ bzw. weiter negativ ionisiert
werden, derart, daß die entstehenden Molekülionen auf einer bestimmten Bewegungsbahn unter Beschleunigung
in Richtung auf die zu beschichtende Unterlage auftreffen. Als zur Erzeugung von Molekülionen
geeignete Präparate können pastenartige Mischungen bekannter Mineralien verwendet werden, die bei
Beschichtung optischer Elemente wegen ihrer Eigenschaften der Härte, Elastizität, Wärmebeständigkeit und
wegen ihrer optischen Klarheit vorgegehen sind.
Gemäß einer vorteilhaften Ausgestaltung weisen die zur negativen Ionisierung der emittierten Molekularteilchen
dienenden Elektroden der Beschleunigungs- und Feldemissionsvorrichtung eine Vielzahl von geschärften
oder zugespitzten Teilen auf, wobei die Elektroden der Beschleunigungs- und Feldemissionsvorrichtung ringförmigsein
können.
Gemäß einer weiteren Ausgestaltung können Einrichtungen zur Erzeugung magnetischer Felder zum
Trennen unerwünschter Molekülionen und Molekularteilchen von dem zur Beschichtung genutzten Molekülionenstrahl
vorgesehen sein. Damit kann eine qualitative Aufteilung der emittierten Molekülionen und eine
qualitative Steuerung der Unterlagenbeschichtung vorgenommen werden. Dabei kann es gemäß einer
vorteilhaften Ausgestaltung zweckmäßig sein, daß eine Mikrowellenbestrahlungsvorrichtung oder ein radioaktives
Präparat zur Ableitung der während der Beschichtung auf der Unterlage aufgebrachten Oberflächenladung
vorgesehen sein.
Weitere Ausgestaltungen sind in den weiteren Unteransprüchen gekennzeichnet.
Fin besonderer Vorteil des Gerätes besteht in seiner
Verwendung bei der Entwicklung und Weiterbehand-
lung billiger Brillenlinsen, welche im Spritzgußverfahren
hergestellt werden. Derartige Linsen können in dem Gerät mit geeigneten hochfesten Materialien beschichtet
werden. Auch ist es möglich, Teile schichtartig aufzubauen; so können Kunststoffolien vcirbestimmter
Dicke mit dünneren Lagen oder Filmen beschichtet werden, derart, daß die Massenherstellung derartiger
Schichtkörper bei durchlaufender Trägerfolie möglich ist.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnung erläutert.
F i g. I ist eine teilweise geschnittene Perspektivansicht des Gerätes mit der Ionenquelle und der zu
beschichtenden Unterlage ohne Darstellung des diese umhüllenden Vakuumgehäuses;
F i g. 2 ist eine Perspektivansicht einer Beschleunigungs- und Feldemissionsvorrichtung eines Ausführungsbeispiels
der Erfindung;
F i g. 3 ist eine Draufsicht auf eine Beschleunigungsund Feldemissionsvorrichtung eines weiteren Auslührungsbeispiels;
F i g. 4 ist eine Schnittansicht von Linie 4-4 in F i g. 3;
Fig. 5A ist eine Teilschniitansicht einer Beschleunigungs-
und Feldemissionsvorrichtung eines weiteren Ausführungsbeispiels;
Fig. 5B ist eine Teilschnittansicht einer Beschleunigungs-
und Feldemissionsvorrichtung eines weiteren Ausführungsbeispiels;
Fig. 6 ist eine vergrößerte Draufsicht auf eine mit
Hilfe des Gerätes beschichtete Unterlage unter Darstellung ihrer unterschiedlichen Eigenschaften nach
Beschichtung;
F i g. 7 ist eine Schnittansicht eines weiteren Gerätes;
Fig. 8 ist eine Schnittansicht des unteren Bereiches
eines weiteren Gerätes mit einer Vorrichtung zur Richtungsbeeinflussung unterschiedlicher Molekülionen.
In F i g. 1 ist ein Gerät 15 zum Auftragen einer dünnen
Schicht auf eine Unterlage dargestellt, welches innerhalb eines (niclit dargestellten) Vakuumgehäuses angeordnet
ist. Das Gerät 15 ist mit senki echten Tragstangen 30 versehen, die an einem Ring 32 auf der
Oberseite eines Podestes 20 angebracht sind. Innerhalb des Ringes 32 befindet sich eine Vorrichtung 34 zur
Erzeugung eines Elektronenstrahls; diese Vorrichtung ist in Fig. 1 nur teilweise im Schnitt gezeigt. Sie kann
durch in Rohren 36 gefördertes Kühlmittel gekühlt werden. In der Mitte wjist die Vorrichtung 34 einen
Zielbereich 38 auf, in welchem sich ein zu ionisierendes Material 40 befindet. Ein Heizfaden (nicht gezeigt) ist in
einer Kammer 42 angeordnet; desgleichen sind geeignete Magnelspulen zur Erzeugung von Magnetfeldern
im Bereich der Kammer 42 vorgesehen. Verschiedene Leitungen 44 sind vorgesehen, um Strom an den
Heizfaden und an die Magnetspulen zu leiten. Bei Betrieb der Vorrichtung 34 werden Elektronen durch
den Heizfaden emittiert und unter dem Einfluß des erzeugten elektromagnetischen Feldes auf das zu
ionisierende Material 40 gerichtet. Auf diese Weise werden Molekularteilchen emittiert. Ein schwenkbarer
Verschluß 46, welcher von außerhalb des (nicht dargestellten) Vakuumgehäuses betätigbar ist, dient
dazu, um entweder die Wolke der emittierten MolekiUionen abzusperren odei, wenn der ausgeschwenkt
ist, um die Molekülionen in Richtung einer nachfolgend beschriebenen Beschleunigiings- und FeIdetnissionsvorrichtung
48 zu leiten.
F.in Tragrahmen 50 für die zu beschichtende
Unterlage ist mittels Isolatoren 52 am oberen Ende der Tragstangen 30 befestigt. An diesem Tragrahmen 50
können verschiedene Unterlagen, so zum Beispiel Kunststofflinsen, für das Auftragen einer dünnen
Schicht befestigt werden. Ein Kollektorschirm 54 ist oberhalb des Tragrahmens 50 angebracht Die air.
Koliektorschirm 54 angelegte Spannung kann durch (nicht gezeigte) Verbindungen mit der Innenseite des
Vakuumgehäuses bestimmt werden.
Die Beschleunigungs- und Feldemissionsvorrichtung
48 ist an den Tragstangen 30 durch Drähte 60 und Isolatoren 62 aufgehängt. Die Einzelheiten dieser
Vorrichtung sind deutlich in F i g. 2 gezeigt. Sie besteht aus mehreren flachen Ringen, deren Innen- und
Außendurchmesser von unten nach oben zunehmen. Der erste, dritte und fünfte Ring 66 wirken als
Schutzringe und dienen im wesentlichen dazu, das Feld der dazwischen befindlichen Elektroden 68 zur Feldemission
zu isolieren, wenngleich sie auch als Beschleunigungselektroden wirken können. Eine Beschleunigungselektrofle
70 stellt den obersten Ring innerhalb der Beschleunigungs- und Feldemissionsvorrichtung 48
dar. Es sind aiso insgesamt sechs Ringe in der Vorrichtung gezeigt, obwohl auch eine größere oder
geringere Anzahl vorgesehen sein können. Benachbarte Elektroden sind gegenseitig durch Isolatoren 72
getrennt. Die zur Feldemission dienenden Elektroden 68 sind mit einer Vielzahl von Nadeln 74 versehen, welche
zugespitzt sind. Die Nadeln sind im wesentlichen in gleichen Abständen am Umfang der Elektroden 68
angeordnet und können beispielsweise angelötet sein. Die Spitzen der Nadeln 74 weisen dabei radial nach
innen. Sie emittieren unter einem Einfluß eines elektrischen Feldes Elektronen, durch welche die
emittierten Molekularteilchen weiter negativ ionisiert werden. Durch d>e Beschleunigungsvorrichtung werden
die Molekularleilchen gleichzeitig in Richtung des Kollektorschirms 54 beschleunigt. Die Leitungen zum
Anlegen der Spannungen an den verschiedenen Bauteilen des in Fig. 1 dargestellten Gerätes verlaufen
durch Isolatoren 80, die sich durch den Ring 32 erstrecken. Eine Leitung 82 ist mit dem Tragrahmen 50
für die zu beschichtende Unterlage verbunden, während eine Leitung 84 mit einem unteren Draht 60 verbunden
ist, um die Spannung der Beschleunigungselektrode 70 zu steuern. Weitere Leitungen 86 verlaufen jeweils zu
einem der Ringe 66, während die Spannung an den Elektroden 68 über Leitungen 88 angelegt wird.
Es können radioaktive Präparate 90 verwendet werden, um eine Oberflächenladung auf den zu
beschichtenden Unterlagen mittels radioaktiver Bestrahlung abzubauen. Derartige radioaktive Präparate
können auch in geeigneter Weise an anderen Positionen innerhalb des das Gerät aufnehmenden Vakuumgehäuses
angeordnet sein, um in wirkungsvoller Weise die zu beschichtenden Unterlagen zu entladen.
Die Fig. 3 und 4 geben in Draufsicht bzw. Teilschnittansicht eine Beschleunigungs- und Feldemissionsvorrichtung
eines weiteren Ausführungsbeispiels wieder, welche anstelle der in Fig. 1 und 2 gezeigten
verwendet werden kann. Die Beschleunigungs- und Feldemissionsvorrichtung 48a nach F i g. 3 und 4 umfaßt
mehrere ringförmige Elektroden 101, die durch Isolatoren 103 elektrisch gegenseitig isoliert sind. Die
Isc'jtoren 103 dienen auch zur Isolierung gegenüber die
Elektroden verbindenden Lamellen 102, deren Innenkanten als Schneiden ausgebildet sind. Die Lamellen 102
dienen dazu, entlang ihrer scharfen Schneiden unter
dem Einfluß eines elektrischen Feldes Elektronen zu emittieren. Geeignete Verbindungen (nicht gezeigt)
können vorgesehen sein, um die Spannungen an den Lamellen 102 und an den ringförmigen Elektroden 101
zu steuern.
Die F i g. 5A gibt Ringe wieder, von welchen die zur Feldemission dienenden Elektroden 104 eine angeschärfte
innere Schneide aufweisen. Die übrigen Elektroden 106 sind vollständig abgerundet und
elektropoliert.
F i g. 5B zeigt eine Anordnung, welche der in F i g. 2 dargestellten ähnlich ist, mit der Abweichung, daß auf
die Nadeln 74 verzichtet wurde. Die zur Feldemission vorgesehenen ringförmigen Elektroden 68a sind mit
einer scharfen, inneren Schneide versehen. Die übrigen Elektroden MJ sind beispielsweise durch Eiektropoiieren
geglättet.
In Fig. 6 ist eine Unterlage 110 in Form einer Linse
dargestellt, welche in dem vorbeschriebenen Gerät beschichtet worden ist. Die Linse ist auf ihrer linken
Hälfte 112 und auf den kleinen Kreisen 114 mit einem Film beschichtet worden, welcher im wesentlichen aus
Mineralstoffen besteht, welche wegen ihrer Eigenschaften der Härte, Elastizität, Wärmebeständigkeit und
optischen Klarheit ausgewählt worden sind.
Mit Ausnahme der kleinen Kreise 114 ist die rechte Hälfte 116 der Linse unbeschichtet. Dies wurde dadurch
erzielt, daß zunächst die rechte Hälfte mit einer gelochten Folie abgedeckt wurde, bevor der Film
aufgetragen wurde. Die Linse wurde dann in einem Versuch mit verschiedenen Abriebstoffen abgerieben.
Die beschichtete Hälfte 112 und die Kreise 114 blieben durch diese Abriebstoffe unbeeinträchtigt, so daß die
Linse in diesen Bereichen klar und durchsichtig verblieb. Über den übrigen Teilen der rechten Hälfte 116 wurde
die Linse jedoch erheblich verkratzt, wie es die in F i g. 6 dargestellte Punktierung wiedergibt.
Ein abgewandeltes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung ist in F i g. 7 veranschaulicht. Das in
F i g. 7 dargestellte Gerät 150 weist viele Grundbauteile auf. welche denjenigen des in F i g. 1 gezeigten Gerätes
entsprechen. Während die emittierten Moiekuianeiichen
negativ ionisiert werden, wie dies unter Bezugnahme auf die in F ι g. 1 dargestellte Einrichtung beschrieben
wurde, wird die Bahn der Molekülionen anschließend in einer gekrümmten Bahn geleitet und in
vorbestimmter Weise auf die zu beschichtende Unterlage aufgebracht. Der Zweck dieser Strahlteilung besteht
darin, eine Trennung der Molekularteilchen und Molekülionen sowie von Molekülionen verschiedener
Ladung und Masse zu erzielen, derart, daß eine nachteilige Wirkung auf der zu beschichtenden Unterlage
vermieden wird. Es ist festgestellt worden, daß das Auftreffen verhältnismäßig großer Teilchen auf den zu
beschichtenden Unterlagen dazu führen kann, daß Vertiefungen in dem aufgetragenen Film hervorgerufen
werden. Dadurch ergibt sich ein Bruch des Films und eine Einbettung der größeren Teilchen innerhalb des
Films; es besteht an diesen Positionen eine Neigung zur Absorption von Feuchtigkeit, was zu einem Abheben
des Films im Bereich der Vertiefungen führen kann. In extremen Fällen können die größeren Molekülionen
unerwünschte Oberflächenunregelmäßigkeiten hervorrufen.
In Fig.7 ist ein Zylinder 164 gezeigt, welcher Magnetspulen 165 enthält Diese dienen dazu, ein
senkrecht ausgerichtetes magnetisches Feld zu erzeugen. Der Zylinder 164 ist durch Drähte 160 und
Isolatoren 162 an den Tragstangen 30 aufgehängt. Oberhalb des Zylinders 164 befindet sich eine zweite
magnetische Einrichtung 166 zur Erzeugung eines magnetischen Feldes, welches waagerecht ausgerichtet
ist. Die Einrichtung 166 kann einzelne Magnete 168 umfassen, die die Form von Dauermagneten haben. Die
Magnete 168 können auch die Polstücke von elektromagnetischen Magnetspulen sein. In einer Ausführungsform kann die Einrichtung 166 als im wesentlichen
flache Platte ausgebildet sein, die an der Wand des Gehäuses 18a angebracht ist. Oberhalb der Vorrichtung
zur Erzeugung der Magnetfelder ist eine Anordnung zum Aufhängen der zu beschichtenden Unterlagen
vorgesehen. Diese Einrichtung ist als ein Zylinder 170 gezeigt, der einen hervorstehenden oberen Rand
aufweist. Dieser ist auf einem Ring 172 mitte's Kugellager 174 gelagert, derart, daß sich der Zylinder
170 drehen läßt. Ein Motor 176 ist mit einer Antriebsrolle 178 versehen, die am Zylinder 170 angreift
und dazu dient, diesen innerhalb des Gehäuses 18a in Drehung zu versetzen. Zu beschichtende Unterlagen
180 in Form von Linsen sind in Halterungen 184 schwenkbar angebracht. Die Halterungen 184 und die
sie tragenden Gestelle 182 sind so angeordnet, daß die Linsen gegenüber dem Zylinder 170 so gedreht werden
können, daß eine Beschichtung an beiden Linsenflächen möglich ist. Wie in F i g. 7 dargestellt ist, besteht dieser
Schwenkmechanismus aus einem Block 186 mit einem Stab 188, an welchem ein Umschalthebel 190 an den
unteren Enden der Gestelle 182 angreift Wenn also jedes der Gestelle 182 am Stab 188 vorbeiläuft, dann
wird der Umschalthebel 190 gedreht, derart, daß die Linsen gedreht werden und bei weiterer Drehung des
Zylinders 170 ihre andere Seite beschichtet werden kann. Mit Hilfe des in F i g. 7 dargestellten Gerätes wird
erreicht, daß Teilchen, die größer als erwünscht sind, und diejenigen Molekularteilchen, die in unzureichender
Weise ionisiert wurden, von denjenigen Molekularteilchen getrennt werden, welche die richtige Größe und
ausreichende Ionisierung aufweisen, derart, daß die erwünschte Beschichtung der Linsen 80 vollzogen
werden kann.
Alternativ zu dem in F i g. 7 dargestellten Gerät kann auch die Lage der zu beschichtenden Unterlagen
festgelegt werden, indem der Zylinder 170 unbeweglich gehalten wird, während das magnetische Feld der
Einrichtung 166 gedreht wird, derart, daß der Molekülionenstrahl
über den Bereich der zu beschichtenden Unterlagen hinwegstreicht. In diesem Fall kann die
Einrichtung 166 selbst einen zylindrischen Ring aufweisen, wobei die einzelnen Magnete 168 wahlweise
durch Elektromagnetfelder magnetisiert werden, um ein waagerechtes magnetisches Feld zu entwickeln, das sich
in gesteuerter Weise in einer Ebene dreht, die rechtwinklig zur Längsachse des Gerätes 150 verläuft.
Wenn es erwünscht ist, kann die die Gestelle 182 umfassende Einrichtung auch elektrostatisch aufgeladen
werden, so daß die Gestelle zusätzlich als Kollektor dienen, um die Molekülionen anzuziehen.
In Fig.8 ist ein weiteres Ausfühningsbeispiel eines
Gerätes 200 dargestellt welches in seinem Aufbau mit dem Gerät nach F i g. 1 übereinstimmende Teile besitzt
Oberhalb der Bauteile 34, 46 und 48 ist eine Leitvorrichtung 202 vorgesehen, die an Tragstangen 204
mit Hilfe von Drähten 206 und Isolatoren 208 aufgehängt ist Wie in F i g. 8 dargestellt ist, weist die
Leitvorrichtung 202 mehrere Ringmagnete 210 auf, die in einem äußeren Gehäuse 212 angeordnet sind. Die
jeweiligen Ringmagnete 210 sind aufeinanderfolgend entlang der beabsichtigten Bewegungsstrecke der
emittierten Molekülionen angeordnet und so ausgerichtet, daß die Molekülionen mitteis eines elektromagnetischen
Feldes aus dem Bereich der Beschleunigungs- und Feldemissionsvorrichtung nach oben und seitlich ausgerichtet
geleitet werden. Das Gehäuse 212 ist so angeordnet, daß jede geradlinige Bewegung, ausgehend
von der Beschleunigungs- und Feldemissionsvorrichtung 48 zu den oberhalb angeordneten, zu beschichtenden
Unterlagen verhindert wird. Bei dieser Anordnung kann der obere Teil des Gerätes dem oberen Teil des in
F i g. 1 dargestellten Gerätes entsprechen. Es folgen diejenigen Molekularteilchen und Molekülionen, die
nicht die angemessene Geschwindigkeit und das angemessene Verhältnis von Ladung zu Masse haben,
nicht der gleichen Bewegungsbahn wie diejenigen Molekülionen, welche optimale Beschaffenheit hinsichtlich
Ladung und Masse besitzen, und treffen auf die Prallwand des Gehäuses 212 auf, d. h., daß diese
Teilchen aus dem Strom der emittierten Molekülionen entfernt werden, der in Richtung auf die zu beschichtenden
Unterlagen gerichtet ist. Wenngleich Fig. 8 die Leitvorrichtung 202 mit einer Vielzahl von Ringmagneten
210 zeigt, sei darauf hingewiesen, daß diese Vorrichtung auch anstelle der Ringmagnete 210 eine
einzige Magnetspule besitzen kann. Andererseits können mehrere Dauermagneten, die in geeigneter
Weise in einer Reihe von Ringen befestigt sind, anstelle der Ringmagneten 210 verwendet werden. Eine
derartige Anordnung hat den Vorteil, daß das gewünschte, teilchenablenkende Feld ohne Anwendung
elektrischen Stroms eingesetzt werden kann.
Wie im Falle des Ausführungsbeispiels nach Fig. I können bei allen beschriebenen Geräten radioaktive
Präparate verwendet werden, um den Aufbau einer Oberflächenladung zu verhindern. Desgleichen können
hierzu Mikrowellenbestrahlungsvorrichtungen verwendet werden.
Hierzu 3 Blatt Zeichnungen
Claims (9)
1. Gerät zum Aufbringen einer dünnen Schicht auf einer Unterlage mit einer Ionenquelle zur Erzeugung
von Molckülionen, die eine Vorrichtung zum Erzeugen eines Elektronenstrahls, der auf das zu
ionisierende Material gerichtet ist, so daß Molekularteilchen und Molekülionen emittiert werden, und
Beschleunigungselektroden zur Beschleunigung der erzeugten Molekülionen in Richtung der Unterlage
aufweist, und mit einem das Gerät umschließenden Hochvakuumgehäuse, dadurch gekennzeichnet,
daß eine Beschleunigungs· und Feldemissionsvorrichtung (48, 48a,; vorgesehen ist, die
Elektronen emittiert, durch die die emittierten Molekularteilchen negativ ionisiert bzw. die emittierten
Molekülionen weiter negativ ionisiert werden.
2. Gerät nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Beschleunigungs- und Feldemissionsvorrichtung
(48, 48a; Elektroden (68, 68a, 102, 104) mit
einer Vielzahl von geschärften oder zugespitzten Teilen aufweist.
3. Gerät nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektroden (68, 68a, 104) der
Beschleunigungs- und Feldemissionsvorrichtung (48) ringförmig sind.
4. Gerät nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß auf den ringförmigen Elektroden (68) nach
innen gerichtete Nadeln (74) mit feinen Spitzen angeordnet sind (F i g. 2).
5. Gerät nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die ringförmigen Elektroden (68a, 104) an
ihren Innenseiten Schneiden aufweisen (F i g. 5A und 5B).
6. Gerät nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die ringförmigen Elektroden (68, 68a, 104)
der Beschleunigungs- und Feldemissionsvorrichtung im Abstand voneinander entlang der Bewegungsrichtung
der erzeugten Molekülionen aufgereiht sind (Fig.2,5Aund5B).
7. Gerät nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektroden der Beschleunigungs- und
Feldemissionsvorrichtung Lamellen (102) sind, die parallel zur Richtung der erzeugten Molekülionen
angeordnet sind und an den Kanten Schneiden aufweisen (F i g. 3 und 4).
8. Gerät nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß eine Mikrowellenbestrahlungsvorrichtung
oder ein radioaktives Präparat (90) zur Ableitung der während der Bes>
hichtung auf der Unterlage (110, 180) aufgebrachten Oberflächenladung
vorgesehen ist.
9. Gerät nach einem der Ansprüche Ί bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß Einrichtungen (164,
165, 166, 202) zur Erzeugung magnetischer Felder zum Trennen unerwünschter Molekülionen und
Molekularteilchen von dem zur Beschichtung genutzten Molekülionenstrahl vorgesehen sind
(Fig. 7 und 8).
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US280489A US3913520A (en) | 1972-08-14 | 1972-08-14 | High vacuum deposition apparatus |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2339949A1 DE2339949A1 (de) | 1974-02-28 |
DE2339949B2 true DE2339949B2 (de) | 1981-07-09 |
DE2339949C3 DE2339949C3 (de) | 1982-03-11 |
Family
ID=23073294
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2339949A Expired DE2339949C3 (de) | 1972-08-14 | 1973-08-07 | Gerät zum Auftragen einer dünnen Schicht auf einer Unterlage mittels von einer Ionenquelle erzeugten Molekülionen |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US3913520A (de) |
JP (1) | JPS5328068B2 (de) |
CA (1) | CA1000651A (de) |
CH (1) | CH568400A5 (de) |
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FR (1) | FR2196244B1 (de) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |