DE2335314B2 - Halbleiterverstärker für kleine Signale - Google Patents
Halbleiterverstärker für kleine SignaleInfo
- Publication number
- DE2335314B2 DE2335314B2 DE2335314A DE2335314A DE2335314B2 DE 2335314 B2 DE2335314 B2 DE 2335314B2 DE 2335314 A DE2335314 A DE 2335314A DE 2335314 A DE2335314 A DE 2335314A DE 2335314 B2 DE2335314 B2 DE 2335314B2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- transistor
- amplifier
- emitter
- base
- coupling
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 14
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 14
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 14
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/181—Low-frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers
- H03F3/183—Low-frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers with semiconductor devices only
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft einen Verstärker für kleine elektrische Signale mit einer Transistor-Verstärkerstufe,
der eine Emitterfolgerstufe nachgeschaltet ist, deren Ausgang an den Eingang der Transistor-Verstärkerstufe
zurückgeführt ist.
Die Kombination einer die Signalspannung verstärkenden Transistorstufe und einer nachgeschalteten
Emitterfolgerstufe ist bekannt und beispielsweise in der US-PS 30 42 876 und der der US-PS 35 34 277
beschrieben. Die dort gezeigten Schaltungen weisen auch Rückkopplungspfade auf, doch sind diese nicht
vom Ausgang der Emitterfolgerstufe unmittelbar auf den Eingang der vorgeschalteten Spannungsverstärkerstufe
zurückgeführt. Rückkopplungen bei zweistufigen Verstärkern sind ebenso bekannt und beispielsweise in
der »Internationalen Elektronischen Rundschau«, 1967, Nr. 1 O.Seite 245, dargestellt.
Bei üblichen Verstärkerschaltungen und insbesondere solchen der eingangs definierten Art erfolgt die
Ankopplung der Signalquelle über Kondensatoren, die je nach dem zu übertragenden Frequenzspektrum
große Kapazitätswerte aufweisen müssen. Diese für Schaltungen mit diskreten Bauelementen geeignete Art
der Signalankopplung stößt auf Schwierigkeiten, wenn die gesamte Verstärkerschaltung in integrierter Technik
ausgeführt werden soll.
Aufgabe der Erfindung ist ein Halbleiter-Verstärker für kleine Signale der eingangs definierten Schaltungsart, der ohne Zwischenschaltung eines Kondensators an
eine Signalquelle anschließbar ist und sich insbesondere für den Aufbau in integrierter Technik eignet. Auch soll
der Verstärker weitgehend unabhängig von Umgebungseinflüssen und Exemplarstreuungen sein.
Hierzu wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, daß dem bekannten Verstärker an seinem Eingang ein zur
direkten Ankopplung einer Signalquelle an den
Verstärker dienender Koppeltransistor vorgeschaltet ist.
Ein nach den Merkmaien der Erfindung aufgebauter Halbleiterverstärker besitzt den Vorteil einer sehr
einfachen, leicht zu integrierenden Schaltung ~nd ist
Ό weitgehendst unabhängig von Änderungen der Komponentenwerte,
die sich aufgrund von Umgebungseinflüssen oder Fabrikationseinflüssen ergeben. Dadurch
ist es möglich, den Verstärker bzw. einzelne Komponenten zu ersetzen, ohne daü dadurch die Wirkungsweise
des Verstärkers wesentlich beeinflußt wird. Der Verstärker kann an eine Signalquelle angeschlossen
werden, die eine um eine Bezugsspannung, vorzugsweise Massepotential, schwankende Gleichspannung liefert,
die sowohl negative als auch positive Werte annimmt.
Die Vorteile und Merkmale der Erfindung ergeben sich auch aus der nachfolgenden Beschreibung von
Ausführungsbeispielen in Verbindung mit den Ansprüchen und der Zeichnung. Es zeigt
Fig. 1 das Schaltbild eines Verstärkers für kleine Signale gemäß der Erfindung;
F i g. 2 eine weitere Ausführungsform eines Verstärkers
für kleine Signale gemäß der Erfindung.
Gemäß Fig. I ist eine Einrichtung zur Erzeugung kleiner Signale, im vorliegenden Fall ein Mikrofon 12, an die Klemmen 10 und 11 des Verstärkers angeschlossen. Die Klemme 11 liegt an Masse 13, wogegen die Klemme 10 mit der Basis eines PNP Transistors 15 verbunden ist. Der Transistor 15 ist mit seinem Kollektor direkt an
Gemäß Fig. I ist eine Einrichtung zur Erzeugung kleiner Signale, im vorliegenden Fall ein Mikrofon 12, an die Klemmen 10 und 11 des Verstärkers angeschlossen. Die Klemme 11 liegt an Masse 13, wogegen die Klemme 10 mit der Basis eines PNP Transistors 15 verbunden ist. Der Transistor 15 ist mit seinem Kollektor direkt an
'5 Masse 13 und mit seinem Emitter direkt an die Basis
eines NPN Transistors 16 angeschlossen. Der Emitter dieses Transistors 16 liegt ebenfalls direkt an Masse 13,
wogegen der Kollektor über einen Widerstand 17 mit einer geeigneten positiven Spannurigsquelle über die
Quelle 18 verbunden ist. Der kollektor des Transistors 16 liegt ebenfalls an der Basis eines NPN Transistors 20,
dessen Kollektor an die Klemme 18 für die positive Versorgungsspannung angeschlossen ist. Der Emitter
des Transistors 20 ist über einen Widerstand 21 einerseits an Masse und andererseits direkt an die
Ausgangsklemme 22 angeschlossen. Ferner liegt zwischen dem Emitter des Transistors 20 und dem Emitter
des Transistors 15 sowie der Basis des Transistors 16 ein Rückkopplungswiderstand 25.
Der Transistor 16 bildet die eigentliche Verstärkerstufe, deren Ausgang an eine Emitterfolgerstufe mit
dem Transistor 20 angeschlossen ist. Das Ausgangssignai der Emitterfolgerstufe liegt an der Klemme 22 und
wird über den Rückkopplungswiderstand 25 zum Transistor 15 zurückgespeist, um den Betriebsstrom zu
liefern, sowie zum Transistor 16, um den Basisstrom zu liefern. Beim Auslegen der Schaltung werden die
Transistoren 15 und 16 so gewählt, daß die Basis-Emitterspannung des Transistors 15 etwa gleich der
Basis-Emitterspannung des Transistors 16 im Bereich eines vorgegebenen Verhältnisses des Betriebsstromes
ist. Die Widerstände if und 25 werden derart ausgewählt, daß sie eine Ausgangsspannung an der
Klemme 22 bewirken, die etwa in der Mitte zwischen der Spannung an der Klemme 18 und Masse 13 liegt,
wobei das festgelegte Verhältnis des Betriebsstromes den Transistoren 15 und 16 zufließt. Wenn die Schaltung
normal ausgelegt ist, werden die Vorspannungsverhält-
nisse durch die elementenabhängigen Änderungen nicht
wesentlich beeinflußt. Deshalb werden Änderungen, die durch Ersatz von Schaltkreiskomponenten bzw. durch
Änderungen der Umgebungseinflüsse ausgelöst werden, durch den Rückkopplungsstrom kompensiert, der dazu
tendiert, die Ruhestromverhältnisse und die Gleichstromarbeiisniveaus
im wesentlichen konstant zu halten.
Das Mikrofon 12 hat im wesentlichen einen Gleichstrom-Spannungsabfall von Null, so daß an der
Basis-Kollektorstrecke des Transistors 15 ebenfalls im to
wesentlichen der Gleichstrom-Spannungsabfall Null wirksam ist. Dadurch erscheint der Transistor 15 nur als
Emitter-Basisübergang, der parallel zum Basis-Emitterübergang des Transisturs 16 geschaltet ist. Die
Leitfähigkeit des Emitter-Basisübergangs des Transi- ü
stors 15 wird durch die kleinen Wechselstromsignale geändert, die vom Mikrofon 12 aus an die Basis angelegt
werden. Dasselbe trifft zu, wenn das Mikrofon 12 z. B. durch einen Diskriminator od. dgl. ersetzt wird, der ein
um Masse sich änderndes Gleichstromsignal liefert Auch dann wird die Leitfähigkeit der Emitter-Basisstrecke
des Transistors 15 entsprechend geändert. Daraus ergibt sich, daß die Leitfähigkeit des Halbleiterübergangs
sich entsprechend den angelegten kleinen Signalen ändert. Entsprechend dieser Leitfähigkeitsänderung
ändert sich auch der über den Emitter-Basisübergang
fließende Strom und damit der Strom, der an der Basis des Transistors 16 zur Verfügung steht. Auf
diese Weise ändert sich die Basisansteuerung des Transistors 16 entsprechend den kleinen Signalen vom -ίο
Mikrofon 12.
Da die Basis des Transistors 15 im wesentlichen auf Massepolential liegt, schwingen die kleinen Signale
etwa um dieses Massepotential geringfügig nach negativen und positiven Werten. Dabei verändern sich
die Signalwerte in negativer und positiver Richtung etwa um gleiche Beträge, bis sie genügend negativ
werden, um die Basis-Kollektorstrecke des Transistors 15 negativ vorzuspannen. Dieses Potential liegt etwa bei
—0,6 Volt fü- Siliciumtransistoren. Da die Signale um 4»
das Massepotential bzw. das Bezugspotential herum sich verändern, kann der Signalgenerator, z. B. das
Mikrofon 12, welches auf Masse bezogen ist. direkt mit der Basis des Transistors 15 verbunden werden. Die
Eliminierung eines Koppelkondensators bewirkt, daß die Schaltung ganz besonders als inl,:grierte Schaltung
ausführbar ist.
In F i g. 2 wird eine weitere Ausführungsform eines Verstärkers für kleine Signale dargestellt, bei der mit
der Ausführungsform genäß F i g. 1 übereinstimmende w
Komponenten mit gleichen Bezugszeichen und mit einem Apostroph zur Unterscheidung versehen sind.
Der Verstärker umfaßt einen NPN Transistor 16' mit einem an eine Klemme 18' über einen Widerstand 17'
angeschlossenen Kollektor und einem an Masse \y angeschlossenen Emitter. Ein Emitterfolger aus einem
NPN Transistor 20' isi mit der Basis an den Kollektor des Transistors 16' und mit dem Kollektor an die
Klemme 18' für die Spannungsversorgung angeschlossen. Der Emitter des Transistors 20' liegt an Masse 13'
über einen Widerstand 2Γ. Gleichzeitig ist dieser Emitter auch an die Basis des Transistors 16' über einen
Widerstand 25' und an die Ausgangsklemme 22' angeschlossen. Die Basis des Transistors 16' liegt am
Emitter eines PNP Transistors 15', dessen Kollektor direkt mit Masse 13' verbunden ist. Die Anode einer
Diode 30' ist mit der Basis des Transistors 15' verbunden und liegt mit der Kathode an Masse 13'. Ein Widerstand
3Γ liegt zwischen der Basis des Transistors 15' und der Eingangsklemme 10', von der aus ein Widerstand 32'
nach Masse liegt. Der Signalgenerator für kleine Signale, im vorliegenden Fall ein Mikrofon 12', ist
zwischen die Eingangsklemme 10' und eine an Masse
liegende Klemme 11' angeschlossen.
Die Wirkungsweise der Schaltung gemäß Fig. 2 entspricht im wesentlichen der Wirkungsweise der
Schaltung gemäß Fig. 1 mit der Ausnahme, daC das Netzwerk aus der Diode 30' und den Widerständen 3 Γ
und 32', welches zwischen das Mikrofon und den Halbleiterübergang geschaltet ist, den richtigen Funktionsablauf
sicherstellt, wenn ein Koppelkondensator versehentlich in der Schaltung benutzt wird. Die Diode
30' liegt parallel zur Basis-Kollektorstrecke des
Transistors 15', um die an diesen Übergang angelegten Signale zu begrenzen. Der Basis-Kollektorübergang des
Transistors 15' dient der Begrenzung der negativen Auslenkung der Signale, so daß beide sowohl negative
als auch positive Auslenkungen begrenzt werden für den Fall, daß die Amplitude des Eingangssignals
verhältnismäßig groß wird. Der Widerstand 32' dient der impedanzanpassung, der Widerstand 3Γ und die
natürliche Kapazität der Diode 30' bilden ein Filter, um Geräusch und andere hochfrequente Signale zu
unterdrücken, die auftreten können. Der beschriebene Verstärker für kleine Signale kann sehr leicht in
integrierter Schaltkreisform ausgeführt oder in eine solche Schaltung integriert werden und ist direkt an den
Signalgenerator anschließbar. Als Signalgsneratcr kann
ein Mikrofon, ein Diskriminator, ein Signalniveau-Umformer od. dgl. verwendet werden, deren Gleichstromoder
Wechselstromsignale verstärkt werden. Die Schaltung ist selbsteinstellend, so daß die betriebscharakteristischen
Werte verhältnismäßig stabil sind, obwohl die Werte der einzelnen Komponenten
geringfügig verschieden sein können.
Claims (5)
1. Verstärker für kleine elektrische Signale mit
einer Transistor-Verstärkerstufe, der eine Emitterfolgerstufe
nachgeschaltet ist, deren Ausgang an den Eingang der Transisior-Verstärkerstufe zurückgeführt
ist, dadurch gekennzeichnet, daß dem Verstärker an seinem Eingang ein zur direkten
Ankopplung einer Signalquelle (12) an den Verstärker dienender Koppeltransistor (15,15') vorgeschaltet
ist.
2. Verstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß dem Koppeltransistor (15') ein aus
einer Diode (30') und zwei Widerständen (31', 32') gebildetes Riter vorgeschaltet ist.
3. Verstärker nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Transistor (16) der Verstärkerstufe
und der Koppeltransistor (15) Transistoren von gegensinnigem Leitfähigkeitstyp sind.
4. Verstärker nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Emitter des Koppeltransistors (15)
mit der Basis des Verstärkungstransistors (16) und der Kollektor des Koppeltransistors mit dem
Emitter des Verstärkungstransistors verbunden ist, wobei die Basis des Koppeltransistors das Steuersignal
empfängt
5. Verstärker nach einem de<- Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß bei einem gegebenen
Verhältnis dci Betriebsströme des Koppeltransistors (15) und des Verstärkungstransistors (16) an
beiden etwa gleiche Basis-Emitterspannungen auftreten.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US00270902A US3825849A (en) | 1972-07-12 | 1972-07-12 | Small signal amplifier |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2335314A1 DE2335314A1 (de) | 1974-01-31 |
DE2335314B2 true DE2335314B2 (de) | 1979-10-25 |
Family
ID=23033317
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2335314A Withdrawn DE2335314B2 (de) | 1972-07-12 | 1973-07-11 | Halbleiterverstärker für kleine Signale |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3825849A (de) |
JP (1) | JPS5345111B2 (de) |
AR (1) | AR195129A1 (de) |
AU (1) | AU474251B2 (de) |
BR (1) | BR7305051D0 (de) |
CA (1) | CA981344A (de) |
DE (1) | DE2335314B2 (de) |
GB (1) | GB1410133A (de) |
IL (1) | IL42693A (de) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4097815A (en) * | 1975-04-09 | 1978-06-27 | Indesit Industria Elettrodomestici Italiana S.P.A. | Amplifying circuit |
US4032973A (en) * | 1976-05-07 | 1977-06-28 | Gte Laboratories Incorporated | Positive feedback high gain agc amplifier |
JPS56157105A (en) * | 1980-05-08 | 1981-12-04 | Masaki Yoshimura | Microphone amplifier |
JPS5974074U (ja) * | 1982-11-04 | 1984-05-19 | 安本 護 | 工具ケ−ス |
DE3336366C2 (de) * | 1983-10-06 | 1985-08-14 | Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn | Breitbandverstärker zur Verstärkung eines Fotostromes |
US6888408B2 (en) * | 2002-08-27 | 2005-05-03 | Sonion Tech A/S | Preamplifier for two terminal electret condenser microphones |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE526156A (de) * | 1953-02-02 | |||
US3244996A (en) * | 1963-07-23 | 1966-04-05 | Data Control Systems Inc | Class ab complementary direct coupled transistor amplifier |
US3466390A (en) * | 1964-03-24 | 1969-09-09 | Tokyo Shibaura Electric Co | Protective device for transistor televisions |
US3622900A (en) * | 1969-09-29 | 1971-11-23 | Motorola Inc | Squelchable direct coupled transistor audio amplifier constructed in integrated circuit |
US3531730A (en) * | 1969-10-08 | 1970-09-29 | Rca Corp | Signal translating stage providing direct voltage |
-
1972
- 1972-07-12 US US00270902A patent/US3825849A/en not_active Expired - Lifetime
-
1973
- 1973-06-22 CA CA174,709A patent/CA981344A/en not_active Expired
- 1973-07-06 GB GB3232573A patent/GB1410133A/en not_active Expired
- 1973-07-06 BR BR5051/73A patent/BR7305051D0/pt unknown
- 1973-07-09 IL IL42693A patent/IL42693A/xx unknown
- 1973-07-10 JP JP7716873A patent/JPS5345111B2/ja not_active Expired
- 1973-07-10 AU AU57940/73A patent/AU474251B2/en not_active Expired
- 1973-07-11 DE DE2335314A patent/DE2335314B2/de not_active Withdrawn
- 1973-07-11 AR AR249031A patent/AR195129A1/es active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA981344A (en) | 1976-01-06 |
AR195129A1 (es) | 1973-09-10 |
JPS4946663A (de) | 1974-05-04 |
AU474251B2 (en) | 1976-07-15 |
DE2335314A1 (de) | 1974-01-31 |
GB1410133A (en) | 1975-10-15 |
US3825849A (en) | 1974-07-23 |
AU5794073A (en) | 1975-01-16 |
IL42693A0 (en) | 1973-10-25 |
BR7305051D0 (pt) | 1974-08-22 |
JPS5345111B2 (de) | 1978-12-04 |
IL42693A (en) | 1976-02-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE1901804B2 (de) | Stabilisierter differentialverstaerker | |
DE3431732C2 (de) | Mehrstufige Signalstärke-Detektorschaltung | |
DE2207233A1 (de) | Elektronischer Signalverstärker | |
DE2836445C2 (de) | Schaltungsanordnung zur Fehlererkennung in Digitalsignalen | |
DE2249859B2 (de) | Integrierte Verstärkerschalung | |
DE3217237A1 (de) | Schaltungsanordnung zur pegelumsetzung | |
DE3824556C2 (de) | Symmetrische Eingangsschaltung für Hochfrequenzverstärker | |
DE3447002C2 (de) | ||
DE2335314B2 (de) | Halbleiterverstärker für kleine Signale | |
DE2708055A1 (de) | Direkt koppelnder leistungsverstaerker | |
DE3034940C2 (de) | ||
WO2018215030A1 (de) | Transimpedanzverstärker-schaltung | |
DE2804064A1 (de) | Verstaerkerschaltungsanordnung fuer aperiodische signale | |
DE2853581C2 (de) | Emitterfolgerschaltung | |
EP0334447A2 (de) | Schmitt-Trigger-Schaltung | |
EP0237086B1 (de) | Stromspiegelschaltung | |
DE3110355C2 (de) | Gleichspannungsgenerator zur Lieferung einer temperaturabhängigen Ausgangs-Gleichspannung | |
DE3243706C1 (de) | ECL-TTL-Signalpegelwandler | |
DE2416533A1 (de) | Elektronische schaltung mit stabiler vorspannung | |
DE2929083B1 (de) | Transimpedanzverstaerker mit grosser Bandbreite | |
DE1814887C3 (de) | Transistorverstärker | |
EP0681368B1 (de) | Operationsverstärker mit hoher Gleichtaktunterdrückung | |
DE2148880C2 (de) | Stromquelle in integrierter Schaltungstechnik | |
DE2322466C3 (de) | Operationsverstärker | |
EP0392062B1 (de) | Integrierbare Verstärkerschaltung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8239 | Disposal/non-payment of the annual fee |