DE2334325C3 - Beleuchtungs- und Betrachtungseinrichtung einer Vorrichtung zum Kopieren eines Maskenmusters - Google Patents
Beleuchtungs- und Betrachtungseinrichtung einer Vorrichtung zum Kopieren eines MaskenmustersInfo
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- DE2334325C3 DE2334325C3 DE2334325A DE2334325A DE2334325C3 DE 2334325 C3 DE2334325 C3 DE 2334325C3 DE 2334325 A DE2334325 A DE 2334325A DE 2334325 A DE2334325 A DE 2334325A DE 2334325 C3 DE2334325 C3 DE 2334325C3
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Description
Die Erfindung betrifft eine Beleuchtungs- und Betrachtungseinrichtung
gemäßOberbegriff des Patentanspruchs 1.
Bei der Herstellung von integrierten Schaltungen muß man verschiedene Masken haben, deren Muster
einander überlappend auf die gleiche Scheibe, auch Wafer genannt, kopien werden. In diesem Fall müssen
das bereits auf den Wafer kopierte Muster und das Zusatzmuster der danach zu kopierenden Maske eine
feste Lagebeziehung zueinander haben. Für diesen Zweck müssen Maske und Wafer vor dem Kopieren
gleichzeitig betrachtet werden, und die Maske oder der Wafer muß bewegt werden, um die äußerst genaue
Einstellung auszuführen, mit der beide in eine vorbestimmte feste Lagebeziehung zueinander gebracht
werden. Dieses Verfahren wird fluchtendes Ausrichten
genannt. Andererseits wird zum Kopieren der Maske auf den Wafer herkömmlicherweise ein Kontaktkopierverfahren
verwendet. In jüngster Zeit hat man ein Projektionskopierverfahren durch ein Objektiv
benutzt, und zwar wegen des Vorteils, daß die Maske und der Wafer nicht verkratzt werden.
Im allgemeinen wird bei einer Maskenkopiereinrichtung für das Kopieren das Koehlersche Beleuchtungsverfahren
verwendet, um für die ganze Oberfläche der Photomaske eine gleichförmige Beleuchtungsintensität
zu erzielen. Bei diesem Beleuchtungsverfahren wird das Bild einer Lichtquelle zur
Eintrittsöffnung eines Objektivs gemacht. Um ein klares Photoresistbild zu erzielen, wird die numerische
Apertur der Beleuchtungsoptik gegenüber derjenigen einer Projektionslinse klein gemacht, so daß man sich
der sogenannten kohärenten Beleuchtung nähert, was zu einer Vergrößerung des Kontrasts des projizierten
Bildes führt. Die numerische Apertur wird ausgedrückt durch μ · sina, wenn ein Objektpunkt auf einer
optischen Achse in einem Medium mit dem Brechungsindex η einen Winkel ο mit dem Radius der
Eintrittsöffnung bildet. Verwendet man bei der Betrachtung dieses Beleuchtungsvcrfahren, erscheint jedoch
infolge der ungleichförmigen Dicke einer den Wafer bedeckenden Photolackschicht ein Phasenbild,
so daß das Bild des Waferumfangsrandes unscharf wird.
Um diese Nachteile zu beseitigen, muß man die numerische Apertur der Beleuchtungsoptik für die Betrachtung
ausreichend groß machen, um einen Beleuchtungszustand zu erzielen, dessen Zustand nahe
der sogenannten inkohärenten Ausleuchtung liegt. Das einfachste Verfahren, um dies zu erreichen, besteht
darin, eine Streuplatte in die Beleuchtungsoptik einzusetzen. Dieses Verfahren hat jedoch den Nachteil,
daß sich durch die Streuplatte ein Lichtverlust
ίο ergibt, wodurch das Bild dunkel wird. Ein weiterer
Nachteil ist folgender: Wenn sich der Betrachtungspunkt auf der Maske und dem Wafer verschiebt, weil
die zur fluchtenden Ausrichtung verwendete Betrachtungseinrichtung verschoben wird, muß das Beleuchtungsbild
immer auf den neuen Betrachtungspunkt konzentriert werden. Zu diesem Zweck hat man bisher
eine Betrachtungslichtquelle an der Betrachtungseinrichtung angebracht oder Licht mit Hilfe eines
Lichtleiters von der Kopierlichtquelle zur Betrachtungseinrichtung geführt, was eine Zusatzausrüstung
erforderlich macht.
Auch bei einer Vorrichtung, bei der das Licht für die Betrachtung aus der hinteren Ebene der Maske
projiziert wird und das Maskenmuster von der hinteren Ebene der Maske betrachtet wird, kann manchmal
das von der gläsernen Maskenträgerplatte reflektierte Licht den Kontrast des zu betrachtenden Bildes verschlechtern.
Insbesondere bei einer Projektionskopiervorrichtung wird, wenn die spezifische Durchlässigkeit
einer Projektionslinse gering ist, die Leuchtkraft des Waferbildes unzureichend, und dann ist auch
ein geringes Reflexionslicht von der gläsernen Maskenträgerplatte für den Ausrichtvorgang sehr störend.
Obwohl dieses nachteilige Reflexionslicht beseitigt werden kann, indem eine die Reflexion verhindernde
Schicht auf das Glas der Maskenträgerplatte aufgedampft wird, ist dies nicht erwünscht, da dadurch die
Maskenherstellung aufwendiger wird.
Ein Projektionskopierverfahren ist aus der DE-OS 20 09 284 bekannt. Bei diesem Verfahren wird Beleuchtungslicht
durch eine Beleuchtungsoptik durch die zu kopierende Maske geschickt, der eine Abbildungsmaske
nachgeordnet ist, mit deren Hilfe das Maskenmuster auf den zu belichtenden Wafer projiziert
wird. Bevor das Maskenmuster auf den Wafer kopien wird, muß unter Beobachtung durch eine Betrachtungseinrichtung
die relative Lage zwischen Maske und Wafer so lange verändert werden, bis das auf dem Wafer bereits befindliche Muster und das auf
to der Maske befindliche Zusatzmuster in der gewünschten Lagebeziehung zueinander stehen. Daher wird
vom Wafer reflektiertes Licht mit Hilfe eines Strahlenteilers in die Beobachtungseinrichtung abgelenkt.
Zur Beobachtung während des Ausrichtens von Maske und Wafer, der auf seiner Oberfläche eine
lichtempfindliche Photolackschicht trägt, wird die für den Kopiervorgang vorgesehene Lichtquelle verwendet,
deren belichtende Wirkung durch einen entsprechenden Filter, beispielsweise einen Rotfilter, ausgeschaltet
wird. Bei der bekannten Einrichtung befindet sich der Strahlenteiler, der vom Wafer reflektiertes
Licht in die Betrachtungseinrichtung ablenkt, zwischen Abbildungslinse und Wafer. Wenn der Strahlenteiler
nicht allerhöchsten optischen Anforderungen
„5 entspricht, kann er geringfügige Verzeichnungen oder
Verschmierungen des auf den Wafer projizierten Maskenbildes verursachen, was besonders bei der
Herstellung von Hochfrequenz-Bauelementen oder
hochintegrierten Logikschaltungen, bei denen Toleranzen im Bereich von Bruchteilen von Mikrometern
eingehalten werden müssen, zu einer Verschlechterung der Ausbeute der fertigen Bauelemente führen
kann. Deshalb ist es besser, den Strahlenteiler außerhalb des optischen Weges zwischen Maske und Wafer
anzuordnen, also zwischen Beleuchtungsoptik und Maske. Zusätzlich zu dem Umstand, daß der genannte
Filter nur einen geringen Teil der Lichtmenge zum Beobachten zur Verfügung stellt und somit den Beobachtungsvoi'gang
von vornherein erschwert, wird aber in diesem Falle zusätzlich von der Oberfläche der
Maske reflektiertes Licht in die Betrachtungseinrichtung gespiegelt, das wesentlich heller ist als das durch
die Maske kommende, vom Wafer reflektierte Licht. Da das vom Wafer reflektierte Licht auf Grund der
filterbedingten geringen Lichtstärke nur verhältnismäßig schwer wahrnehmbar ist, wird es von dem von
der Maskenoberfläche reflektierten Licht derart überstrahlt, daß eine sorgfältige Beobachtung von
Wafer- und von Maskenmuster beim Ausrichten zwischen Maske und Wafer stark erschwert wird.
Aus der DE-OS 20 49 328 ist eine Kopiervorrichtung bekannt, mit der solche Negative kopiert werden
sollen, die Bereiche stark unterschiedlicher Dichte aufweisen. Beim Kopieren solcher Vorlagen muß das
Kopierlicht in verschiedenen Flächenbereichen zurückgehalten werden. Zu diesem Zweck wird bei der
bekannten Kopiervorrichtung ein Teil der zu kopierenden Vorlage mit einem Polarisationsfilter abgedeckt.
Zwischen diesem Polarisationsfilter und der auf ein Bildempfangsmaterial abbildenden Optik ist ein
zweites, drehbares Polarisationsfilter angeordnet. Durch Drehen der Polarisationsebene des zweiten
Polarisationsfilters gegenüber der Polarisationsebene des ersten Polarisationsfilters kann der vom ersten
Polarisationsfilter abgedeckte Flächenbereich der zu kopierenden Vorlage bezüglich seiner Lichtintensität
eingestellt werden.
Aus der DE-AS 11 01 955 ist eine Anordnung zum gemeinsamen Photographieren einer großen Anzahl
von Fernsprechgebührenzählern bekannt, bei der die Zähleranordnung beim Photographieren mit Hilfe einer
Blitzlichtanordnung beleuchtet wird. Um zu vermeiden, daß ein Teil des Zählerfeldes durch direkt
reflektierte Anteile des Blitzlichtes auf der Photographic nicht ablesbar ist, wird vor dem Blitzlichtgerät
ein erstes und vor dem Aufnahmekameracbjektiv ein zweites Polarisationsfilter angeordnet, deren Polarisationsebenen
senkrecht zueinander stehen. Dadurch wird erreicht, daß vom Blitzlicht stammende störende
Reflexe auf einen vorbestimmten Teil des Zählerfeldes, in dem man vorsorglich keine Zähler anordnet,
begrenzt werden.
Aus der DE-PS 10 83 065 ist eine Einrichtung bekannt, mit der sich ein Objekt wahlweise bei
Durchlichtbelichtung oder bei Auflichtbelichtung betrachten läßt. Die Auswahl, ob die Betrachtung bei
Durchlichtbelichtung oder bei Auflichtbelichtung erfolgen soll, geschieht durch Drehung einer /ί/4-Platte, die
mit einem polarisierenden Strahlteiler und mit einem entpolarisierenden Reflektor zusammenwirkt. Je nachdem,
ob die /ί/4-Plaite in eine Stellung gedreht wird, in
der sie keine Polarisationswirkung aufweist, oder in eine Stellung, in der sie polarisierend wirkt, erscheint das
reflektierende Objekt im Okular als dunkel (Durchlichtbetrachtung) oder hell (Auflichtbetrachtung). Diese
bekannte Einrichtung ist jedoch nur zur Betrachtung eines einzigen Objektes vorgesehen, eignet sich daher
nicht als Beleuchtungs- und Betracbtungseinrichtung, mit der man zwischen einem auf einer Halbleiterscheibe
befindlichen Muster und dem Muster einer Maske, das zusätzlich auf die Halbleiterscheibe kopien werden soll,
eine Ausrichtung herstellen kann.
Aus der DE-OS 20 51 174 ist ein Doppelmikroskop bekannt, mit dessen Hilfe sich sowohl eine Halbleiterscheibe
als auch eine darüber befindliche Maske
to betrachten lassen und das bei der Halbleiterherstellung
eingesetzt werden kann. Dabei dienen ein Polarisator, ein polarisierender Strahlteiler und eine M4-P\aue
jedoch lediglich dazu, eine Auswahl treffen zu können, ob unter dem einen Mikroskopteil, unter dem anderen
Mikroskopteil oder unter beiden Mikroskopteilen liegende Objektbereiche betrachtet werden sollen. Da
die yi/4-Platten zwischen den einzelnen Mikroskopteilen
und der auf die Halbleiterscheibe abzubildenden Maske liegen, bleibt unabhängig davon, ob man durch Drehen
des Polarisators und durch Einstellen des Analysators
das durch den einen Mikroskopteil abgebildete Objektfeld, das durch den anderen Mikroskopteil
abgebildete Objektfeld oder beide Objektfelder betrachtet, das Problem vorhanden, daß in das Okular des
Mikroskops Reflexionslicht gelangt, zu dem vom Maskenmusterteil reflektiertes Licht, von der musterfreien
Glasoberfläche der Maske reflektiertes Licht, von der Maskenunterseite reflektiertes Licht und von der
Halbleiterscheibenoberfläche reflektiertes Licht gehört.
Diese vielen Reflexionsanteile verhindern den Erhalt eines kontrastreichen, reflexionsarmen Bildes sowohl
der Halbleiterscheibe als auch der Maske.
Aufgabe der Erfindung ist es, bei der eingangs angegebenen Beleuchtungs- und Betrachtungseinrich-
J5 tung störende Abbildungserscheinungen (wie: »zu
dunkles Bild«, »Störlicht«, »Phasenbild«) zu beseitigen bzw. zu verringern und zusätzlich den Kontrast
zu verbessern, so daß der Beobachtungsvorgang für das Ausrichten von Maske und Wafer erleichtert wird.
Die Lösung dieser Aufgabe ist im Patentanspruch gekennzeichnet.
Meist wird man eine indirekte Lichtquelle für polarisiertes Licht verwenden, d. h. eine Lichtquelle, deren
Licht erst durch Vorschalten eines Polarisators polarisiert wird. Man kann jedoch auch eine direkte
Lichtquelle für polarisiertes Licht benutzen, beispielsweise einen Laser, in welchem Fall ein Polarisator
nicht erforderlich ist.
Im folgenden wird die Erfindung an Hand von Aus-
führungsformen näher erläutert. Es zeigt
Fig. 1 schematisch eine Ausführungsform einer Maske nm usterkopiervorrichtung,
Fig. 2 schematisch eine weitere Ausführungsform
einer solchen Vorrichtung,
Fig. 3 schematisch den Zustand der Vorrichtung in Fig. 2 beim Kopieren.
Fig. 1 zeigt eine Maskenkopiervorrichtung in einem Zustand, in welchem eine Betrachtung eines Projektionsbildes
möglich ist. Einrichtungen, wie optische Anordnungen und dergleichen, die innerhalb der gestrichelten
Linien gezeichnet sind, werden für den Kopiervorgang aus dem Kopierstrahlengang entfernt.
Eine Lichtquelle 1 dient sowohl für das Kopieren als auch für das Betrachten, wobei das von der Lichtquelle
kommende Licht auf der Eintrittsseite eines Lichtmischrohres 15 durch eine erste Kondensorlinse
3 konzentriert wird. Dieses Lichtmischrohr 15 weist eine reflektierende Innenwand auf, an der das
in das Lichtmischrohr 15 eintretende Licht wiederholt total reflektiert wird, so daß die Austrittsseite des
Lichtmischrohres auch dann eine Sekundärlichtquelle mit gleichförmiger Helligkeit bildet, wenn die Helligkeit
der Beleuchtungslichtquelle 1 nicht gleichförmig ist.
Der Strahlengang des aus der sekundären Lichtquelle kommenden Lichtes wird durch einen Spiegel
16. der gegenüber der optischen Achse um 45° geneigt ist, um 90° abgelenkt. Eine zweite Kondensorlinse
3' konzentriert das vom Spiegel 16 kommende Licht.
Die Anordnung umfaßt eine Maske 4 mit dem gewünschten Muster und eine Abbildungslinse 5 mit einer
speziellen Abbildungscharakteristik, deren zum Wafer weisende Bildseite »telezentrisch« ist, d. h. ihre
Austrittspupille liegt im Unendlichen. Eine lichtempfindliche reflektierende Scheibe 6, wie ein Wafer, ist
auf der Austrittssseite der Abbildungslinse 5 in einer zur Maske 4 konjugierten Lage angeordnet.
Um nach einem noch zu beschreibenden Ausrichtvorgang das Muster der Maske 4 mittels Projektion
auf die Scheibe 6 zu kopieren, wird die Maske 4 durch die Projektion des von der Lichtquelle 1 kommenden
Lichtes gleichförmig ausgeleuchtet. Das die Abbildungslinse 5 passierende Licht durchläuft zum Kopieren
einen optischen Weg 22 und wird auf die reflektierende, lichtempfindliche Platte projiziert, und zwar
nach dem sogenannten Koehler-Ausleuchtverfahren, wodurch das Licht in der Einfallsöffnung der Abbildungslinse
5 konzentriert wird.
Zusätzlich zu der zum Kopieren erforderlichen Anordnung ist eine Einrichtung vorgesehen, die dann
zum Einsatz kommt, wenn das projizierte Bild betrachtet werden soll. Für die Betrachtung wird ein Filter
2 an irgendeiner Stelle in den Strahlengang zwischen Lichtquelle 1 und Maske 4 gebracht, vorzugsweise
zwischen die erste Kondensorlinse 3 und das Lichtmischrohr 15.
Dieses Filter verhindert, daß die reflektierende, lichtempfindliche Scheibe 6 beim Betrachten belichtet
wird. Es kann auch ais Verschluß für das Kopierlicht dienen. Hinter der zweiten Kondensorlinse 3 ist ein
Polarisator 17 angeordnet, der das ihn durchlaufende Lichtstrahlenbündel linear polarisiert. Zur Betrachtung
wird in den Projektionsstrahlengang eine Kondensorlinse 18 eingefügt, die das vom Polarisator
kommende Lichtstrahlenbündel auf der Maske 4 in einem Betrachtungspunkt konzentriert. Diese Ausleuchtung
bildet die sogenannte kritische Ausleuchtung, bei der das Bild der Lichtquelle auf einer Objektebenc
erzeugt wird. Die numerische Apertur der Beleuchtungsoptik für die Betrachtung nimmt zu, und
gleichzeitig steigt die Beleuchtungsintensität an der Betrachtungsstelle. Zwischen der Kondensorlinse 18
und der Maske 4 befindet sich ein Strahlenteiler 12, durch den ein Teil des Beleuchtungslichtes einer Betrachtungseinrichtung
13 für die Masken/Scheiben-Ausrichtung zugeführt wird. Diese Betrachtungseinrichtung
13 hat eine Objektivlinse 13 c, zwei total reflektierende Spiegel 13a und 13b sowie einen Analysator
21, der zwischen den Spiegeln oder im Betrachtungsstrahlengang angeordnet ist. Der Analysator
ist mit Hilfe einer Einrichtung 21a in einer vertikalen Ebene zur optischen Achse der Beobachtungseinrichtung
frei drehbar.
Durch ein Okularteil 25 kann der Zustand der Ausrichtung zwischen der Betrachtungsstelle auf der
Maske 4 und einer Betrachtungsstelle auf der reflektierenden, lichtempfindlichen Scheibe 6 betrachtet
werden. Die Betrachtungseinrichtung für die Beobachtung der Ausrichtung ist verschiebbar ausgebildet,
so daß es so eingestellt werden kann, daß jede Betrachtungsstelle auf der Maske betrachtet werden
kann. Da die Kondensorlinse 18 verschiebbar ist, und zwar gekoppelt mit der Verschiebung der Objektivlinse
13 c in der Betrachtungseinrichtung, wird die
ίο Linse 18, wenn die Betrachtungseinrichtung zur Einstellung
verschoben wird, um die Betrachtungsstelle auf der Maske 4 zu bewegen, in gekoppelter Weise
ebenfalls verschoben, so daß das Licht immer auf die Betrachtungsstelle konzentriert ist. Das nicht erforderliche
Licht wird von einer Blende 19 abgeschirmt. Die Ausrichtbetrachtungseinrichtung besteht somit
aus den Elementen 2,12" 13, 17, 18~ 19, 21 und 25.
Zum Kopieren kann sie aus dem Kopierstrahlengang entfernt werden, was durch die gestrichelten Linien
in der Zeichnung angedeutet ist.
Im Strahlengang zwischen der Maske 4 und der reflektierenden, lichtempfindlichen Scheibe 6 ist eine
Viertelwellenlängenplatte 20 angeordnet, so daß das polarisierte Licht in Wirklichkeit nach einer Verzögerung
um eine viertel Wellenlänge auf der Scheibe 6 auftrifft, wodurch der Polarisierungszustand geändert
wird. Die Platte muß zum Zeitpunkt der Betrachtung eingesetzt werden; sie kann aber auch während des
Kopierens eingesetzt bleiben.
Die beschriebene Vorrichtung arbeitet folgendermaßen:
Das von der Lichtquelle 1 erzeugte Licht wird von der ersten Kondensorlinse 3 durch das Betrachtungsfilter 2 hindurch auf die Lichteintrittsebene des Licht-
mischrohres 15 konzentriert.
Das einfallende Licht wird an der Innenwand des Lichtmischrohres 15 wiederholt total reflektiert, so
daß dessen Lichtaustrittsseite eine sekundäre Lichtquelle mit gleichförmiger Helligkeit bildet. Der Strahlengang
des aus dieser sekundären Lichtquelle kommenden Lichtes wird durch den Spiegel 16 um 90°
abgelenkt und durch die zweite Kondensorlinse 3' konzentriert. Die Lichtstrahlen werden dann vom Polarisator
17 linear polarisiert. Das linear polarisierte Licht wird durch die Kondensorlinse 18 weiter auf
die Betrachtungsstelle 4a auf der Maske 4 konzentriert, was durch den Pfeil 23 angedeutet ist.
Danach wird das Licht durch die Abbildungslinse 5 dem Pfeil 23 entsprechend auf die Betrachtungsstelle
so 6a auf der reflektierenden, lichtempfindlichen Scheibe 6 konzentriert. Da das Licht die Viertelwellenlängenplatte
20 zwischen der Maske 4 und der reflektierenden, lichtempfindlichen Platte 6 passiert
hat, ist die lineare Polarisierung in eine Kreispolarisierung übergegangen. Das an der Scheibe 6 reflektierte,
kreisförmig polarisierte Licht wird beim erneuten Passieren der Abbildungslinse 5 auf die Betrachtungsstelle
auf der Maske 4 konzentriert. Während das kreisförmig polarisierte Licht auf seinem Rückweg
zur Maske 4 durch die Viertelwellenlängenplatte 20 hindurchgeht, geht es in linear polarisiertes Licht über,
dessen Polarisierungsebene senkrecht zur Polarisierungsebene des linear polarisierten Lichtes vor dem
ersten Durchgang durch die Viertelwellenlängen-
platte 20 ist. Dieses erneut linear polarisierte Licht beleuchtet die Rückseite der Maske 4. Über den
Strahlenteiler 12 gelangt dieses Licht in die Betrachtungseinrichtung 13 und wird nach dem Durchgang
durch den drehbaren Analysator 21 im Ausrichtbetrachtungsstrahlengang
dem Okularteil 25 zugeführt. Die Polarisationsebene des in einer Basisdrehlage befindlichen
Analysators 21 kreuzt sich senkrecht mit der des Polarisators 17. Das von der reflektierenden,
lichtempfindlichen Scheibe 6 reflektierte Licht kann den Analysator 21 passieren. Das direkt von der
Oberfläche der Maske 4 reflektierte Licht, das nur vom Polarisator 17 linear polarisiert ist und über den
Strahlenteiler 12 in die Betrachtungseinrichtung gelangt, wird vom Analysator 21 völlig abgeschirmt.
Dadurch ist an der Maskenträgerplatte 4 reflektiertes störendes Licht, das den Kontrast des betrachteten
Bildes verringern würde, abgeschirmt, so daß man ein Bild erhält, mit dem die Ausrichtung einfach
durchführbar ist.
Wenn es sich um eine Metallmaske, beispielsweise aus Chrom, handelt, passiert nur solches Maskenbeleuchtungslicht
den Analysator, welches die Maske durchdringt und beleuchtet, während Licht, das für
die Ausleuchtung reflektiert wird, abgeschirmt ist, so daß ein lichtundurchlässiger Teil der Maske dunkel
und ein transparenter Teil hell aussieht, wie bei einer Emulsionsmaske. Je nach dem Muster auf der
Scheibe 6, die zu der Maske auszurichten ist, gibt es jedoch auch den Fall, daß die Ausrichtung leichter
vorgenommen werden kann, wenn der lichtundurchlässige Teil hell und der transparente Teil dunkel aussieht.
Wenn das Reflexionsvermögen der Metallmaske sehr hoch ist und der Analysator 21 etwas aus
seiner Basisdrehlage gedreht wird, kann in diesem Fall der Kontrast des Maskenmusters umgekehrt werden,
d. h. der lichtundurchlässige Teil wird hell und der durchlässige dunkel, wobei eine Zunahme von der
gläsernen Maskenträgerplatte kommenden störenden Lichtes kaum feststellbar ist.
Bei der beschriebenen Ausführungsform wird für den Polarisator (Analysator) eine linear polarisierende
Platte verwendet. Selbst wenn hierfür jedoch eine kreisförmig polarisierende Platte verwendet wird,
kann störendes Reflexionslicht beseitigt werden, und es wird nur das von der reflektierenden, lichtempfindlichen
Scheibe kommende Reflexionslicht betrachtet, so daß man beim Polarisator (Analysator) nicht auf
eine linear polarisierende Platte begrenzt ist.
Wenn als Lichtquelle eine polarisiertes Licht emittierende
Quelle, beispielsweise ein Laserstrahl, verwendet wird, ist ein Polarisator 17 nicht erforderlich.
Das beschriebene Prinzip ist nicht nur bei einer Betrachtungsvorrichtung
für ein projiziertes Bild anwendbar, sondern auch für eine Betrachtungsvorrichtiing.
die keine Projektionslinse aufweist, also dem Kontaktkopierprinzip entspricht.
Fig. 2 und 3 zeigen eine derartige Ausführung ohne Projektionslinse, wobei sich die Maske 4' und die
lichtempfindliche Scheibe 6' berühren oder mit geringem Abstand voneinander angeordnet sind. Fig. 2
zeigt dabei den Zustand für das Betrachten, Fig. 3 den Zustand für das Kopieren.
Die Anordnung kann in diesem Fall wie die zuvor beschriebene Ausführungsform aufgebaut sein, jedoch
ohne Projketionslinse zwischen der Maske 4' und der reflektierenden, lichtempfindlichen Scheibe 6'. An
Hand von Fig. 2 wird jedoch ein Beispiel für eine Maskenmuster-Kopiervorrichtung nach einem Zweipunkt-Betrachtungsverfahren
erläutert.
Die Vorrichtung umfaßt eine reflektierende, lichtempfindliche Scheibe 6', eine Maske 4' mit einem Muster
sowie eine Viertelwellenlängenplatte 20', die das polarisierte Licht um eine viertel Wellenlänge verzögert
und zwischen der Maske 4' und der lichtempfindlichen Scheibe 6' angeordnet ist. Wird die Viertelwellenlängenplatte
beim Kopieren wie erläutert angeordnet, ist zwischen der Maske und der lichtempfindlichen
Scheibe ein Spalt erforderlich.
Ein Betrachtungsmikroskop weist eine Objektivlinse 30 auf, und es sind eine Betrachtungslichtquelle
ίο 1', eine Betrachtungskondensorlinse 31, ein Polarisator
17', ein Betrachtungsfilter 2', Spiegel 32a, b, c zur Änderung des Strahlenganges, ein halbdurchlässiger
Spiegel 32d und eine Kondensorlinse 18' vorgesehen. Zur Durchführung der Zweipunktbetrachtung ist
jedes dieser Bauteile zweimal vorhanden. Wenn es sich bei dem Licht einer Projektionsüchtqueüe um polarisiertes
Licht handelt, ist der Polarisator 17' nicht erforderlich. Die Vorrichtung umfaßt ein das Lichtfeld
teilendes Prisma 33 sowie ein Paar Sammellinsen 34e und 34b, zwischen denen ein Analysator 36 angeordnet
ist.
Das von der Lichtquelle 1' abgegebene Licht wird durch die Kondensorlichtquelle 31 zu einem nahezu
parallelen Lichtstrom geformt. Das nach Durchlaufen des Betrachtungsfilters 2' und des Polarisators 17' polarisierte
Licht wird vom halbdurchlässigen Spiegel 32d um 90° abgelenkt und durch die Objektivlinse
4'a und 4'b auf der Maske konzentriert. Das durch die Maske 4' hindurchgegangene Licht geht in der
Viertelwellenlängenplatte 20' von linearer zu kreisförmiger Polarisierung oder von kreisförmiger zu linearer
Polarisierung über. Dieses Licht wird dann an der reflektierenden, lichtempfindlichen Scheibe 6' reflektiert
und passiert wieder die Viertelwellenlängenplatte 20'. Dadurch wird beispielsweise das kreisförmig
polarisierte Licht in linear polarisiertes Licht übergeführt, dessen Polarisationsebene senkrecht zur
Polarisationsebene desjenigen linear polarisierten Lichtes verläuft, welches beim ersten Durchgang auf
die Viertelwellenlängenplatte 20' auftrifft. Dieses Licht beleuchtet die Maske 4' von der Rückseite her.
Es wird durch die Linse 30 in paralleles Licht umgewandelt, das den halbdurchlässigen Spiegel 32d und
die Ablenkspiegel 32c, 32b passiert, durch die Kondensorlinse
18' konzentriert und vom Spiegel 32a wieder abgelenkt. Auf Grund des Feldteilprismas 33
können im selben .Sichtfeld sowohl das linke als auch das rechte Lichtstrahlenbündel betrachtet werden.
Dieses Licht gelangt, nachdem es durch die erste Sammellinse 34a zu einem parallelen Lichtstrahl umgeformt
worden ist, nach Passieren des Analysators 36 auf die zweite Sammellinse 34b, so daß durch die
Okularlinse 35 zwei Betrachtungspunkte betrachtet werden können. Wenn sich der Analysator 36 in einer
Grunddrehstellung befindet, verläuft seine Polarisationsebene senkrecht zu der des Polarisators 17'. Dadurch
kann das von der reflektierenden, lichtempfindlichen Scheibe 6' reflektierte Licht den Analysator
passieren, während direkt von der Oberfläche der Maske 4' reflektiertes, nur vom Polarisator 17' polarisiertes
Licht vom Analysator 36 völlig abgeschirmt wird. Dadurch wird störendes Licht, das von der Maskenträgerplatte
4' reflektiert wird und den Kontrast bei der Bildbetrachhing erniedrigen würde, abgedeckt,
so daß man ein Bild erhält, dessen Ausrichtung leicht vorgenommen werden kann. Ein Einpunkt-Betrachtungsverfahren
kann durch Vereinfachung dieser Anordnung realisiert werden.
ti F i g. 3 zeigt den Zustand zum Zeitpunkt des Kopie-
ki rens. in dem die Betrachtungseinrichtung gemäß
ij Fig. 2 aus dem Strahlengang für das Kopieren des
Maskenmusters entfernt ist. Von einer Kopierlichtquelle
40 geliefertes Licht wird über eine Projektionsoptik 41 auf die Maske 4' und die lichtempfindliche
Scheibe 6' projiziert. Wenn man auch unter der Bedingung kopieren möchte, daß sich die Maske 4' und
die lichtempfindliche Scheibe 6' berühren, kann das Kopieren auch durchgeführt werden, wenn beide einen
geringen Abstand voneinander aufweisen, der das Kopieren nicht beeinflußt. Dadurch wird eine Verschlechterung
der lichtempfindlichen Scheibe 6' durch eine Berührung mit der Maske 4' vermieden.
Wenn in der Vorrichtung nach Fig. 2 eine Metailmaske,
beispielsweise eine Chrommaske, verwendet wird, geht nur der Teil des Lichtes für die Maskenbeleuchtung
durch den Analysator hindurch, der die Maske durchdringt und beleuchtet. Das Licht für die
Reflexionsbeleuchtung wird abgeschirmt. Deshalb erscheint der lichtundurchlässige Teil dunkel und der
lichtdurchlässige Teil hell, wie bei einer Emulsionsmaske. Abhängig von den Mustern auf der reflektierenden,
lichtempfindlichen Scheibe, die mit der Maske auszurichten sind, ist es für das Ausrichten einfacher,
wenn der lichtundurchlässige Teil hell und der lichtdurchlässige Teil dunkel aussieht. Wenn die Analysatoren
21,36 durch Drehen der Einrichtungen 21a und 37 aus der Grunddrehstellung etwas verdreht werden,
kann wegen der sehr hohen Reflexion der Metallmaske der Kontrast des Maskenmusters umgekehrt
werden, d. h. der lichtundurchlässige Teil sieht hell und der lichtdurchlässige Teil sieht dunkel aus, wobei
nahezu keine Zunahme an Störlicht von der gläsernen Maskenträgerplatte feststellbar ist.
Bei dem vorstehenden Beispiel wird eine linear polarisierende Platte als Polarisator (Analysator) verwendet.
Jedoch auch bei Verwendung einer kreisförmig polarisierenden Platte als Polarisator (Analysator)
kann störendes Reflexionslicht beseitigt und nur das Reflexionslicht von der reflektierenden, lichtempfindlichen
Platte betrachtet werden. Daher ist man für den Polarisator (Analysator) nicht auf eine linear polarisierende
Platte beschränkt. Wenn eine Lichtquelle verwendet wird, die polarisiertes Licht, beispielsweise
einen Laser-Strahl, aussendet, ist der Polarisator 17 bzw. 17' nicht erforderlich.
Die Erfindung führt zu folgenden Vorteilen:
Da die numerische Apertur der Beleuchtungsanordnung zum Zeitpunkt der Betrachtung gegenüber
derjenigen zum Zeitpunkt des Kopierens erhöht ist, wird das Phasenbild, das durch einen
ungleichmäßig dicken Photoresistüberzug auf dem Wafer erzeugt wird, abgeschwächt, und das
•Bild auf dem Wafer wird klar.
2. Die kritische Ausleuchtung erfolgt auf den Betrachtungspunkt. Das Maskenbild und das Waferbild
werden hell.
3. Da die Kondensorlinse in der Ausrichtbetrachtungseinrichtung in Verschiebungskoppelung
mit der Objektivlinse in der Ausrichtbetrachtungseinrichtung steht, ist das Projektionslicht
selbst bei einer Verschiebung des Betrachtungspunktes immer auf diesen konzentriert. Dies
kann ferner verwirklicht werden, indem nur eine Lichtquelle für die Ausrichtung und für das Kopieren
verwendet wird. Eine besondere Lichtquelle für die Betrachtung, die bei der herkömmlichen
Vorrichtung unerläßlich ist, und ein Lichtleiter, der den Lichtstrom von der Kopierlichtquelle
zur Ausrichtbeobachtungsvorrichtung führt, sind nicht mehr erforderlich.
4. Da das Störlicht, welches direkt von der Maske reflektiert wird, entfernt ist, ist der Kontrast des
Maskenbildes und des Waferbildes verbessert.
5. Da der Analysator frei drehbar ist, kann der Kontrast des Maskenbildes je nach dem Muster
des Wafers verändert oder umgekehrt werden, so daß man ein Bild erhält, das leicht auszurichten
ist.
6. Während bei einer herkömmlichen Projketions kopiervorrichtung eine Entladungspumpe, wk
eine Quecksilberlampe, verwendet wird, die im allgemeinen mit ungleichmäßiger Helligkeitsverteilung abstrahlt, ist mit der hier beschriebenen
Vorrichtung, da ein Lichtmischrohr zum Beseitigen von Helligkeitsungleichförmigkeiten der
Lichtquelle vorgesehen ist, eine effektive Kopierlichtquelle für eine Abbildungslinse geschaffen,
die einer idealen Lichtquelle mit Rundstrahlcharakteristik nahekommt. Gleichzeitig
kann zum Zeitpunkt der Betrachtung die Intensität der Ausleuchtung im Sichtfeld gleichförmig
gemacht werden.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (1)
- Patentanspruch:Beleuchtungs- und Betrachtungseinrichtung einer Vorrichtung zum Aufkopieren eines Zusatzmusters auf eine ein Muster aufweisende, lichtempfindliche Scheibe, zur Herstellung von integrierten Schaltungen, mit einer Lichtquelle für polarisiertes Licht mit einer zwischen der Lichtquelle und der Scheibe angeordneten, gegenüber dem Muster ausrichtbaren Maske für Zusatzmuster, mit einer im Strahlengang zwischen Lichtquelle und Maske zum Oberwachen der relativen Lage von Scheibt und Maske vor dem Kopieren vorgesehenen Betrachtungseinrichtung, in deren Strahlengang ein Polarisationsanalysator angeordnet ist und mit einer im Strahlengang zwischen Lichtquelle und Scheibe angeordneten Viertelwellenlängenplatte zum Ändern der Polarisation, dadurch gekennzeichnet, daß die Viertelwellenlängenplatte (20; 20') im Strahlengang zwischen der Maske (4; 4') und der lichtempfindlichen Scheibe (6; 6') angeordnet ist.
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US3917399A (en) * | 1974-10-02 | 1975-11-04 | Tropel | Catadioptric projection printer |
DE2843282A1 (de) * | 1977-10-05 | 1979-04-12 | Canon Kk | Fotoelektrische erfassungsvorrichtung |
JPS5467443A (en) * | 1977-11-09 | 1979-05-30 | Canon Inc | Observer |
US4422763A (en) * | 1978-12-08 | 1983-12-27 | Rca Corporation | Automatic photomask alignment system for projection printing |
FR2450470A1 (fr) * | 1979-02-27 | 1980-09-26 | Thomson Csf | Systeme optique de projection en photorepetition |
US4573791A (en) * | 1979-04-03 | 1986-03-04 | Optimetrix Corporation | Step-and-repeat projection alignment and exposure system |
US4473293A (en) * | 1979-04-03 | 1984-09-25 | Optimetrix Corporation | Step-and-repeat projection alignment and exposure system |
US4414749A (en) * | 1979-07-02 | 1983-11-15 | Optimetrix Corporation | Alignment and exposure system with an indicium of an axis of motion of the system |
JPS5624504A (en) * | 1979-08-06 | 1981-03-09 | Canon Inc | Photoelectric detector |
JPS56101119A (en) * | 1980-01-17 | 1981-08-13 | Canon Inc | Observing device |
US4597664A (en) * | 1980-02-29 | 1986-07-01 | Optimetrix Corporation | Step-and-repeat projection alignment and exposure system with auxiliary optical unit |
US4452526A (en) * | 1980-02-29 | 1984-06-05 | Optimetrix Corporation | Step-and-repeat projection alignment and exposure system with auxiliary optical unit |
JPS57142612A (en) * | 1981-02-27 | 1982-09-03 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Alignment optical system of projection type exposure device |
US4577958A (en) * | 1982-06-18 | 1986-03-25 | Eaton Optimetrix, Inc. | Bore-sighted step-and-repeat projection alignment and exposure system |
US4577957A (en) * | 1983-01-07 | 1986-03-25 | Eaton-Optimetrix, Inc. | Bore-sighted step-and-repeat projection alignment and exposure system |
US4704027A (en) * | 1986-06-19 | 1987-11-03 | Compact Spindle Bearing Corporation | Dark field alignment and alignment mark systems |
JPH06100723B2 (ja) * | 1988-04-05 | 1994-12-12 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 反射照明装置 |
DE3826317C1 (de) * | 1988-08-03 | 1989-07-06 | Ernst Leitz Wetzlar Gmbh, 6330 Wetzlar, De | |
US5133603A (en) * | 1988-10-18 | 1992-07-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Device for observing alignment marks on a mask and wafer |
JPH02292813A (ja) * | 1989-05-02 | 1990-12-04 | Canon Inc | 自動焦点合せ装置 |
US5042930A (en) * | 1989-10-11 | 1991-08-27 | Luxtec Corporation | Optical system which allows coincident viewing, illuminating and photographing |
US5162941A (en) * | 1991-07-23 | 1992-11-10 | The Board Of Governors Of Wayne State University | Confocal microscope |
US5814820A (en) * | 1996-02-09 | 1998-09-29 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Pump probe cross correlation fluorescence frequency domain microscope and microscopy |
US6657157B1 (en) * | 2000-06-07 | 2003-12-02 | Westar Photonics, Inc. | Method, system and product for producing a reflective mask mirror and for ablating an object using said reflective mask mirror |
US6705507B2 (en) * | 2001-07-24 | 2004-03-16 | Kulicke & Soffa Investments, Inc. | Die attach system and process using cornercube offset tool |
US7523848B2 (en) * | 2001-07-24 | 2009-04-28 | Kulicke And Soffa Industries, Inc. | Method and apparatus for measuring the size of free air balls on a wire bonder |
US7527186B2 (en) * | 2001-07-24 | 2009-05-05 | Kulicke And Soffa Industries, Inc. | Method and apparatus for mapping a position of a capillary tool tip using a prism |
ATE404901T1 (de) * | 2004-10-29 | 2008-08-15 | Swarovski Optik Kg | Strichplatte und deren verwendung für ein zielfernrohr |
US10249262B2 (en) * | 2012-12-04 | 2019-04-02 | Apple Inc. | Displays with adjustable circular polarizers |
Family Cites Families (7)
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---|---|---|---|---|
DE1101955B (de) * | 1959-02-27 | 1961-03-09 | Alos A G | Anordnung zum Ausleuchten einer zu photographierenden Gegen-standsflaeche mit reflektierenden Flaechenteilen |
US3542469A (en) * | 1967-09-30 | 1970-11-24 | Telefunken Patent | Photographic production of semiconductor microstructures |
NL7002828A (de) * | 1969-02-27 | 1970-08-31 | ||
FR2082213A5 (de) * | 1970-03-06 | 1971-12-10 | Delmas Jean Raymond | |
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US3733125A (en) * | 1971-10-15 | 1973-05-15 | Lamson Paragon Ltd | Photo-composing machines |
US3718396A (en) * | 1971-12-28 | 1973-02-27 | Licentia Gmbh | System for photographic production of semiconductor micro structures |
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Date | Code | Title | Description |
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Ipc: G03F 7/20 |
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C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) |