DE2304026C2 - Optische Wellenleitervorrichtung in Dünnschichtausführung - Google Patents
Optische Wellenleitervorrichtung in DünnschichtausführungInfo
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Description
25
Die Erfindung betrifft eine optische Wellenleitervorrichtung in Dünnschichtausführung der im Oberbegriff so
des Anspruches 1 angegebenen Art
Für bereits vorgeschlagene optische Nachrichtenanlagen
ist es wünschenswert integrierte optische Schaltungsanordnungen zur Verfügung zu haben, die
zur Führung und Beeinflussung von informationstragenden Lichtwellen dienen. Dies hat zu umfangreicher
Forschung an optischen Dünnschichtwellenleitern und zugeordneten optischen Vorrichtungen geführt, analog
zu den Rechteckhohlleitern oder Koaxialkabeln und zugeordneten Vorrichtungen für Anlagen niedrigerer
Frequenz. Die anfängliche Arbeit an integrierten optischen Vorrichtungen hat aufgezeigt daß der Erfolg
der vorgeschlagenen optischen Anlage letzten Endes von der Entwicklung von Dünnschichtmaterialien
abhängt, die geeignete optische Übertragungseigenschäften haben und auch geeignet sind für den Aufbau
von Bauelementen, die die Beeinflussung der optisch geführten Wellen umfassen. Bezüglich einer allgemeinen
Beschreibung der integrierten optischen Bauelemente und Beschreibungen von vielen der Formen, die
die optischen Schaltungsvorrichtungen haben können, sei verwiesen auf The Bell System Technical Journal, 48
(1969), 2059.
Frühe Arbeiten zur Entwicklung geeigneter optischer Materialien umfaßten die Verwendung zahlreicher
kristalliner Materialien für Dünnschichten, von denen die bedeutendsten Zinkoxid und Zinksulfid waren.
Untersuchungen haben jedoch gezeigt daß Dünnschichten aus Zinkoxid und Zinksulfid aufgrund der
polykristallinen Struktur dieser Materialien übermäßig hohe Streuverluste für optisch geführte Wellen
aufweisen (vgL US-PS 35 86 872). Anschließende Untersuchungen an Einkristallschichten von Materialien wie
unsubstituiertes oder substituiertes Galliumarsenid, ζ. Β.
Galliumaluminiumarsenid mit wechselnden Al-Anteilen, zeigten eine gewisse Verbesserung bezüglich der
Streuverluste, ergaben jedoch noch unzufriedenstellend hohe Verluste in den Schichten wegen der hohen
Ladungsträgerkonzentration in den Materialien. Darüber hinaus hat der hohe Brechungsindex der
Galliumarsenidmaterialien (ungefähr 3,6) die Anwendung dor Schichten für optische Wellenleiter in
Dünnschichtausführung recht schwierig gemacht Das Anwendungsgebiet einkristalliner, substituierter und
unsubstituierter Galliumarsenidmaterialien blieb daher auf lichtemittierende Dioden und Injektionslaser beschränkt
(vgl. z. B. Hayashi et al. in Journal of Applied Physics,41 [1970], 150).
Aufgabe der Erfindung ist es deshalb, einen optischen Dünnschichtleiter mit niedrigen Streu- und Absorptionsverlusten
bereitzustellen, wobei zugleich die Möglichkeit eröffnet werden soll, die in der Dünnschicht
geführten Lichtwellen gezielt beeinflussen zu können.
Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß mit den kennzeichnenden Merkmalen des Anspruches 1 gelöst.
Die Erfindung basiert auf dem Umstand, daß — wie gefunden wurde — zahlreiche synthetische Granatmaterialien
ideale optische und magnetische Eigenschaften für integrierte optische Schaltungsanordnungen
aufweisen. Einkristalline Sftltene-Erden-Granatdünnschichten,
die auf Granatsubstraten niedergeschlagen sind, bilden ideale optische Leiter für sichtbare und
dem sichtbaren Bereich benachbarte Wellenlängen, und zwar im wesentlichen unter niedrigen Streu- und
Absorptionsverlusten für optisch geführte Wellen.
Betroffene Granatzusammensetzungen entsprechen der allgemeinen Formel
R3M5Oi2,
in der bedeuten
in der bedeuten
R Yttrium, Lanthan, Wismut oder eine Seltene Erde der Ordnungszahl 60 bis 71 oder eine Mischung aus
diesen Seltenen Erden untereinander oder mit Yttrium, Lanthan oder Wismut
M Eisen, Gallium, Aluminium oder Mischungen hiervon und
O Sauerstoff.
Generell werden Dünnschichten auf ähnlichen, jedoch niedriger brechenden Granatsubstraten gezüchtet.
Die Dünnschichten haben eine Dicke, die im Wellenlängenbereich der in ihnen geführten Strahlung
liegt
Die betroffenen Materialien waren bisher lediglich als Ferrimagnetika, insbesondere zur Verwendung bei
Mikrowellen-Dünnschichtschaltungen, bei magneti-
sehen Wandlern, magnetooptischen Vorrichtungen,
Farradayrotatoren und dergleichen bekannt (siehe FR-PS 15 26 482). Es wurde bisher aber nicht erkannt,
daß mit diesen Materialien nachgerade ideale optische Dünnschichtwellenleiter aufgebaut werden können.
Die Verwendung magnetischer, d.h. eisenhaltiger Granatmaterialien in den Dünnschichten führt zu
zahlreichen magnetischen Dünnscliichtbauelementen, die für integrierte optische Schaltungen verwendbar
sind. Die betroffenen eisenhaltigen Granate können entsprechend der oben angegebenen allgemeinen
Formel beschrieben werden durch die Zusammensetzung R3Fe5-,(GaAl)*Oi2 mit χ
< 5.
Beispielsweise läßt sich ein magnetooptischer Dünnschichtschalter-
und Modulator dadurch realisieren, daß eine leitende Dünnschicht aus einer Eisengranatzusammensetzung
mit einem niedergeschlagenen serpentinenförmigen MikroStromkreis versehen wird, durch den ein
elektrischer Strom geschickt wird. Man kann damit z. B.
bei Gleichstromzufuhr ein Umschalten zwischen Lichtwellen, die sich in der Schicht in TE-Polarisationsmoden
ausbreiten, und solchen, die sich in TM-Polarisationsmoden ausbreiten, erreichen. Führt man Wechselstrom zu,
dann kann man das geführte Licht modulieren.
Nachstehend ist die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen und der Zeichnung beschrieben; es zeigt
F i g. 1 eine Schrägansicht eines Ausführungsbeispiels,
Fig.2 die Darstellung des Brechungsindex zahlreicher
Granatzusammensetzungen in Abhängigkeit von deren Gitterkonstanten,
Fig.3 eine Schrägansicht eines magnetooptischen Dünnschichtschalters und -modulators als weiteres
Ausführungsbeispiel,
Fig.4 eine Darstellung der Schichtdicken als
Funktion des Parameters ß/k und
F i g. 5 eine bei den vorliegenden Ausführungsformen verwendbare modifizierte Mikroschaltungsanordnung.
In F i g. 1 ist ein optischer Dünnschichtwellenleiter
gezeigt, der eine niedergeschlagene Schicht U aus transparentem Granatmaterial auf einem Substrat 12
aus ebenfalls transparentem, jedoch niedriger brechendem Granatmaterial aufweist Die Schicht 11 hat eine
Dicke, die im Bereich der Wellenlänge der Strahlung liegt, die in ihr fortgepflanzt werden soll, so daß die
Strahlung effektiv auf diese Abmessung wegen der dielektrischen Diskontinuität an den Begrenzungsflächen
der Schicht, d. h. an der Substrat/Schicht-Grenzfläche und an der Luftraum/Schicht-Grenzfläche, begrenzt
ist Für die vorlegenden Zwecke können die Schichtdikken zwischen 0,1 und 100 Wellenlängen liegen. Man hat
gefunden, daß Dicken zwischen 1 und 10 Wellenlängen gute Ergebnisse hervorbringen. Die Ausbreitung der
Strahlung in den beiden Breitendimensionen der Schicht ist unbeschränkt
Prismenkoppler 13 und 14 koppeln die Strahlung in die Schicht ein und aus dieser aus. Die Strahlung ist im
Regelfall kohärent, liegt im optischen Bereich und kann von jeder geeigneten Quelle, z. B. einem Laser, geliefert
werden. Es kann noch eine Verwendungseinrichtung vorgesehen sein, die die ausgekoppelte Strahlung
aufnimmt; und es können, falls erforderlich, noch Polarisatoren für die ankommende oder abgehende
Strahlung vorgesehen sein (nicht dargestellt).
Die speziell dargestellten Koppelprismen 13 und 14 sind ausführlich beschrieben in Applied Physics Letters,
14 (1969), 291. Es sind auch andere Koppler verfügbar, beispielsweise Gitterkoppler, bei denen spezielle Beugungsgitter
direkt auf der Oberfläche der lichtleitenden Schicht gebildet und strukturell mit dieser integriert
sind. Gitterkoppler sind aufgrund ihrer Volumen- und Massenverringerung für integrierte optische Schaltungsvorrichtungen
bevorzugt, weim Miniaturisierung und Vereinfachung wichtig sind. Ein Gitterkoppler ist in
der Ausführungsform der F i g. 3 gezeigt
Die Grundarten der vorliegend verwendbaren Granatmaterialien wurden bereits 1956 beschrieben (siehe
Compte-Rendus 42 [1956], 382). Die bekannteste
Granatzusammensetzung ist der Yttriumeisengranat (YEG). Er hat die Zusammensetzung Y3Fe5Oi2 und ist
ferromagnetisch. Aufgrund ihrer magnetischen Eigenschaften waren die Eisengranatmaterialien in jüngster
Zeit Gegenstand umfangreicher theoretischer und experimenteller Arbeiten, insbesondere in Verbindung
mit den sogenannten Magnetblasenbauelementen (siehe z. B. Appl. Phys. Lett 18 [1971], 89). Als Ergebnis dieser
Arbeiten versteht man die Züchtungseigenheiten zahlreicher Granatarten nunmehr recht gut Außerdem
gibt es etliche Methoden zum Züchten sowohl magnetischer als auch unmagnetischer Granatkristalle
in guten Abmessungen und hervorragender Einkristallqualität
Es wurde gefunden, daß massive einkristalline Seltene-Erden-Gallium-Granate und Seltene-Erde-AIuminiumgranatc
der betroffenen Zusammensetzung im gesamten optischen Wellenlängenbereich praktisch
vollkommen durchsichtig sind und für optisch geführte Wellen vernachlässigbare Verluste (Streuung und
Absorption) zeigen. Diese unmagnetischen Granate sind deshalb zur Verwendung in Bauelementen der in
F i g. 1 dargestellten Art höchst geeignet. Es wurde gefunden, daß geeignet gezüchtete Seitene-Erden-Eisengranate
optische Verluste in der Größenordnung von 0,1 dB/cm für geführte Wellen in einem Wellenlängenbereich
zwischen 1,2 und 5,0 Mikrometer aufweisen und auch das zusätzliche Merkmal nützlicher magnetischer
Eigenschaften aufweisen. Diese Dämpfungswerte von Eisengranatschichten heben sich von den großen
Verlusten von bis zu 60 dB/cm in vergleichbaren Zinkoxidschichten und 10 dB/cm in vergleichbaren
Galliumarsenidschichten bei vergleichbaren Wellenlängen vorteilhaft ab.
Generell gilt, daß der Brechungsindex der Schicht 11
größer als der des Substrats 12 sein muß. Bei einer Laser-Wellenlänge von 1,52 Mikrometern beispielsweise
haben alle Seltene-Erden-Eisengranatmaterialien einen Brechungsindex von 2,22 ±0,02 und der Brechungsindex
von Seltene-Erden-Gallium- und -Aluminiumgranaten liegt etwa bei 1,94 ±0,02 bzw. 1,82 ±0,02.
Die Substitution der Seltene-Erden-Ionen in den Granatzusammensetzungen durch andere Seltene-Erden-Ionen
hat typischerweise keine Auswirkung auf den Brechungsindex des Materials, ist jedoch für andere,
nachstehend beschriebene Zwecke nützlich. Beispiele für die Ausführungsform nach F i g. 1 sind Eisengranatschichten
auf Gallium- oder Aluminiumgränatsubstraten sowie Galliumgranatschichten auf Aluminiumgranatsubstraten.
Der Brechungsindex der Schicht und/oder des Substrats kann stufenlos verändert werden durch
entsprechendes teilweises Ersetzen der Seltene-Erden-, Eisen-, Gallium- oder Aluminiumionen durch andere
Ionen, die den Brechungsindex des Materials ändern. Beispielsweise haben Granate der Formel RsSc2Al3Oi2
ejien Brechungsindex von 1,87 ±0,02, der größer als der
reiner Aluminiumgranate ist. Die Flexibilität, die für die Verwendung der betroffenen Granatzusammensetzungen
bei Dünnschichtlichtleitern vorhanden ist, ist
offensichtlich.
Obwohl verschiedene Methoden zur Erzeugung größerer Granatschichten hoher Vollkommenheit verfügbar sind, sind Epitaxieverfahren, speziell Flüssigphasenepitaxie-Verfahren (LPE-Verfahren) bevorzugt.
Hierbei wird ein mechanisch poliertes und chemisch geätztes Einkristallgranatsubstrat in eine Schmelze
getaucht, die sich auf einer Temperatur unterhalb 10000C befindet und eine Lösung Seltene-Erden-Oxide
und Eisen-, Gallium- oder Aluminiumoxiden in einem Flußmittel aus etwa 98% PbO und 2% B2O3 enthält. Die
Substratkristalle werden gewöhnlich aus einer meist stöchiometrischen, großvolumigen Schmelze im Czochralski-Verfahren gezüchtet. Vergleiche zu alledem
Applied Physics Letters, Band !9, Seiten 486-488,
Da die Substratoberfläche sehr sorgfältig sowohl mechanisch als auch chemisch poliert ist, ist die
Substrat/Schicht-Grenzfläche glatt und es ergibt sich im LPE-Tauchverfahren auf der Substrat-Oberfläche ein
gleichförmiger Niederschlag, der eine glatte, homogene und gleichmäßig dicke Epitaxieschicht bildet. Es kann
eine reproduzierbare Schichtdicke einfach dadurch erhalten werden, daß die Dauer des Züchtungsprozesses
gesteuert wird.
Bei Epitaxieverfahren ist es notwendig, die Gitterkonstanten von Schicht und Substrat etwa auf 0,001 bis
0,002 nm anzugleichen, um Schichten mit guten optischen Eigenschaften zu erhalten. Dieses ist aus zwei
Gründen für Granatmaterialien relativ einfach. Erstens kristallisiert das Granatmaterial grundsätzlich kubisch,
so daß nur ein Gitterparameter anzugleichen ist. Zweitens weisen die Granate mit verschiedenen
Seltene-Erden-Ionen einen weiten Bereich von Gitterkonstanten auf. Tatsächlich kann durch teilweises oder
vollständiges Ersetzen des Seltene-Erden-Ions in der
Granatzusammensetzung der Schicht oder des Substrats durch andere Seltene-Erden-Ionen die Gitterkonstante für die Materialien in einem bestimmten Bereich
kontinuierlich geändert werden. Bekanntlich nimmt die Größe, d. h. der Ionenradius, des Seltene-Erden-Ions mit
zunehmender Ordnungszahl ab. Außerdem ist die Zunahme der Gitterkonstanten des Granatmaterials im
wesentlichen direkt proportional zur Vergrößerung des lonenradius des Seltene-Erden-Ions. Die Granatgitterkonstanten nehmen deshalb mit zunehmender Ordnungszahl des Seltene-Erden-Ions ab.
Um einige der oben beschriebenen Eigenschaften der betroffenen Granatmaterialien zusammenzufassen, sind
in Fig.2 die Brechungsindizes verschiedener Seltene-Erden-Zusammensetzungen bezüglich der Laserwellenlänge von 132 Mikrometer als Funktion der Gitterkonstante in angenäherter Weise dargestellt Diese
Darstellung ist bei der Auswahl geeigneter Granatzusammensetzungen für Dünnschichtwellenleiter der in
F i g. 1 dargestellten Art hilfreich.
Es sei darauf hingewiesen, daß in Fig.2 die
Seltene-Erden-Eisengranate, die Seltene-Erden-Galliumgranate und die Seltene-Erden-Aluminiumgranate
drei unterschiedliche horizontale Linien im Diagramm besitzen, die den konstanten Brechungsindex der
Materialien darstellen, wenn das Seltene-Erden-Ion in
der Zusammensetzung ausgetauscht wird. Beginnt man mit einer Zusammensetzung, die das Seltene-Erden-Ion
Lutetium (Lu, Ordnungszahl = 71) enthält, auf der
äußersten linken Seite einer jeden linie, so nimmt die Gitterkonstante der Granatmaterialien zu, bis die das
Seltene-Erden-Ion Neodym (Nd, Ordnungszahl = 60)
enthaltende Zusammensetzung auf der äußersten
rechten Seite einer jeden Linie erreicht ist. Zusammensetzungen, die das Yttrium-Ion (Y) enthalten, sind in
dem Diagramm ebenfalls aufgeführt.
Um eine Gitteranpassung zwischen Schicht und >
Substrat zu erhalten und somit die Bedingung für epitaktische Züchtung zu erfüllen, braucht man für die
Schicht und das Substrat lediglich Granatzusammensetzungen zu wählen, die auf derselben vertikalen Linie des
Diagramms liegen. Um auch das Erfordernis der
ίο optischen Leitung dadurch sicherzustellen, daß der
Brechungsindex der Schicht größer als der des Substrats ist, braucht man die Auswahl lediglich so zu treffen, daß
ein Schichtmaterial genommen wird, das im Diagramm vertikal über dem Substratmaterial liegt. Wo eine
ausgewählte vertikale Linie zwischen zwei Seltene-Erden-Ionen fällt, gibt der relative Abstand vom
Schnittpunkt dieser vertikalen Linie mit den horizontalen Granatlinien das Verhältnis der beiden in der
Zusammensetzung erforderlichen Ionen an. Beispiels
weise wären die folgenden Zusammensetzungen ver
wendbar:
Schicht
Substrat
Y3Fe5O12
Y3Ga5O12
Gd23Tb0-7Fe5Oi2
Gd3Ga5O12
Nd3Al5O12
Sm12Nd18Ga5Oi2
Eine Wahl der teilweise substituierten Granate wie R3SC2AI3O12 zwischen den drei horizontalen Linien der
Darstellung ist bei detaillierteren Darstellungen ebenfalls möglich.
Um die optischen Eigenschaften von Granatschichten zu demonstrieren, wurden einige Ausführungsformen
der in F i g. 1 dargestellten Art unter Verwendung verschiedener Granatzusammensetzungen gezüchtet,
hergestellt und getestet Speziell eines der Experimente
umfaßte die Verwendung einer Eu3Ga5Oi2-Schicht auf
einem Gd3Sc2Al3Oi2-Substrat Die Gitterkonstante von
Eu3GasOi2 beträgt 12 400 nm und ist ziemlich genau der
von Gd3Sc2Al3Oi2 angepaßt, die 12 395 nm beträgt Die
Schicht wurde 2,4 μΐη dick nach dem oben beschriebe
nen Epitaxie verfahren auf einem polierten Substrat von
etwa 2 cm Länge gezüchtet Die Schicht wurde als transparent glatt gleichförmig in Zusammensetzung
und Dicke und frei von Nadellöchern befunden. Es wurde ein He-Ne-Laserstrahlenbündel einer Wellen
länge von 0,6328 μπι mit Hilfe eines Rutil-Prismenkopp-
lers in ein Ende der Schicht eingespeist Fotografien
zeigten, daß das Üchtstrahienbündei durch die gesamte Schicht hindurchgeht und dann am entgegengesetzten
Ende wieder in den Luftraum eintritt wobei es an
diesem Punkt einen hellen Fleck zurückläßt Gleichartige Fotografien für polykristalline oder amorphe
Schichten zeigen immer eine große Anzahl wahllos verteilter heller Flecken in der Nachbarschaft des
Ausbreitungsweges des Strahlenbündels in der Schicht
handensein dieser Flecken die überlegene optische
Weise.
fortpflanzende TE-Polarisationsmoden bei Laserwellenlängen von 0,4880, 03145, 0,6328 bzw. 1,064 um in der
Schicht beobachtet Aufgrund der gemessenen Synchronwinkel wurden die Brechungsindizes der Schicht
bei den obigen Laserwellenlängen als 1,9903, 1,9824, 1,9667 bzw. 1,9408 bestimmt. Die entsprechenden
Brechungsindizes des Substrats wurden als 1,9295, 1,9208,1,9098 bzw. 1,8915 bestimmt. Praktisch identische
Indizes wurden in der Schicht für die TM-Polarisations- "> moden beobachtet. (Der Synchron winkel ist definiert als
jener Einfallswinkel gegen die Normale der auf der Schicht in geringem Abstand angeordneten Fläche eines
Kopplungs-Prismas, unter welchem eine Anregung eines bestimmten Modes im Wellenleiter erfolgt und i<
> damit eine Kopplung zwischen Prisma und Schicht gegeben ist. Vergleiche Journal of the Optical Society of
America, Oktober 1970,Seiten 1325-1337.)
Die optischen Verluste in der Schicht wurden experimentell als etwa 5 dB/cm bestimmt und waren π
meist insgesamt Absorptionsverluste: die Verluste konnten wesentlich durch Eliminieren von Verunreinigungsionen
im Kristall reduziert werden.
Die ebenfalls verwendbaren reinen Eisengranatmaterialien sind ferrimagnetisch, weil das magnetische 2»
Moment der Eisen(IIl)ionen an den oktaedrischen Gitterplätzen der Granatkristallstruktur dem der Ionen
an den tetraedrischen Gitterplätzen entgegengerichtet ist. Da jede Granatformeleinheit zwei oktaedrische und
drei tetraedrische Eisen(lll)ionen umfaßt, ist das 2·>
resultierende Magnetmoment einem Eisen(III)ion pro Einheit gleich. Durch Ersetzen der Eisen(IH)ionen an
einem der Gitterplätze durch nichtmagnetische Ionen wird das magnetische Moment an diesem Platz
reduziert. Bei teilweisem Ersetzen der Eisen(lll)ionen in v>
einer Y3GaVFe5- *Οι 2-Zusammensetzung durch Galliumionen
wird die Zahl der Eisen(III)ionen an tetraedrischen Plätzen reduziert, wohingegen die an oktaedrischen
Plätzen relativ unbeeinflußt bleibt. Folglich kann durch Erhöhen des Wertes von χ im Eisen-Gallium-System
die Rotationdispersion der Zusammensetzung von positiv bis negativ gemacht werden. Es können deshalb
Granatmaterialien so hergestellt werden, daß sie eine relativ große Faraday-Drehung, aber ein geringes
resultierendes Magnetmoment oder Magnetisierung aufweisen. [Beispielsweise wird dadurch, daß man in
Y3Fe5Oi2 25% der tetraedrischen Eisen(III)ionen durch
Gallium ersetzt, die Sättigungsmagnetisierung von 0,177OT (1770Gauss) (Y3Fe5Oi2) auf 0,027OT (270
Gauss) reduziert, wohingegen die Faraday-Drehung « von 172°/cm (Y3Fe5Oi2) auf 112°/cm reduziert wird]
Diese Eigenschaften sind für die optischen Dünnschichtschalter und Modulationsvorrichtungen nach Fig.3
wichtig. Generell hängt der Modulationsgrad in den Vorrichtungen von der Faraday-Drehung ab, und die
Magnetisierung bestimmt die zum Schalten oder Modulieren erforderliche HF-Leistung.
Fig.3 zeigt einen magnetooptischen Dünnschichtschalter
und -modulator, der für hochwertigere Vorrichtungen in der integrierten Optik als wichtiger
Baustein dient Die Vorrichtung der F i g. 3 umfaßt eine
transparente magnetische Granatdünnschicht 31, die aus reinem Eisengranat oder, was vorzuziehen ist, aus
einem galliumkompensierten Eisengranatmaterial be steht und auf einem niedriger brechenden Granatsubstrat 32 niedergeschlagen ist Zur Ein- und Auskopplung
eines Laserstrahlenbündels in die Schicht 31 und aus dieser sind Gitterkoppler 33 und 34 vorgesehen. Ein
serpentinenförmiger Mikrostromkreis 35 ist auf der
Oberseite der Schicht 31 niedergeschlagen und mit einer Schaltstromquelle verbunden. Zwischen den Kopplern
33 und 34 kann sich das Licht in der Schicht entweder als TE-Polarisationsweüe oder als TM-Polarisationswelle
ausbreiten. Es ist ein Analysator 36 nachgeschallet, um das durch den Koppler 34 aus der Schicht ausgekoppelte
Lichtstrahlenbündel aufzunehmen und um entweder den T M-Mode oder den TE-Mode herauszugreifen.
Wenn ein Strom in den Stromkreis 35 eingespeist wird, sind die durch je zwei benachbarte Drähte in der
Schaltung geführten Ströme einander entgegengerichtet, so daß sie in ihrer Nachbarschaft längs der
Ausbreitungsrichtung des Lichtes in der Schicht ein räumlich alternierendes Magnetisierungsfeld erzeugen.
Die Magnetisierung in der Granatschicht 11 nimmt dann
eine entsprechend räumlich alternierende Bereichsstruktur an. Bei geeigneter Auswahl der Periodenlänge
der Schaltung 35 wird eine Eingangs-TE-Welle innerhalb einer kritischen Länge der Schicht kontinuierlich in
eine TM-Welle umgewandelt. Andererseits kann eine Eingangs-TM-Welle kontinuierlich in eine TE-WeIIe
umgewandelt werden. Wenn der Strom in der Schaltung 35 ausgeschaltet ist, bilden sich die Bereiche in der
Schicht 31 in ihr ursprüngliches Muster zurück, und die sonst resultierende magnetooptische Wirkung ist
beseitigt. Läßt man das aus der Schicht 31 ausgekoppelte Laserstrahlenbündel durch den Analysator 36
hindurchlaufen, dann arbeitet die Vorrichtung als optischer Schalter. Gleichermaßen wird durch Anlegen
eines Mikrowellenmodulationsstromes an die Schaltung 35 das durch den Analysator 36 hindurchtretende Licht
moduliert.
Die für die Schicht 31 der Fig. 3 verwendbaren Eisengranatmaterialien können so gezüchtet werden,
daß ihre Vorzugsmagnetisierungsachse entweder parallel oder normal zur Schichtebene verläuft. Während der
Züchtung der Schicht kann eine magnetische Anisotropie dadurch eingeführt werden, daß zwischen der
magnetischen Granatschicht und dem Granatsubstrat eine leichte Fehlanpassung bezüglich der Gitterkonstanten
und ein Unterschied in den thermischen Ausdehnungskoeffizienten besteht. Wenn der normale
magnetostriktive Koeffizient des Granatmaterials positiv ist, neigt darüber hinaus eine auf die Schicht
ausgeübte Zugspannung dazu, die Vorzugsmagnetisierungsachse zur Schicht parallel zu machen. Desgleichen
hilft die Zugspannung die Vorzugsmagnetisierungsachse zur Schicht senkrecht zu machen, wenn der
magnetostriktive Koeffizient in Normalenrichtung negativ ist
Um die Arbeitsweise der Ausführungsform nach F i g. 3 ausführlicher zu erklären, seien zwei getrennte
Fälle betrachtet Im ersten Fall verlaufe die Vorzugsmagnetisierungsachse
in der Eisengranatschicht 31 parallel zur Schichtebene und der an die Schaltung 35
angelegte Strom sucht die Schicht in der Ausbreitungsrichtung des Lichtstrahienbündeis zu magnetisieren, im
zweiten Fall verlaufe die Vorzugsmagnetisierungsachse senkrecht zur Schicht und der angelegte Strom sucht die
Schicht senkrecht zur Ausbreitungsrichtung des Lichtstrahlenbündels zu magnetisieren.
In beiden Fällen sei das in Fig.3 dargestellte
Koordinatensystem benutzt In einem solchen Koordinatensystem weist eine TE-Welle lediglich die Feldkomponenten Ey, Hz und Hx auf, wohingegen eine
TM-Welle lediglich die Feldkomponenten Hy, Ez und
Ex enthält Es sei angenommen, daß das Lichtstrahlenbündel in y-Richtung unendlich breit ist, so daß eine
eindimensionale Näherung (d/dy) = 0 eingeführt werden kann. Die Indizes 0,1 und 2 werden für das Substrat
die Schicht bzw. den oberhalb der Schicht befindlichen Luftraum verwendet, (0), (1), (2),...(n) für die Ordnun-
230 222/136
gen der Wellenleitermoden. A (x) und B(x) sind die Amplituden der TE- bzw. TM-Wellen, und sie variieren
aufgrund des magnetooptischen Effekts etwas bezüglich x. Falls erforderlich, wird ein Index F für die TE-Wellen
und ein Index Mfür die TM-Wellen zugefügt.
μ und ε seien die magnetische und die dielektrische
Permeabilität im freien Raum. Dann beträgt die Phasenkonstante im freien Raum k = ω (με)"2, wobei ω
die Winkelfrequenz des Lasers ist. Es erleichtert die Sache, an der oberen und unteren Oberfläche der
Schicht Z=W und Z=O zu setzen. Die Felder der normalen Moden in einem Dünnschichtwellenleiter
können nun folgendermaßen geschrieben werden:
Für einen TE-Mode /n-ter Ordnung
Ηκ = (-ίωμΓίά/άΖ(Ε,)
Η:=(ίωμΓ
mit
und
Φ|ϋ(™|£ = P{m)E<b{m)E
ίο
Gleichermaßen für einen TM-Mode /w-ter Ordnung
mit
Pim)M2 =ß{
(10)
{m\M-
tan Φ|0(Β,,Αί = (n^n0Yp{nuSllb{m
(12)
Bei der Ableitung der obigen Ausdrücke für die normalen Moden wurden magnetische Linear- und
Drehdoppelbrechung in der Schicht vernachlässigt und folglich hat die Schicht einen Brechungsindex m und das
Substrat einen Brechungsindex no. Insofern wurden alle
Materialien als optisch isotrop betrachtet.
Für den ersten Fall verläuft die Magnetisierung in der Schicht in x-Richtung. Um die Drehdoppelbrechung der
Schicht einzuschließen, wird ein dielektrischer Tensor eingeführt, der die elektrische Verschiebung mit dem
elektrischen Feld in den Maxwell-Gleichungen verbindet gemäß dem folgenden:
D-. | = ε | η] -/(50 | ■ | E._ |
Dy | iön]Q | Ey | ||
Dx | 0On? | Ex | ||
(13)
wobei δ in die Faraday-Drehung, θ umgewandelt werden kann, und zwar durch
Θ = ]- kö/n,
(14)
Setzt man Gleichung (13) in die Maxwell-Gleichungen ein und verwendet man die Bedingung d/dv =■ 0, so ergibt
sich, daß die Komponente Ey der TE-Welle mit der Komponente E- der TM-Welle gekoppelt werden kann.
Nach einigem Rechenaufwand ergibt sich
^ F{m){mß(m)(x)exp[i(ßim)M-ßw)E)x]
(15)
und
An·)»—
-T J (16)
Dabei ist
I r,'KJm\ ***-f j
(17)
^Z^Z
J E*im)dZ / Elm)a
J E*im)dZ / Elm)a
Il
der Füllfaktor, der angibt, daß die Kopplung zwischen den TE(m)- und TM^y-Moden von deren relativen
Feldverteilungen in Z-Richtung abhängt. Es ist unmittelbar aus den Gleichungen (15) und (16) ersichtlich, daß
die Kopplung nur für ß(m)E = ß(m)M wirksam ist. Dies ■-,
sind die Phasenkonstanten der oben betrachteten TE(OT/r
bzw. TMf1n/-Wellen. Außer für eine sehr kleine Linear-
und Rotationsdispersion sind die Granatmaterialien grundsätzlich von kubischem Aufbau und ß(m)E kann
nicht gleich ß(m)M gemacht werden. Dies ist aus Fig.4
der Zeichnung ersichtlich. Dort zeigt die Darstellung der Filmdicke als Funktion von ßlk für ein Materialbeispiel
wie Y3FesOi2 zwei verschiedene Kurven für sich in
der Schicht ausbreitende TE(o)- und TM(o)-Wellen. Die
Wellen breiten sich in der Schicht mit verschiedenen i-,
Wellengeschwindigkeiten aus, da die Felder an den beiden Hauptschichtflächen für eine Anpassung der
Randbedingungen notwendigerweise Ey und Hx im Fall
der TE-WeIIe bzw. Hy und Ex im Fall der TM-Welle sind.
Eine versuchte Umwandlung der TE-WeIIe in eine χ
TM-Welle wird gering sein, da die umgewandelte TM-Welle eine Phase hat, die nicht übereinstimmt mit
der der TE-Welle, aus der sie erzeugt ist. Deshalb
An, = /l(0)cos fi ißt„nM/ßtm)F){k60/n,)Fu„)<m)x~\
in ΓΙ (Ä™WJW
funktioniert die betrachtete Vorrichtung nicht, es sei denn, es wird eine serpentinenartige magnetisierende
Schaltung wie die Schaltung 35 vorgesehen.
Die Periode der Schaltung 35 ist so gewählt, daß <5 im
dielektrischen Tensor der Gleichung (13) folgende Form annimmt:
δ = ö0cos (ßim]E-ßu,ÜM)z
(18)
Eine solche Schaltung zwingt die Magnetisierung in die Ebene der magnetischen Schicht und erzeugt somit
eine Faraday-Drehung in der Schicht, die in x-Richtung
mit einer Phase variiert, die gleich der Phasendifferenz zwischen den TE- und TM-Wellen ist, wie in Gleichung
(18) gezeigt ist. Diese neu eingeführte und zur Phase der
konvertierten TM-Welle zugefügte Phase ergibt eine resultierende Phase, die mit der der TE-Welle
übereinstimmt. Dies ermöglicht eine vollständige und wirksame Modenumwandlung in der Schicht.
Setzt man die Gleichung (18) in die Gleichungen (15) und (16) und verwendet man geeignete Ausgangsbedingungen,
so ergibt sich
(19)
(20)
Es ist somit zu sehen, daß eine TE(„„-Welle vollständig in eine TM,m.,-WsIle umgewandelt wird in einem kritischen
Abstand in der Schicht von folgender Form:
= 2(ßtm)E/ßim.nl)(ni/ko0)(Fi„l]t,„)y
(21)
Im zweiten Fall verläuft die Schichtmagnetisierung normal zur Schicht in der z-Richtung, und der dielektrische
Tensor verknüpft die Beziehung
(22)
A | = £ | iön]0 | • | Ex |
A | 0On? | Ey | ||
A | E-. | |||
In diesem Fall koppelt der magnetooptische Effekt das .ZyFeId der TE-Welle mit dem Ex-FeId der TM-Welle.
Nach einer Berechnung, die der für den ersten Fall gleich ist, ergibt sich die kritische Länge für eine vollständige
Umwandlung einer TE-Welle in eine TM-Welle zu
Als spezielles Beispiel der Ausführungsart der F i g. 3
sei eine Y3Fe5OirSchicht mit einer Dicke von 1,5 μπι
auf einem Gd3GasOi2-Substrat betrachtet Die Vorzugsmagnetisierungsachse
liege in der Schichtebene, so daß die Berechnungen für den ersten Fall anwendbar sind.
Bei einer Laserwellenlänge von 1,52 umsind Ji2 = 1,000,
πι = 2,1400 und D0 = 1,9400. Die Grundmoden sowohl
der TE- als auch der TM-Wellen seien so betrachtet, daß
m — m' = 0 und ./χοχο) « 1 ist Um die in diesem
Beispiel erforderliche Periode der Serpentinenschaltung zu ermitteln, wird die Darstellung der Schichtdicke
als eine Funktion von ß/k für das Schichtmaterial
sowohl für die TE<o)- als auch die TMp»-Wellen, wie sie in
Fig.4 gezeigt sind, verwendet Für eine Schichtdicke
von 1,5 μπι ergibt sich aus F i g. 4
(ßmE-ßm*dfk = A{ßik) = 0,006.
Die Periode des Mikrostromkreises ist somit gegeben
durch
T="
(24)
Für dieses Beispiel ist λ = 132 um und T= 254 um.
Bei der Y3Fe5OirSchicht beträgt die Faraday-Drehung
θ = l,72°/cm. Man kann zeigen, daß für eine vollständige
Umwandlung der TE-Welle in eine TM-Welle eine
kritische Länge /von etwa 5 mm erforderlich ist.
Zahlreiche Variai.jnen und Modifikationen der
beschriebenen Ausfühmngsformen sind möglich. Zum Beispiel: da ein metallischer Mikrostromkreis der in
Fig. 3 dargestellten, direkt auf der Eisengranatschicht
gebildeten Art zusätzliche Verluste für die hierin sich fortpflanzende Lichtwelle ergeben kann, kann die
Schicht mit einer weiteren, niedriger brechenden Schicht beschichtet und erst darauf der Stromkreis
hergestellt werden. Andererseits kann der Stromkreis auf einem gesonderten Glassubstrat niedergeschlagen
werden, das dann über der Eisengranatschicht angeord net wird, wobei ein gleichförmiger Luftspalt von einigen
Mikrometern verbleibt Es kann auch möglich sein, einen zweiten serpentinenförmigen Stromkreis mit
einer etwas unterschiedlichen Periode über der in F i g. 3 gezeigten Schaltung 35 anzuordnen. Wenn kein Strom
in der Schaltung 35 ist, kann er in die zweite Schaltung gebracht werden. Die Schaltaktion umfaßt dann
lediglich kleine Verschiebungen der Bereichswände in der Schicht, so daß das zur Erzeugung dieser
Bewegungen erforderliche Magnelisierungsfeld minimisierl werden kann.
Des weiteren ist es für eine Modulation des Lichtes in der Ausführungsform nach Fig.3 wünschenswert,
Mikroschaltungen der in F i g. 5 der Zeichnung gezeigten Art zu verwenden. Bei einer parallel zur
Schichtebene liegenden Vorzugsmagnetisierungsachse bewirkt hier ein Gleichstrom, der in die gestrichelt
gezeichnete Schaltung 57 eingespeist wird, eine Magnetisierung der Schicht in einer der parallel zur
Schicht verlaufenden Vorzugsmagnetisierungsrichtung. Dann bewirkt ein in die durchgezogen dargestellte
Schaltung 55 eingespeister Mikrowellenstrom eine Verschwenkung der Magnetisierung in eine andere
Vorzugsmagnetisierungsrichtung, die parallel zur Richtung der Lichtwellenausbreitung verläuft und eine
magnetooptische Kopplung erzeugt, die mit der angelegten Mikrowellenfrequenz variiert
Entsprechend einer weiteren Abwandlung der beschriebenen Ausführungsarten kann es möglich sein, in
der Granatschicht eine Verstärkung zu erhalten, während das 1 Jchtstrahlenbündel sich hierin ausbreitet
Es sind bereits in YsFesO^-Materialien, die mit
Holmium-Ionen dotiert waren und mittels einer Wolframlampe angeregt wurden, Laserschwingungen
bei 2,09 Mikrometer beobachtet worden. Es wurde gezeigt, daß der Laserwirkungsgrad weiter verbessert
werden kann, wenn man Erbium- und Thulium-Ionen hinzufügt. Beispielsweise dient eine mit 5% Er+3, 5%
Tm+3 und 2% Ho+3 dotierte Y3Fe5Oi2-Schicht im
magnetooptisch ·ΐη Schalter der Fig.3 sowohl zum
Schalten oder Modulieren des Lichtes als auch zur Erzeugung einer Lichtverstärkung Verstärkung in dem
Medium.
Blatt Zeichnungen
Claims (4)
1. Optische Wellenleitervorrichtung in Dünnschichtausführung, mit einem ersten Körper aus
optisch transparentem Material, der als Substrat für
einen zweiten Körper aus optisch transparentem Material dient, wobei der zweite Körper einen
höheren Brechungsindex als der erste Körper besitzt, zwei glatte Hauptflächen aufweist, die
voneinander einen Abstand in der Größenordnung der Wellenlänge der hierin geführten Strahlung
haben, und mit einer der beiden Hauptflächen eine Grenzfläche zum ersten Körper bildet, dadurch
gekennzeichnet, daß die beiden Körper (12, 32 und U, 31) je aufgebaut sind aus einkristallinem
Material mit Granatstruktur der allgemeinen Zusammensetzung
R3M5O12,
worin bedeuten
worin bedeuten
R wenigstens eines der Elemente Yttrium, Lanthan, Wismut, Seltene Erden der Ordnungszahl
von 60 bis 71,
M wenigstens eines der Elemente Eisen, Gallium, Aluminium und
O Sauerstoff.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das einkristalline Material des zweiten
Körpers eine eisenhaltige, ferrimagnetische Granatzusammensetzung (RsFe5-^Ga, AI)»Oi2 mit χ
< 5) ist
3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß auf einer der Hauptflächen des zweiten
Körpers ein serpentinenförmiger Mikrostromkreis (35) liegt, der bei Beaufschlagung mit Strom
ausreichender Stärke eine räumlich periodische Änderung der Magnetisierung des Körpers in
Ausbreitungsrichtung der geführten Strahlung erzeugt.
4. Vorrichtung nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß das ferrimagnetische Material
ein mit Ionen dotiertes laseraktives Material ist
45
20
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US22277972A | 1972-02-02 | 1972-02-02 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2304026A1 DE2304026A1 (de) | 1973-08-09 |
DE2304026C2 true DE2304026C2 (de) | 1982-06-03 |
Family
ID=22833643
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2304026A Expired DE2304026C2 (de) | 1972-02-02 | 1973-01-27 | Optische Wellenleitervorrichtung in Dünnschichtausführung |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3764195A (de) |
JP (1) | JPS6011327B2 (de) |
AU (1) | AU464213B2 (de) |
BE (1) | BE794853A (de) |
CA (1) | CA968203A (de) |
DE (1) | DE2304026C2 (de) |
FR (1) | FR2170141B1 (de) |
GB (1) | GB1415755A (de) |
IT (1) | IT974465B (de) |
NL (1) | NL7301311A (de) |
SE (1) | SE389563B (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3431605A1 (de) * | 1983-08-29 | 1985-03-07 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Optische anlage zur wellenfuehrung |
Families Citing this family (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3957343A (en) * | 1972-11-24 | 1976-05-18 | The Post Office | Optical communications systems |
US3810688A (en) * | 1973-05-21 | 1974-05-14 | A Ballman | Optical waveguiding devices using monocrystalline materials of the sillenite family of bismuth oxides |
US3870397A (en) * | 1973-11-13 | 1975-03-11 | Bell Telephone Labor Inc | Thin film magneto-optic switch |
US4153328A (en) * | 1974-05-13 | 1979-05-08 | The Regents Of The University Of California | Polarization converter and circuit elements for use in optical waveguides |
US4220395A (en) * | 1974-05-13 | 1980-09-02 | Regents Of University Of California | Polarization converter and circuit elements for use in optical waveguides |
FR2281585A1 (fr) * | 1974-08-09 | 1976-03-05 | Thomson Csf | Dispositif de conversion du mode de propagation de l'energie rayonnee utilisant des effets magneto-optiques et son application aux jonctions non reciproques |
JPS5156245A (en) * | 1974-11-12 | 1976-05-17 | Sumitomo Electric Industries | Kotaikodoharono seizohoho |
US4082424A (en) * | 1976-07-28 | 1978-04-04 | Sperry Rand Corporation | Integrated optic device |
FR2396985A1 (fr) * | 1977-07-08 | 1979-02-02 | Thomson Csf | Dispositif de modulation, par un champ magnetique variable, de rayonnements optiques, realise en couche mince |
US4136350A (en) * | 1977-07-14 | 1979-01-23 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Epitaxial growth of dissimilar materials |
US4153329A (en) * | 1977-07-25 | 1979-05-08 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Optical crosspoint switch having mode-conversion facilities |
US4345177A (en) * | 1979-03-09 | 1982-08-17 | The Regents Of The University Of California | Light fibers made from components of a type II eutectic system |
US4252408A (en) * | 1979-03-09 | 1981-02-24 | The Regents Of The University Of California | Directionally solidified eutectic structure and method of forming the same |
JPS56155515A (en) * | 1980-05-01 | 1981-12-01 | Olympus Optical Co Ltd | Magnetic garnet film and manufacture |
US4522473A (en) * | 1981-03-27 | 1985-06-11 | Nippon Electric Co., Ltd. | Faraday rotator for an optical device |
FR2517831A2 (fr) * | 1981-12-04 | 1983-06-10 | Thomson Csf | Tete de mesure pour magnetometre et magnetometre comprenant une telle tete |
NL8303446A (nl) * | 1983-10-07 | 1985-05-01 | Philips Nv | Component voor een geintegreerd optisch systeem. |
DE3434631A1 (de) * | 1984-09-21 | 1986-04-03 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Planarer optischer wellenleiter und verfahren zu seiner herstellung |
JPS61139720A (ja) * | 1984-12-12 | 1986-06-27 | Hitachi Ltd | 光学式センサ |
DE3514413A1 (de) * | 1985-04-20 | 1986-10-23 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Planarer optischer wellenleiter und verfahren zu seiner herstellung |
US4671621A (en) * | 1985-04-29 | 1987-06-09 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Optical systems with antireciprocal polarization rotators |
US4762384A (en) * | 1985-04-29 | 1988-08-09 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Optical systems with antireciprocal polarization rotators |
US5146361A (en) * | 1989-07-14 | 1992-09-08 | At&T Bell Laboratories | Apparatus comprising a magneto-optic isolator utilizing a garnet layer |
US4981341A (en) * | 1989-07-14 | 1991-01-01 | At&T Bell Laboratories | Apparatus comprising a magneto-optic isolator utilizing a garnet layer |
US5111330A (en) * | 1989-08-14 | 1992-05-05 | Optics For Research | Optical isolators employing wavelength tuning |
US5113472A (en) * | 1991-05-28 | 1992-05-12 | Allied-Signal Inc. | Optical waveguides of aluminum garnet |
US5175787A (en) * | 1991-05-28 | 1992-12-29 | Allied-Signal Inc. | Birefringent optical waveguides of aluminum garnet |
US5299210A (en) * | 1992-04-28 | 1994-03-29 | Rutgers University | Four-level multiply doped rare earth laser system |
US5691279A (en) * | 1993-06-22 | 1997-11-25 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | C-axis oriented high temperature superconductors deposited onto new compositions of garnet |
JP3399351B2 (ja) | 1998-03-11 | 2003-04-21 | 株式会社村田製作所 | 光信号処理装置および光信号処理方法 |
JP2000171767A (ja) * | 1998-12-07 | 2000-06-23 | Murata Mfg Co Ltd | 光変調装置およびフィルタ装置 |
AU2002238442A1 (en) * | 2000-12-22 | 2002-07-08 | Giesecke And Devrient Gmbh | Devices and methods for investigating the magnetic properties of objects |
US6871023B2 (en) * | 2001-12-03 | 2005-03-22 | The Boeing Company | Spread polarization transmitter and associated system and method of operation |
JP6290741B2 (ja) * | 2014-07-24 | 2018-03-07 | 日本電信電話株式会社 | グレーティングカプラ形成方法 |
CN108463309B (zh) * | 2016-07-18 | 2020-04-07 | 微林股份有限公司 | 激光发射工具 |
CN110980813B (zh) * | 2019-12-30 | 2022-06-14 | 武汉科技大学 | 一种高近红外反射率铁酸钇粉体及其制备方法 |
CN111679458A (zh) * | 2020-05-25 | 2020-09-18 | 电子科技大学 | 一种平面化磁光开关 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3268452A (en) * | 1963-07-10 | 1966-08-23 | Bell Telephone Labor Inc | Vanadium-containing garnets |
US3486937A (en) * | 1967-03-24 | 1969-12-30 | Perkin Elmer Corp | Method of growing a single crystal film of a ferrimagnetic material |
US3586872A (en) * | 1969-04-21 | 1971-06-22 | Bell Telephone Labor Inc | Apparatus including a thin film waveguide for nonlinear interaction of optical waves |
US3655261A (en) * | 1970-03-02 | 1972-04-11 | Bell Telephone Labor Inc | Deflection of electromagnetic beams from guides by acoustical surface waves |
US3674335A (en) * | 1970-05-25 | 1972-07-04 | Bell Telephone Labor Inc | Light wave coupling into thin film light guides |
US3674337A (en) * | 1970-12-07 | 1972-07-04 | Bell Telephone Labor Inc | Beam coupling to and from thin film waveguide |
US3694055A (en) * | 1971-03-12 | 1972-09-26 | Bell Telephone Labor Inc | Thin film, biaxially birefringent nonlinear devices |
-
0
- BE BE794853D patent/BE794853A/xx not_active IP Right Cessation
-
1972
- 1972-02-02 US US00222779A patent/US3764195A/en not_active Expired - Lifetime
- 1972-09-13 CA CA151,616A patent/CA968203A/en not_active Expired
- 1972-12-29 IT IT55223/72A patent/IT974465B/it active
-
1973
- 1973-01-23 SE SE7300935A patent/SE389563B/xx unknown
- 1973-01-27 DE DE2304026A patent/DE2304026C2/de not_active Expired
- 1973-01-30 NL NL7301311A patent/NL7301311A/xx not_active Application Discontinuation
- 1973-01-30 AU AU51584/73A patent/AU464213B2/en not_active Expired
- 1973-01-30 GB GB455473A patent/GB1415755A/en not_active Expired
- 1973-02-01 JP JP48012502A patent/JPS6011327B2/ja not_active Expired
- 1973-02-01 FR FR7303564A patent/FR2170141B1/fr not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3431605A1 (de) * | 1983-08-29 | 1985-03-07 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Optische anlage zur wellenfuehrung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SE389563B (sv) | 1976-11-08 |
DE2304026A1 (de) | 1973-08-09 |
AU5158473A (en) | 1974-08-01 |
NL7301311A (de) | 1973-08-06 |
JPS4888945A (de) | 1973-11-21 |
GB1415755A (en) | 1975-11-26 |
CA968203A (en) | 1975-05-27 |
US3764195A (en) | 1973-10-09 |
JPS6011327B2 (ja) | 1985-03-25 |
FR2170141A1 (de) | 1973-09-14 |
FR2170141B1 (de) | 1975-08-22 |
BE794853A (fr) | 1973-05-29 |
AU464213B2 (en) | 1975-08-21 |
IT974465B (it) | 1974-06-20 |
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DE2812955C2 (de) | ||
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