[go: up one dir, main page]

DE2151765C2 - Verfahren zum Kontaktieren von integrierten Schaltungen mit Beam-Lead-Anschlüssen - Google Patents

Verfahren zum Kontaktieren von integrierten Schaltungen mit Beam-Lead-Anschlüssen

Info

Publication number
DE2151765C2
DE2151765C2 DE2151765A DE2151765A DE2151765C2 DE 2151765 C2 DE2151765 C2 DE 2151765C2 DE 2151765 A DE2151765 A DE 2151765A DE 2151765 A DE2151765 A DE 2151765A DE 2151765 C2 DE2151765 C2 DE 2151765C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
beam lead
lead connections
carrier film
film
connections
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE2151765A
Other languages
English (en)
Other versions
DE2151765A1 (de
Inventor
Franco Rho Milano Forlani
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Bull HN Information Systems Italia SpA
Original Assignee
Honeywell Information Systems Italia SpA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Honeywell Information Systems Italia SpA filed Critical Honeywell Information Systems Italia SpA
Publication of DE2151765A1 publication Critical patent/DE2151765A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2151765C2 publication Critical patent/DE2151765C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/86—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using tape automated bonding [TAB]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49572—Lead-frames or other flat leads consisting of thin flexible metallic tape with or without a film carrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49861—Lead-frames fixed on or encapsulated in insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01039—Yttrium [Y]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H01L2924/01327—Intermediate phases, i.e. intermetallics compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49004—Electrical device making including measuring or testing of device or component part
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49121—Beam lead frame or beam lead device
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
    • Y10T29/49133—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc. with component orienting
    • Y10T29/49135—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc. with component orienting and shaping, e.g., cutting or bending, etc.
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
    • Y10T29/49144—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc. by metal fusion

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs I. Ein solches ist ausderGB-PSII 62 184bekannt.
Bei dem bekannten Verfahren wird der vorzugsweise transparente Trägcrfiim mit den Beam-Lcad-Anschlüssen voran auf die zu kontakticrcndc Schaltung aufgelegt. Eine Transparenz des Filmes erleichtert dabei die Ausrichtung der Bcam-Lcad-Anschlüssc auf die entsprechenden Anschlußflccken der Schaltung. Anschließend wird der Trägerfilm in bezug auf die Schaltung fixiert und die Verschweißung durchgeführt.
Das exakte Ausrichten des Trägerfilms ist trotz Transparen/, des Films zeitaufwendig, so daß u. U. eine Lehre, welche Film und Schaltung aufeinander ausrichtet und gegeneinander fixiert, erforderlich ist.
Ein weiterer Nachteil des aus der GB-PS Il 62 184 bekannten Verfahrens ist, daß die Beam-Lead-Anschlüssc für die beim Schweißen verwendeten Werkzeuge nicht direkt zugänglich sind; so müssen beispielsweise beim Schweißen mil Ultraschall die Schwciß-Spii/.cn eines solchen Werkzeugs durch den Trägerfilm gedrückt worden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, zur Kontaktierung einer integrierten Schallung Beam-Lead Anschlüsse mif einem Trägerfilm derart auszubilden, duU die ScIm11img in bezug auf die Beam-Lead-Anschlüsse (linie weitere Hilfseinrichtung leicht ausgerichtet und die Enden derselben mit entsprechenden Ansehlußflecken der integrierten Schaltung direkt verschweißt werden können.
Diese Aufgabe wird durch die kennzeichnenden Merkmale des Patentanspruchs I gelöst. Eine vorteilhafte Weiterbildung der Erfindung ist Gegenstand des Unteranspruchs.
Der Gedanke, eine integrierte Schaltung in einem Fenster eines Trägerfilms aus Kunststoff anzuordntn, in das die Beam-Lead-Anschlüsse freitragend hineinragen, ι ist an sich bereits aus der Zeitschrift »Solid State Technology«, Band 13, Nr. 8 (August 1970), Seiten 62 bis 66, bekannt Dort ist ein Verfahren beschrieben, bei welchem eine Vielzahl von integrierten Schaltungen auf einem gemeinsamen Trägerfilm befestigt werden. Auf dem Trägerfilm sind außer den Beam-Lead-Anschlüssen auch noch Leitungen zur elektrischen Verbindung der einzelnen integrierten Schaltungen untereinander ausgebildet. Zur Wärmeableitung sind die integrierten Schaltungen mit ihrer Rückseite auf einem Kühlkörper befestigt. Die Montage einer solchen Anordnung erfolgt in der Weise, daß die integrierten Schaltungen zunächst auf dem Kühlkörper entsprechend den Beam-Lead-Anschlüssen auf dem Trägerfilm ausgerichtet und befestigt werden, der Trägerfilm mit den Beam-Lead-Anschlüssen darübcrgclegt wird und schließlich die Beam-Lead-Anschlüsse mit den iategrierten Schaltungen verschweißt werden. Bei diesem Stand der Technik erfolgt die Ausrichtung der Beam-Lead-Anschlüsse auf die Ansehlußflecken auf den Chips also nicht durch Anordnung der Chips in Fenstern des Trägerfilms.
Aus der zuvor zitierten Liicraiurstcllc ist ein weiteres Verfahren zum Kontaktieren von integrierten Schaltungen mit Beam-Lead-Anschlüssen unter Zuhilfenahme eines Trägerfilms aus lichtempfindlichem Kunststoff bekannt. Bei dem weiteren bekannten Verfahren sind die Chips in Fenstern in einem keramischen Subsinii angeordnet: die Beani-Lead-Ansehliisse. welche freitragend in die Fenster hineinragen werden mittels eines Trägerfilms aus lichtempfindlichem Kunststoff hergestellt. Der Trägerfilm wird vor dem Einsetzen der Chips entfernt. Auch bei dem weiteren bekannten Verfahren erfolgt die Ausrichtung der Bcam-Lead-Anschlüsse auf die Ansehlußflecken der jeweiligen Chips nicht durch Anordnen der Chips in den Fenstern, sondern durch anderweitige Maßnahmen.
Die Erfindung soll nachfolgend unter Bezugnahme auf die Zeichnungen näher erläutert werden. Es zeigt
F i g. I eine perspektivische Ansicht einer integrierten Schaltung (Chip), die mit Hilfe von Beam-Lead-Auschlüsscn an einem Keramikträger angeschlossen ist;
F i ς. 2 eine Sandwichanordnung mit einem lichtempfindlichen Kunststoffen, links und rechts in zwei verschiedenen Stufen des Verfahrens:
Fig. J eine Saiulwichiiiiordniing ähnlich Fig. 2 in einer späteren Stufe des Verfahrens;
F i g. 4 das Belichten durch eine Maske hindurch bei der Herstellung der Benm-Lcad-Anschlüsse:
Fig.5 die geälzien Beam-Lead-Anschlüssc auf dem Trägerfilm;
F i g. 6 den Zustand nach dem Entfernen der Abdeckschichl und dem Ätzen lies Fensters in den Trägerfilm:
F i g. 7 ein Ablaufdiagranim. das schematised mm.in schaiilichl, wie ein kontinuierliches Produktionsverfahren aufgebaut werden kann;
I·'i g. 8 eine perspektivische Teilansichi. die das Produkt dieses kontinuierlichen Produktionsverfahrens veranschaulicht.
F ί g, 1 zeigt eine Silfeiumehip 1, das teilweise mit einer isolierenden Schicht 2 aus SiKziumdioxid überzogen ist. Mit Hilfe bekannter Verfahren ist auf dem Chip eine nicht weiter dargestellte integrierte Schaltung hergestellt, welche in dem durch die gestrichelte Linie begrenzten Bereich 3 angeordnet ist Die Ein- und Ausgangsleiter der integrierten Schaltung enden an Anschlußflecken 4 und 5 aus Aluminium, die entlang der Kanten des Cnips angeordnet sind. Die Darstellung nach F i g. 1 zeigt fünf Beam-Lead-Anschlüsse 6, die mit den Anschlußflecken 5 an der in Fig. 1 hinterliegenden Kante des Chips verschweißt sind Es sei angenommen, daß der Deutlichkeit halber nicht dargestellte, weitere Beam-Lead-Anschlüsse mit den Anschliißflecken 4 ebenfalls verschweißt sind. Mit dem Bezugszeichen 7 ist ein Teil einer in der Regei aus Keramikmaterial gefertigten Platte bezeichnet, die den Chip 1 umgibt Auf diese Platte sind Leitungen 8 aufgebracht mit weichen die breiteren Außenenden der Beam-Lead-Anschlüsse 6 verschweißt sind. Ober diese Leitungen sind die Beam-Lead-Ansehiüsse € beispielsweise mit den nach außen führenden Kontaktstiften mit einer nicht dargestellten Packung oder mit weiteren Bijam-Lead-Anschlüssen verbunden, die zu weiteren, an derselben Platte 7 angebrachten Chips gehören.
Der bei dem Verfahren nach der Erfindung verwendete Trägerfilm besteht aus lichtempfindlichem Kunststoff und weist eine ausreichende Festigkeit auf, um die Beam-Lead-Anschlüsse beim Kontaktieren zu halten und zu stützen.
Wie auf der linken Seite von F i g. 2 dargestellt ist der verhältnismäßig dünne, lichtempfindliche Film 10 zur besseren Verarbeitung sandwichartig zwischen zwei transparenten Filmen angeordnet von welchen einer, 12, aus Polyäthylen und der andere, 13, aus Polyester besteht Der Film 10 besitzt eine zum Festhaften an ebenen oder leicht gekrümmten Flächen ausreichende Elastizität und läßt sich durch Belichten »photopolymerisieren«.
An den nicht polymerisierten, d. h. nicht belichteten Stellen läßt sich der Film 10 mit Hilfe geeigneter Ätzmittel wegätzen, behält jedoch an den belichteten, d. h. den photopolymerisierten Stellen die vorerwähnten mechanischen Eigenschaften. Wie bei den in der Photolithographie verwendeten lichtempfindlichen Ab- ■»> decklacken kann das verbleibende (belichtete) Material dieses Films durch geeignete Lösungsmittel entfernt werden.
Die Beam-Lead-Anschlüsse werden mit Hilfe des nachstehend beschriebenen Verfahrens hergestellt und >" auf Halbleiterchips aufgebracht.
Nach dem Entfernen des Polyäthylenfilms 12 wird auf die freigewordene Oberfläche des lichtempfindlichen Films 10 eine Aluminiumfolie 11 mit einer Dicke Von beispielsweise 20 μΐπ aufgebracht Auf diese Weise erhält man den auf der rechten Seite von Fig.2 dargestellten Aufbau.
Auf die Oberseite der Aluminiumfolie wird mit Hilfe bekannter Einrichtungen ein lichtempfindlicher Abdecklack 14 aufgebracht, so daß man den Aufbau nach F i g. 3 erhält. Dieser Abdecklack kann beispielsweise vom positiven Typ sein. In diesem Fall wird eine photographische Maske 15, auf der die lichtundurchlässigen Bereiche 17 wie die Beam-Lead-Anschlüsse strukturiert sind, ?ufgelegt. Der Abdecklack 14 wird durch die Maske hindurch einer geeigneten Strahlungsquelle 16 (F i g. 4) ausgesetzt und entwickelt. Bei dem nachfolgenden Verfahrensschritt wird die Aluminiumfolie chemisch geatzt, so daü das Aluminium aus dem durch den Abdecklack nicht geschützten Bereich entfernt wird. Der mit diesem Schritt des Verfahrens erzielte Aufbau ist in Fig.5 dargestellt Der lichtempfindliche Kunststoffilm 10 wird durch die vorerwähnten Arbeitsgänge nicht beeinträchtigt da er während der Belichtung durch die Aluminiumfolie vor Licht geschützt ist Beim Entwickein des Abdecklackes an der Oberseite ist er sowohl auf der einen Seite durch die Aluminiumfolie als auch auf der anderen Seite durch den Polyester-Film 13 geschützt Außerdem können die zum Entwickeln des Abdecklackes benutzten Substanzen und die zum Ätzen des Aluminiums verwendeten Ätzmittel so ausgewählt werden, daß sie auf den Film 10 keine Auswirkung haben.
Im nächsten Schritt wird mit einem Lösungsmittel die an der Oberseite der Beam-Lead-Anschlüsse verbliebene Abdecklackschicht entfernt Das Lösungsmittel darf den Film 10 nicht verändern, es kann beispielsweise Aceton sein.
Nach dem Entfernen der Schutzschicht 13 von der Unterseite — dies ist vorteilhaft aber nicht notwendig — wird der Film 10 von der Unterseite durch eine entsprechende Maske belichtet und entwickelt so daß ein Fenster von zur Aufnahme eines Chips 1 genau passender Größe und Gestalt erhalten wird, in das die Beam-Lead-Anschlüsse hineinragen. Der nach diesem Verfahrensschritt erzielte Aufbau ist in Fig.6 dargestellt Die Beam-Lead-Anschlüsse sied gegeneinander elektrisch isoliert und werden durch den aus dem Film 10 gebildeten Rahmen in der vorgegebenen Lage gehalten. Die Anordnung weist eine für die weiteren Verarbeitungsschritte ausreichende mechanische Starrheit auf.
Im darauffolgenden Schritt wird ein Chip 1 mit einer integrierten Schaltung in das Fenster eingesetzt; dabei kommen die Anschlußflecken auf dem Chip genau unter den inneren Enden der Beam-Lead-AnschUisse zu liegen. Danach können sämtliche Beam-Lead-Anschlüsse mittels Ultraschalleinrichtungen mit den entsprechenden Anschlußflecken auf einmal verschweißt werden.
Da die miteinander zu verschweißenden Werkstücke beide aus Aluminium bestehen, ist die Verbindung sowohl was die elektrische Leitfähigkeit als auch die mechanische Festigkeit betrifft voll zufriedenstellend. Nach dem Verschweißen wird das Chip mit den^an ihm befestigten Beam-Lead-Anschlüssen entweder mittels eines chemischen Lösungsmittels oder vorzugsweise durch eine Stanze, die außerdem die Beam-Lead-Anschlüsse auf die erforderliche Länge schneidet und sie — falls erforderlich — in eine senkrechte Ebene umhvegt, von dem aus dem Film 10 gebildeten Rahmen getrennt
Das beschriebene Verfahren zur Kontaktierung von integrierten Schaltungen mit Beam-Lead-Anschlüssen aus Aluminium ist also einfach und wirtschaftlich. Außerdem lassen sich weitern Vorteile herausstelle!!: Beispielsweise et möglichen die elektrisch gegeneinander isolieiten und zueinander starr gehaltenen Beam-Lead-Anschlüsse die Durchführung elektrischer Messungen, wie statische und dynamische Teats an dem Chip zum Überprüfen der Betriebscharakteristika der Schaltung und der Güte des Chips sowie der Schweißstellen ohne Beschädigung der aus dem Chip und den Beam-Lead-Anschlüssen gebildeten Einheit. Zum Verbessern ihrer Festigkeit kann, wie in F i g. 8 gezeigt, ein äußerer Aluminiumrahmen 80 vorgesehen werden.
Das Verfahren eignet sich außerdem zu einem kontinuierlichen Betrieb mit sämtlichen ihm naturgemäß eigenen Vorteilen von Wirtschaftlichkeit und Zuverlässigkeit.
Fi g. 7 zeigt in schematischer Darstellung den Ablauf des beschriebenen Herstellungsverfahrens in kontinuierlicher Weise.
Wie in F i g. 7 gezeigt, werden ein Aluminiumband 51 und ein Band 52, das aus einem dünnen Polyäthylenfilm, einem dünnen Film aus lichtempfindlichem Kunststoff und einem dünnen Polyester-Film besteht, von Zuführrollen 53 bzw. 54 abgewickelt. Der Polyäthylenfilm 55 wird mit Hilfe einer Rolle 56 von dem Band 52 entfernt, welches darauf mit Hilfe einer Heizeinrichtung 57 erhitzt und mittels Druck über Rollen 58 und 59 auf die Unterseite; des Alurniniumbandes aufgebracht wird.
Die Oberseite des Aluminiumbandes wird bei seinem Durchgang zwischen Hollen 60 und 61 gleichmäßig mit Abdecklack 62 bestrichen.
Das so beschichtete Aluminiumband wird schrittweise, d. h. in mit Verweilpausen abwechselnden raschen Vorlaufschritten durch eine Belichtungsstation 63 hindurchbewegt. Die Belichtungsstation umfaßt genau aufeinander ausgerichtete Masken 64 und 65 oberhalb und unterhalb des Bandes sowie intermittierend betätigte Sirahlungsquellen 66 und 67. Nach Belichtung läuft das Band in einen Entwicklungstank 68 für den belichteten Abdecklack in einen Ätztank 69 zum Ätzen des Aluminiums und in einen Tank 70 mit Lösungsmittel für den Abdecklack hinein.
Nachdem später der Polyester-Schutzfilm 71 entfernt worden ist, läuft der belichtete Kunststoffilm mit den geätzten Aluminiumstrukturen in einen Entwicklungss tank 72 hinein, Nach diesem Verfahrensschritt zeigt das Band den in F i g. 8 dargestellten Aufbau. Das geätzte Aluminiumband weist eine Reihe von Durchbrochen 81, 82 auf. Im Inneren des Durchbruchs 81 sind die von dem Film 83 gehaltenen Beam-Lead-Anschlüsse angeordnet, ίο welche freitragend in das Fenster 84 ragen. Falls erforderlich, können sowohl in dem Aluminium- als auch in dem Kunststoffilm Bezugs- bzw. Einstelldurchbruche 82 vorgesehen werden.
In einem weiteren Schritt bewegt sich das Band in Ii eine Bestück- und Schweißstation 73 hinein, in welcher die Chips jeweils in ihrer richtigen Lage mit den Beam-Lead-Anschlüssen verschweißt werden.
Im Anschluß an die Schweißstation 73 kann das Band in eine Prüfstation 74 hineinlaufen, in welcher die Chips und die Beam-Lead-Anschlüsse einer Prüfung unterzogen werden.
Nach dem Ergebnis der Prüfungen können die unbrauchbaren, mit Beam-Lead-Anschlüssen versehenen Chips in einer weiteren Station 75 durch Ausstanzen ausgeschieden werden.
Die auf dem durchgehenden Band verbleibenden Chips können dann den Erfordernissen enlsprechend zu einer Verpackungsstation, einer Lagerlingseinrichtung oder einem Montageband weiterlaufen.
Hierzu 3 Blatt Zeichnungen

Claims (2)

  1. Patentansprüche;
    t. Verfahren zum Kontaktieren von integrierten Schaltungen mit Beam-Lead-Anschlüssen unter Zuhilfenahme eines Trägerfilms aus Kunststoff, wobei die Beam-Lead-Anschlüsse aus einer auf dem Trägerfilm aufgebrachten Metallfolie nach der Photoätztechnik ausgebildet werden und der Trägerfilm nach dem Verschweißen der inneren Enden der Beam-Lead-Anschlüsse mit den entsprechenden Stellen der integrierten Schaltung entfernt wird, dadurch gekennzeichnet, daß der Trägerfilm aus lichtempfindlichem Kunststoff ist und in diesen RIm durch Belichten mit einer geeigneten Maske von der Metallfolie abgewandten Seite des Films und Entwickeln eine öffnung hergestellt wird, welche so angeordnet ist, daß die mit der integrierten Schaltung zu verschweißenden Enden der Beam-Lead-Anschlüsse in diese öffnung teilweise hineinragen und so bemessen ist, daß die Öffnung die integrierte Schaltung aufnimmt und in bezug auf die zu verschweißenden Enden der Beam-Lead-Anschlüsse ausrichtet.
  2. 2. Verfahren zur Kontaktierung von integrierten Schaltungen nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auf den in Bandform vorliegenden lichtempfindlichen Trägerfilm die ebenfalls in Bandform vorliegende Metallfolie kontinuierlich aufgebracht wird und an diesem Band die Vcrfahrensschriite, wiV Ausbilden der Bcam-Lcad-Anschlüssc und der zugehörigen Öffnung im Trägerfilm sowie das Bestücken mit der integrierten Schaltung und das Verschweißen dieser Schaltung mit den jeweiligen Enden der Beam-Lcaa-Anschlüsse, für eine Vielzahl integrierter Schaltungen forllaufend ausgeführt werden.
DE2151765A 1970-11-05 1971-10-14 Verfahren zum Kontaktieren von integrierten Schaltungen mit Beam-Lead-Anschlüssen Expired DE2151765C2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
IT3133370 1970-11-05
IT3182870 1970-11-17

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2151765A1 DE2151765A1 (de) 1972-05-10
DE2151765C2 true DE2151765C2 (de) 1983-06-16

Family

ID=26328921

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2151765A Expired DE2151765C2 (de) 1970-11-05 1971-10-14 Verfahren zum Kontaktieren von integrierten Schaltungen mit Beam-Lead-Anschlüssen
DE2152081A Expired DE2152081C2 (de) 1970-11-05 1971-10-15 Verfahren zum Anbringen von Chips mit integrierter Schaltung auf einem isolierenden Träger

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2152081A Expired DE2152081C2 (de) 1970-11-05 1971-10-15 Verfahren zum Anbringen von Chips mit integrierter Schaltung auf einem isolierenden Träger

Country Status (5)

Country Link
US (2) US3795043A (de)
DE (2) DE2151765C2 (de)
FR (2) FR2112466B1 (de)
GB (2) GB1372592A (de)
NL (1) NL7114747A (de)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4048438A (en) * 1974-10-23 1977-09-13 Amp Incorporated Conductor patterned substrate providing stress release during direct attachment of integrated circuit chips
US3960561A (en) * 1975-04-10 1976-06-01 International Business Machines Corporation Method for making electrical lead frame devices
US4189825A (en) * 1975-06-04 1980-02-26 Raytheon Company Integrated test and assembly device
US3984620A (en) * 1975-06-04 1976-10-05 Raytheon Company Integrated circuit chip test and assembly package
US4064552A (en) * 1976-02-03 1977-12-20 Angelucci Thomas L Multilayer flexible printed circuit tape
US4312117A (en) * 1977-09-01 1982-01-26 Raytheon Company Integrated test and assembly device
NL7713758A (nl) * 1977-12-13 1979-06-15 Philips Nv Halfgeleiderinrichting.
US4209355A (en) * 1978-07-26 1980-06-24 National Semiconductor Corporation Manufacture of bumped composite tape for automatic gang bonding of semiconductor devices
US4342151A (en) * 1979-06-18 1982-08-03 Eastman Kodak Company Blank and process for the formation of beam leads for IC chip bonding
US4247623A (en) * 1979-06-18 1981-01-27 Eastman Kodak Company Blank beam leads for IC chip bonding
DE3019207A1 (de) * 1980-05-20 1981-11-26 GAO Gesellschaft für Automation und Organisation mbH, 8000 München Traegerelement fuer einen ic-chip
EP0078606A3 (de) * 1981-11-02 1985-04-24 Texas Instruments Incorporated Halbleiterzusammenbau mit Drahtträger
DE3234744C2 (de) * 1982-09-20 1984-11-22 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Einrichten zum Halten mehrerer, jeweils mit integrierten Schaltkreisen versehenen Halbleiterplättchen beim Kontaktieren mit auf einem filmförmigen Substrat ausgebildeten Streifenleitern
FR2548857B1 (fr) * 1983-07-04 1987-11-27 Cortaillod Cables Sa Procede de fabrication en continu d'une carte imprimee
US4627151A (en) * 1984-03-22 1986-12-09 Thomson Components-Mostek Corporation Automatic assembly of integrated circuits
FR2601502B1 (fr) * 1986-07-09 1989-04-28 Em Microelectronic Marin Sa Dispositif electronique semi-conducteur comportant un element metallique de refroidissement
EP0260490A1 (de) * 1986-08-27 1988-03-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Verbindungsschicht für ein elektronisches Bauelement und Verfahren zum Verbinden eines elektronischen Bauelementes mit einer solchen Schicht
FR2614134B1 (fr) * 1987-04-17 1990-01-26 Cimsa Sintra Procede de connexion d'un composant electronique pour son test et son montage, et dispositif de mise en oeuvre de ce procede
US5156996A (en) * 1991-04-12 1992-10-20 Itt Corporation Method for forming gold ribbon connectors for microwave integrated circuits
SE470501B (sv) * 1992-10-07 1994-06-06 Ericsson Telefon Ab L M Förfarande vid montering på ett substrat av en TAB-krets, varvid TAB-strukturens anslutningar utgörs av ett elektriskt ledande anslutningsmönster som framställts på en filmremsa och vilket är anslutet till TAB-strukturens halvledarkretsbricka
US6581278B2 (en) * 2001-01-16 2003-06-24 St Assembly Test Service Ltd. Process and support carrier for flexible substrates
KR100654338B1 (ko) * 2003-10-04 2006-12-07 삼성전자주식회사 테이프 배선 기판과 그를 이용한 반도체 칩 패키지
JP4160069B2 (ja) * 2005-09-28 2008-10-01 富士通株式会社 反射器を備えた光通信デバイスおよび光通信デバイスへの反射器の形成方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2981877A (en) * 1959-07-30 1961-04-25 Fairchild Semiconductor Semiconductor device-and-lead structure
US3271625A (en) * 1962-08-01 1966-09-06 Signetics Corp Electronic package assembly
US3195026A (en) * 1962-09-21 1965-07-13 Westinghouse Electric Corp Hermetically enclosed semiconductor device
US3374537A (en) * 1965-03-22 1968-03-26 Philco Ford Corp Method of connecting leads to a semiconductive device
US3614832A (en) * 1966-03-09 1971-10-26 Ibm Decal connectors and methods of forming decal connections to solid state devices
US3390308A (en) * 1966-03-31 1968-06-25 Itt Multiple chip integrated circuit assembly
US3440027A (en) * 1966-06-22 1969-04-22 Frances Hugle Automated packaging of semiconductors
US3544857A (en) * 1966-08-16 1970-12-01 Signetics Corp Integrated circuit assembly with lead structure and method
DE1614575A1 (de) * 1966-08-16 1970-05-27 Signetics Corp Aufbau einer integrierten Schaltung und Verfahren zum Herstellen dieses Aufbaues
US3641661A (en) * 1968-06-25 1972-02-15 Texas Instruments Inc Method of fabricating integrated circuit arrays

Also Published As

Publication number Publication date
FR2112466B1 (de) 1975-07-18
GB1372592A (en) 1974-10-30
US3795043A (en) 1974-03-05
DE2152081C2 (de) 1982-04-29
DE2151765A1 (de) 1972-05-10
GB1373008A (en) 1974-11-06
FR2112466A1 (de) 1972-06-16
US3785044A (en) 1974-01-15
NL7114747A (de) 1972-05-09
FR2114810A5 (de) 1972-06-30
DE2152081A1 (de) 1972-05-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2151765C2 (de) Verfahren zum Kontaktieren von integrierten Schaltungen mit Beam-Lead-Anschlüssen
DE19957111B4 (de) Halbleitervorrichtung mit flacher Schutzklebstofffolie und Herstellungsverfahren dafür
DE2544553C2 (de) Verfahren zum Aufbringen einer photopolymerisierbaren festen Resistschicht auf ein Substrat
EP0999583B1 (de) Stabilisierung eines Substrats mittels Trägerelement
DE2026622A1 (de) Koronareaktor und Verfahren zur Durchführung einer Koronaentladung in einem unter Druck stehenden Reaktions-Strömungsmittel
DE2225825B2 (de) Verfahren zum Herstellen einer Anzahl plättchenförmiger Festkörper-Elektrolytkondensatoren
DE2363833C2 (de) Verfahren zum elektrischen und mechanischen Verbinden einer Vielzahl von mit streifenförmigen Leitern (beamlead) kontaktierten Halbleiterchips mit jeweils einem äußeren Leiterrahmen
DE2414297B2 (de) Verfahren zur teilautomatischen Herstellung von Zwischenträgern für Halbleiterbauelemente
US3169063A (en) Method of making printed circuits
DE69527165T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer vorübergehenden Kontaktierung zu einem integrierten Halbleiterschaltkreis
DE3033846C2 (de)
EP0298200A2 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Trennen von aneinander haftendem oder anliegendem Folienmaterial
DE2554968A1 (de) Verfahren zur herstellung elektrischer leiterrahmen
DE102007023581A1 (de) Zusammensetzung zur Ausbildung eines Musters und in-plane-Druckverfahren unter Verwendung derselben
AT514564B1 (de) Verfahren zum Ankontaktieren und Umverdrahten
EP0184063B1 (de) Verfahren zum Positionieren von Druckformen vor dem Stanzen von Registerlochungen sowie Anordnung zum Durchführen des Verfahrens
DE3115551C2 (de)
DE4447264A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbton-Phasenverschiebungsmaske
DE1123723B (de) Verfahren zum Herstellen gedruckter Schaltungen
US3862875A (en) Filler masking of small apertures
JPS5623783A (en) Formation of electrode for semiconductor device
DE4007716A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur erstellung einer kopiervorlage
DE3625182A1 (de) Belichtungs- und entwicklungsvorrichtung fuer ein langgestrecktes basisteil
DE4326424A1 (de) Verfahren zum Herstellen von TAB-Filmträgern
DE3731787A1 (de) Anordnung von mehreren ic's auf einem bandstreifen aus isoliermaterial

Legal Events

Date Code Title Description
OD Request for examination
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee