DE2144607B2 - Piezoelektrischer Wandler zur Umwandlung eines elektrischen Signals in eine Oberflächenwelle - Google Patents
Piezoelektrischer Wandler zur Umwandlung eines elektrischen Signals in eine OberflächenwelleInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf elektroakustische Einrichtungen, insbesondere auf piezoelektrische
Wandler in Dünnfilmtechnik für Mikrowellen-Anwendungen.
Beim Einsatz von Mikrowellen-Ultraschalleinrichtungen
hat man erkannt, daß es wichtig ist, den von jedem Wandler in einem System hervorgerufenen Einfügungsverlust auf den geringsten möglichen Wert herabzusetzen.
Solche Einfügungsverluste sind einigen oder allen
der nachfolgend aufgezählten Gründe zuzuschreiben:
elektrische Fehlanpassung, hohe Kontaktwiderstände, niedrige elektrische Impedanz, Fehlen einer
Kristallorientierung, kristalline Fehler und ein Fehlen einer vollkommenen Stöchiometrie des piezoelektrisehen
Materials. Die Ursachen für die Einfügungsverluste infolge kristalliner und chemischer Eigenschaften
haften Wandlern, die durch Schichtablagerung hergestellt wurden, von Hause aus an und sind daher schwer
herabzusetzen. Leichter können die durch elektrische Fehlanpassung, hohe Kontaktwiderstände und niedrige
elektrische Impedanz verursachten Verluste berücksichtigt und bei der Planung eines Mikrowellen-Schallwandlers
kompensiert werden. Die anscheinend am meisten auftretenden Ursachen hoher Einfügungsverlu-
J5 ste sind durch elektrische Fehlanpassung zwischen der
Impedanz der äußeren Übertragungsleitung, an die der Wandler angeschlossen ist, und der niedrigen elektrischen
Wandlerimpedanz, die für Dünnfilmwandler charakteristisch ist, bedingt.
■»ο In der Vergangenheit hat sich die Notwendigkeit
herausgestellt, die Impedanz des Wandlers an die der Übertragungsleitung durch irgendeine Art Impedanztransformator
anzupassen, wie etwa durch einen Chebychev-Transformator oder eine andere bekannte
Art eines Impedanztransformators.
Mit dem Problem der Fehlanpassung ist das der elektrischen Kapazität verbunden. Bei einem Wandler
ist eine möglichst geringe Kapazität erwünscht, um eine beträchtliche Bandbreite zur Verfügung stellen und
damit sehr hohe Frequenzen erreichen zu können. Bei Dünnfilmwandlern hat ein Versuch, die Kapazität
herabzusetzen, eine Verringerung der Elektrodenfläche bedeutet. Eine derartige Verminderung der Kapazität
setzt zusätzlich die Impedanz herab, und zwar entweder in Gestalt des Widerstandes oder des Strahlungswiderstandes
der Struktur. Charakteristisch beträgt in dem Fall, daß Wandler bei Mikrowellen-Frequenzen in der
Nähe von einem GHz betrieben werden, die Impedanz eines Kadmiumsulfid-Wandlers etwa 0,01 Ohm. Übertragungsleitungen
besitzen dagegen typische Impedanzen von etwa 50 Ohm oder mehr. Infolgedessen war die
Größe der elektrischen Fehlanpassung bedeutend und konnta nicht einfach durch Impedanztransformatoren
ausgeglichen werden, die bei solchen Frequenzen und für den Ausgleich solch großer Fehlanpassungen
unhandliche und kostspielige Vorrichtungen sind.
Aufgabe vorliegender Erfindung ist die Schaffung eines piezoelektrischen Wandlers mit Vorrichtungen,
die seine Impedanz, ohne eine der akustischen Eigenschaften des Wandlers preiszugeben, zur Anpassung
an die Impedanz von Übertragungsleitungen au/ den erforderlichen Wert erhöhen und darüber hinaus
eine sehr niedrige Kapazität gewährleisten, um seinen Einsatz bei hohen Frequenzen zu ermöglichen.
Zur Lösung dieser Aufgabe ist der piezoelektrische Wandler zur Umwandlung eines elektrischen Signals in
eine Oberflächenwelle, der an eine ein Leiterpaar mit einer charakteristischen Impedanz aufweisende elektrisehe
Übertragungsleitung angeschlossen ist, und gebildet ist aus einer Mehrzahl auf einem Oborflächenwellen
leitenden Substrat angeordneten, Wandlerelemente bildenden Wandlerfinger, erfindungsgemäß dadurch
gekennzeichnet, daß die Wandlerfinger elektrisch in Serie geschaltet sind und dadurch eine im wesentlichen
der Impedanz des Leiterpaares angepaßte Gesamtimpedanz und eine im Vergleich zur Kapazität eines
einzelnen aus Wandlerfingern gestalteten Wandlerelementes kleine Gesamtkapazität aufweise»..
Die Verwirklichung der oben beschriebenen elektrischen
Eigenschaften eines Wandlers wird durch Dünnfilin-Herstellungstechniken ermöglicht, eingeschlossen
eine Ablagerung einer ersten schablonenartigen Elektrodenanordnung mit einer Mehrzahl einzelner
Elektroden auf einem Substrat, eine auf die erste Elektrodenanordnung aufgebrachte einzelne Lage eines
piezoelektrischen Materials, eine zweite iber der piezoelektrischen Lage angeordnete schablonenartige
Elektrodenanordnung sowie selektiven Verbindungen zwischen der ersten und der zweiten Elektrodenanordnung.
Die Anwendung von Dünnfilm-Herstellungstechniken nach dem Stand der Technik ermöglicht die
Bildung derartiger Strukturen mit extrem kleinen Bereichen und zahlreichen einzelnen Elektroden.
Die Erfindung wird nachstehend zusammen mit weiteren Merkmalen anhand von Ausführungsbeispielen
in Verbindung mit der Zeichnung erläutert. In der Zeichnung zeigt
F i g. 1 eine Draufsicht auf ein Ausführungsbeispiel
nach der Erfindung;
Fig.2 schematisch dargestellt die Ersatzschaltung
der Einrichtung nach Fig. 1;
F i g. 3 einen Schnitt durch die Einrichtung nach F i g. 1 längs der Linie IH-III;
F i g. 4 und 5 eine Draufsicht auf gemäß F i g. 1 angeordnete Elektroden;
F i g. 6 eine Draufsicht auf eine andere Ausführungsform der Erfindung;
F i g. 7 einen Schnitt durch F i g. 6 längs der Linie VII-VII und
F i g. 8 eine Draufsicht auf ein weiteres Ausführungsbeispiel nach der Erfindung.
Im einzelnen zeigt F i g. 1 ein Ausführjngsbeispiel eines Wandlers nach der Erfindung. Der Wandler
befindet sich auf einem Substrat 10, das aus einem Material mit Eigenschaften einer akustischen Verzögerungsleitung
bestehen kann, in dem sich also akustische Wellen ohne Verlust ihrer Charakteristik, dagegen im
wesentlichen lediglich mit einer Zeitverzögerung fortpflanzen. Der Aufbau umfaßt im wesentlichen eine
Lage 12 piezoelektrischen Materials, das sandwichförmig
zwischen einer ersten und einer zweiten schablonenartigen Elektrodenanordnung 14 und 16, die
untereinander selektive Verbindungen besitzen, angeordnet ist.
F i g. 4 veranschaulicht die erste, untere schablonenartige Elektrodenanordnung 14, die auf der Oberfläche
des Substrats angeordnet ist, und Fig.5 die zweite,
obere schablonenartige Elektrodenanordnung 16, obschon die Elektrodenanordnungen auch vertauscht
eingesetzt werden können. Jede der Elektrodenanordnungen 14 und 16 weist eine Mehrzahl streifenförmiger,
über den Rand der Lage 12 des piezoelektrischen Materials hinausragende Elektroden 14/4 und 16/1 auf.
Die Elektroden 16Λ der oberen Elektrodenanordnung 16 besitzen an einem Ende verbreiterte Bereiche 165,
die auf den Enden der streifenförmigen Elektroden 14Λ
liegen, damit zwischen ihnen eine Verbindung herbeigeführt werden kann. Zum anderen sind die Elektroden
14Λ und 16Λ, wie in F i g. 3 dargestellt, sich vertikal
überdeckend angeordnet.
Zusätzlich weist jede Elektrodenanordnung 14 und 16 eine größere Elektrodenlasche 14C und 16C auf, die
einzeln mit jeweils einer der streifenförmigen Elektroden t4A und 16Λ verbunden sind und ebenfalls über den
Rand der piezoelektrischen Lage 12 hinausragen. Diese stellen einen äußeren Anschluß des Wandlers wie etwa
an eine Übertragungsleitung dar, die, wie oben erläutert, eine charakteristische Impedanz aufweist, der die
Impedanz des Wandlers angepaßt werden soll.
Die Ersatzschaltung der F i g. 2 veranschaulicht, wie
die schablonenartigen Elektrodenanordnungen, obwohl sie nur an einer einzigen Lage piezoelektrischen
Materials angeordnet sind, eine Reihenschaltung einer Mehrzahl einzelner aus Fingern 18a und 18Λ bestehender
Wandlerelemente 18 zwischen den beiden Elektrodenlaschen 14Cund 16C die jeweils mit einem Leiter 20
und 22 einer koaxialen Übertragungsleitung 24 verbunden sind, ermöglichen. Auf diese Weise können
Widerstände addiert werden, um eine der Impedanz der äußeren Übertragungsleitung 24 angepaßte Impedanz
zu erreichen. Gleichzeitig werden Kapazitäten stark herabgesetzt, und damit wird eine Eignung für
Breitband- und folglich Hochfrequenzanwendung geschaffen.
Wie Fig. 1 und 2 zeigen, ist, um die Reihenschaltung
zu erreichen, jeweils die untere Elektrode der einzelnen Wandlerelemente 18 mit der oberen Elektrode des
direkt benachbarten Wandlerelementes verbunden. Eine Verbindung benachbarter unterer und benachbarter
oberer Elektroden zu einer Reihenschaltung sollte nicht vorgezogen werden, da die Wandlerelemente 18
dann abwechselnd polarisiert wurden.
Die Anzahl der piezoelektrischen Wandlerelemente 18, die zur Anpassung an eine besondere Übertragungsleitung
notwendig ist, hängt natürlich sowohl von der Impedanz der Übertragungsleitung als auch von den für
das einzelne Wandlerelement gewählten Abmessungen ab. Bei früheren Dünnfilm-Wandlern hat sich die
Notwendigkeit herausgestellt, die Fläche der Elektroden soweit wie möglich herabzusetzen, um die
Kapazität zu verringern, und folglich war die Impedanz eines derartigen Wandlers sehr gering und betrug
typisch etwa 0,01 Ohm. Hier aber sind die Kapazitäten durch Reihenverbindungen der Wandlerelemente herabgesetzt,
und daher müssen die einzelnen Elemente nicht so klein sein.
Die für die beiden schablonenartigen Elektrodenanordnungen und die piezoelektrische Lage erforderlichen
Strukturen können nach bekannten Technologien der Dunnfilmherstellung gebildet werden, beispielsweise
durch eine Ablagerung durch eine mit öffnungen versehene Maske, obschon sie auch durch Ablagerung
einer durchgehenden Schicht auf der Oberfläche des Substrats 10 und Anwendune abtragender Methoden
gebildet werden können.
Gemäß vorliegender Erfindung ist die Auswahl des anzuwendenden Materials nicht kritisch. Geeignete
Elektroden können aus verdampftem Gold auf einer, um ein größeres Haftvermögen an dem Substrat zu
erzielen, Grundbeschichtung aus Chrom gebildet werden. Die piezoelektrische Lage 12 kann aus
Kadmiumsulfid oder einem anderen piezoelektrischen Material bestehen, das nach einer der verschiedenen
bekannten Techniken abgelagert worden ist.
Die piezoelektrische Lage kann eine einzelne homogene Lage oder, um verschiedene Leistungsübertragungsfaktoren
zu erreichen, eine einzelne Lage aus horizontal erstreckten Lagenbereichen mit unterschiedlichen
Eigenschaften aufweisen, und, um unterschiedliche Bandbreitedaten zu erzielen, kann der piezoelektrische
Wandler einen viellagigen Dünnfilm abwechselnder Polarität in der in dem US-Patent 34 97 727
beschriebenen Weise aufweisen. Mit solchen Strukturen kann gestaffelte Abstimmung erreicht werden.
Wie F i g. 3 zeigt, weist das Ausführungsbeispiel weiter zwischen den Elektrodenanordnungen sandwichartig
eine Schicht 13 aus dielektrischem Material auf, die die Aufgabe hat, jegliche unabsichtlich durch die
piezoelektrische Lage infolge winziger Löcher o. dgl. auftretenden Kurzschlüsse zu verhindern. Eine solche
Schicht sollte im Vergleich zur piezoelektrischen Lage dünn sein, damit sie die akustischen Verhältnisse nicht
beeinflußt.
Es wurden Wandler gemäß dem dargestellten Ausführungsbeispiel mit einer einzelnen Lage piezoelektrischen
Materials aus Kadmiumsulfid und mit Elektrodenanordnungen, die auf Lithiumniobat abgelagertes
Gold aufweisen (mit einer Grundbeschichtung aus Chrom zur Haftung am Substrat), hergestellt.
Innerhalb einer Fläche von 2x2 mm wurden Elektrodenanordnungen
mit jeweils 30 streifenförmigen Elektroden mittels Aufdampfen durch Lochmasken hindurch
gebildet, wobei die streifenförmigen Elektroden etwa 12 um breit sind und der Abstand zwischen ihnen 4 um
beträgt. Die Kadmiumsulfidlage war mit einer Dicke von etwa 2 um nach dem oben angeführten Verfahren
der noch nicht erledigten Patentanmeldung abgelagert worden. Eine Schicht Siliziummonoxid in einer Stärke
von etwa 100 A war auf der piezoelektrischen Lage aufgebracht worden.
Die Einrichtung führt zu einer Bandbreite von ± 50% um eine Mittenfrequenz von 850 MHz ohne externe
elektrische Anpassung an eine 50 Ohm Übertragungsleitung.
Die Ausführungen der F i g. 1 —5 sind für Druck- oder
Longitudinalwellen vorgesehen. Aber gemäß vorliegender Erfindung können Wandlerstrukturen für Transversalwellen
ähnlich gebildet werden. Bei Transversalwellen wird es notwendig sein, daß die schablonenartigen
Elektrodenanordnungen ein Entstehen jeglicher elektrischer Felder senkrecht zur Ebene der piezoelektrischen
Lage verhindern.
Die F i g. 6 und 7 veranschaulichen eine für Transversalwellen geeignete Ausführung. Die vorgesehenen unteren und oberen schablonenartigen Elektrodenanordnungen 34 und 36 sind identisch. Die obere Elektrodenanordnung 36 ist in Fig.6 dargestellt. Sie weist ein Paar Elektrodenkämme 36A und 36B mit untereinander verzahnten, zahnförmig angeordneten Elektroden auf. Ihre Kammrücken, von denen ausgehend sich die Elektroden erstrecken, sind auf dem Substrat außerhalb des Randes der piezoelektrischen Lage 12 angeordnet und mit gleichen Kammrücken der unteren Elektrodenanordnung verbunden. Die äußere Übertragungsleitung kann an die großen Bereiche der Kammrücken angeschlossen werden. Wie in F i g. 7 für den Zeitraum einer Halbperiode dargestellt, ergeben sich derartige Polaritätsbedingungen, daß lediglich
Die F i g. 6 und 7 veranschaulichen eine für Transversalwellen geeignete Ausführung. Die vorgesehenen unteren und oberen schablonenartigen Elektrodenanordnungen 34 und 36 sind identisch. Die obere Elektrodenanordnung 36 ist in Fig.6 dargestellt. Sie weist ein Paar Elektrodenkämme 36A und 36B mit untereinander verzahnten, zahnförmig angeordneten Elektroden auf. Ihre Kammrücken, von denen ausgehend sich die Elektroden erstrecken, sind auf dem Substrat außerhalb des Randes der piezoelektrischen Lage 12 angeordnet und mit gleichen Kammrücken der unteren Elektrodenanordnung verbunden. Die äußere Übertragungsleitung kann an die großen Bereiche der Kammrücken angeschlossen werden. Wie in F i g. 7 für den Zeitraum einer Halbperiode dargestellt, ergeben sich derartige Polaritätsbedingungen, daß lediglich
parallel zu einer Seite des Substrats ausgerichtete Felder in der piezoelektrischen Lage 12 auftreten.
Ein anderes Ausführungsbeispiel für Transversalwellen ist in Fig.8 dargestellt Es kann eine einzige
Elektrodenanordnung 44 entweder oberhalb oder unterhalb, andernfalls zwei identische Elektrodenanordnungen
oberhalb und unterhalb der piezoelektrischen Lage 12 aufweisen. Die Elektrodenanordnung 44 enthält
eine Mehrzahl streifenförmiger Elektroden 44Λ die
untereinander durch einen Widerstandsfilm 445 wie etwa durch einen Nickel-Chrom-Film, der einen
bestimmten Potentialabfall zwischen benachbarten Elektroden 44.4 bewirkt verbunden sind. Auf diese
Weise wird ein nach einer Seite des Substrats ausgerichtetes Feld ohne Polaritätswechsel ermöglicht.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (6)
1. Piezoelektrischer Wandler zur Umwandlung eines elektrischen Signals in eine Oberflächenwelle,
der an eine ein Leiterpaar mit einer charakteristischen Impedanz aufweisende elektrische Übertragungsleitung
angeschlossen ist, gebildet aus einer Mehrzahl auf einem Oberflächenwellen leitenden
Substrat angeordneten, Wandlerelemente bildenden Wandlerfinger, dadurch gekennzeichnet,
daß die Wandlerfinger (18a, b) elektrisch in Serie
geschaltet sind und dadurch eme im wesentlichen der Impedanz des Leiterpaares (20, 22) angepaßte
Gesaintimpedanz und eine im Vergleich zur
Kapazität eines einzelnen aus Wandlerfingern (18a, 18oJ gestalteten Wandlerelementes kleine Gesamtkapazität
aufweisen.
2. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die in Serie geschalteten piezoelektrischen Wandlerfinger (18) eine erste, auf dem
Substrat (10) angeordnete schablonenartige Elektrodenanordnung (14) mit einer Mehrzahl einzelner
Elektroden (14/4J aufweisen, daß über der ersten
Elektrodenanordnung (14) eine Lage (12) piezoelektrischen Materials mit einer auf der Lage angeordneten
zweiten schablonenartigen Elektrodenanordnung (16) mit einer Mehrzahl einzelner Elektroden
(16/4,) und eine durchgehende von Piezoeffekten freie Isolationsschicht (13) zwischen der Lage (12)
aus piezoelektrischem Material und der zweiten Elektrodenanordnung (16) liegt, und daß die
Elektroden (14Λ, 16/4J der ersten und zweiten Elektrodenanordnung (14, 16) über den Rand der
Lage (12) aus piezoelektrischem Material hinausragen.
3. Elektroakustische Einrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die einzelnen Elektroden
(14Λ, 16/4Jder schablonenartigen Elektrodenanordnungen
(14, 16) im wesentlichen streifenförmig parallel zueinander angeordnet sind und die erste
Elektrodenanordnung (14) eine erste größere mit einer der streifenförmig angeordneten Elektroden
(14/4) verbundene Elektrodenlasche (14CJl an die ein
Leiter (20) der Übertragungsleitung (24) angeschlossen ist, sowie die zweite Elektrodenanordnung (16)
eine zweite größere mit einer der streifenförmig angeordneten Elektroden (16/4J der zweiten schablonenartigen
Elektrodenanordnung (16) verbundene Elektrodenlasche (16CJ, an die der zweite Leiter
(22) der Übertragungsleitung angeschlossen ist, aufweisen.
4. Elektroakustische Einrichtung nach einem der Ansprüche 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß
die leitenden Verbindungen zwischen Elektroden (14Λ, 16/4Jder ersten und der zweiten schablonenartigen
Elektrodenanordnung (14, 16) unmittelbar durch über die Begrenzung der Lage (12) aus
piezoelektrischem Material hinausragende und aufeinanderlicgende Bereiche der Elektroden (14/4,
16AJ gebildet sind.
5. Einrichtung nach einem der Ansprüche 2—4, dadurch gekennzeichnet, daß jeweils abwechselnd
auf zwei Seitenflächen der Elektrodenanordnungen (14, 16) ein Ende einer Elektrode (14/4J der ersten
Elektrodenanordnung (14) mit einem Ende einer Elektrode (16AJ der zweiten Elektrodenanordnung
(16) verbunden ist.
6. ,Elektroakustische Einrichtung nach einem der
Ansprüche 2—5, dadurch gekennzeichnet, daß das
Substrat (10) aus einem schallwellen-verzögernden Material besteht und daß die einen unbeabsichtigten
elektrischen Kurzschluß durch die Lage (12) aus piezoelektrischem Material verhindernde Schicht
(13) dünn im Vergleich zur Stärke der Lage (12) ist
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---|---|---|---|
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Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2144607A1 DE2144607A1 (de) | 1972-03-16 |
DE2144607B2 true DE2144607B2 (de) | 1980-01-03 |
DE2144607C3 DE2144607C3 (de) | 1980-11-06 |
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ID=22099214
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2144607A Expired DE2144607C3 (de) | 1970-09-10 | 1971-09-07 | Piezoelektrischer Wandler zur Umwandlung eines elektrischen Signals in eine Oberflächenwelle |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3689784A (de) |
DE (1) | DE2144607C3 (de) |
GB (1) | GB1352538A (de) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3760299A (en) * | 1971-08-09 | 1973-09-18 | Hazeltine Corp | Acoustic surface wave-apparatus having dielectric material separating transducer from acoustic medium |
US3825779A (en) * | 1973-03-30 | 1974-07-23 | Westinghouse Electric Corp | Interdigital mosaic thin film shear transducer |
JPS5434519B2 (de) * | 1973-08-31 | 1979-10-27 | ||
DE2607837C2 (de) * | 1975-03-04 | 1984-09-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd., Nagaokakyo, Kyoto | Mehrschichten-Interdigital-Wandler für akustische Oberflächenwellen |
GB1512593A (en) * | 1975-03-13 | 1978-06-01 | Murata Manufacturing Co | Elastic surface wave filter |
US4035675A (en) * | 1976-04-08 | 1977-07-12 | University Of Illinois Foundation | Capacitive tap weighted surface acoustic wave transducers |
US4292608A (en) * | 1979-07-26 | 1981-09-29 | Westinghouse Electric Corp. | Electroacoustic delay line apparatus |
US4259649A (en) * | 1979-07-26 | 1981-03-31 | Westinghouse Electric Corp. | Electroacoustic delay line apparatus |
US4482833A (en) * | 1981-04-01 | 1984-11-13 | Westinghouse Electric Corp. | Method for obtaining oriented gold and piezoelectric films |
US4480209A (en) * | 1981-10-09 | 1984-10-30 | Clarion Co., Ltd. | Surface acoustic wave device having a specified crystalline orientation |
US4629927A (en) * | 1982-05-20 | 1986-12-16 | Samodovitz Arthur J | Acoustical wave aimer |
GB2123638B (en) * | 1982-06-22 | 1986-02-26 | Clarion Co Ltd | Surface acoustic wave device |
WO1995002279A1 (en) * | 1993-07-06 | 1995-01-19 | Motorola, Inc. | Surface acoustic wave device |
US5486800A (en) * | 1994-09-29 | 1996-01-23 | Motorola, Inc. | Surface acoustic wave device |
US5499003A (en) * | 1994-10-03 | 1996-03-12 | Motorola, Inc. | Differential saw filter including series coupled resonant/antiresonant tracks |
JP3412611B2 (ja) * | 2000-09-25 | 2003-06-03 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
JP3780415B2 (ja) * | 2001-06-12 | 2006-05-31 | 株式会社村田製作所 | 縦結合共振子型弾性表面波フィルタ、およびそれを用いた通信機装置 |
US9473106B2 (en) | 2011-06-21 | 2016-10-18 | Georgia Tech Research Corporation | Thin-film bulk acoustic wave delay line |
FR3033087B1 (fr) * | 2015-02-23 | 2018-03-23 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Dispositif piezoelectrique |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL253866A (de) * | 1959-07-17 | |||
NL261168A (de) * | 1960-03-07 | |||
US3401360A (en) * | 1963-07-19 | 1968-09-10 | Bell Telephone Labor Inc | Phased transducer arrays for elastic wave transmission |
US3360749A (en) * | 1964-12-09 | 1967-12-26 | Bell Telephone Labor Inc | Elastic wave delay device |
US3401275A (en) * | 1966-04-14 | 1968-09-10 | Clevite Corp | Composite resonator |
US3453711A (en) * | 1966-08-24 | 1969-07-08 | Corning Glass Works | Method of connecting together a plurality of transducer segments |
US3490055A (en) * | 1967-01-16 | 1970-01-13 | Microtek Electronics Inc | Circuit structure with capacitor |
US3587005A (en) * | 1968-01-03 | 1971-06-22 | Bell Telephone Labor Inc | Transducer array for elastic wave transmission |
US3505542A (en) * | 1968-02-28 | 1970-04-07 | Westinghouse Electric Corp | Surface wave piezoelectric resonator |
US3593214A (en) * | 1969-04-29 | 1971-07-13 | Westinghouse Electric Corp | High impedance transducer |
-
1970
- 1970-09-10 US US71094A patent/US3689784A/en not_active Expired - Lifetime
-
1971
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- 1971-09-07 DE DE2144607A patent/DE2144607C3/de not_active Expired
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US3689784A (en) | 1972-09-05 |
DE2144607A1 (de) | 1972-03-16 |
DE2144607C3 (de) | 1980-11-06 |
GB1352538A (en) | 1974-05-08 |
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