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DE2107786A1 - Halbleiterbauelement - Google Patents

Halbleiterbauelement

Info

Publication number
DE2107786A1
DE2107786A1 DE19712107786 DE2107786A DE2107786A1 DE 2107786 A1 DE2107786 A1 DE 2107786A1 DE 19712107786 DE19712107786 DE 19712107786 DE 2107786 A DE2107786 A DE 2107786A DE 2107786 A1 DE2107786 A1 DE 2107786A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
cooling element
conductors
crystal
semiconductor component
plastic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19712107786
Other languages
English (en)
Other versions
DE2107786B2 (de
DE2107786C3 (de
Inventor
Kurt 2000 Hamburg Hupfeld
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority to DE19712107786 priority Critical patent/DE2107786C3/de
Priority to NL7201879A priority patent/NL7201879A/xx
Priority to IT6746372A priority patent/IT949098B/it
Priority to ES399836A priority patent/ES399836A1/es
Priority to FR7205129A priority patent/FR2125498B1/fr
Publication of DE2107786A1 publication Critical patent/DE2107786A1/de
Publication of DE2107786B2 publication Critical patent/DE2107786B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2107786C3 publication Critical patent/DE2107786C3/de
Expired legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H01L23/433Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
    • H01L23/4334Auxiliary members in encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

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  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Description

!arTsor
Anmaldar: H. V. PülüF/ CLGiILAMPENFABRIEKEN
Akte: PHD- 1550
Anmeldung vom. 1 7 . Febr . 1971
N.V.Philips* Gloeilampenfabrleken, Eindhoven/Niederlande
Halbleiterbauelement
(Zusatz zu Patent (Patentanmeldung P 19 57 664.8)
Das Hauptpatent betrifft ein Halbleiterbauelement mit aus Metallstreifen gebildeten Leitern, eine» auf einem der Leiter angeordneten Kristall, der eine integrierte Schaltung enthält, elektrisch leitenden Verbindungen vom Kristall zu den Leitern und einer isolierenden Kunststoffhülle, in welche die integrierte Schaltung, die leitenden Verbindungen und ein Teil der Leiter aufgenommen sind, wobei die umhüllten Leiter im wesentlichen in einer Ebene liegen, wobei das Halbleiterbauelement mit einem Kühlelement versehen ist, das dem Kristall gegenüber an dem den Kristall tragenden Leiter befestigt ist, und wobei der weitere Teil des Kühlelementes sich außerhalb der Ebene, in der sich die Leiter befinden, erstreckt.
Wird die isolierende Kunststoffhülle im Spritzverfahren hergestellt, wie dies wohl überwiegend der Fall ist, so wird an einer Seite des aus Kristall, Leiterstreifen und Kühlelement bestehenden Aufbaues der Kunststoff eingespritzt, der, um die Form vollkommen auszufüllen, an einer Seite des den
PHD-I550 - 2 -
Thi/5/
209837/0925
Formraum praktisch in zwei Hälften teilenden Kühlelementes entlang fließen, um dann in die zweite Hälfte einzutreten und auch diese auszufüllen. Der gleichmäßigen Verteilung des Kunststoffes über den gesaaten Formraum stehen als Hindernisse einmal der Komplex aus Kristall, Leiterstreifen und Kühlelement entgegen, zum anderen aber auch Restluft, die nicht mehr entweichen kann, wenn ein Teil des in die Form eingespritzten Kunststoffes Entlüftungskanäle schon zugesetzt hat, bevor auch die von der Einspritzöffnung am weitesten entfernt liegenden Bereiche des Formraumes von der viskosen Kunststoffmasse ausgefüllt worden sind.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, diesen Nachteil zu beseitigen.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß das Kühlelement mit Durchtri ttsschl itzen für den umhüllenden Kunststoff versehen ist.
Nach einer weiteren Ausbildung der Erfindung sind die Durchtrittsschlitze in dem Teil des Kühleiementes angeordnet, der sich außerhalb der Ebene, in der sich die Leiter befinden, erstreckt. Die Durchtrittsschlitze sind dabei derart angeordnet, daß sie sich parallel zur größten Längenausdehnung des Kühlelementes erstrecken, um den Wärmefluß im Betrieb des Bauelementes möglichst wenig zu behindern.
Die mit der Erfindung erzielten Vorteile bestehen insbesondere darin, daß der Kunststoff beim Utaspritzen nicht nur um die Anordnung aus Kristall, Leitern und Kühlelement herumfließen muß, sondern auch durch das Kühlelement hindurehfließen kann, wodurch eine schnellere Verteilung des Kunststoffes ermöglicht und eine Lunkerbildung vermieden wird.
- 3-
209837/0925
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in den Zeichnungen dargestellt und wird im folgenden näher beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 einen Schnitt durch ein gemäß der Erfindung ausgebildetes Halbleiterbauelement und
Fig. 2 eine Draufsicht auf das in dem Bauelement nach Fig. 1 enthaltene Kühlelement.
Fig. 1 zeigt den Kristall 8 mit dem Leiterstreifen 27 und dem plattenförmigen Kühlelement 31. Die gestrichelte Linie 28 deutet die durch Kunststoffspritzen hergestellte Umhüllung des Bauelementes und damit gleichzeitig die Innenbegrenzung der beim Umspritzen verwendeten Form an, die mit einem Entlüftungs-' kanal 5 versehen ist.
Nimmt man nun an, daß beim Umspritzen von Kristall, Leiterstreifen und Kühlelement der Kunststoff bei 1 oder la in die Form eintritt, wird er in Richtung des Pfeiles 2 fließen und die obere Hälfte der Form ausfüllen und in Richtung der Pfeile 3 das Kühlelement umgehen, um auch die untere Hälfte der Form auszufüllen. Dabei ist, wie schon eingangs erläutert, der Strömungswiderstand für den Kunststoff sehr hoch, so daß die zweite Hälfte der Form langsamer ausgefüllt wird und die Gefahr besteht, daß der Strom 2 den Entlüftungskanal 5 abdichtet und die in der unteren Hälfte befindliche Luft nicht mehr entweichen kann, was zur Bildung unerwünschter Lunker führt.
Die Fig.2 zeigt nun ein gemäß der Erfindung ausgebildetes Kühlelement, das mit längs verlaufenden Schlitzen 31 versehen ist. Diese Schlitze liegen in den Teilen 29 des K{ihlelementes, die sich außerhalb der Ebene, in der sich die Leiter befinden, erstrecken. Zweckmäßigerweise verlaufen die Durchtrittsschlitze 31, wie dies in der Zeichnung dargestellt ist, parallel zur größten Längenausdehnung des Kühlelementes.
209837/0925
Ist das Kühlelement mit Schlitzen versehen, so kann der Kunststoff beim Umpressen durch die Schlitze hindurch, d.h. in Richtung der Pfeile K in Fig. I, die andere Seite des Kühlelementes erreichen und der gesamte Pormraum wird sehr schnell und ohne die Gefahr einer Lunkerbildung mit Kunststoff ausgefüllt.
Pa tentansprüche
— 5 — 209837/092fc

Claims (1)

  1. Patentansprüche
    Halbleiterbauelement mit aus Metallstreifen gebildeten Leitern, einem auf einem der Leiter angeordneten Kristall, der eine integrierte Schaltung enthält, elektrisch leitenden Verbindungen vom Kristall zu den Leitern und einer isolierenden Kunststoffhülle, in welche die integrierte Schaltung, die leitenden Verbindungen und ein Teil der Leiter aufgenommen sind, wobei die umhüllten Leiter im wesentlichen in einer Ebene liegen, wobei das Halbleiterbauelement mit einem Kühlelement versehen ist, das dem Kristall gegenüber an dem den Kristall tragenden Leiter befestigt ist, wobei der weitere Teil des Kühlelementes sich außerhalb der Ebene, in der sich die Leiter befinden,
    erstreckt, nach Patent (Patentanmeldung
    P 19 JJ 664.8), bei dem die Kunststoffhülle im Spritzverfahren hergestellt ist, dadurch gekennzeichnet, daß das Kühlelement (29) mit Durchtrittsschlitzen (3I) für den umhüllenden Kunststoff versehen ist.
    2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Durchtrittsschlitze (31) in dem Teil des Kühlelementes (29) angeordnet sind, der sich außerhalb der Ebene, in der sich die Leiter befinden, erstreckt.
    5. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß sich die Durchtrittsschlitze (31) parallel zur größten Längenausdehnung des Kühlelementes (29) erstrecken.
    70 9 HJΊ/0 0 2 B
DE19712107786 1971-02-18 1971-02-18 Halbleiterbauelement Expired DE2107786C3 (de)

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IT6746372A IT949098B (it) 1971-02-18 1972-02-15 Dispositivo semicondottore
ES399836A ES399836A1 (es) 1971-02-18 1972-02-16 Un dispositivo semiconductor.
FR7205129A FR2125498B1 (de) 1971-02-18 1972-02-16

Applications Claiming Priority (1)

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DE2107786A1 true DE2107786A1 (de) 1972-09-07
DE2107786B2 DE2107786B2 (de) 1978-07-06
DE2107786C3 DE2107786C3 (de) 1983-01-27

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DE (1) DE2107786C3 (de)
ES (1) ES399836A1 (de)
FR (1) FR2125498B1 (de)
IT (1) IT949098B (de)
NL (1) NL7201879A (de)

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