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DE2026048A1 - Injektions-Lichtemissionsdiode und Verfahren zu ihrer Herstellung - Google Patents

Injektions-Lichtemissionsdiode und Verfahren zu ihrer Herstellung

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DE2026048A1
DE2026048A1 DE19702026048 DE2026048A DE2026048A1 DE 2026048 A1 DE2026048 A1 DE 2026048A1 DE 19702026048 DE19702026048 DE 19702026048 DE 2026048 A DE2026048 A DE 2026048A DE 2026048 A1 DE2026048 A1 DE 2026048A1
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impurity
crystal
gap
base
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Pending
Application number
DE19702026048
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Kazuhiro; Asatsuma Akira; Hachioji; Homma Kozi; Kusumoto Hazime; Tokio; Kurata (Japan). P 13665
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Publication of DE2026048A1 publication Critical patent/DE2026048A1/de
Publication of DE2026048B2 publication Critical patent/DE2026048B2/de
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Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Injektions-Lichtemissionsdiode mit einem mit einer ersten Verunreinigung eines erforderlichen Leitungstyps und eines größeren Diffusionskoeffizienten als Sauerstoff dotierten Unterlagekristall aus einem III-V-Verbindungshalbleiter, einer darauf aufgewachsenen, mit einer zweiten Verunreinigung des dem ersten entgegengesetzten Leitungstyps dotierten III-V-Verbindungsepitaxialschicht, einem p-n-Übergang und einem Paar von am XJnterlagekristall und an der Epitaxialschicht angebrachten Stromzuführungen, sowie ein Verfahren zu deren Herstellung·
Herkömmliche Grünlichtemissionsdioden umfassen eine Injektions-Lichtemlaalonsdiode, die einen Kristall aus GaP
8i-(Pos. 2i.6.3O)Tp-r (7)
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als Basismaterial benutzt. Die Lichtemissionsdiode aus GaP wurde hergestellt, indem man eine Unterlage aus n-GaP oder p-GaP nach dem Lösungswachstumsverfahren erzeugte und darauf eine p- bzw. n-Epitaxialschicht nach dem Flüssigphasen-Epitaxialverfahren aufwachsen ließ, um einen p-n-Übergang zu bilden, oder indem man einen n-GaP-Kristall nach dem Lösungswachstumsverfahren erzeugte und Zink von außen eindiffundieren ließ, um eine p-Schicht in der Oberfläche der Unterlage zu bilden und so einen p-n-Übergang zu erhalten.
Es wurden verschiedene Verfahren zur Bildung eines p-Ii-"üb er gange 8 in einem Kristall aus GaP angewendet; um eine solche Lichtemissionsdiode aus GaP zu erhalten. Diese Verfahren umfassen eine sogenannte Technik des eingebaut gewachsenen Überganges, bei der eine p-Verunreinigung, wie z. B. Zink, und eine n-Verunreinigusragf wie z. B. Schwefel, vorher einer Lösung eines GaP-Ga-Systems zugesetzt werden, die für das Lösungswachstum verwendet wird, und bei der man die Lösung schrittweise abkühlen läßt, um das GaP auszukristallisieren. Gemäß dieser Technik wird die Abkühlungsgeschwindigkeit der Lösung im Lauf des Lösungswachstums variiert, so daß die Abhängigkeit des Verteilungskoeffizienten des Zinks und Schwefels von der Wachstumsgeschwindigkeit zur Erzeugung des p-n-Übergangs aus» genutzt wird. ·
Bei einem anderen Verfahren, das Doppelepltaxialverfahren genannt wird, verwendet man eine Lösung eines GaP-Ga-Systems mit Schwefelgehalt zur Bildung eiissr n-Epitaxialachlcht aus GaP bestimmter Dicke auf einem Un&erlagekristall und setzt dann Zink in einer größeren als zur Kompensation des in den Unterlagekristall eingeführten Donors
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erforderlichen Menge der Lösung zu, um eine p-Epitaxialachicht aufwachsen zu lassen.
Vorzugsweise bei den vorstehenden Verfahren verwendete Dotiermittel sind solche, die einen erwünscht flachen Verunreinigungspesel in einem Kristall aus GaP bewirken können· Bevorzugte ρ-Verunreinigungen umfassen Zink und Cadmium, während zu den bevorzugten n-Verunreinigungen Schwefel, Selen, Tellur und Zinn gehören. Solche Elemente wie Sauerstoff, di· zur Bewirkung eines Tieffallenpegels tendieren, sind in einer Diode unerwünscht, deren Zweck die Emission grUnen Lichts ist. Insbesondere bewirkt Sauer stoff, wenn er als Verunreinigung in eine« Kristall aus GaP vorliegt, dessen verbotener Energiebandspa.lt bei Raumtemperatur nur in der Größenordnung von 2,25 *V liegt, einen Donorpegel in einer Lage bei etwa 0,8 bis 0,9 eV unter den Leitband in Kristall aus GaP, und dieser Donorpegel ist voK Valenzband nur u« 1,5 eV entfernt. Ein Übergang vom Donorpegel sun Valenzband ruft Emission von nahezu infrarotem Licht von etwa 8100 X hervor, und so verringert die Anwesenheit von Sauerstoff selbst in «ehr geringer Menge merklich di· Quentenwirksamkeit der Grünllchtemission. Venn außerdem ein Kristall aus GaP mit einem Akzeptor, wie z. B. Zink dotiert wird und Zink in der nächsten Nachbargitterlage von Verunreinigungsaauerstoff im Kristall aus GaP vorliegt, bilden Zink und Sauerstoff ein sogenanntes Zn-0-Paar, das weder als Donor noch, als Akzeptor wirkt und einen Fallenpegel in einer Lage etwa O1U eV unter dem Leitband bewirkt· Die in diesem Fallenpegel erfaßten Elektronen machen einen Übergang zum isolierten Akzeptorpegel von Zink und rekombinieren sich mit den Löchern unter Ausstrahlung roten Lichts von etwa 7000 ■ %, Natürlich wird der Mechanismus der Ausstrahlung roten Lichts durch
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das Zn-O-Paar von einem Sekundärmechanismus begleitet, bei dem das Exciton an solcher Ausstrahlung teilnimmt. Es ist auch bekannt, daß die Ausstrahlung von rotem Licht durch ein Cd-O-Paar hervorgerufen wird, wenn ein Kristall aus GaP mit Cadmium dotiert wird« Jedenfalls ist die Anwesenheit von Sauerstoff im p-n-Übergangsteil der Grünlichtemlssionsdiode aus GaP nachteilig» da die Quantenwirksamkeit der GrUnlichtetnission äußerst stark gesenkt wird und sich ein intensives rotes Licht mit dem grünen Licht mischt, so daß ein gelbes oder Orangelicht erzeugt wird.
Ein Einkristall aus GaP wurde bisher allgemein hergestellt, indem man eine Masse aus Roh-GaP in einer Hochtemperaturlb'sung von Gallium in einem vakuumdichten Quarzkolben auflöste und die Lösung schrittweise abkühlte, um das GaP auszukristallisieren. Ee tritt daher eine Tendenz auf, daß das Gallium bei einer hohen Temperatur mit der Innenwand des Quarzkolbens reagiert, so daß Sauerstoff in der Galliumlöaung gelöst wird. Die Reaktionsformel ist folgende t
+ k Ga —* Si + 2
Das nach vorstehender chemischer Reaktionsformel erzeugte Galliumoxyd, Ga2O, lost sich in der Galliumlösung, und Sauerstoff geht in den Einkristall aus GaP ein, der aus dieser Lösung wächst.
Nach den bekannten Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus GaP wird ein© p-Verunreinigung, wie z. B. Zink oder Cadmium, oder eine n-Verunreinigung, wie z. B, Schwefel, Selen oder Zinn, der Galliumlöstang, die GaP ent-
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hält, vorher zugesetzt, so daß der Krist.all aus GaP einen p- oder n-Leitungstyp erhält, und unter Verwendung eines solchen p- oder η-Kristalls als Unterlagekristall wendet man die FlUssigphasen-Epitaxialmethode an, um eine epitaktisch gewachsene Schicht des entgegengesetzten Leitungstyps auszubilden und dadurch einen p-n-Übergang zu erhalten, oder manläßt eine Verunreinigung des entgegengesetzten Leitungstyps von außen in einen solchen Unterlagekristall eindiffundieren, um einen p-n-Übergang zu erhalten. Es war indessen schwierig, die Grünlichtemission mit gutem Wirkungsgrad zu entwickeln, da eine Schicht oder Schichten mit Sauerstoffgehalt auf einer Seite oder auf gegenüberliegenden Seiten des p.n-Übergangs vorliegen,
Nach der schon erwähnten Doppelepitaxialmethode läßt man eine η-Schicht bestimmter Dicke, die mit Schwefel, Selen oder Tellur dotiert ist, epitaxial auf einem aus einer Galliumlösung in einem Graphitbehälter gewachsenen Unterlagekristall und dann eine p-Schicht mit Zink- oder Cadmium-Dotierung epitaxial auf der n-Epitaxialschicht aufwachsen, um dadurch einen p-n-Übergang in einer Luge von mehr als etwa 1 bis 5 /U oberhalb der Oberfläche des sauerstoffhaltigen Unterlagekristalls zu bilden.
Bei dem Doppelepitaxialverfahren ist es indessen nötig, der Lösung im Lauf der Flüssigphasenepitaxie eine Verunreinigung des entgegengesetzten Leitungstyps zuzusetzen. Weiter muß die Menge dieser Verunreinigung größer sein, als zur Kompensation der vorher zugesetzten Verunreinigung erforderlich ist, und es ist schwierig, die Verunreinigung schnell und gleichmäßig in der Lösung zu verteilen. Die Grenzfläche des nach dem Doppelepitaxialverfahren gebildeten p-n-Überganges weist häufig nicht die erforder-
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liehe Flachheit auf, und die Ladungsträgerkonzentration variiert von Ort zu Ort der Grenzfläche des p-n-Überganges. Wenn also das Doppelepitaxialverfahren zur Erzeugung von Lichtemlasionsdioden angewendet wird, ergeben sich eine ungünstige Ausbeute und eine Streuung der Eigenschaften der Dioden.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Injektions-Lichtemlssionsdiode der eingangs genannten Art zu schaffen, bei der die Wirkung schädlicher Verunreinigungen, insbesondere Sauerstoff, die in den Unterlagekristall eindringen, möglichst gering gehalten ist, und ein Verfahren zur Herstellung einer solchen Diode anzugeben.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Epitaxialechicht angrenzend an den Unterlagekristall eine Diffusionsschicht mit der ersten Verunreinigung und deren Leitungstyp enthält und daß der p-n-Übergang zwischen der Diffusionsschicht und der übrigen Epitaxialschicht liegt.
Die Halbleiterdiode gemäß der Erfindung hat folgende Vorteile:
i) Der p-n-Übergang hat einen ausreichenden Abstand von der Grenzfläche des Unterlagekristalls und der epitaxial aufgewachsenen Schicht, die frei von Sauerstoff, Zn-O-Paaren und anderen unerwünschten Verunreinigungen ist, und daher werden die Eigenschaften des p-n-Übergangee durch die genannten unerwünschten Verunreinigungen nicht nachteilig beeinflußt. Es ist daher möglich, eine Halbleiterdiode zu erhalten, die Licht der erforderlichen Wellenlängen mit hohem Quantenwirkungsgrad afoetrafel&.
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2) Das Dotiermittel, wie z. B, Zink, kann gleichmäßig vom Inneren des IJnterlagekristalls in die epitaxial aufgewachsene Schicht eindiffundieren. So ist die Oberfläche der Epitaxialschicht frei von irgendeiner Oberflächenrauhheit, und die Tiefe der Diffusion kann leicht kontrolliert werden, so daß der p-n-Übergang auf einem Niveau in ziemlich geringer Tiefe von der Oberfläche der Epitaxialschicht erzeugt wird. Die· bringt den Vorteil, daß die Absorption von emittiertem Licht reduziert werden kann und das emittierte Licht mit hohem Quantenwirkungegrad nach außen abgegeben werden kann·
3) Der Epitaxialschritt lind der Schritt der Diffusion können innerhalb der gleichen Apparatur ausgeführt werden. Dies führt zu einer hohen industriellen Produktivität.
Die Merkmale und Vorteile der Erfindung werden anhand der in der Zeichnung veranschaulichten Aueführungabeispiele näher erläutert; darin zeigern
Fig. 1 a bis 1 c schematische Schnittaneichten zur Erläuterung der aufeinanderfolgenden Schritte zur Herstellung einer Injektions-Lichtealeeionediode gemäß einen Ausführungsbeispiel des Verfahrens gemäß der Erfindung!
Fig. 2 eine achematische Schnittansicht zur Erläuterung des Aufbaues der nach dem in den Fig. 1 a bis 1 c erläuterten Verfahren hergestellten In-Jektions-Lichtemissionsdiode;
Fig. 3 eine schematische Schnittansicht zur Erläuterung
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eines weiteren Ausfiihrungsbeispiele des Ver-, fahrens zur Herstellung einer Injektions-Lichtemissionsdiode gemäß der Erfindung! und
Fig. k ein Diagramm zur Erläuterung der Abhängigkeit zwischen der Temperatur der Wärmebehandlung und der Zeit während der Bildung eines p-n-Überganges in der Injektions-Lichtemissionediode, die nach dem in Flg. 3 erläuterten Verfahren erhalten wurde.
Einige Ausfuhrungsbeispiele des Verfahrene zur Her« stellung einer Halbleiterdiode gemäß der Erfindung sollen nun unter Hinweis auf die Figuren erläutert werdesu
Beispiel 1
In Fig. 1 ist ein p-Unterlagekristall 1 aus GaP dargestellt, der nach dem Lösungswachsturneverfahren erzeugt wurde. Der Unterlagekristall 1 ist mit Zink dotiert. Die Verunreinigungskonzentration des Akzeptor-Zinks im Unterlagekrlstall 1 ist 5 χ 10 /cm . Die Tatsache, daß von einem Quarzkolben während des Lgsungswaohsturns Sauerstoff abgegeben wird und im Unterlagekristall 1 vorliegt, zeigt sich in einem Zwischenemissionsversuch, der noch im Zusammenhang mit dem nächsten Schritt beschrieben wird. Die Dicke des Unterlagekristalls 1 ist allgemein in der Größenordnung von 50 bis 100 /u. Die Oberseite des Unterlagekristalls 1 wird mechanisch mit Carborundum einer Teilchengröße der Größenordnung von etwa 3,5 bis etwa 7 /U geläppt und dann zwecks Polierens auf Spiegelgüte
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mit Aluminiumoxyd einer Teilchengröße in der Größenordnung von 0,3 /u geschwabbelt, und die polierte Oberfläche wird dann mit einem geeigneten chemiechen Ätzmittel, wie z. B. einer wäßrigen Lösung von H3O -HCl, geätzt, um die Bearbeitungsverzerrungen aufgrund des mechanischen Läppens zu beseitigen.
In dem nächsten, in Fig. 1b erläuterten Schritt wird eine epitaxial gewachsene n-Schicht 3 auf der Oberseite des Unterlagekristalls 1 nach dem Flüsβigphaeenepitaxialverfahr en, wie z. B. dem NeIson-Verfahren, erzeugt· Die Epitaxialschicht 3 kann mit Tellur mit einer Verunreinigungskonzentratian in der Größenordnung von 2 χ 10 /cm dotiert werden. Die Epitaxialschicht 3 hat allgemein eine Dicke von etwa 3 bis 10 /a. Nach dem vorstehenden Schritt wurde ein Zwischenemissionsversuch an einer Diode ausgeführt, die aus einem Teil des p-n-Ubergangs gemacht wurde. Wenn Strom in der Vorwärtsrichtung angelegt wurde, emittierte die Diode Orangelicht. Veiter zeigte eine Messung der Emissionsspektrumverteilung, daß ein Spitzenwert von rotem Licht erheblicher Intensität bei einer Wellenlänge von etwa 7000 A existierte und daß eine solche Emission von den Zn-0-Paaren' herrührte, die durch die Kombination von Zink und Sauerstoff gebildet wurden, die in der Nähe des p-n-Überganges vorlagen.
Die in Fig. 1 b gezeigte Epitaxialwaffel wird zusammen mit etwa 0,5 ng roten Phosphors in einen Quarzkolben
3 mit einem Innenvoluaen von z. B. etwa 10 ca eingebracht. üer Quarzkolben wird auf ein Vakuum der Größenordnung von 5 χ 10" Torr evakuiert und für 30 Minuten bis 2 Stunden auf «ine Temperatur von z. B. etwa 850 C erhitzt. Durch dies· Wärmebehandlung diffundiert Zink au· dem Unterlag·-
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kristall 1 in die n-£pitaxialschicht 3, so daß in der n-Epitaxialschicht 3 eine p-Schicht 2 gebildet wird, wie Flg. 1 c zeigt. Bei dem vorstehenden Schritt dfingt kein Sauerstoff al« Verunreinigung in die p-Schisht 2 ein, da die Diffusionsgeschwindigkeit des in Unterlagekristall 1 vorhandenenen Sauerstoffs niedriger als dia des Zinks ist. Für die p-Schioht 2 genügt eine Dick® von mehr als etwa 1 /U, doch sollte die Dicke tatsächlich vorzugsweise mehr als einige Mikron betragen. Eine solche Dicke ist nötig, da die epltaxialgewaehseiri© Schicht 2 in der Nähe der Grenzfläche des Unterlagekristalls 1 und der epitaxial· gewachsenen Schichten 3 und 2 nicht genügend kristallin sein kann.
Nach dem in Fig. 1 c erläuterten Schritt werden Elektroden 5 und k mn der Halbleiterunterlag® angebracht, um so eine Halbleiterdiode fertigzustellen, wie sie in Fig. gezeigt ist. Diene Halbleiterdiode emittiert grünes Licht mit gutem Wirkungsgrad,, wgimi der Diode Strom in Vorwärtsrichtung zugeführt wird.
Der lichtemittierende Halbleiter ist in keiner Weise auf GaP beschränkt* und er kann aus einer der halbleitenden IIX-V-Verbindungen bestehen. Veiter läßt sich durch geeignetes Auswählen der bein Diffueionsschritt nach Fig. 1 c verwendeten Zeit und Temperatur die Dicke der η-Schicht, die in der ursprünglichen Epitaxialschicht übrig bleibt, leicht auf einen gewünschten Wert einstellen, so daß das von p-n-Übergang emittierte Lieht wirksam abgegeben werden kann, ohne daß es in merklichem Umfang durch die η-Schicht absorbiert wird.
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Beispiel 2
In Fig. 3 iet eine p-Einkristallunterlage 1 aus GaP, das mit Zink dotiert ist« in einem Graphitschiffchen 6 angeordnet. Das Graphitschiffchen 6 enthält eine polykrietalline Masse 7 aus GaP und eine mit GaP gesättigte Galliumlösung 8. Der Galliumlösung 8 wird ein n-Dotiermittel, wie z. B. Tellur, Selen, Schwefel oder Zinn zugesetzt. Stickstoff in Form von InN oder GaN1 das als emissionssteigerndes Mittel für das Exciton wirkt, kann der Galliumlösung 8 zugesetzt werden· Das Schiffchen 6 wird in einen Quarzreaktionerohr 9 angeordnet, und man läßt Wasserstoffgas oder eine Mischung aus Wasserstoff- und Argongas Über das Schiffchen 6 strömen· Gegebenenfalls kann auch NH„-Gas in diese Striae gemischt werden, um die erwähnte Dotierung mit Stickstoff zu erreichen. Das Schiffchen 6 wird dann durch einen elektrischen Ofen 10 auf etwa 970 0C erhitzt, und nach dem Halten des Schiffchens 6 bei dieser Temperatur bis sur ausreichenden Sättigung der GaIliuelösung mit GaP 7 wird das Schiffchen 6 schrittweise mit einer Abkühlungsgeschwindigkeit van etwa 15 0C je Minute abgekühlt. Der Ablauf der Temperaturänderung ist in Fig. k dargestellt, in welcher die Abszisse die Zeit und die Ordinate die Abkühlungstemperatur widergeben.
Wenn eine mit dem Pfeil £ gekennzeichnete Temperatur erreicht wird, d. h. wenn die Temperatur der Lösung auf 950 °C gebracht ist, wird die gesamte Vorrichtung nach Fig. 3 in einer Richtung des Pfeils D gekippt, um die Lösung 8 in Berührung mit der Oberseite des Unterlagekristalls 1 zu bringen. Wenn eine durch den Pfeil F gekennzeichnete Temperatur erreicht wird, d. h. wenn der Unter-
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lagekristall 1 schrittweise mit der gleichen Abkühlungsgeschwindigkeit abgekühlt ist, bis 850 0C erreicht werden, wächst eine n-Lösungswachstumsepitaxialschicht ähnlich der Schicht 3 in Fig. 1 b auf den Unterlagekristall 1 auf. Die n-Epitaxialschicht hat eine Dicke in der Größenordnung von 10 λχ und enthält überhaupt keinen Sauerstoff. Die Abkühlung wird dann bei dieser Temperatur unterbrochen, und der Unterlagekristall 1 wird auf dieser Temperatur etwa 20 Minuten bis zu einer durch den Pfeil G gekennzeichneten Zeit gehalten« Während dieser Zeitdauer diffundiert Zink vom Unterlagekristall 1 in die epitaxialgewachsene (der Schiebt 3 nach Fig. 1 b ähnliche) Sdaicht, so daß der dem Unterlagekristall 1 nah© .Teil der Epitaxialschicht in eine der Schicht 2 nach Fig., 1 c ähnliche p-Schicht umgewandelt wird. Die Dicke und die Ladungsträgerkonzentration der p-Schicht lassen sieh durch geeignete Auswahl der Temperatur beim Punkt F und der Zeitdauer zwischen den Funkten F und G variieren. Nachdem der Unterlagekristall 1 nach und nach auf eine durch den Pfeil H gekennzeichnete Temperatur im erforderlichen Maß abgekühlt ist, wird die 'gesamte Vorrichtung in einer Richtung des Pfeils D1 in Fig» 3 gekippt-, »as die Lösung S aus dem Kontakt mit dem Unterlagekristall 1 zu bringen, ©dar dor dem elektrischen Ofen 10 zugeführte Strom wird unterbrochen, um den Unterlagekristall 1 frei abkühlen zu lassen und dadurch irgendein weiteres Wachstum der Epitaxialschicht zu unterbrechen. Während dieses Beispiel so als ein Fall behandelt wurde, bei dem die Diffusion zwischen den Punkten F und G nach Fig. h bei einer konstanten Temperatur bewirkt wird, kann auch eine Temperaturänderung zwischen diesen Punkten vor sich gehen. Weiter kann anstelle der horizontalen Vorrichtung nach Fig. 3 zum Ausführen der Flüssigphasenepitaxie auch eine Vertikalvorrichtung Verwendung
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finden. Dieses Beispiel hat die Vorteile, daß sich die Diffusion mit der zur Flüssigphasenepitaxie geeigneten Vorrichtung einfach durchführen läßt und der Ünterlagekristall selten einer Beeinträchtigung durch unerwünschte Verunreinigungen unterworfen ist, da die GaIliumlÖsung vorliegt, die eine starke Getterwirkung hinsichtlich unerwünschter Verunreinigungen zeigt.
Obwohl sich die vorstehende Beschreibung nur mit der Anwendung eines FlüssigphasenepitaxialVerfahrens als Mittel zur Erzeugung der Epitaxialschicht befaßt} ist das Verfahren gemäß der Erfindung auch auf einen Fall anwendbar, in dem die Epitaxialschicht nach einem Dampfphasenepitaxialverfahren erzeugt wird.
Der nach dem Verfahren gemäß der Erfindung hergestellte p-n-Übergang kann nicht nur als einzelne Halbleiterdiode verwendet werden, sondern auch zum Aufbau einer alphanumerischen Darstellungsvorrichtung oder graphischen Darstellungsvorrichtung dienen, indem man die Unterlage einer selektiven Atzung unterwirft, um eine Ansammlung einer Mehrzahl von Halbleiterdioden zu bilden, die in der gleichen Unterlage angeordnet sind.
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Claims (1)

  1. Patentansprüche
    Injektions-Lichtemlssionsdiode mit eiroe mit einer
    ersten Verunreinigung eines erforderlichen Leitungstyps und eines größeren Diffuaionskoeffisi©sit©is ala Sauerstoff dotierten Unterlagekristall aus einem Ill-V-Verbindungshalbleiter, einer darauf aufgewachsenen, mit einer zweiten Verunreinigung des dem ersten entgegengesetzten Leitungstyps dotierten III~Y-Verbinduns@®pit&2cl.alsenieht, ©inem p-n-Übergang und einem Paar von mm Unterlagekristall und an der Epitaxialsehielit angebrachten Stroewafüfarungen,, dadurch gekennzeichnet, daß die Epitaxialschlcht angrerazead &n den Umterlagekristall (1) eine Diffusioneschicht (2) mit der ersten Verunreinigung und deren Leittragstyp enthält und. daß der p»n-Übergang zwischen der Oiffusioixsschicht und der Übrigen Epltaxialschicht (3) liegt.
    2. Diode nach Anspruch 1* dadurch gekennzeichnet, daß der Unterlagekristall (i) aus GaP 1st.
    3. Verfahren zur Herstellung einer Injektions-Lichtemissionsdiode nach Anspruch T1 dadurch gekennzeichnet, daß man einen Unterlagekristall aus einem III-V-Verbindungshalbleiter mit Zink oder Cadmium dotiert und innerhalb einer auf d«a Unterlagekristall aufgewachsenen Epitaxial schicht, die ein· Verunreinigung eines dem des Unterlagekristalls entgegengesetzten Leitungstyps enthält, •inen p-n-Übergang erzeugt.
    k. Verfahren zur Herstellung einer Injektions-Licht-
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    emissionsdiode nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß man aus einer Zink enthaltenden Lösung des GaP-Ga-Systems GaP auskristallisieren läßt und dadurch eine Unterlage aus GaP herstellt, daßman diese in ersten Schritt erhaltene Unterlage aus GaP in ein Reaktionsgefäß einfuhrt, das nicht mit Gallium reagiert, und die Unterlage aus GaP erhitzt, um auf der Unterlage aus GaP durch Flüssigphasenepitaxie eine η-Schicht aufwachsen zu lassen, und die nach dem zweiten Schritt vorliegende Einheit auf hoher Temperatur hält, um Zink bis in eine bestimmte Tiefe der Epitaxialschicht eindiffundieren zu lassen·
    5. Verfahren zur Herstellung einer Injektions-Lichtemissionsdiode nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß man vorab einen Unterlagekristall au· einem XII-V-Verbindungshalbleiter mit einer ersten Verunreinigung dotiert, die eine Diffusionsgeschwindigkeit aufweist, die größer als die von unveraieidlich in die Unterlage eindringenden Verunreinigungen ist, und der Unterlage einen Leitungetyp verleiht, daß «an auf der Unterlage eine epitaxial aufgewachsene Halbleiterechicht erzeugt, die mit einer zweiten, einen gegenüber dem der ersten Verunreinigung entgegengesetzten Leitungstyp liefernden Verunreinigung dotiert 1st, so daß die epitaxial aufgewachsene Schicht einen dem der Unterlage entgegengesetzten Leitungstyp aufweist, und daß man die so mit der epitaxial aufgewachsenen Schicht versehene Unterlage einer Wärmebehandlung unterwirft, wodurch die erste Verunreinigung in die epitaxial aufgewachsene Schicht eindiffundiert·
    6. Verfahren nach Anspruch 5» dadurch gekennzeichnet,
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    daß die Halbleiterunterlage ein Kristall aus GaP ist, die erste Verunreinigung aus der Gruppe Zink und Cadmium gewählt wird und die zweite Verunreinigung aus der Gruppe Tellur, Selen, Schwefel und Zinn gewählt wird.
    7* Verfahren nach Anspruch 5» weiter gekennzeichnet durch den Verfahrensechritt der Anbringung eines Paares von Elektroden an der Unterlage und der epitaxial aufgewachsenen Schicht·
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