DE2015643A1

DE2015643A1 - Verfahren zur Herstellung von Mehrschi cht-Stromkreispaneelen

Info

Publication number: DE2015643A1
Application number: DE19702015643
Authority: DE
Inventors: Alexander Joseph Binhamton; Scheer Herman Carl Endicott; N.Y. Mc Pherson (V.St.A.)
Original assignee: International Business Machines Corp
Current assignee: International Business Machines Corp
Priority date: 1969-04-02
Filing date: 1970-04-02
Publication date: 1970-11-05
Also published as: GB1262245A; JPS502059B1; FR2042059A5

Description

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1. April 1970 ' ■

Dr.Schie/E

Docket EN 968 042

U.S.Serial Έο.812

Anmelder: International Business Machines Corporation, Armonk, N.T. 10504 (V.St.A.) .-...."

Vertreter!Patentanwalt Dr.-Ing. Rudolf Schiering, 7030 Böblingen/Württ., Westerwaldweg 4

Verfahren zur Herstellung von Mehrschicht-Stromkreispaneelen

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Mehrschicht-Stroinkreispaneelen· Sie betrifft insbesondere ein Verfahren für die Produktion mehrschichtiger gedruckter Schaltungen, bei dem zusätzliche Methoden für die Bildung der Leiter innerhalb jeder Lage, bzw. Schicht, zur Anwendung gelangen· Die Leiter werden dabei durch metallisches Ablagern über photoempfindliche Masken gebildet, welche, nacheinander entfernt werden und durch flüssige Dielektrika ersetzt werden. Diese flüssigen Dielektrika werden in eine feste Form umgewandelt. Bei der Erfindung werden zusätzliche Schichten nacheinander gebildet und zwar durch Wiederholung des Verfahrens.

Verfahren zur Herstellung von Mehrschicht-Stromkreispäneelen sind bereits durch die amerikanischen Patentschriften 3 350 498 und 3 405 227 bekanntgeworden.. Außerdem ist ein solches Verfahren auch im IBM Technical Disclosure Bulletins, September 1967, Band 10, Heft 4, Seiten 359 bis 360 und im Aprilheft 1966, Band 8, Heft 11, Seite 1482 be-

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schrieben. Ferner wird das der Erfindung zugrunde liegende Verfahren auch im Dezemberlieft 1959 (Band 2, Heft 4·) auf den Seiten 7 und 8 in den IBM Technical Disclosure Bulletins behandelt. Bei diesen bekanntgewordenen Verfahren wird jedoch nicht von flüssigen Dielektrika und deren Eonvertierung in den Festzustand Gebrauch gemacht.

Bei den anhaltenden Bemühungen in der Praxis zu einer weiteren Verminderung der Größe von Mehrschicht-gedruckten Schaltungspaneelen zu gelangen, wird das Problem der Zwischenverbindungslagen immer schwieriger· Die bisherigen P Methoden zur Herstellung solcher Schaltungen führtminsbesondere dann zu Schwierigkeiten, wo an bestimmten Stellen Löcher gebohrt werden müssen zum Einlegen von Leiterstiften, wenn diese Schaltungen besonders klein ausfallen sollen. Diese Schwierigkeiten bei der Herstellung von Miniaturschaltungskreisen und beim Aufbau mehrschichtiger Systeme zu überwinden, ist die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe.

Die Konstrukwion der vertikalen Zwischenverbindungen und der Schichten von Schaltkreisleitungen kann entweder durch einen oder durch zwei Prozesse aufgebaut werden. Bei dem t einen Prozeß wird selektiv eine Photodeckschicht auf einer Schicht aus leitendem Material, insbesondere Kupfer, belichtet. Danach wird die Deckschicht entwickelt und das Metall selektiv geätzt, so daß an den gewünschten Stellen Stromkreisleiter oder Stifte übrig bleiben. Das restliche Photodeckmittel wird entfernt, und die geätzten Flächen werden dann durch Eindrücken eines isolierenden Materials auf der OberfLüche ausgefüllt. Danach wird die Isolation vom oberen Toil der Leitungen entfernt.

Diesen LoLtorn wird «i.n.e andere Schicht aus Metall hinzugefügt; und Ii'i BLLduiiK dor Photoschutzschicht und die Var-

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£ahTensschritte beim Ätzen werden "bei der nächsten Schacht von Stromkreisen oder Stiften wiederholt. Aufeinanderfolgende 'Lagen ans Stiften oder Leitern können in ähnlicher Weise hinzugefügt werden.

Bei einem zweiten Verfahren zur Bildung von Stromkreisleitern auf einem Substrat durch Ätzen oder Abschirmen wird anschließend eine isolierende Paste aufgebracht.Diese Paste besteht zum Beispiel aus einem Harz, das auf ausgewählte Flächenbereiche aufgetragen wird. Teile der Stromkreisleiter unter dem Harz werden zur Bildung von Stiften freigelegt.. Über die gesamte Oberfläche des Isolators wird eine '. dünne Schicht aus leitendem Material aufgetragen. Die freigelegten Stromkreisleiter und Teile des leitenden Materials sind maskiert. Die unmaskierten,Teile werden dann galvanisch aufgebaut. . . '

Durch, niehtmaskierende Teile des leitenden Materials in Form von Stromkreisleitern wird dann eine zweite Stromkreislage gebildet und der Aufbau fortgeführtο Die Maske wird ent-■ .fernt_rund das leitende, nicht plattierte Material wird weg- · geätzt. Die meisten Stromkreisleiter und Stifte werden durch Plattieren hergestellt, so daß das letztgenannte, Verfahren ein zusätzlicher Prozeß ist. ' . . ':

Die charakteristischen Eigenschaften der bekannten, subtraktiven Prozesse begrenzen in starkem Maße das Ausmaß der erreichbaren Miniaturisierung. Ein Hauptnachteil stellt dabei die Schwierigkeit bei der Kontrolle des Unterschnittes und der Gleichförmigkeit der Ätze für feine Leiter dar. Ein zweiter Nachteil ist durch das Einpressen des blattförmigen Isolators gegeben. Dieses Verfahren führt zu Brüchen"bei Stiften oder Stromkreisleitern. Ferner können bei den bekannten Verfahren in der Nähe von Kanten der Leiter und Stifte Jucken und Hohlräume entstehen, weil die Isolation .

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sich beim Einpressen nicht überall einfügt. Das Entstehen von Lücken, Poren oder Hohlräumen beim Einpressen führt zu einer unerwünschten Stromkreisimpedanz· Außerdem wird bei dem bekannten Verfahren Metall vergeudet und zahlreiche Bäder zum Ätzen und Spülen gebraucht.

Die zusätzlichen Prozesse überwinden mehrere Nachteile der Subtraktionsmethoden. Die Auflösung aus Leitern und Stiften ist nur erreichbar durch Belichten und Entwickeln der Photodeckschicht. Nur hiermit ist eine feinere Ausbildung von Leitern und Stiften möglich. Diese Prozesse erhalten Metall und reduzieren auch die Anzahl der Behandlungsbäder. Das Problem des Unterschnittes wird behoben, und die Anzahl der Glas-Belichtungs-Originale kann reduziert werden.

Die bekannten aktiven Prozesse enthalten jedoch noch die Schwierigkeit des Instellungbringens der erforderlichen Isolation zwischen den Schichten. Die für eine Paste vorgeschlagene Abschirm- und Sprühmethode verlangt wegen der unregelmäßigen Ecken an den Löchern große öffnungen. Bei der Bildung von Stiften mit Durchmessern, die über 0,7 mm liegen, sind diese bekannten Verfahren ausrdchend. Bei kleineren Dimensionen ist jedoch die Gleichförmigkeit von Stromkreisleitung oder Stift nicht gewährleistet und zwar wegen der Änderung der Querschnittsfläche· Wenn Stift- und Leitergröße reduziert werden, dann haben die Änderungen der Kantenunregelmäßigkeiten einen größeren Anteil an der Querschnittsfläche des gebildeten Leiters. Damit wird der elektrische Widerstand und die Stiftstärke nicht gleichförmig. Diese Werte werden unzuverlässig. Der Produktionsgewinn ist entsprechend niedrig, so daß die Kosten erheblich steigen.

Es ist danach ein Hauptziel der Erfindung,ein zusätzliches Verfahren für den Aufbau von mehrschichtigen gedruckten Schaltungen zu schaffen, welches eine wesentliche Reduktion

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in Bezug auf die Größe der Stromkreisleiter und Stifte ermöglicht, um damit wiederum eine Steigerung der Stromkreisdichte zu erreichen.

Ein weiteres Ziel der Erfindung besteht in einem Verfahren zur Bildung von Stromkreisleitern und Stiften, bei dem die Anzahl der erforderlichen Verfahrensschritte herabgesetzt ist.

Ein anderes Ziel der Erfindung besteht darin, ein Verfahren zum Aufbau Von mehrschichtigen gedruckten Schaltungen zu schaffen, bei denen das isolierende Material zwischen den Stromkreislagen in leichtem Fluß alle Unregelmäßigkeiten der Stromkreisebene derart überwindet, daß Lücken oder Poren oder unzulässige Beanspruchungen von Leitern und Stiften vermieden werden.

Weitere Ziele der Erfindung bestehen in der,Schaffung eines Verfahrens zur Bildung von Stromkreisleitern und Stiften, welches zu gleichmäßigen Querschnitten führt und zwar bei einem großen Bereich der Größen, und welches eine Reduktion des hierfür erforderlichen Kapitals ermöglicht. Dabei soll dieses Verfahren das in Stellungbringen der Isolation nach der Bildung der Leiter in Jeder Schicht gestatten.

Für ein Verfahren zur Herstellung von Mehrsohicht-Stromkreispaneelen besteht danach die Erfindung darin,-daß mindestens eine Oberfläche eines Substrats mit einem elektrisch leitendem Material beschichtet wird, daß ausgewählte Bereiche dieses Material mit einer Schutzschicht bedeckt werden, daß auf den von der Schutzschicht nicht bedeckten Gebieten zusätzlich ein elektrisch leitendes Material niedergeschlagen wird, um dort die Dicke auf ein vorbestimmtes Niveau zu erhöhen, daß die Schutzschicht und das leitende Material darunter entfernt werden, daß flüssiges., iaolieren-■.'■..·■■.■■ .- . , 6 -■

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des Material auf dem Substrat ausgebreitet wird, wo die Schutzschicht und die leitende Schicht bis mindestens zu einer Tiefe gleich der Höhe des zusätzlich aufgetragenen Materials entfernt worden sind und daß das isolierende Material zu einer festen homogenen Masse umgewandelt wird.

Zur Erreichung der gesetzten Ziele wird bei der Erfindung ein zusätzliches Verfahren bei der Bildung von Stromkreisleiter und Stift benutzt, in welchem ein elektrisch isolierendes Substrat mit einer dünnen Schicht aus elektrischleitendem Material bedeckt wird, das heißt wiederum mit einer photoempfindlichen Deckschicht überzogen wird.

Die Dicke der Deckschicht ist mindestens gleich jener der erforderlichen Minimumisolation zwischen den Stromkreisleiterebenen. Die photoempfindliche Deckschicht wird über eine photographische Hauptplatte mit Licht bestrahlt und entwickelt, so daß die verbleibende Photoschicht das leitende Material mit Ausnahme jener Stellen bedeckt, wo ein Stromkreisleiter oder ein Stift gebildet werden soll.

Die freigelegten Flächen des leitenden Materials werden durch einen Niederschlagsprozeß gebildet, bis die obere Fläche der entwickelten Photoschicht erreicht ist, womit die Leiter oder Stifte gebildet werden. Die entwickelte Photodeckschicht wird dann entfernt und hinterläßt die aufgebauten Leiter und eine dünne leitende Schicht auf dem Substrat. Um die belichtete dünne Schicht.zu entfernen, wird ein kurzes Säureätzen angewandt, so daß nur Leiter auf der ßubstratoberfläche übrigbleiben.

Ein flüssiges oder gepulvertes isolierendes Harz oder Glas wird über die" Substratfläche mit einer Tiefe gegossen, welche mindestens gleich der Dicke der Leiter ist. Sodann kommt es zur Verfestigung, bzw. zur Aushe'i Lung des Harzes,

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Zu diesem Zeitpunkt kann das geheilte Harz oder die Glas-Oberfläche' aufgerauht, eine dünne Schicht aus leitendem Material hinzugefügt und das Verfahren wiederholt werden, um die Stifte der Zwischenverbindung mit der nächsten Schicht herzustellen.

Dieses Verfahren der Stromkreiskonstruktion ermöglicht im Hinblick auf die Auflösung der photoempfindlichen Deckschicht kleinere Größen. Demgemäß ist auch eine größere Stromkreisdichte möglich. Die Verwendung einer Flüssigkeit für das isolierende Material oder eines gepulverten isolierenden Materials beseitigt die Gefahr des Leiterbruches ' oder der Beschädigung und verhindert die Bildung von Lücken. Wegen der Verringerung der Behandlungsmethoden durch Bäder und der Entwicklungsstationen wird auch das erforderliche Einsatzkapital kleiner. Das Verfahren nach der Erfindung gestattet auch eine breite Variation in der Anordnung der Stromkreisleiter und der Stifte, da diese an irgendeinem gewünschten Punkte gestartet oder beendet werden können.

Die Erfindung sei nachstehend an Hand der Zeichnungen für eine beispielsweise Ausführungsform näher erläutert:

Fig. 1 bis Fig. 6 illustrieren die Verfahrensschritte für I

einen Prozeß zur Herstellung von Mehrschicht-Stromkreispaneelen gemäß der Erfindung.

Fig. 7 zeigt einen Querschnitt durch ein Mehrschicht-Stromkreispaneel, das nach dem Verfahren gemäß Fig. 1 bis 6 hergestellt worden ist.

Nach Fig. 1 wird ein geeignetes isolierendes Substrat 10 aus Glasgewebe-Epoxydharz oder Keramik mit einem elektrischleitenden Material 11, zum Beispiel aus Kupfer, schnell bedeckt. Eine solche Schnellbedeckung mit Material kann durch

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die an sich bekannten elektrodenlosen Niederschlagsmethoden gebildet werden, um eine Schicht von wenigen Mikron Dicke zu schaffen. Als Substrat kann auch Stahl irgendeiner Art als dünneg elektrolytisch aufgetragenes Metall verwendet werden, das als Trennschicht wirksam ist. Die trennende Schicht kann durch eine Blitzätzung am Ende des Prozesses entfernt werden. Diese Schicht stellt einen zeitweiligen elektrischen Stromkreis zu allen Potential-Stromkreispizkten auf der Substratoberfläche her.

Als nächstes wird eine photoempfindliche Deckschicht 12 auffe gebracht. Diese Photodeckschicht kann eine der kommerziell verfügbaren Photodeckschichten sein. Das Aufbringen geschieht gewöhnlich durch Aufstreichen, Schleudern oder Tauchen. Eine bevorzugte Photodeckschicht ist das unter dem Namen "Eiston" bekanntgewordene Produkt der Firma E. I. DuPont de Nemours Co. "Riston" ist im Blattform und in verschiedenen Dicken verfügbar. Dieses Material wird auf das plattierte Metall 11 geschichtet. Es können zwei oder mehr als zwei Dicken aufeinanderfolgend geschichtet werden, um die erforderliche Dicke zu erreichen. Die Dicke der aufgebrachten Photodeckschicht ist bestimmt durch die Dicke des Stromkreisleiters oder durch die gewünschte Höhe des Stiftes·

P Die Photodeckschicht wird über eine Maske mit Licht bestrahlt, um die Flächen 13 zu bilden. Diese sind kreuzweise verbunden und hinterlassen an bestimmten Stellen eine Schutzschicht während des Metallniederschlages· Die Flächen 14 sind unbelichtet. Nach dem Entwickeln wird die Photodeckschicht entfernt und hinterläßt die dünne Metallschicht 11. Diese» ist in jenen Bereichen unbedeckt, in welchen der Aufbau der Stromkreisleiter und der Stifte erfolgen soll. Es sei bemerkt, daß auch infrarotempfindliche Deckschichten verwendet werden können. Das bisher beschriebene Photodeckschichtverfahren bezieht sich auf das Negativ-

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verfahren. Bei der Anwendung des Positivverfahrens liefert das auf die Deckschicht auftreffende Licht umgekehrte Muster.

Nachdem die belichtete Photodeckschicht entwickelt worden ist, wird der Schicht 11, wie in Fig. 2 gezeigt, leitendes Material 15, zum Beispiel Kupfer, hinzugefügt. Die Metall-,. auftragung geschieht vorzugsweise durch Galvanisieren. Die leitende Schicht 11 dient beim Galvanisieren als. eine Elektrode, so daß alle nicht mit Photodeckschicht bedeckten Flächen gleichzeitig aufgebaut werden. Die Photodeckschicht dient auch als plattierende Schutzschicht· Der Metallniederschlag wird solange fortgesetzt, bis· das gewünschte Ni- " veau erreicht ist. Dies ist gewöhnlich der obere Teil der Deckschicht 12. In den Figuren 2 bis 7 sind die elektrodenlos plattierten Schichten gegenüber den galvanisch aufgetragenen Schichten unterschiedlich dargestellt. Diese Darstellungsart ist jedoch nur aus Gründen der Erläuterung gemacht worden. Sie kommt nicht in Betrach^. wenn in beiden Fällen das gleiche Metall aufgetragen wird.

Am Schluß der Galvanisierung wird das übriggebliebene Photodeckschichtmaterial entfernt. Dies geschieht generell durch Eintauchen in ein Lösungsmittel und in Verbindung mit einem Abstreichen der belichteten Schicht. Zuweilen kann es er- ijj forderlich sein, mit einer Ultraschallerregung zu arbeiten· Nach dem Entfernen der Photodeckschicht wird das Substrat sofort in eine Säureätze getaucht, um das Metall 11 in den Bereichen 13 zu entfernen, wo die Photodeckschicht beim Galvanisieren gewesen ist. Das Ätzmittel greift auch das elektrisch niedergeschlagene Metall an. Hiervon ist aber nur eine kleine Menge betroffen»-'da die Zeit 2um Erodieren der . Schicht 11 relativ kurz ist. Die Figur 3:."zeigt das Substrat die ötrosjkreise für diesen 2eibpuiild>.. ■

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ein flüssiges oder gepulvertes isolierendes Material 16 aufgetragen, wie dies in Fig. 4- gezeigt ist« Das Dielektrikum ist vorzugsweise ein organisches, in Wärme aushärtendes Kunstharz oder ein thermoplastisches Harz entweder im flüssigen, ungeheilten Zustande oder in einem gepulverten, halbgeheilten B-Zustande. Für dieses Verfahren hat sich Epoxydharz als "besonders gut geeignet erwiesen· Der flüssige Zustand des Harzes ermöglicht, daß das Dielektrikum unter dem Einfluß der Schwere rings um die Stromkreisleiter ausfließt, ohne daß es nötig ist, ein Druckverfahren anzuwenden. Das Dielektrikum wird vorzugsweise auf ein Niveau gebracht, welches ausreicht, die Stromkreiselemente zu bedecken. Dies unterstützt die Sicherheit, daß jedes Element mit Isolation umgeben ist.

Ein anderes dielektrisches Material mit passenden Eigenschaften ist gepulvertes Glas von niedriger Sintertemperatur, zum Beispiel aus Borsilikat. Das Glaspulver wird in einer Menge aufgetragen, die ausreicht, die Stromkreiselemente zu bedecken. Dann erfolgt die Sinterung bei einer Temperatur von beispielsweise 700 bis 850⁰C, um eine feste Masse zu bilden.

Das stellenweise aus isolierendem Material bestehende Substrat wird in einen Ofen eingebracht, um dieses in einen festen homogenen Zustand zu überführen bzw. zu sintern. Stromkreisleiter und Stifte werden am oberen Teil durch Entfernung des Überschußdielektrikums freigelegt· Das Entfernen kann durch Abreiben, zum Beispiel durch Schmirgeln und Polieren oder durch Abscheren wie beim Mikrotom erfolgen. Die zu verwendenten Methoden aollton wirksam sein, um die Metalloberflächen ausreichend zu reinigen, damit ein gut ο ir Kontakt nut duv iiHohsbun Möt;allnchic;hl; möglich iut. tf«rm JK»l-.wf»ncHf,·, kviui ν in kur?on cn :miaches Ai:?on voffisfliihüu aiJ-Lti, um diti Oberflächen d«r Sbromkr; iseleme.iUi /u

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präparieren. Das Glas, welches die Stromkreiselemente "bedeckt, wird durch Abreiben öder Läppen entfernt»

Die dielektrische Oberfläche kann behandelt werden, um die Haftkraft der nächsten Leiterschicht zu verstärken. Dies geschieht durch übliche Mikro-Au'frauhmethoden, zum Beispiel durch Dampfgebläse, Tropfengebläse usw.. Die Haftkraft kann auch durch Einschluß von Mikrotelichen in die Oberfläche erhöht werden, womit eine bessere Bindungskraft mit mechanischen Mitteln oder eine verbesserte chemische Bindung bewirkt wird·. Das Entfernen der mikrogroßen Einschlußteilchen aus der Oberfläche durch chemische Mittel, zum Beispiel durch Auslaugen^ führt zur Steigerung der mechanischen Bindung.

Die zweite Schicht der Stromkreiselemente wird der ersten durch Anwendung derselben Folge von Verfahrensschritten hinzugefügt. Nach Fig. 5 besteht die Schnellschicht 17 aus Kupfer, welches elektrodenlos bis zum oberen Teil der ersten Schicht der abgelagerten Elemente 13 und des ausgeheilten Harzes 16, wie in Figur 4- gezeigt," "plattiert worden ist· Das geheilte Harz ist vorzugsweise mikrogerauht, um eine gute Haftkraft des elektrodenlos aufgebrachten Metalles zu erzielen. Danach wird eine Schicht 18, die Photodeckschicht 18, aufgetragen und an den Stellen 19 belichtet.

Nach Fig. 6 werden die Stromkreiselemente 20 in jenen Flächen galvanisch aufgetragen, wo die unbelichtete Photodeckschicht beim Entwickeln entfernt wird. Die belichtete Photodeckschicht wird dann entfernt, und die Schicht 17 wird, wie oben beschrieben, kurz geätzt. Flüssiges oder gepulvertes Harz 21 oder Glas wird hinzugefügt und ausgeheilt, - um die zweite Lage zu vervollständigen.

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wähnen, daß die Stromkreisstifte oder die Stromkreisleiter an jeder gewünschten Stelle mitten unter den Schichten gestartet oder beendet werden können. Eine Qualitätskontrolle und Prüfung kann an jeder Lage von Stronkreiselementen vorgenommen werden und die Schicht kann, wenn sie beschädigt vorgefunden wird, wieder hergestellt oder ersetzt oder entfernt werden·

Der Verfahrensschritt, bei dem flüssiges oder gepulvertes Dielektrikum verwendet wird, ist besonders vorteilhaft, weil er die Anwendung von Druck hierbei ausschließt, um das halbfeste Dielektrikum rings um die Leiterelemente zu ziehen. Der Druck führt oft zum Bruch von Elementen, die nur einen Durchmesser von einigen Tausendstel eines Zolles haben. Das flüssige Dielektrikum fließt leicht in scharfe Ecken und Kanten und liefert daher eine gleichförmige Impedanz. Es liefert ferner eine verbesserte Unterlage für das Stromkreispaneel·

Patentansprüche

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Claims

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Pat ent anspräche .

erfahren zur Herstellung'MehrscMcht-Stromkreispaneeleii, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens eine Oberfläche eines Substrates mit einem elektrisch leitendem Material beschichtet wird, daß ausgewählte Bereiche dieses Materials mit einer Schutzschicht bedeckt werden, daß auf den von der Schutzschicht nicht bedeckten Gebieten zusätzlich ein elektrisch leitendes Material niedergeschlagen wird, um dort die Dicke auf ein vorbestimmtes Niveau zu erhöhen, daß die Schutzschicht und das leitende Material darunter entfernt, werden, ä daß flüssiges,isolierendes Material auf dem Substrat ausgebreitet wird, wo die Schutzschicht und die leitende Schicht bis mindestens zu einer Tiefe gleich der Höhe des zusätzlich aufgetragenen Materials entfernt worden sind und daß das isolierende Material zu einer festen homogenen Masse umgewandelt wird. .
2.) Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das flüssige, isolierende Material auf dem Substrat bis zu einer Tiefe flüssig ist, welche ausreicht, um das zusätzlich aufgetragene leitende Material zu bedecken, und daß das isolierende Material bis zu einem Niveau entfernt wird, welches ausreicht, um das zusätzlich aufgebrachte leitende Material " nach der Aueheilung des isolierenden Materials freizulegen·
3·) Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die exponierte Oberfläche des isolierenden Materials zur Verbesserung der Haftkraft zum Aufbringen anderer Materialien aufgerauht wird·
4.) Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 3_S dadurch gekennzeichnet, daß das elektrisch leitende Material mit einer photοgraphisch empfindlichen Substanz bedeckt wird, um nach dem selektiven Belichten und Entwickeln eine Schutzschicht in diesen Bereichen zu hinterlassen.
5.) Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrisch leitende Schicht durch elektrodenloses Niederschlagen von Metall und daß das zusätzlich abgelagerte elektrisch leitende Material durch elektrolytisches Abscheiden von Metall hergestellt wird·
6·) Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 5_f dadurch, gekennzeichnet, daß die elektrisch leitende Schicht und das zusätzlich abgelagerte leitende Material aus dem gleichen Metall bestehen.
7·) Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 5i dadurch gekennzeichnet, daß die elektrisch leitende Schicht und das zusätzlich abgelagerte leitende Material aus verschiedenen Metallen bestehen·
8·) Verfahren nach den Ansprüchen 3 bis 7t dadurch gekennzeichnet, daß die aufgerauhte Oberfläche und das zusätzlich abgelagerte leitende Material mit einem elektrisch leitendem Material in einem zusätzlichen Yerfahrensschritt bedeckt werden.
9.) Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß das isolierende Material aus einem organischen Harz besteht, welches in flüssiger Form auf das Substrat gegeben wird·

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10.) Verfahren nach, den Ansprüchen 1 "bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß das isolierende Material aus einem organischen Harz besteht, welches in Pulverform auf das Sub-, strat gegeben wird»
11.) Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß das isolierende Material aus einem bei' Wärme aushärtendem organischem Harz besteht.
12.) Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß das, isolierende Material aus einem thermoplastischem Harz besteht· I
13.) Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß das isolierende Material aus gepulvertem Glas besteht. - ' '
14.) Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat aus einer elektrisch isolierenden Substanz besteht.
15«) Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat aus einer elektrisch leitenden Substanz besteht·
16.) Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat sowohl aus elektrisch Leitenden Teilen als auch aus elektrisch isolierenden Teilen besteht.

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