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Geänderte Beschreibung
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Hintergrund der Erfindung
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1. Sachgebiet der Erfindung
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sDie vorliegende Erfindung bezieht sich auf Dünnfilmstrukturen. Insbesondere bezieht sich die Erfindung auf Isolierfilme, die Aluminiumoxid und Titanoxid aufweisen, zur Verwendung als dielektrische Schichten in elektrolumineszenten Dünnfilmkomponenten.
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2. Beschreibung des in Bezug stehenden Stands der Technik
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Dünnfilm-Elektrolumineszenz-(TFEL)-Komponenten werden als Alternativen zu Kathodenstrahlröhren, Plasmaanzeigen, Flüssigkristallvorrichtungen und Licht emittierenden Dioden (LEDs) zum Anzeigen von Informationen oder Daten, zum Beispiel Worte oder Nummern, verwendet. Sie werden insbesondere bei Anwendungen verwendet, bei denen ein großer Betrachtungswinkel, ein großer Temperaturbereich und eine unempfindliche Struktur wichtig sind.
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EL-Anzeigevorrichtungen weisen allgemein ein Substrat, wie beispielsweise eine Glasplatte, eine erste Elektrodenschicht, die auf dem Substrat vorgesehen ist, und eine zweite Elektrodenschicht, die von der ersten Elektrodenschicht beabstandet ist, eine Phosphorschicht, die zwischen den Elektroden angepasst befestigt ist, und mindestens eine dielektrische Schicht, die auf jeder Seite der Phosphorschicht zwischen der Phosphorschicht und den Elektroden vorgesehen ist, auf.
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Aluminiumoxid (Al
2O
3) ist umfangreich in der Dünnfilmindustrie als ein Isolationsmaterial verwendet worden. Verschiedene, anspruchsvollere dielektrische Materialien sind auch eingesetzt und vorgeschlagen worden, einschließlich Strontium-Titan- und Barium-Tantal-Binär-Oxide und Siliziumoxidnitrid (SiON). Ein besonders vorteilhaftes Material ist in dem Patent
US 4,486,487 A offenbart, das einen isolierenden Film für eine Dünnfilmstruktur beschreibt, die alternierende Schichten aus Aluminiumoxid und Titanoxid aufweist. Für dieses Material wird die Abkürzung "ATO" nachfolgend verwendet werden. Der Film nach dem Stand der Technik besteht aus 10 bis 200 Schichten aus Aluminiumoxid und Titanoxid, wobei jede Schicht eine Dicke von 3 bis 1000 Å besitzt. Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform wird der ATO-Film durch Atomschichtepitaxie (Atomic Layer Epitaxy – ALE) aufgebaut, die Gebrauch von dem Vorteil der Einfachheit eines Kontrollierens der Dicke des Films, der durch diese Technik aufgebaut werden soll, macht. Das ATO-Dielektrikum des Patents
US 4,486,487 A besitzt ausgezeichnete Eigenschaften, einschließlich einer dreimal besseren Durchschlagsfestigkeit als Al
2O
3.
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Herkömmlich ist Natriumsilikatglas (oder abgekürzt "Kalknatron-" oder "Soda-"Glas) als ein Substrat für Dünnfilm-EL-Komponenten verwendet worden, die durch ALE hergestellt sind. Dabei ist allerdings eine Anzahl von Nachteilen vorhanden, die diesem Material zugeordnet sind. Demzufolge liegen, für viele Gasphasendampfniederschlagsverfahren, insbesondere für ALE, die Verarbeitungstemperaturen, die von bis zu 500 bis 600°C eingesetzt werden, sehr nahe zu den maximalen Temperaturgrenzen oder liegen darüber, bei denen Sodaglas bzw. Natronglas verwendet werden kann. Die dimensionsmäßige Stabilität von Sodaglas bei angehobenen Temperaturen ist insgesamt nicht zufriedenstellend und die Schrumpfung des Materials bei hohen Temperaturen muss während der Verarbeitung der Dünnfilmstrukturen berücksichtigt werden. In einigen Fällen ist Kalknatronglas nicht mit anderen Prozessen kompatibel. Schließlich, und was wichtig ist, ist herausgefunden worden, dass eine gewisse Migration von Alkalimetall-, insbesondere von Natrium- und Kalium-, Ionen von dem Glassubstrat zu benachbarten Schichten immer stattfindet. Diese Migration von Alkalimetallionen gibt Anlass zu einer Zerstörung beziehungsweise Beschädigung der Dünnfilmstruktur. Um die Migration zu verhindern, werden Dünnfilmschichten mit einer Ionendiffusionsbarriereschicht, die aus Metalloxid oder -nitrid hergestellt ist, vorgesehen.
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Viele der Probleme, die Sodaglas als ein Substrat von mittels ALE angewachsenen Dünnfilmen zugeordnet sind, können unter Verwendung von im Wesentlichen alkalimetallfreien Glasmaterialien, wie beispielsweise Borosilikatgläsern, vermieden werden. Solche Materialien enthalten weniger als 1% Alkalimetalle und die Migration von Alkalimetallionen ist für die meisten Anwendungen vernachlässigbar.
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Allerdings haben unsere Tests gezeigt, dass dann, wenn eine herkömmliche ATO-Schicht, die ein Al:Ti-Verhältnis von nahezu 1 hat (basierend auf den kumulativen Dicken der Al
2O
3-und der TiO
2-Schichten), als eine Isolation in den Dünnfilmstrukturen, getragen auf alkalimetallfreien Glassubstraten, verwendet wird, ein Reißen unmittelbar nach der Dünnfilmverarbeitung oder nach einer darauffolgenden Verarbeitung beobachtet wird. Dies wird als überraschend angesehen, da die Schichtdicken für Sodaglassubstrate als nicht von irgendeiner besonderen Relevanz angesehen worden sind. Demzufolge schlägt das Patent
US 4,486,487 A vor, dass die Schichtdicken keinen Effekt auf die mechanischen Festigkeitseigenschaften haben sollten. Die
JP S59-184744 A offenbart ein Verfahren zum Herstellen von funktionalem Glas mit einer verbesserten Verschleißbeständigkeit. Das Verfahren ist darauf gerichtet, dass ein Glassubstrat mit alternierenden ZrO
2 oder TiO
2-Schichten, wobei jede dieser Schichten eine Dicke von 105 nm aufweist, und mit alternierenden SiO
2 oder Al
2O
3-Schichten beschichtet wird, wobei jede dieser Schichten eine Dicke von 155 nm aufweist. Die Schichten werden nach dem Vakuum-Dampf-Abscheideverfahren („vacuum vapor deposition“) aufgetragen und das Produkt wird anschließend auf 450°C und vorzugsweise auf 600 bis 700°C erwärmt und dann schnell abgekühlt.
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Ein Riss wird allgemein durch innere oder äußere Beanspruchungen bzw. Spannungen in dem Film verursacht. Wenn die mechanische Festigkeit des Films niedriger als die Kraft, die durch diese Beanspruchungen eingebracht wird, ist, treten ein Reißen oder andere Typen eines mechanischen Fehlers auf. In vielen Fällen zeigen Dünnfilme, die mit Vakuumniederschlagstechniken hergestellt sind, eine innere Spannung, entweder eine Zug- oder eine Druckspannung. Diese sind gewöhnlich charakteristisch für das Niederschlagsverfahren, das verwendet ist, und einige Techniken geben sogar Anlass zu einer Zug- oder Druckspannung in den Filmen in Abhängigkeit von den Prozessparametern, die verwendet sind. Auch besitzt der Typ eines Substrats einen Effekt auf die Filmbeanspruchung beziehungsweise -spannung.
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Zusammenfassung der Erfindung
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Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, die Probleme des Stands der Technik zu beseitigen und einen Isolierfilm für eine Dünnfilmstruktur, der alternierende Schichten aus Aluminiumoxid und Titanoxid aufweist, zu schaffen.
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Es ist eine andere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Dünnfilm-Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung zu schaffen, die ein Substrat aufweist, das aus einem im Wesentlichen alkalimetallfreien Glas besteht.
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Diese und andere Aufgaben, zusammen mit den Vorteilen davon gegenüber bekannten, kombinierten Isolatorfilmen, wie sie aus der Beschreibung, die folgt, ersichtlich werden, sind der Erfindung zuzuschreiben, wie sie nachfolgend beschrieben und beansprucht ist.
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Gemäß der vorliegenden Erfindung ist der isolierende Film eine Dünnfilmstruktur, niedergeschlagen auf einem Glassubstrat, welches weniger als 1% Alkalimetalloxide enthält, wobei der Isolierfilm eine erste Pufferschicht, eine Kompositschicht, die alternierende Schichten aus Aluminiumoxid und Titanoxid aufweist, und eine zweite Pufferschicht aufweist, die auf der Oberseite der Kompositschicht vorgesehen ist, wobei das Verhältnis zwischen den kumulativen Dicken der Titanoxid- und der Aluminiumoxid-Schichten des Isolierfilms geringer als 0,75 ist, und die Pufferschichten ein wesentlich niedrigeres Verhältnis zwischen den kumulativen Dicken der Titanoxid- und der Aluminiumoxid-Schichten als die Kompositschicht besitzen.
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Dieser Film kann in die Dünnfilm-Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtungen als eine Isolationsschicht zwischen der Phosphorschicht und den Elektrodenschichten eingesetzt werden.
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Genauer gesagt sind die vorliegenden, isolierenden Filme hauptsächlich durch den kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1 gekennzeichnet.
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Die Dünnfilm-Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtungen gemäß der vorliegenden Erfindung sind durch den kennzeichnenden Teil des Anspruchs 6 gekennzeichnet.
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Beachtliche Vorteile werden durch die vorliegende Erfindung erzielt. Demzufolge wird eine gute Widerstandsfähigkeit gegen ein Reißen des ATO-Films erhalten. Trotz der erniedrigten Titanoxidkonzentrationen zeigt der Film noch eine gute Durchschlagsfestigkeit. Die neuartige Isolationsschichtstruktur kann für einen weiten Bereich von im Wesentlichen alkalimetallfreien Glassubstraten, einschließlich Borsilikat- und Aluminosilikatglas, verwendet werden. Sie ist auch mit vielen anderen Prozessen kompatibel.
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Als nächstes wird die Erfindung unter Zuhilfenahme der nachfolgenden, detaillierten Beschreibung und unter Bezugnahme auf zwei Arbeitsbeispiele beschrieben.
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Detaillierte Beschreibung der Erfindung
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Die vorliegende Erfindung basiert auf der Vorsehung einer isolierenden Al2O3/TiO2-Struktur, die alternierende, dünne Aluminiumoxid- und Titanoxid-Schichten, die Schicht für Schicht angewachsen sind, aufweist. Gemäß einer besonders bevorzugten Ausführungsform ist der isolierende Film aus den entsprechenden flüchtigen Präkursoren durch das Atomschichtepitaxieverfahren angewachsen, das bedeutet unter der Verwendung einer gepulsten Zuführung von Anionen- und Kationen-Initial-Reaktanten in einer alternierenden Sequenz, um so zu verhindern, dass die Oberfläche des Substrats, die in der Reaktionskammer angeordnet ist, im Wesentlichen beiden Initial- bzw. Anfangsreaktanten ausgesetzt ist. Der Dünnfilmwachstumsvorgang weist einen Schritt auf, bei dem eine Aluminiumoxid-Schicht angewachsen wird, gefolgt durch einen Schritt eines Anwachsens von Titanoxid, wobei beide Schritte in einer alternierenden Sequenz wiederholt werden, bis die erwünschte Filmdicke erhalten ist.
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Irgendwelche flüchtigen Präkursoren aus Aluminiumoxid und Titanoxid können verwendet werden, einschließlich anorganischen und organischen Aluminium- und Titanverbindungen. Besonders nützliche Verbindungen werden durch Aluminium- und Titanhalogenide, wie beispielsweise Aluminium- und Titanchloride, repräsentiert.
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Die Aluminiumchlorid- und Titanchloridschichten werden in die entsprechenden Aluminium- und Titanoxide jeweils unter Verwendung von Wasserdampf umgewandelt.
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Details des ALE-Verfahrens sind in den Patenten
US 4,058,430 A und
US 4,389,973 A beschrieben, beschrieben, die hier unter Bezugnahme darauf eingeschlossen werden.
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Während des Wachstumsvorgangs wird die Temperatur kontrolliert und hoch genug eingestellt, um zu verhindern, dass der Präkursor auf der Substratoberfläche kondensiert, allerdings gleichzeitig ausreichend niedrig ist, um im Wesentlichen eine thermische Zersetzung zu vermeiden. Die Substrattemperatur beträgt typischerweise ungefähr 400 bis 500°C. Die Oberflächenreaktionen finden bei einer niedrigen Temperatur in dem Druckbereich von 13,33 bis 1333 Pa (0,1 bis 10 Torr) statt.
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Wie vorstehend erwähnt ist, besitzt, gemäß der vorliegenden Erfindung, der isolierende Film, der alternierende Schichten aus Aluminiumoxid und Titanoxid aufweist, ein Verhältnis zwischen den kumulativen Dicken der Titanoxid- und der Aluminiumoxid-Schichten von weniger als 0,75. Nachfolgend wird dieses Verhältnis auch als das "Ti:Al-Verhältnis" bezeichnet.
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Besonders bevorzugte Ti:Al-Verhältnisse sind 0,2 zu 0,7 oder 0,25 zu 0,6. Das vorgesehene Verhältnis kann durch Reduzieren der Anzahl von Titanoxid-Wachstumszyklen in Bezug auf die Aluminiumoxid-Wachstumszyklen erhalten werden. Wie in Beispiel 1 nachfolgend erläutert ist, wird, da die Wachstumsrate von Aluminium-und Titanoxiden aus Aluminium- und Titanchlorid immer gleich ist, das pulsierende Verhältnis (Zyklusverhältnis) auch das Dickenverhältnis der Schicht ergeben.
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Zusätzlich zu der Reduktion der Anzahl der Titanwachstumszyklen in der Kompositschicht, die alternierende Schichten aus Aluminiumoxid und Titanoxid enthält, wird das Ti:Al-Verhältnis auch durch Anwachsen einer Pufferschicht beeinflusst, die weniger Titan auf jeder Seite oder auf beiden Seiten der Kompositschicht enthält. Typischerweise weist eine solche Schicht Aluminiumoxid auf und sie kann aus Aluminiumchlorid und Wasserdampf in einer ähnlichen Weise wie die Aluminiumoxid- Schichten der Kompositschicht angewachsen werden. Die Dicken der Pufferschichten betragen von 1 bis 50%, vorzugsweise von 10 bis 40%, der kumulativen Dicke der Aluminiumoxid-Schichten der Kompositschicht. Die kumulative Dicke der Aluminiumoxid-Schichten beträgt 50 bis 400 nm und die kumulative Dicke der Titanoxid-Schichten beträgt 35 bis 300 nm.
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Durch die Erfindung ist es möglich, eine neuartige elektrolumineszente Dünnfilm-Anzeigevorrichtung zu schaffen, die aufweist
- – ein Substrat, das aus einem im Wesentlichen alkalimetallfreien Substrat besteht;
- – eine erste Elektrodenschicht, die auf dem Substrat gebildet ist;
- – eine zweite Elektrodenschicht, die von der ersten Elektrodenschicht beabstandet ist;
- – mindestens eine Phosphorschicht, die zwischen den Elektroden angebracht ist;
und - – mindestens einen Isolierfilm, der auf jeder Seite jeder Phosphorschicht zwischen der Phosphorschicht und den Elektroden vorgesehen ist.
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Wie aus der vorstehenden Beschreibung ersichtlich ist, ist mindestens einer der Isolierfilme durch eine erste Pufferschicht, eine Kompositschicht, die alternierende Schichten aus Aluminiumoxid und Titanoxid aufweist, und eine zweite Pufferschicht auf der Oberseite der Kompositschicht vorgesehen ist, gebildet, wobei das Verhältnis zwischen den kumulativen Dicken der Titanoxid- und Aluminiumoxidschichten des Isolierfilms geringer als 0,75 ist, und die Pufferschichten ein wesentlich niedrigeres Verhältnis zwischen den kumulativen Dicken der Titanoxid- und der Aluminiumoxid-Schichten als die Kompositschicht besitzen. Vorzugsweise ist das Verhältnis zwischen den kumulativen Dicken der Titanoxid- und der Aluminiumoxid-Schichten 0,2 bis 0,6.
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Die isolierenden Schichten können unterschiedliche Dicken auf jeder Seite des Phosphors haben. Insbesondere ist es möglich, eine Struktur herzustellen, bei der die untere isolierende Schicht die minimale Dicke besitzt, die erforderlich ist, eine integrale Schicht zu erzielen, die die notwendige, mechanische Festigkeit besitzt, wogegen die Durchschlagsfestigkeit hauptsächlich durch die obere Schicht erzielt wird.
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Weiterhin kann sich das Ti:Al-Verhältnis in den Schichten auf gegenüberliegenden Seiten der Phosphorschicht unterscheiden. Demzufolge besitzt, gemäß einer besonders bevorzugten Ausführungsform, die isolierende Schicht auf der gegenüberliegenden Seite einer Phosphorschicht in Bezug auf das Glassubstrat ein kleineres Ti:Al-Verhältnis als die dielektrische Schicht auf derselben Seite der Phosphorschicht wie das Glassubstrat. Um ein Beispiel zu erwähnen, kann das Ti:Al-Verhältnis der Oberseiten-ATO-Schicht geringer als 0,7 oder 0,65 und dasjenige der Boden-ATO 0,7 bis 0,85 sein, vorausgesetzt, dass das Ti:Al-Verhältnis der zwei Schichten zusammen geringer als 0,75 ist.
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Das Substrat, das in der vorliegenden Erfindung verwendet ist, kann irgendein geeignetes Glassubstrat aufweisen, das im Wesentlichen frei von Alkalimetallen ist. Für den Zweck der vorliegenden Erfindung bedeutet dies, dass das Glas weniger als 1% Alkalimetalloxide enthält (typischerweise Na2O oder K2O). Die Schrumpfung des Materials als eine Funktion der Temperatur ist auch klein, insbesondere liegt das Verhältnis des Kontraktionskoeffizienten zu dem thermischen Expansionskoeffizienten bei nahezu 1, zum Beispiel bei ungefähr 1 bis 1,5.
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Typische Beispiele eines geeigneten Glassubstrats umfassen Materialien, die zur Verwendung als elektronische Substrate vorgesehen sind. Sie sind zum Beispiel charakterisiert als Borsilikat- oder Aluminosilikatgläser.
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Die isolierende Schicht kann mit verschiedenen lumineszenten Schichten kombiniert werden, wie zum Beispiel geeignet dotiertes oder undotiertes ZnS und/oder SrS-Phosphor.
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Die nachfolgenden, nicht einschränkenden Beispiele erläutern die Erfindung:
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Beispiel 1
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Ein normaler Isolator/ZnS/Isolator-Film-Stapel wurde auf einem Kalknatron- und einem Typ eines alkalimetallfreien Glases, das zur Verwendung als elektronisches Glassubstrat vorgesehen ist, nämlich Corning Typ 7059, angewachsen. Filme wurden bei 500°C unter Verwendung des ALE (Atomschichtepitaxie-Atomic Layer Epitaxy) Verfahren aufgebaut. Die Temperatur, die verwendet wurde, ist typisch für mit Mn dotierte ZnS-Filme, und ist demzufolge eine bevorzugte Auswahl für Verarbeitungszwecke. Diese Temperatur liegt allerdings nahe zu der oberen Gebrauchstemperatur von Kalknatronglas (soda lime glass).
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Die obere Gebrauchstemperatur des Typs 7059 von Corning ist einige zehn Grad höher. Niedrigere Temperaturen werden Probleme beim Mn-Dotieren von ZnS verursachen, wenn MnCl2 als Präkursor verwendet wird, da bei Temperaturen unterhalb von 500°C der Dampfdruck von MnCl2 unpraktisch niedrig wird.
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Vier unterschiedliche Strukturen wurden unter Verwendung einer unterschiedlichen, kumulativen Dicke von TiO2 und Al2O3 hergestellt. In jeder anderen Hinsicht wurden die Verarbeitungsbedingungen unverändert beibehalten. In einem Durchlauf wurde auch ein sogenanntes vorgeschrumpftes 7059 Glas verwendet. Dieses Substrat musste einer Wärmebehandlung vor einer Verarbeitung unterworfen werden, um einen Hauptteil der Schrumpfung bereits vor der Verarbeitung zu erreichen. Nach dem Abschluss dieses Durchlaufs wurden die Platten unter dem Mikroskop inspiziert, um zu bestimmen, ob irgendwelche Risse in dem Dünnfilm(schicht)stapel vorhanden waren.
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Die nachfolgenden, subjektiven Kriterien für ein Reißen wurden für eine Bewertung des Umfangs eines Reißens verwendet:
| gut: | keine Risse beobachtet |
| schlecht: | so viele Risse, dass die Isolationsschicht unbrauchbar gestaltet ist |
| akzeptierbar: | einige Risse wurden beobachtet, allerdings war das Reißen nicht so ernsthaft, dass das Problem nicht mittels einer präzisen Prozeßkontrolle vermieden werden könnte. |
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ATO's wurden durch zuerst Anwachsen einer reinen Al2O3-Schicht auf dem Substrat und dann Anwachsen alternierender Schichten aus Al2O3 und TiO2 auf der Aluminiumoxid-Schicht hergestellt. Die ATO wurde immer mit einer reinen Al2O3-Schicht endbearbeitet. Die Bezeichnung 100A + 25(100A/100T) + 400A bedeutet, dass erst 100 Zyklen mit Al2O3 verarbeitet wurden, wonach 25-mal alternierende Schichten aus 100 Zyklen von Al2O3 und 100 Zyklen von TiO2 angewachsen wurden. Diese ATO wurde mit 400 Zyklen reinen Al2O3 abgeschlossen. Da die Wachstumsrate von Al2O3 und TiO2 bei 500°C, unter Verwendung von AlCl3, TiCl4 und H2O als Präkursoren, nahe zu 0,05 nm/Zyklen liegt, ergab das pulsierende Verhältnis auch das Dickenverhältnis dieser Filme.
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Die nachfolgende Tabelle fasst ATO's zusammen, die für ein erstes Anwachsen und ein letztes Anwachsen und eine subjektive Rissbestimmung in 7059 Glas verwendet sind. Tabelle 1
| | Erste, angewachsene ATO 100A + 22(100A/100T) + 400A | Erste, angewachsene ATO 100A + 25(100A/100T) + 400A |
| Letzte, angewachsene ATO 500A + 18(100A/100T) + 500A | Ti/Al-Verhältnis = 0,714 Zustand: gut | Ti/Al-Verhältnis = 0,714 Zustand: akzeptierbar |
| Letzte, angewachsene ATO 500A + 11(100A/100T) + 500A | Ti/Al-Verhältnis = 0,714 Zustand: akzeptierbar | Ti/Al-Verhältnis = 0,754 Zustand: schlecht |
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Aus den vorstehenden Daten ist deutlich ersichtlich, dass ein Reduzieren der relativen Menge von TiO2 eine Risstendenz reduziert. Auch ist es wichtig anzumerken, dass keiner der Filme, der aus Kalknatronglas hergestellt war, irgendeinen sichtbaren Riss besaß. Auch hatten 7059 Platten, die einer Vorschrumpfung unterworfen wurden, mit einem Ti/Al-Verhältnis von 0,741, ein schlechtes Rissbild anstelle von einem akzeptierbaren Rissbildung. In anderen Durchläufen wurde kein vorgeschrumpftes Glas verwendet. Dies zeigt allerdings, dass ein Schrumpfen eine gewisse Rolle bei dem Rissverhalten hat.
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Beispiel 2
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In einer anderen Einstellung eines Experiments wurden ATO's und ZnS unter ähnlichen Bedingungen wie in Beispiel 1 angewachsen. Anstelle einer Änderung der Menge alternierender Zyklen von TiO2 und Al2O3, wurden die individuellen TiO2-Schichtdicken variiert. Auch wurde die gesamte Dicke von Al2O3 konstant gehalten. Eine quantitativere Messung von Rissen wurde in diesem Experiment verwendet. Anstelle nur einer Beobachtung von Rissen, nachdem ein Durchlauf abgeschlossen war, wurde eine darauffolgende Wärmebehandlung bei allen Proben vorgenommen. Proben wurden für 5 Minuten Temperaturen höher als 500°C ausgesetzt und die niedrigste Temperatur, bei der irgendein Riss beobachtet werden konnte, wurde als die Risstemperatur dieser Struktur bezeichnet. Dies ergibt eine Messung der Toleranz gegen ein Reißen eines gegebenen Films, sogar dann, wenn keine Risse unter normalen Bedingungen beobachtet werden können, wobei unter Verwendung dieses Verfahrens auch diese Strukturen klassifiziert werden können.
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Diese Experimente wurden bei einem unterschiedlichen Typ kommerzieller Elektroniksubstrate, nämlich NEG Typ OA-2, vorgenommen.
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Die nachfolgende Tabelle fasst eine Riss-Temperatur, die beobachtet ist, und ein Dickenverhältnis von TiO
2 und Al
2O
3 zusammen: Tabelle 2
| TiO2/Al2O3
Dickenverhältnis | Riss-Temperatur, °C |
| 0,64 | 720 |
| 0,57 | 750 |
| 0,55 | 770 |
| 0,48 | 800 |
| 0,43 | 800 |
| 0,31 | 870 |
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Aus diesen Ergebnissen ist leicht feststellbar, dass auch in dem Fall einer Verringerung eines Ti/Al-Verhältnisses Strukturen erhalten werden, die gegen ein Reißen resistenter sind.