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DE19882384T1 - Zusatzschmelzvorrichtung für einkristallines Material und Verfahren zum Schmelzen von einkristallinem Material - Google Patents

Zusatzschmelzvorrichtung für einkristallines Material und Verfahren zum Schmelzen von einkristallinem Material

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Publication number
DE19882384T1
DE19882384T1 DE19882384T DE19882384T DE19882384T1 DE 19882384 T1 DE19882384 T1 DE 19882384T1 DE 19882384 T DE19882384 T DE 19882384T DE 19882384 T DE19882384 T DE 19882384T DE 19882384 T1 DE19882384 T1 DE 19882384T1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
melting
single crystal
auxiliary
crystal material
crystalline material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19882384T
Other languages
English (en)
Inventor
Nobumitsu Takase
Tomohisa Machida
Yutaka Shiraishi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Super Silicon Crystal Research Institute Corp
Original Assignee
Super Silicon Crystal Research Institute Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP8034998A external-priority patent/JPH11255589A/ja
Priority claimed from JP8034598A external-priority patent/JPH11255592A/ja
Application filed by Super Silicon Crystal Research Institute Corp filed Critical Super Silicon Crystal Research Institute Corp
Publication of DE19882384T1 publication Critical patent/DE19882384T1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

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Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/02—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/14—Heating of the melt or the crystallised materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10—Apparatus
    • Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
    • Y10T117/1032—Seed pulling
    • Y10T117/1056—Seed pulling including details of precursor replenishment

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
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  • Materials Engineering (AREA)
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  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
DE19882384T 1998-03-12 1998-12-04 Zusatzschmelzvorrichtung für einkristallines Material und Verfahren zum Schmelzen von einkristallinem Material Withdrawn DE19882384T1 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8034998A JPH11255589A (ja) 1998-03-12 1998-03-12 単結晶原料補助溶解装置及び単結晶原料補助溶解装置における単結晶原料溶解方法
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PCT/JP1998/005477 WO1999046432A1 (fr) 1998-03-12 1998-12-04 Procede et appareil d'apport d'une matiere premiere monocristalline

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DE19882384T Withdrawn DE19882384T1 (de) 1998-03-12 1998-12-04 Zusatzschmelzvorrichtung für einkristallines Material und Verfahren zum Schmelzen von einkristallinem Material

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TW (1) TW404991B (de)
WO (1) WO1999046432A1 (de)

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