[go: up one dir, main page]

DE19859023B4 - Method and device for separating layers and components - Google Patents

Method and device for separating layers and components Download PDF

Info

Publication number
DE19859023B4
DE19859023B4 DE1998159023 DE19859023A DE19859023B4 DE 19859023 B4 DE19859023 B4 DE 19859023B4 DE 1998159023 DE1998159023 DE 1998159023 DE 19859023 A DE19859023 A DE 19859023A DE 19859023 B4 DE19859023 B4 DE 19859023B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
sound
layer
component
carrier material
separated
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE1998159023
Other languages
German (de)
Other versions
DE19859023A1 (en
Inventor
Armin Glock
Andreas Engelen
Patrick Wrede
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Robert Bosch GmbH
Original Assignee
Robert Bosch GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Robert Bosch GmbH filed Critical Robert Bosch GmbH
Priority to DE1998159023 priority Critical patent/DE19859023B4/en
Publication of DE19859023A1 publication Critical patent/DE19859023A1/en
Application granted granted Critical
Publication of DE19859023B4 publication Critical patent/DE19859023B4/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B43/00Operations specially adapted for layered products and not otherwise provided for, e.g. repairing; Apparatus therefor
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J19/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J19/08Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • B01J19/10Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing sonic or ultrasonic vibrations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/08Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • B01J2219/0873Materials to be treated
    • B01J2219/0879Solid
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2310/00Treatment by energy or chemical effects
    • B32B2310/028Treatment by energy or chemical effects using vibration, e.g. sonic or ultrasonic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68318Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Apparatuses For Generation Of Mechanical Vibrations (AREA)

Abstract

Verfahren zur örtlich begrenzten und beschädigungsfreien Trennung einer Schicht (3) oder eines Bauteils (2) von einem Trägermaterial (1), wobei die Schicht (3), das Bauteil (2) oder das Trägermaterial (1) im Bereich der Schicht oder des Bauteils einer gezielten, von einem Schallschwinger (4) stammenden Schallschwingung unterworfen werden, dadurch gekennzeichnet, dass die schallabstrahlende Fläche des Schallschwingers (4) in direkten Kontakt mit der Schicht (3) oder dem Bauteil (2) oder dem Trägermaterial (1) im Bereich der Schicht (3) oder des Bauteils (2) gebracht wird.method to the local limited and damage-free Separation of a layer (3) or a component (2) from a carrier material (1), wherein the layer (3), the component (2) or the carrier material (1) in the area of the layer or component of a targeted, one of Be subjected to sound vibration (4) originating sound vibration, characterized in that the sound radiating surface of the Schallschwingers (4) in direct contact with the layer (3) or the component (2) or the carrier material (1) is brought in the region of the layer (3) or the component (2).

Figure 00000001
Figure 00000001

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Trennung einer Schicht oder eines Bauteils von einem Trägermaterial, wie zum Beispiel Mikrobauteile sowie eine Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens.The The invention relates to a method for separating a layer or a component of a carrier material, such as microcomponents and a device for performing this Process.

Bei verschiedenen Prozessen müssen übereinanderliegende Schichten getrennt werden. Dazu können naßchemische Ätzmittel, Wärme oder mechanische Verfahren eingesetzt werden. Als Beispiele seien angegeben:
Die Trennung einer Nickelschicht von einem Titangrundmaterial, die zur Zeit mechanisch ausgeführt wird; die Ablösung eines Photoresists von einem Trägermaterial, zum Beispiel einem Wafer bei der galvanischen Herstellung von Mikrostrukturen. Zur Zeit wird dabei ein naßchemisches Ablösen angewendet. Drittens sei die Trennung galvanisch hergestellter Mikrobauteile/-strukturen zum Beispiel STS-Düsen von ihrem Trägermaterial, d. h. einem Wafer erwähnt. Zu diesem Zweck werden zur Zeit Opferschichten unter diesen Mikrobauteilen erzeugt. Am Ende des Fertigungsprozesses werden die Mikrobauteile durch Ätzen der Opferschicht vereinzelt. Die Medien für diesen Ätzvorgang müssen besonderen Anforderungen genügen, zum Beispiel ausreichend selektiv wirken.
In different processes, superimposed layers must be separated. For this purpose, wet-chemical etchants, heat or mechanical methods can be used. As examples are given:
The separation of a nickel layer from a titanium base material that is currently being mechanically carried out; the detachment of a photoresist from a carrier material, for example a wafer during the galvanic production of microstructures. At present, a wet chemical peeling is used. Thirdly, the separation of galvanically produced microcomponents / structures, for example STS nozzles, from their carrier material, ie a wafer, should be mentioned. For this purpose, sacrificial layers are currently being produced under these microcomponents. At the end of the manufacturing process, the microcomponents are singulated by etching the sacrificial layer. The media for this etching must meet special requirements, for example, sufficiently selective effect.

Die beim Ätzvorgang eingesetzten Medien sind häufig umweltschädigende Stoffe, die einer besonderen Abwasserbehandlung zugeführt werden müssen. Außerdem müssen beim Arbeiten mit diesen Medien besondere arbeits- und sicherheitstechnische Maßnahmen getroffen werden. Je nach Art und Dicke der Opferschicht kann der Ätzvorgang mehrere Stunden dauern. Eine örtlich begrenzte Trennung mit nasschemischen Verfahren ist nur unter großem Aufwand möglich. Werden verschiedene aufeinanderliegende Schichten mit mechanischen Verfahren getrennt, können Beschädigungen am Bauteil oder an der Schicht auftreten.The during the etching process used media are common polluting Substances requiring special wastewater treatment. In addition, at Working with these media special occupational and safety engineering activities to be hit. Depending on the type and thickness of the sacrificial layer, the etching process can be several Take hours. A local Limited separation with wet chemical processes is only at great expense possible. Be different superimposed layers using mechanical methods separated, can damage occur on the component or on the layer.

Aus der DE 39 29 584 A1 ist ein Delaminationsverfahren von Verbundwerkstoffen bekannt. Dabei ist vorgesehen, entsprechende Laminate in Wasser ganzflächig der Einwirkung von Ultraschall auszusetzen. Weiterhin ist aus der DE 195 23 588 A1 ein Verfahren zum Entfernen von Beschichtungen auf Styrolpolymerisaten bekannt, die in einem Ultraschallbad entschichtet werden.From the DE 39 29 584 A1 is a delamination of composites known. It is envisaged to suspend corresponding laminates in water over the entire surface of the action of ultrasound. Furthermore, from the DE 195 23 588 A1 a method for removing coatings on styrene polymers, which are decoated in an ultrasonic bath.

Aus der JP 07052160 A ist ein Verfahren zur Ablösung einer Harzschicht von einer harzbeschichteten Papierbahn in einem Acetonbad zu entnehmen, wobei die Papierbahn zunächst gestanzt wird, sodass die harzlösende Wirkung des Acetons verbessert wird. Darüber hinaus ist aus der JP 5111918 A ist ein weiteres Verfahren zur Trennung einer Schicht von einem Trägennaterial bekannt, wobei der Schichtverbund einer Schallquelle ausgesetzt wird. Dabei kommt es jedoch lokal zu Beschädigungen des zu behandelnden Werkstücks. Auch aus der JP 09010714 A ist eine Vorrichtung bekannt, die dem Ablösen einer Schicht von einem Substrat dient. Dabei ist eine Positionseinstellung des Schallschwingungshorns in einer Weise möglich, dass sich ein Abstand zur Flüssigkeitsoberfläche, in der ein zu behandelnder Schichtverbund eingetaucht ist, zwischen 0,3 und 2 mm ergibt.From the JP 07052160 A is a method for removing a resin layer from a resin-coated paper web to take in an acetone bath, wherein the paper web is first punched, so that the resin-dissolving effect of the acetone is improved. In addition, from the JP 5111918 A Another method for separating a layer from a support material is known, wherein the layer composite is exposed to a sound source. However, local damage to the workpiece to be treated occurs. Also from the JP 09010714 A For example, a device is known which serves to detach a layer from a substrate. A position adjustment of the acoustic vibration horn is possible in such a way that a distance to the liquid surface, in which a layer composite to be treated is immersed, is between 0.3 and 2 mm.

Aufgaben und Vorteile der ErfindungTasks and Advantages of the invention

Angesichts der oben erwähnten Nachteile der zur Zeit eingesetzten Trennverfahren ist es Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Trennung einer Schicht oder eines Bauteils von einem Trägermaterial zu ermöglichen, das bzw. die keine wassergefährdeten Chemikalien benötigt, wobei abgesehen vom Gehörschutz sicherheitstechnische Maßnahmen für Personen und Umwelt entfallen können und trotz einer deutlichen Verkürzung der Prozessdauer eine örtlich begrenzte Trennung von Schichten und eine Ablösung einzelner Mikrobauteile ohne Beschädigung der verbleibenden Schichten und Mikrobauteile erreichbar sein soll.in view of the above mentioned Disadvantages of the currently used separation processes, it is the task of the invention, a method and an apparatus for separating a Layer or component of a support material to allow the or the no water endangered Chemicals needed, where apart from hearing protection safety measures for persons and environment can be eliminated and despite a significant reduction the process duration one locally limited separation of layers and a detachment of individual microcomponents without damage the remaining layers and microcomponents should be accessible.

Erfindungsgemäß wird die Trennung von Schichten bzw. der Bauteile vom Trägermaterial durch gezielten Einsatz von Schallenergie erreicht. Die Frequenz und/oder Schallenergie der Schallquelle kann materialabhängig, d. h. abhängig von dem zu lösenden Material der Schicht oder des Bauteils oder auch abhängig von dem Material der verbleibenden Bauteile oder Schichten einstellbar gewählt werden. In Abhängigkeit von der Frequenz können so verschiedene Materialien nacheinander selektiv vom Trägermaterial abgelöst werden.According to the invention Separation of layers or components from the substrate by targeted Use of sound energy achieved. The frequency and / or sound energy the sound source can be material dependent, d. H. depending on to be solved Material of the layer or the component or also dependent on the material of the remaining components or layers adjustable chosen become. Dependent on from the frequency can so different materials successively selectively from the substrate superseded become.

Zur Übertragung der Schallenergie von der Schallquelle auf die zu trennenden Schichten ist bei direktem Kontakt zwischen Schallschwinger und Bauteil keine Flüssigkeit zur Schallkopplung erforderlich.For transmission the sound energy from the sound source to the layers to be separated is with direct contact between sound transducer and component no liquid required for sound coupling.

Als Schallquelle ist ein Schallprozessor geeignet, der elektrische Energie über einen Schallwandler an einen Schallschwinger überträgt. Besonders ist die Anordnung des Schallschwingers gegenüber den zu trennenden Schichten oder Bauteilen zu berücksichtigen. Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren und der erfindungsgemäßen Vorrichtung treten die zuvor genannten Nachteile nicht mehr auf, da auf die bisher eingesetzten Medien und Methoden verzichtet werden kann.When Sound source is a sound processor capable of transmitting electrical energy over a Transducer transfers to a sound transducer. Especially is the arrangement the sonicator opposite to take into account the layers or components to be separated. With the method according to the invention and the device according to the invention occur the aforementioned disadvantages no longer because of the previously used media and methods can be dispensed with.

Insbesondere zeichnet sich das Verfahren und die Vorrichtung zur Durchführung erfindungsgemäß dadurch aus, dass
– keine wassergefährdenden Chemikalien eingesetzt werden müssen;
– abgesehen vom Gehörschutz die sicherheitstechnischen Maßnahmen für Personen und Umwelt entfallen können;
– die Dauer des Prozesses deutlich verkürzt werden kann;
– eine örtlich begrenzte Trennung der Schichten und das Ablösen einzelner Mikrobauteil möglich ist; und
– eine Beschädigung der Schichten und der Mikrobauteile gezielt vermieden werden kann.
In particular, the method and the device for implementation according to the invention is characterized in that
- no water polluting chemicals must be used;
- apart from hearing protection, the safety measures for persons and the environment can be omitted;
- the duration of the process can be significantly shortened;
- A localized separation of the layers and the detachment of individual microcomponent is possible; and
- Damage to the layers and micro-components can be specifically avoided.

Das Verfahren kann schalleistungsabhängig je nach speziellem Einsatzfall eingesetzt werden. So ist zum Beispiel bei der Trennung von Photoresist von Trägermaterial eine andere Leistungsdichte einstellbar als beim Trennen verschiedenartiger Metallschichten voneinander. Durch geeignete Wahl der Schalleistung können einzelne Schichten aus einer Ansammlung verschiedener Schichten selektiv abgetrennt werden.The The method may vary depending on the shell be used after special application. Such is for example in the separation of photoresist from substrate another power density adjustable than when separating different types of metal layers from each other. By a suitable choice of the sound power can individual Layers of a collection of different layers selectively be separated.

Nachstehend werden verschiedene Varianten des erfindungsgemäßen Verfahrens und der erfindungsgemäßen Vorrichtung anhand der Zeichnung näher beschrieben.below are different variants of the method and apparatus of the invention closer to the drawing described.

Zeichnungdrawing

Die 1A bis 1C zeigen schematisch verschiedene Anwendungen des erfindungsgemäßen Verfahrens zur Ablösung einer Schicht oder eines Bauteils von einem Trägermaterial, wobei der Schallschwinger jeweils oberhalb der abzulösenden Schicht/des abzulösenden Bauteils angeordnet ist;The 1A to 1C show schematically various applications of the method according to the invention for detaching a layer or a component from a carrier material, wherein the sonic oscillator is in each case arranged above the layer to be detached / the component to be detached;

2 zeigt schematisch eine Anordnung, bei der der Schallschwinger seitlich neben den zu trennenden Schichten/Bauteilen angeordnet ist; 2 shows schematically an arrangement in which the sound generator is arranged laterally next to the layers / components to be separated;

3 zeigt schematisch eine Anordnung, bei der die Schallenergie durch direkten Kontakt des Schallschwingers und des Trägermaterials auf die zu trennenden Schichten übertragen wird; 3 shows schematically an arrangement in which the sound energy is transmitted by direct contact of the sonicator and the substrate to the layers to be separated;

4 zeigt schematisch eine Anordnung mit kleinem Schallschwinger, um die Schallenergie zur Trennung einzelner Mikrobauteile örtlich begrenzt einzukoppeln und 4 schematically shows an arrangement with a small sound transducer to couple the sound energy for the separation of individual microcomponents localized and

5 zeigt einen großflächigen Schallschwinger für eine großflächige Trennung. 5 shows a large-scale sound generator for a large-scale separation.

Ausführungsbeispieleembodiments

Bei dem in 1A dargestellten ersten Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens ist ein Werkstück, zum Beispiel ein Wafer, mit zum Beispiel Bauteilen 2 und dazwischenliegenden Photoresistabschnitten 3, die auf einem Trägermaterial 1 aufgebracht sind, auf einem Haltetisch 6 gehalten oder aufgespannt. Ein an einer Säule 7 gehaltener Schallschwinger 4 wird mittels eines X-Y-Z-Schlittens über den zu trennenden Bereich gefahren und in Kontakt mit der Oberfläche der Bauteile 2 und/oder den dazwischenliegenden Photoresistabschnitten 3 gebracht (Koordinate Y). Anschließend wird mit dem über dem zu trennenden Bereich befindlichen Schallschwinger 4 Schallenergie S auf den zu trennenden Bereich des Werkstücks eingekoppelt. Die Schallfrequenz des Schallschwingers liegt z.B. bei 19 KHz. Auch kann die Frequenz und/oder Leistungsdichte der vom Schallschwinger 4 eingekoppelten Schalleistung S abhängig vom Material der zu trennenden Schicht und/oder von der Größe oder Dicke der Schicht gewählt werden. Dazu dient ein in den 1A1C nicht dargestellter Schallprozessor, der elektrische Energie über einen Schallwandler in Schallenergie umwandelt, die vom Schallschwinger 4 als Schallschwingung S abgegeben wird. Da bei der in 1A gezeigten Anordnung der Schallschwinger 4 über dem zu trennenden Bereich steht, kann dieser Bereich gezielt ohne wesentliche Beeinflussung benachbarter Bereiche durch die Schallschwingung abgelöst werden. Wenn die Leistungsdichte und/oder Frequenz der vom Schallschwinger 4 ausgesendeten Schallenergie S entsprechend dem Material einer Photoresistschicht 3 eingestellt wird, wird gezielt und örtlich begrenzt, zum Beispiel die Photoresistschicht in dem Bereich abgelöst.At the in 1A shown first embodiment of the method according to the invention is a workpiece, for example a wafer, with, for example, components 2 and intermediate photoresist sections 3 on a substrate 1 are applied on a holding table 6 held or stretched. One on a pillar 7 held sound transducer 4 is moved over the area to be separated by means of an XYZ carriage and in contact with the surface of the components 2 and / or the intermediate photoresist sections 3 brought (coordinate Y). Subsequently, with the sound oscillator located above the area to be separated 4 Sound energy S coupled to the region of the workpiece to be separated. The sound frequency of the sonic oscillator is for example 19 kHz. Also, the frequency and / or power density of the sound transducer 4 coupled sound power S depending on the material of the layer to be separated and / or the size or thickness of the layer can be selected. This serves a in the 1A - 1C not shown sound processor that converts electrical energy through a transducer into sound energy from the sound transducer 4 as sound vibration S is discharged. Since at the in 1A shown arrangement of the sound oscillator 4 is above the area to be separated, this area can be targeted by the sound vibration detached without significantly affecting adjacent areas. When the power density and / or frequency of the sound transducer 4 emitted sound energy S corresponding to the material of a photoresist layer 3 is set is targeted and localized, for example, the photoresist layer in the area replaced.

Die in 1B schematisch gezeigte Anordnung unterscheidet sich von der in 1A lediglich darin, daß Teile einer aus Mikrobauelementen bestehenden Schicht 2 durch die Schallschwingung S abgetrennt oder abgelöst werden. Die Vorrichtung zum Einstellen des Orts des Schallschwingers 4 ist identisch mit der in 1A gezeigten und oben beschriebenen.In the 1B schematically shown arrangement differs from the in 1A merely in that parts of a layer consisting of microcomponents 2 be separated or detached by the sound vibration S. The device for adjusting the location of the sonicator 4 is identical to the one in 1A shown and described above.

Die in 1C gezeigte Anordnung unterscheidet sich von den in den 1A und 1B gezeigten Anordnungen darin, daß mittels der vom Schallschwinger 4 ausgesendeten Schalleistung S ein Bereich der oder die gesamte Bauteileschicht 2 zum Beispiel aus Mikrobauteilen vom Trägermaterial 1 getrennt wird, was bislang hauptsächlich unter Verwendung einer durch einen Ätzvorgang ausgeätzten Opferschicht erreicht wurde. Die in 1C gezeigte Anordnung verwendet eine identische X-Y-Z-Schlitteneinrichtung, wie bei den Anordnungen gemäß den 1A und 1B zur Einstellung des Orts des Schallschwingers 4.In the 1C arrangement shown differs from that in the 1A and 1B shown arrangements in that by means of the sound transducer 4 emitted sound power S a range of or the entire component layer 2 for example, microcomponents of the carrier material 1 is separated, which has been achieved so far mainly using a etched by an etching sacrificial layer. In the 1C The arrangement shown uses an identical XYZ carriage device as in the arrangements according to FIGS 1A and 1B for adjusting the location of the sonic transducer 4 ,

2 zeigt schematisch eine andere zweckmäßige Anordnung des Schallschwingers 4. Der Schallschwinger 4 steht hier nicht über einem zu trennenden Bereich oder Abschnitt eines Werkstücks, sondern ist neben der oder den zu trennenden Schichten 1, 2 angeordnet. Der Abstand der schallabstrahlenden Fläche des Schwingers 4 zu den Schichten ist mittels eines Schlittens 7 einstellbar. 2 schematically shows another convenient arrangement of the sonicator 4 , The sound transducer 4 here is not about a region or section of a workpiece to be separated, but is adjacent to the layer (s) to be separated 1 . 2 arranged. The distance of the sound radiating surface of the vibrator 4 to the layers is by means of a carriage 7 adjustable.

Eine örtlich selektive Ablösung wird in erster Linie durch die Positionierung des Schallschwingers über dem betreffenden Bereich erreicht.A locally selective replacement is primarily due to the positioning of the sonic transducer above the concerned.

Die nur schematisch angedeutete X-Y-Z-Schlittenvorrichtung zur Einstellung der Position des Schallschwingers 4 relativ zum abzulösenden Bereich des Werkstücks ist nur beispielhaft. Der Abstand, d. h. die Koordinate Y der schallabstrahlenden Fläche des Schallschwingers 4 zu den Schichten wird so gewählt, dass es zu einem direkten Kontakt zwischen Schallschwinger 4 und der Schicht 2 oder 3 kommt.The only schematically indicated XYZ slide device for adjusting the position of the sonicator 4 relative to the area of the workpiece to be removed is only an example. The distance, ie the coordinate Y of the sound-radiating surface of the sonic transducer 4 to the layers is chosen so that there is a direct contact between sound transducer 4 and the layer 2 or 3 comes.

Bei dem in 3 dargestellten Ausführungsbeispiel wird die Schallenergie, die der Schallschwinger 4 aussendet direkt vom Schallschwinger 4 in das Trägermaterial 1 eingekoppelt und auf die zu trennende Schicht oder Schichten übertragen. Als Haltemittel dient hier beispielhaft eine Schraube 16, mit der der Schallschwinger 4 fest an dem Trägermaterial 1 angeschraubt ist. Eine Wasserschicht ist entbehrlich.At the in 3 illustrated embodiment, the sound energy, the sound transducer 4 Sends directly from the sound transducer 4 in the carrier material 1 coupled and transferred to the layer or layers to be separated. As a holding means is used here by way of example a screw 16 with which the sound transducer 4 firmly on the carrier material 1 screwed on. A layer of water is unnecessary.

Schließlich veranschaulichen die in den 4 und 5 dargestellten Ausführungsbeispiele, dass die Größe des Schallschwingers vom Anwendungsfall abhängig sein kann. Gemäß 4 wird ein örtlich begrenzter Einsatz der Schallenergie zum Beispiel für die Trennung von einzelnen Mikrobauteilen verwendet, und der Schallschwinger 4 hat eine minimale Größe. In 5 schließlich wird ein großer Schallschwinger für eine großflächige Trennung eingesetzt.Finally, in the 4 and 5 illustrated embodiments that the size of the sonicator can be dependent on the application. According to 4 For example, a localized use of sonic energy is used for the separation of individual microcomponents, and the sonic oscillator 4 has a minimal size. In 5 Finally, a large sound transducer is used for large-scale separation.

Obwohl dies in den Figuren nicht dargestellt ist, dient zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens ein Schallprozessor, der ihm zugeführte elektrische Energie über einen Schallwandler, der als Sendeglied den Schallschwinger 4 enthält, Schallenergie variabler oder fester Frequenz abgibt. Ausgangsseitig kann an den Schallprozessor eine (nicht gezeigte) Meßvorrichtung zur Messung der am Schallschwinger eingekoppelten Energie oder Leistung angeschlossen sein. Damit läßt sich ein geschlossener Regelkreis zur Regelung der Leistungsdichte oder des Schallpegels realisieren. Der Schallprozessor kann die Schallenergie mit variabler oder fester Frequenz und/oder variabler oder fester Leistung an den Schallschwinger 4 übertragen. Somit kann das Verfahren auch leistungsvariabel, je nach speziellem Einsatzfall eingesetzt werden. So ist zum Beispiel bei der Trennung von Photoresist vom Trägermaterial eine andere Leistungsdichte einstellbar als beim Trennen von verschiedenartigen Metallschichten voneinander. Durch geeignete Wahl der Leistungseinstellung können einzelne Schichten aus einer Ansammlung verschiedener Schichten selektiv abgetrennt werden.Although this is not shown in the figures, is used to carry out the method according to the invention, a sound processor, the electrical energy supplied to him via a sound transducer, as the transmitter element the sound oscillator 4 contains sound energy of variable or fixed frequency. On the output side, a measuring device (not shown) for measuring the energy or power coupled to the sound generator can be connected to the sound processor. This allows a closed loop to control the power density or the sound level realize. The sound processor can transmit the sound energy with variable or fixed frequency and / or variable or fixed power to the sound transducer 4 transfer. Thus, the method can also be used variable power, depending on the specific application. For example, in the separation of photoresist from the carrier material, a different power density is adjustable than when separating different metal layers from each other. By appropriate choice of power setting, individual layers can be selectively separated from a collection of different layers.

Claims (6)

Verfahren zur örtlich begrenzten und beschädigungsfreien Trennung einer Schicht (3) oder eines Bauteils (2) von einem Trägermaterial (1), wobei die Schicht (3), das Bauteil (2) oder das Trägermaterial (1) im Bereich der Schicht oder des Bauteils einer gezielten, von einem Schallschwinger (4) stammenden Schallschwingung unterworfen werden, dadurch gekennzeichnet, dass die schallabstrahlende Fläche des Schallschwingers (4) in direkten Kontakt mit der Schicht (3) oder dem Bauteil (2) oder dem Trägermaterial (1) im Bereich der Schicht (3) oder des Bauteils (2) gebracht wird.Method for localized and damage-free separation of a layer ( 3 ) or a component ( 2 ) of a carrier material ( 1 ), the layer ( 3 ), the component ( 2 ) or the carrier material ( 1 ) in the area of the layer or the component of a targeted, from a sound transducer ( 4 ) are subjected to sound vibration, characterized in that the sound-emitting surface of the sonic oscillator ( 4 ) in direct contact with the layer ( 3 ) or the component ( 2 ) or the carrier material ( 1 ) in the area of the layer ( 3 ) or the component ( 2 ) is brought. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die schallabstrahlende Fläche und/oder der Winkel der schallabstrahlenden Fläche des Schallschwingers (4) zum abzulösenden Bauteil/zur Schicht/zum Trägermaterial (2, 3, 1) variabel sind.A method according to claim 1, characterized in that the sound-emitting surface and / or the angle of the sound-emitting surface of the sonic oscillator ( 4 ) to be detached component / to the layer / substrate ( 2 . 3 . 1 ) are variable. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 oder 2 mit einer Schallquelle, welche eine Einrichtung zur Übertragung von elektrischer Energie über einen Schallwandler auf einen Schallschwinger (4) in Form von Schallenergie umfasst, dadurch gekennzeichnet, dass die schallabstrahlende Fläche des Schallschwingers (4) in direktem Kontakt mit der Schicht (3) oder dem Bauteil (2) oder dem Trägermaterial (1) im Bereich der Schicht (3) oder des Bauteils (2) steht.Device for carrying out the method according to one of Claims 1 or 2, having a sound source, which has a device for transmitting electrical energy via a sound transducer to a sound oscillator ( 4 ) in the form of sound energy, characterized in that the sound-radiating surface of the sonic oscillator ( 4 ) in direct contact with the layer ( 3 ) or the component ( 2 ) or the carrier material ( 1 ) in the area of the layer ( 3 ) or the component ( 2 ) stands. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Schallquelle als Schallprozessor gestaltet ist, dass die Frequenz und/oder die Schallenergie des Schallschwingers (4) abhängig vom Material und/oder der Größe und/oder Dicke der Schicht (3), des Bauteils (2) und/oder des Trägermaterials (1) wählbar sind.Apparatus according to claim 3, characterized in that the sound source is designed as a sound processor, that the frequency and / or the sound energy of the sonic oscillator ( 4 ) depending on the material and / or the size and / or thickness of the layer ( 3 ), of the component ( 2 ) and / or the carrier material ( 1 ) are selectable. Vorrichtung nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, dass sie einen Haltetisch (6) zur Halterung eines Werkstücks mit der zu trennenden Schicht (3) oder dem zu trennenden Bauteil (2) und eine mittels eines X-Y-Z-Schlittens verfahrbare Haltesäule (7) zur Halterung des Schallschwingers (4) und zur Verstellung desselben über einem zu trennenden Bereich des Werkstücks aufweist.Device according to claim 3 or 4, characterized in that it comprises a holding table ( 6 ) for holding a workpiece with the layer to be separated ( 3 ) or the component to be separated ( 2 ) and a movable by an XYZ carriage support column ( 7 ) for holding the sonic oscillator ( 4 ) and for adjusting the same over a region of the workpiece to be separated. Vorrichtung nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, dass im Schallprozessor Schallschwinger (4) mit unterschiedlichen Größen einsetzbar sind.Apparatus according to claim 4 or 5, characterized characterized in that in the sound processor sonic oscillator ( 4 ) can be used with different sizes.
DE1998159023 1998-12-21 1998-12-21 Method and device for separating layers and components Expired - Fee Related DE19859023B4 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE1998159023 DE19859023B4 (en) 1998-12-21 1998-12-21 Method and device for separating layers and components

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE1998159023 DE19859023B4 (en) 1998-12-21 1998-12-21 Method and device for separating layers and components

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE19859023A1 DE19859023A1 (en) 2000-06-29
DE19859023B4 true DE19859023B4 (en) 2005-12-15

Family

ID=7891962

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1998159023 Expired - Fee Related DE19859023B4 (en) 1998-12-21 1998-12-21 Method and device for separating layers and components

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE19859023B4 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3929584A1 (en) * 1988-09-05 1990-03-08 Meurer Nonfood Product Gmbh Delamination of laminated punching plates - immersion in incompressible fluid and application of ultrasonic waves ensures free sepn. of steel plates from laminated facings
DE3937442A1 (en) * 1989-11-10 1991-05-16 Nokia Unterhaltungselektronik METHOD FOR AREA REMOVAL OF LAYERS FROM A SUBSTRATE
DE19523588A1 (en) * 1995-06-29 1997-01-02 Basf Ag Removal of defective surface coatings from unexpanded polystyrene granules
JPH0910714A (en) * 1993-03-25 1997-01-14 Toppan Printing Co Ltd Ultrasonic cleaning of development residue

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3929584A1 (en) * 1988-09-05 1990-03-08 Meurer Nonfood Product Gmbh Delamination of laminated punching plates - immersion in incompressible fluid and application of ultrasonic waves ensures free sepn. of steel plates from laminated facings
DE3937442A1 (en) * 1989-11-10 1991-05-16 Nokia Unterhaltungselektronik METHOD FOR AREA REMOVAL OF LAYERS FROM A SUBSTRATE
JPH0910714A (en) * 1993-03-25 1997-01-14 Toppan Printing Co Ltd Ultrasonic cleaning of development residue
DE19523588A1 (en) * 1995-06-29 1997-01-02 Basf Ag Removal of defective surface coatings from unexpanded polystyrene granules

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Patent abstracts of Japan. CD-ROM & JP 07052160 A *
Patent abstracts of Japan. CD-ROM JP 07052160 A
Patent abstracts of Japan. M-1469, 1993, Vol.17, No.469 & JP 5111918 A *
Patent abstracts of Japan. M-1469, 1993, Vol.17, No.469. JP 5-111918 A

Also Published As

Publication number Publication date
DE19859023A1 (en) 2000-06-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE4447897B4 (en) Process for the production of printed circuit boards
EP0658300B1 (en) Structured printed circuit boards and films and process for producing them
DE112011102435B4 (en) Method and apparatus for bonding two wafers together by molecular adhesion
EP0385995B1 (en) Embossing foil, in particular heat embossing foil, for producing conductive tracks on a substrate
DE112012000993B4 (en) Harmless process for the production of continuous conductive strip conductors on the surfaces of a non-conductive substrate
DE2749620C3 (en) Process for the production of printed circuits
DE4417245A1 (en) High resolution structured metallisation prodn.
DE1065903B (en) Method and apparatus for making conductive patterns
DE102019212840A1 (en) SiC SUBSTRATE PROCESSING METHOD
EP3592501B1 (en) Method for producing a technical mask
EP1112530B1 (en) Method for producing micro-openings
DE19859023B4 (en) Method and device for separating layers and components
EP2714417B1 (en) Method for coating silk-screen printing stencils
EP2490893B1 (en) Method for producing perforated or partially perforated templates with reliefs
WO2008095526A2 (en) Method for applying a structure to a semiconductor element
DE102004006156B4 (en) Method of manufacturing a microcapacitive ultrasonic transducer
DE19951721A1 (en) Very fine circuit production on polymer involves structurization by erosion with short wavelength electromagnetic radiation using metal coat penetrated by photons and erosion by plasma formed at interface with polymer
DE102009018849B4 (en) Master structure for embossing and / or printing a base material, apparatus for continuously embossing and / or printing a base material and method for producing a master structure for embossing and / or printing a base material
DE102010016780B4 (en) Method for producing a flexible circuit arrangement
DE10340409A1 (en) Support wafer for processing a semiconductor wafer comprises a support substrate permeable in a partial region for light having a predetermined wavelength, and an adhesive region arranged directly on the light-permeable partial region
DE102016219811A1 (en) Wafer processing method
DE10305270B4 (en) Process for removing a crosslinked epoxy resin structure
DE10254927A1 (en) Process for the production of conductive structures on a carrier
DE102007042411A1 (en) Method for hot stamping at least one printed conductor on a substrate and substrate with at least one printed conductor
DE102013200697A1 (en) Method for producing structured electrical support materials to manufacture flexible circuit board, involves attaching support material to raised structures on tool, and moving support material to form two planes

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8120 Willingness to grant licenses paragraph 23
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee