DE19826658A1 - Schaltungsträger mit integrierten, aktiven, optischen Funktionen - Google Patents
Schaltungsträger mit integrierten, aktiven, optischen FunktionenInfo
- Publication number
- DE19826658A1 DE19826658A1 DE19826658A DE19826658A DE19826658A1 DE 19826658 A1 DE19826658 A1 DE 19826658A1 DE 19826658 A DE19826658 A DE 19826658A DE 19826658 A DE19826658 A DE 19826658A DE 19826658 A1 DE19826658 A1 DE 19826658A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- circuit carrier
- carrier according
- optical
- optical layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 58
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims abstract 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 7
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 7
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 4
- 101710187785 60S ribosomal protein L1-A Proteins 0.000 claims description 3
- 101710187786 60S ribosomal protein L1-B Proteins 0.000 claims description 3
- 210000003734 kidney Anatomy 0.000 claims 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 claims 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 235000007688 Lycopersicon esculentum Nutrition 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 240000003768 Solanum lycopersicum Species 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000013305 flexible fiber Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 150000003071 polychlorinated biphenyls Chemical class 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/43—Arrangements comprising a plurality of opto-electronic elements and associated optical interconnections
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0274—Optical details, e.g. printed circuits comprising integral optical means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
Ein Schaltungsträger, bestehend aus mehreren Schichten aus zumindest einem Isoliermaterial, sowie aus Leiterstrukturen (L6, L7), die sich auf oder in den Schichten befinden, bei welchen zumindest eine optische Schicht (1) vorgesehen ist, die beidseitig in anderen Schichten (19, 20) eingebettet ist.
Description
Die Erfindung bezieht sich auf einen Schaltungsträger, beste
hend aus mehreren Schichten aus zumindest einem Isoliermate
rial, sowie aus Leiterstrukturen, die sich auf oder in den
Schichten befinden.
Derartige Schaltungsträger sind bekannt und im allgemeinen
als Leiterplatten ausgebildet, die gleichzeitig mechanischer
Träger von Bauelementen sind, die an einer oder beiden Ober
flächen der Leiterplatte durch verschiedene Lötverfahren be
festigt und elektrisch mit den Leiterstrukturen verbunden
werden. Meistens werden Mehrebenen-Leiterplatten verwendet,
die zumindest an ihren beiden Außenseiten Leiterstrukturen
aufweisen, oft jedoch auch in ihrem Inneren, wobei Durchkon
taktierungen häufig sind. Je nach den Anforderungen an klima
tische Bedingungen und Bauelementedichte bestehen solche
Schaltungsträger aus Epoxidharz-Glasgeweben oder aus anderen
Kunststoffen, wie Polyester, Polyamid oder Polytetrafluo
rethylen. Die Bestückung der Leiterplatten, üblicherweise mit
sogenannten SMD-Bauelementen, erfolgt überlicherweise vollau
tomatisch.
In Hinblick auf die Vorteile der Informationsübertragung über
optische Wege werden immer häufiger opto-elektronische Bau
elemente verwendet, die Licht emittieren und/oder empfangen,
wobei zur Verbindung solcher opto-elektronischer Bauelemente
auch auf Leiterplatten flexible Lichtfaserleitungen verwendet
werden. Für die Verbindung der Lichtfaserleitungen mit den
opto-elektronischen Bauelementen wurden verschiedene An
schluß- bzw. Steckertechniken entwickelt, doch ist es klar,
daß sich alle diese Techniken kaum für eine vollautomatische
Bestückung der Leiterplatten eignen, wobei sich die optischen
Verbindungen außerhalb der eigentlichen Leiterplatte bzw. des
Schaltungsträgers abspielen.
Eine Aufgabe der Erfindung liegt darin, hier eine grundsätz
liche Verbesserung zu schaffen, die sowohl in Hinblick auf
mechanische Festigkeit, als auch auf die Möglichkeit einer
automatischen Bestückung einen Fortschritt bedeutet.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß zu
mindest eine optische Schicht vorgesehen ist, die beidseitig
in anderen Schichten eingebettet ist.
Dank der Erfindung wird die Montage von gedruckten Schaltun
gen mit opto-elektronischen Bauelementen wesentlich verein
facht und es ergibt sich auch eine Erweiterung des Anwen
dungsbereiches für opto-elektronische Systeme. Aufwendige und
nach der automatisierten Bestückung vor zunehmende Verbindun
gen über Lichtwellenleiterkabel auf der Oberfläche der Lei
terplatte entfallen. Es kann von Vorteil sein, wenn an zumin
dest einer Seite an die optische Schicht eine elektrisch lei
tende Schicht grenzt, insbesondere dann, wenn die elektrisch
leitende Schicht aus einem elektrisch leitfähigen Polymer be
steht und falls die optische Schicht eine optisch aktive,
elektrisch anregbare Schicht ist. Auf diese Weise ist es auch
möglich, innerhalb des Schaltungsträgers durch Anregung der
optischen Schicht optische Signale zu erzeugen. Vorteilhaft
kann die elektrische Anregung beispielsweise auch zum Schal
ten eines optischen Schalters, um optische Signale zwischen
mehreren in der Leiterstruktur angeordneten optischen Schich
ten, wenn diese optisch miteinander verbunden sind, zu schal
ten, oder zum Ansteuern eines Teilers (Splitters), der die
optischen Signale auf mehrere optische Schichten verteilt,
verwendet werden.
Um eine gute Packungsdichte zu erreichen, kann vorgesehen
sein, daß an zumindest einer Seite an die optische Schicht
eine Leiterplattenschicht mit Leiterstrukturen grenzt. Hier
bei können sowohl die Festigkeits-, als auch die Wärmeablei
tungseigenschaften verbessert werden, wenn die Leiterplatten
schicht einen von einer Kunststoffschicht umgebenen Metall
träger aufweist.
Zur Verbesserung der Stabilität und der Wärmeleitung ist es
vorteilhaft, wenn zwischen der optischen Schicht und einer
angrenzenden Schicht, eine dünne Schicht aus einen thermisch
leitenden Prepreg angeordnet ist. Dieses Prepreg wird bei
spielsweise als Folie vor dem Laminieren des Aufbaus zwischen
die Schichten gebracht, und verbleibt dann bei fertigem
Schaltungsträger als nur noch sehr dünne, jedoch wärmelei
tende Schicht.
Bei einer weiteren Variante ist vorgesehen, daß die optische
Schicht durch setzende Durchkontaktierungen vorgesehen sind,
welche Leiterstrukturen zu beiden Seiten der optischen
Schicht verbinden. Solche Durchkontaktierungen können somit
auch bei einem erfindungsgemäßen Schaltungsträger verwendet
werden und stören nicht, sofern die optische Schicht eine ge
nügende Breite aufweist.
Zweckmäßige Ausführungsformen zeichnen sich auch dadurch aus,
daß die optische Schicht eine Polyimid-Schicht ist, da diese
sowohl gute elektrische, als auch mechanische Eigenschaften
für den vorliegenden Zweck aufweist. Für die Zwecke der
Lichtübertragung innerhalb des Schaltungsträgers empfiehlt es
sich, die optische Schicht als Mehrmoden-Wellenleiter aus zu
bilden, da diese aufgrund ihres allgemein größeren Durchmes
sers unkritischer bezüglich der Ein- und Auskopplung der op
tischen Signale sind.
Eine zweckmäßige Ausführung des erfindungsgemäßen Schaltungs
trägers ist dadurch ausgezeichnet, daß zumindest eine Seite
zur Oberflächenmontage von SMD-Bauelementen eingerichtet ist.
Weiters können mit Vorteil zumindest an einer Seite/Oberflä
che opto-elektronische Bauteile montiert sein, von welchen
ein Lichtleiter bis zumindest einer optischen Schicht führt.
Da man versuchen wird, von dem opto-elektronischen Bauteil
auf kürzestem Wege in die optische Schicht zu gelangen, wird
die optische Verbindung zwischen Lichtleiter und optischer
Schicht zweckmäßigerweise mit Hilfe eines Winkelschliffes,
vorzugsweise unter 90° erfolgen. In gleicher Weise kann die
Umlenkung auch durch ein Prisma oder einen teilweise durch
lässigen Strahlenteiler verwirklicht sein.
In Hinblick auf die verwendeten Laminiertechniken ist es auch
empfehlenswert, wenn die optische Schicht als Folie ausgebil
det/in einer Folie enthalten ist. Die optische Schicht kann
vorteilhafterweise durch Heißprägen und/oder lichtoptisches-
Dessinieren hergestellt sein.
Um den erfindungsgemäßen Schaltungsträger in gleicher Weise
wie herkömmliche Schaltungsträger verwenden zu können, kann
vorgesehen sein, daß zumindest ein Steckeranschluß mit elek
trischen und optischen Kontakten vorgesehen ist, so daß mit
passenden Gegenkontakten eine elektrooptische Hybridsteckver
bindung eingerichtet ist.
Die Erfindung samt weiterer Vorteile ist im folgenden anhand
beispielhafter Ausführungsformen näher erläutert, die in der
Zeichnung veranschaulicht sind. In dieser zeigen
Fig. 1 ein erstes Ausführungsbeispiel eines Schaltungsträgers
nach der Erfindung in einer Explosionsdarstellung vor dem
endgültigen Zusammenbau,
Fig. 2 ein zweites Ausführungsbeispiel in zusammengefügtem
Zustand, die
Fig. 3 und 4 entsprechend den Fig. 1 und 2 ein drittes Aus
führungsbeispiel der Erfindung, die
Fig. 5 und 6 entsprechend den Fig. 1 und 2 bzw. 3 und 4 ein
drittes Ausführungsbeispiel eines Schaltungsträgers nach der
Erfindung und
Fig. 6 einen Schaltungsträger nach der Erfindung in schemati
scher, teilweise geschnittener Seitenansicht mit darauf ange
ordneten Komponenten und einer vereinfacht dargestellten
Steckverbindung.
In Fig. 1 sind zur endgültigen Herstellung eines Schaltungs
trägers nach der Erfindung vorbereitete bzw. vorhergestellte
Lagen gezeigt, nämlich eine optische Schicht 1, die bei
spielsweise eine optische aktive Polyimidschicht sein kann,
und die zu beiden Seiten in Leiterplattenschichten 2 (in der
Zeichnung oben) bzw. 3 (in der Zeichnung unten) eingebettet
ist. Auf jeder der Leiterplattenschichten 2, 3 sind Leiter
strukturen L2 bzw. L3 vorgesehen.
Fig. 1 zeigt weiters ober- und unterhalb der eben beschriebe
nen, zusammengesetzten Lage je eine Schicht 4, 5 aus einem
thermisch leitenden Prepreg, z. B. eine weiche, klebrige Po
lymermatte. Ganz oben und ganz unten in Fig. 1 ist je eine
Leiterplattenschicht 6 bzw. 7 zu sehen, wobei sich Leiter
strukturen L6 bzw. L7 auf und in diesen Schichten befinden.
Die Leiterplattenschichten 2, 3, 6 und 7 bestehen in bekann
ter Weise aus Kunststoffen, z. B. Thermagon®, die Leiter
strukturen aus Metall, im allgemeinen aus Kupfer. Falls die
optische Schicht 1 optisch aktiv ist, können einander gegen
überliegende, an die Schicht 1 angrenzende Leiterbahnen - in
Fig. 1 in der Mitte ersichtlich - zur elektrooptischen Anre
gung der Schicht 1 herangezogen werden.
Zur endgültigen Herstellung eines kompletten Schaltungsträ
gers werden die Lagen bzw. Schichten und Fig. 1 zusammenlami
niert, wobei entsprechend den verwendeten Materialien be
stimmte Drücke und Temperaturen angewandt werden. Als Ender
gebnis stellt sich beispielsweise der in Fig. 2 dargestellte
Schaltungsträger nach der Erfindung dar, der wie herkömmliche
Leiterplatten mit Bauelementen versehen werden kann, was noch
später näher gezeigt wird. Im Gegensatz zur Darstellung nach
Fig. 1 sind hier die Leiterplattenschichten 2 und 3 der
Fig. 1 entfallen. Die aus Fig. 1 ersichtlichen Schichten 4
und 5 sind in Fig. 2 nur ihrer Lage nach bezeichnet, da sie
nach dem Laminiervorgang nur noch sehr dünn sind: genauer ge
sagt liegt die Dicke dieser Schichten im Bereich von Mikrome
tern.
Bei einer dritten Ausführungsform der Erfindung ist gemäß
Fig. 3 eine Lage aus einer optischen Schicht 1 und zwei daran
angrenzende Leiterplattenschichten 2, 3 vorgesehen. Ebenso
sind wie in Fig. 1 zwei Schichten 4, 5 eines Prepregs vorhan
den.
In Fig. 3 ganz oben und ganz unten sind Leiterplattenschich
ten 8, 9 gezeigt, die jeweils Metallträger M8, M9, ummantelt
mit einem wärmeleitenden Kunststoff K8, K9, z. B. als Halbfa
brikat unter dem Markennamen Thermagon® bekannt, aufweisen.
Die Schichten 8, 9 enthalten weiters eine Leiterplatteniso
lierung I8, I9 und Leiterstrukturen L8, L9, die hier aller
dings noch nicht geätzt, d. h. tatsächlich strukturiert sind,
sondern als Metallschicht vorliegen.
Fig. 4. zeigt die Lagen nach Fig. 3, durch eine entsprechende
Behandlung zu einem Schaltungsträger nach der Erfindung ver
eint. Nun sind auch die Leiterstrukturen L8, L9 den äußersten
Schichten 8, 9 geätzt und in jeder dieser Schichten ist eine
Durchkontaktierung D8, D9 vorgenommen, die sich bis zu Lei
terbahnflächen erstrecken, welche einander gegenüberliegend
an die optische Schicht 1 angrenzen und diese, falls sie op
tisch aktiv ist, beispielsweise zur Lichtemission anregen
können. Ebenso ist die Erzielung anderer elektrooptischer Ef
fekte möglich, sofern das Material der optischen Schicht 1
dafür erforderliche Eigenschaften besitzt. Die aus Fig. 3 er
sichtlichen Schichten 4 und 5 sind in Fig. 4 nur ihrer Lage
nach bezeichnet, da sie nach dem Laminiervorgang nur noch
sehr dünn sind: genauer gesagt liegt die Dicke dieser Schich
ten im Bereich von Mikrometern.
Bei der in Fig. 5 in Explosionsdarstellung gezeigten vierten
Ausführungsform der Erfindung sind drei Leiterplattenschich
ten 10, 11, 12 gezeigt, die in ihrem Aufbau den Leiterplat
tenschichten 8 und 9 der Fig. 3 bzw. 4 entsprechen, d. h. sie
weisen mit Kunststoff I10, I11, I12 ummantelte Metallträger
M10, M11, M12 und Leiterstrukturen L10, L11, L12 auf Leiter
plattenisolierungen I10, I11, I12 auf. Allerdings sind bei
den beiden äußersten Schichten 10 und 12 die äußeren Leiter
bahnstrukturen L10a, L12a unmittelbar auf der Kunststoffum
mantelung K10, K12 der Metallträger M10, M12 aufgebracht.
Zwischen je zwei Leiterbahnschichten 10 und 11 bzw. 11 und 12
sind optisch aktive Schichten 13 bzw. 14 aus einen Polyimid
vorgesehen, wobei jede dieser Schichten 13, 14 in zwei
Schichten 15, 16 bzw. 17, 18 aus einem elektrisch leitenden
Polymer eingebettet ist.
Die vierte Ausführungsform der Erfindung in fertig laminier
tem Zustand geht aus Fig. 6 hervor. Sie weist nun auch eine
Durchkontaktierung D auf, welche sich durch sämtliche Schich
ten, nämlich auch durch die beiden optischen Schichten 13 und
14 erstreckt. Letztere können über die an sie angrenzenden
Schichten 15, 16 und 17, 18 und entsprechende elektrische
Signale elektrooptisch beeinflußt, z. B. zur Lichtabgabe ak
tiviert werden. Im Gegensatz zu dem halbfertigen Zustand nach
Fig. 5 sind gemäß Fig. 6 auch die äußeren Leiterstrukturen
L10a und L12a fertiggestellt.
Ein erfindungsgemäßer Schaltungsträger in fertiggestelltem
Zustand, mit Komponenten bestückt und mit einem Stecker ver
sehen, wird nun unter Bezugnahme auf Fig. 7 näher beschrei
ben. Der Schaltungsträger besteht aus zwei Leiterplatten
schichten 6 und 7, die ähnlich wie jene in Fig. 2 ausgebildet
sein können und daher die gleichen Bezugszeichen tragen, so
wie aus einer optischen Schicht 1, wobei sich zwischen dieser
Schicht und den Leiterplattenschichten 6, 7 je eine Trenn
schicht 19, 20 befindet, die z. B. aus einem Polymer besteht.
Die Leiterplattenschichten 6, 7 können nach außen hin von ei
ner Deckschicht 21, 22, z. B. einer Lackschicht abgedeckt
sein. Analog zur Fig. 6 können Durchkontaktierungen vorgese
hen sein.
Auf den Oberflächen des Schaltungsträgers sind aktive
und/oder passive elektronische Bauteile 23 unter Verwendung
bekannter Technologien, z. B. nach der SMD- oder der Ball-
Grid-Technik angeordnet und in der gewünschten Weise mit den
Leiterstrukturen verbunden.
Zusätzlich sind jedoch auch aktive und/oder passive opto
elektronische Bauteile 24 montiert, die an ihrer Unterseite
einen optischen Anschluß 25 für den Lichtein- bzw. -austritt
aufweisen und von welchem ein Lichtleiter 26 bis zu der opti
schen Schicht 1 führt. Innerhalb der optischen Schicht 1 wird
mit Hilfe eines Winkelschliffs 27, Prismas, Spiegels oder
dgl. eine Strahlumlenkung um 90° vorgenommen, sodaß die in
der Zeichnung von oder zu den Bauelementen 24 senkrecht ver
laufenden Strahlen in waagrechte, innerhalb der optischen
Schicht 1 verlaufende umgelenkt werden.
Zur Verbindung mit anderen elektronischen und/oder elektroop
tischen Bauteilen oder Geräten ist ein Steckeranschluß 28
vorgesehen, der elektrische und optische Kontakte 29 und 30
besitzt und mit einem nicht gezeigten, passenden Gegenstück,
das z. B. gerätefest sein kann, eine Hybridsteckverbindung
bildet, die es erlaubt, den Schaltungsträger in üblicher
Weise durch Stecken/Ziehen an seinen Platz zu bringen oder
auszutauschen, ohne daß weitere Manipulationen erforderlich
wären.
Die optische Schicht 1, 13, 14 kann als Folie ausgebildet
sein oder in einer Folie mit entsprechenden Deckschichten 17,
18; 19, 20, die isolierend oder leitend sind, enthalten sein.
Die Herstellung der optischen Schicht kann beispielsweise
durch Heißprägen oder lichtoptisches, insbesondere Laser-Des
sinieren erfolgen. Sie ist bevorzugt als Mehrmoden-Wellenlei
ter gestaltet, kann jedoch auch als Single-Mode-Wellenleiter
ausgeführt sein. Da die Abmessungen üblicher Schaltungsträger
nicht sehr groß sind, können innerhalb der optischen Schicht
Dämpfungswerte von beispielweise 0,2 dB pro Zentimeter akzep
tiert werden, was sich günstig auf den Preis der verwendeten
Materialien auswirkt.
Claims (16)
1. Schaltungsträger, bestehend aus mehreren Schichten aus zu
mindest einem Isoliermaterial, sowie aus Leiterstrukturen,
die sich auf oder in den Schichten befinden,
dadurch gekennzeichnet, daß
zumindest eine optische Schicht (1, 13, 14) vorgesehen ist,
die beidseitig in anderen Schichten (2, 3, 6, 7, 15, 16, 17,
18, 19, 20) eingebettet ist.
2. Schaltungsträger nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß an zumindest einer
Seite an die optische Schicht (13, 14) eine elektrisch lei
tende Schicht (15, 16, 17, 18) grenzt.
3. Schaltungsträger nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet, daß die elektrisch leitende
Schicht (15, 16, 17, 18) aus einem elektrisch leitfähigen Po
lymer besteht.
4. Schaltungsträger nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet, daß die optische Schicht
(1, 13, 14) eine optisch aktive, elektrisch anregbare Schicht
ist.
5. Schaltungsträger nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet, daß an zumindest einer
Seite an die optische Schicht (1, 13, 14) eine Leiterplatten
schicht (6, 7, 8, 9) mit Leiterstrukturen (L6, L7, L8, L9)
grenzt.
6. Schaltungsträger nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet, daß die Leiterplatten
schicht (8, 9) einen von einer Kunststoffschicht (K8, K9) um
gebenen Metallträger (M8, M9) aufweist.
7. Schaltungsträger nach einem der Ansprüche 1 bis 6,
dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der optischen
Schicht (1) und einer angrenzenden Schicht (6, 7) eine dünne
Schicht (4, 5) aus einem thermisch leitenden Prepreg angeord
net ist.
8. Schaltungsträger nach einem der Ansprüche 1 bis 7,
dadurch gekennzeichnet, daß die optische Schicht
(1, 13, 14) durchsetzende Durchkontaktierungen (D) vorgesehen
sind, welche Leiterstrukturen (L6, L7, L10a, L12a) zu beiden
Seiten der optischen Schicht verbinden.
9. Schaltungsträger nach einem der Ansprüche 1 bis 8,
dadurch gekennzeichnet, daß die optische Schicht
(1, 13, 14) eine Polyimid-Schicht ist.
10. Schaltungsträger nach einem der Ansprüche 1 bis 9,
dadurch gekennzeichnet, daß die optische Schicht
(1, 13, 14) als Mehrmoden-Wellenleiter ausgebildet ist.
11. Schaltungsträger nach einem der Ansprüche 1 bis 10,
dadurch gekennzeichnet, daß zumindest eine Seite
zur Oberflächenmontage von SMD-Bauelementen (23) eingerichtet
ist.
12. Schaltungsträger nach einem der Ansprüche 1 bis 11,
dadurch gekennzeichnet, daß zumindest an einer
Seite/Oberfläche opto-elektronische Bauteile (24) montiert
sind, von welchen ein Lichtleiter (26) bis zu zumindest einer
optischen Schicht (1) führt.
13. Schaltungsträger nach Anspruch 12,
dadurch gekennzeichnet, daß die optische Verbindung
zwischen Lichtleiter (26) und optischer Schicht (1) mit Hilfe
eines Winkelschliffs (27), vorzugsweise unter 90°, erfolgt.
14. Schaltungsträger nach einem der Ansprüche 1 bis 13,
dadurch gekennzeichnet, daß die optische Schicht
(1, 13, 14) als Folie ausgebildet/in einer Folie enthalten
ist.
15. Schaltungsträger nach einem der Ansprüche 1 bis 14,
dadurch gekennzeichnet, daß die optische Schicht
(1, 13, 14) durch Heißprägen und/oder lichtoptisches Dessi
nieren hergestellt ist.
16. Schaltungsträger nach einem der Ansprüche 1 bis 15,
dadurch gekennzeichnet, daß zumindest ein Stec
keranschluß (28) mit elektrischen und optischen Kontakten
(29, 30) vorgesehen ist, sodaß mit passenden Gegenkontakten
eine elektrooptische Hybridsteckverbindung eingerichtet ist.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19826658A DE19826658A1 (de) | 1998-06-16 | 1998-06-16 | Schaltungsträger mit integrierten, aktiven, optischen Funktionen |
US09/334,227 US6324328B1 (en) | 1998-06-16 | 1999-06-16 | Circuit carrier with integrated, active, optical functions |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19826658A DE19826658A1 (de) | 1998-06-16 | 1998-06-16 | Schaltungsträger mit integrierten, aktiven, optischen Funktionen |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19826658A1 true DE19826658A1 (de) | 1999-12-30 |
Family
ID=7870967
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19826658A Withdrawn DE19826658A1 (de) | 1998-06-16 | 1998-06-16 | Schaltungsträger mit integrierten, aktiven, optischen Funktionen |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6324328B1 (de) |
DE (1) | DE19826658A1 (de) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10061831A1 (de) * | 2000-12-12 | 2002-06-13 | Wuerth Elektronik Gmbh | Optische Mehrlagenleiterplatte |
DE10104971A1 (de) * | 2001-02-03 | 2002-09-12 | Daimler Chrysler Ag | Kombinierte elektrisch/optische Folienleitungen und -schaltungen |
EP1041418A3 (de) * | 1999-03-30 | 2003-07-16 | Toppan Printing Co., Ltd. | Optisch-leitende Schicht, optoelektrisch-leitendes Substrat, montiertes Substrat und deren Herstellungsverfahren |
DE10147876B4 (de) * | 2001-09-28 | 2005-05-25 | Siemens Ag | In Leiterplatten einzubettende optische Leiter |
DE102005051806A1 (de) * | 2005-10-27 | 2007-05-10 | Sew-Eurodrive Gmbh & Co. Kg | Lichtleiter, Lichtleiteranordnung und Leiterplatte |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DK1155348T3 (da) * | 1999-02-23 | 2003-09-15 | Ppc Electronic Ag | Printkort til elektriske og optiske signaler samt fremgangsmåde til dets fremstilling |
TWI239798B (en) | 1999-05-28 | 2005-09-11 | Toppan Printing Co Ltd | Photo electric wiring substrate, mounted substrate, and the manufacture method of the photo electric wiring substrate |
US6396968B2 (en) * | 2000-03-02 | 2002-05-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Optical signal transmission device |
US6421473B1 (en) * | 2000-09-28 | 2002-07-16 | Intel Corporation | Method and apparatus for switching an optical beam in an integrated circuit die |
US6449405B1 (en) | 2000-09-28 | 2002-09-10 | Intel Corporation | Method and apparatus for switching a plurality of optical beams in an optical switch |
US6434289B1 (en) | 2000-09-28 | 2002-08-13 | Intel Corporation | Method and apparatus for confining an optical beam in an optical switch |
US6694069B2 (en) * | 2000-10-30 | 2004-02-17 | Kyocera Corporation | Optical integrated circuit substrate and optical module |
US6600864B2 (en) * | 2000-12-20 | 2003-07-29 | Intel Corporation | Method and apparatus for switching an optical beam using an optical rib waveguide |
US6798964B2 (en) * | 2002-05-01 | 2004-09-28 | Intel Corporation | Method and apparatus for modulating an optical beam in an optical device |
JP2004069798A (ja) * | 2002-08-02 | 2004-03-04 | Canon Inc | 光電融合ビアをもつ光電融合配線基板 |
KR100460703B1 (ko) * | 2002-08-21 | 2004-12-09 | 한국전자통신연구원 | 일체화된 광송수신 모듈과 광도파로를 구비하는 광백플레인 |
KR100528972B1 (ko) * | 2003-10-27 | 2005-11-16 | 한국전자통신연구원 | 테이퍼진 광도파로가 내장된 광 인쇄회로기판 시스템 |
KR100679253B1 (ko) * | 2004-09-10 | 2007-02-06 | 한국정보통신대학교 산학협력단 | 광 피씨비, 광 피씨비용 송수신 모듈 및 광연결블록연결구조 |
US7391937B2 (en) * | 2004-10-22 | 2008-06-24 | Lockheed Martin Corporation | Compact transition in layered optical fiber |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3834335A1 (de) * | 1988-10-08 | 1990-04-12 | Telefunken Systemtechnik | Halbleiterschaltung |
DE19643911A1 (de) * | 1996-10-30 | 1998-05-07 | Sick Ag | Schaltungsanordnung mit auf einem mit Leiterbahnen versehenen Substrat angebrachten optoelektronischen Bauelementen |
US5761350A (en) * | 1997-01-22 | 1998-06-02 | Koh; Seungug | Method and apparatus for providing a seamless electrical/optical multi-layer micro-opto-electro-mechanical system assembly |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2683054B1 (fr) * | 1991-10-25 | 1993-12-03 | Commissariat A Energie Atomique | Modulateur electrooptique integre et procede de fabrication de ce modulateur. |
DE69418752T2 (de) * | 1993-03-18 | 2000-01-27 | Nippon Telegraph And Telephone Corp., Tokio/Tokyo | Herstellungsverfahren von optischen Wellenleitern aus Polyimid |
US5892859A (en) * | 1997-06-11 | 1999-04-06 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Integrated circuit compatible electro-optic controlling device for high data rate optical signals |
US5887116A (en) * | 1997-06-11 | 1999-03-23 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Integrated circuit compatible electro-optic device using conductive polymer cladding layers |
US6114088A (en) * | 1999-01-15 | 2000-09-05 | 3M Innovative Properties Company | Thermal transfer element for forming multilayer devices |
-
1998
- 1998-06-16 DE DE19826658A patent/DE19826658A1/de not_active Withdrawn
-
1999
- 1999-06-16 US US09/334,227 patent/US6324328B1/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3834335A1 (de) * | 1988-10-08 | 1990-04-12 | Telefunken Systemtechnik | Halbleiterschaltung |
DE19643911A1 (de) * | 1996-10-30 | 1998-05-07 | Sick Ag | Schaltungsanordnung mit auf einem mit Leiterbahnen versehenen Substrat angebrachten optoelektronischen Bauelementen |
US5761350A (en) * | 1997-01-22 | 1998-06-02 | Koh; Seungug | Method and apparatus for providing a seamless electrical/optical multi-layer micro-opto-electro-mechanical system assembly |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
"Optical Guided Waves and Devices", R. SYMS et al.(McGraw-Hill Book Comp., London, 1992), S.359 bis 362 * |
IEEE, Electronic Components and Technology Con- ference (1996), S.264-258 * |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1041418A3 (de) * | 1999-03-30 | 2003-07-16 | Toppan Printing Co., Ltd. | Optisch-leitende Schicht, optoelektrisch-leitendes Substrat, montiertes Substrat und deren Herstellungsverfahren |
DE10061831A1 (de) * | 2000-12-12 | 2002-06-13 | Wuerth Elektronik Gmbh | Optische Mehrlagenleiterplatte |
DE10061831B4 (de) * | 2000-12-12 | 2014-02-13 | Würth Elektronik Rot am See GmbH & Co. KG | Optische Mehrlagenleiterplatte |
DE10104971A1 (de) * | 2001-02-03 | 2002-09-12 | Daimler Chrysler Ag | Kombinierte elektrisch/optische Folienleitungen und -schaltungen |
DE10147876B4 (de) * | 2001-09-28 | 2005-05-25 | Siemens Ag | In Leiterplatten einzubettende optische Leiter |
DE102005051806A1 (de) * | 2005-10-27 | 2007-05-10 | Sew-Eurodrive Gmbh & Co. Kg | Lichtleiter, Lichtleiteranordnung und Leiterplatte |
DE102005051806B4 (de) * | 2005-10-27 | 2007-10-18 | Sew-Eurodrive Gmbh & Co. Kg | Lichtleiteranordnung und Leiterplatte |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6324328B1 (en) | 2001-11-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE19826648B4 (de) | Schaltungsträger mit einer optischen Schicht und optoelektronisches Bauelement | |
DE19826658A1 (de) | Schaltungsträger mit integrierten, aktiven, optischen Funktionen | |
EP0055376B1 (de) | Anschlussteil für das lösbare Verbinden eines Halbleiterchips mit ihm | |
AT505834B1 (de) | Leiterplattenelement | |
DE60106474T2 (de) | Optischer faserstecker für leiterplatte | |
DE19838519A1 (de) | Leiterplatte und Verfahren zur Herstellung | |
DE3511722A1 (de) | Elektromechanische baugruppe fuer integrierte schaltkreismatrizen | |
DE60303140T2 (de) | Optische verbindungsanordnung | |
EP0903969A2 (de) | Elektronische Baugruppe | |
EP0718878A2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Leiterbahnen auf einem Vertiefungen aufweisenden Substrat | |
DE2937886A1 (de) | Leiterplatte fuer gedruckte schaltung | |
EP1168022A2 (de) | Optomodul mit durchkontaktiertem Trägersubstrat | |
EP1330670B1 (de) | Positionsfixierung in leiterplatten | |
EP0535491A1 (de) | Verfahren zur Herstellung elektrisch leitender Verbindungen an Leiterplatten | |
DE19917554A1 (de) | Positionsfixierung in Leiterplatten | |
DE102010030070A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Verbindung sowie elektrische Verbindung | |
DE3810486C2 (de) | ||
EP3577506B1 (de) | Elektrooptische schaltung mit einer optischen übertragungsstrecke, elektrooptische baugruppe zum einbau in eine solche elektrooptische schaltung und verfahren zum erzeugen einer optischen schnittstelle einer elektrooptischen schaltung | |
DE19963262C2 (de) | Wandlermodul mit einem Optohalbleiter und Verfahren zur Herstellung eines solchen Wandlermoduls | |
DE10108168C1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Multiwire-Leiterplatte | |
DE4132994A1 (de) | Geraeteaufbau eines elektrotechnischen geraetes | |
DE102008009220A1 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Leiterplatte | |
DE4300899A1 (de) | Elektronikeinrichtung und Verfahren zur Herstellung einer solchen Elektronikeinrichtung | |
EP0652692A1 (de) | Leiterplatte | |
DE4326989A1 (de) | Leiterplatte |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: NOKIA SIEMENS NETWORKS GMBH & CO.KG, 81541 MUE, DE |
|
8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |