DE19816150A1 - Making adhesive bond between support plate front and cleaned rear of semiconductor wafer - Google Patents
Making adhesive bond between support plate front and cleaned rear of semiconductor waferInfo
- Publication number
- DE19816150A1 DE19816150A1 DE1998116150 DE19816150A DE19816150A1 DE 19816150 A1 DE19816150 A1 DE 19816150A1 DE 1998116150 DE1998116150 DE 1998116150 DE 19816150 A DE19816150 A DE 19816150A DE 19816150 A1 DE19816150 A1 DE 19816150A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- adhesive bond
- carrier plate
- cleaned
- adhesive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 title claims abstract description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 8
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 claims description 6
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 10
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 2
- 235000010627 Phaseolus vulgaris Nutrition 0.000 description 1
- 244000046052 Phaseolus vulgaris Species 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
- H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung einer Klebeverbindung zwischen der Vorderseite einer Trägerplatte und der gereinigten Rückseite einer Halbleiterscheibe, dadurch gekennzeichnet, daß die Herstellung der Klebeverbindung unmittelbar nach der Reinigung der Halbleiterscheibe erfolgt. Gegenstand der Erfindung ist auch eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens.The invention relates to a method for producing an adhesive bond between the front of a carrier plate and the cleaned back of a semiconductor wafer, characterized in that the adhesive bond is produced immediately after the semiconductor wafer has been cleaned. The invention also relates to a device for carrying out the method.
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer partikelfreien Klebeverbindung zwischen einer Trägerplatte und einer Halbleiterscheibe. Die Erfindung betrifft auch eine ge eignete Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens.The invention relates to a method for producing a particle-free adhesive connection between a carrier plate and a semiconductor wafer. The invention also relates to a ge suitable device for performing the method.
Vor der Verwendung einer Halbleiterscheibe aus, beispielsweise Silicium als Ausgangsmaterial für die Herstellung elektri scher, elektronischer oder mikroelektronischer Bauteile, muß diese poliert werden. Die Politur ist in der Regel der letzte formgebende Bearbeitungsschritt im Fertigungsprozeß und be stimmt somit maßgeblich die Oberflächeneigenschaften der Scheibe. Poliert wird beispielsweise chemo-mechanisch mit kol loid-dispersem Kieselsol, mit dem Ziel maximaler Planparalle lität von Vorder- und Rückseite und reduzierter Mikrorauhig keit.Before using a semiconductor wafer, for example Silicon as a starting material for the production of electri shear, electronic or microelectronic components these are polished. The polish is usually the last shaping processing step in the manufacturing process and be the surface properties of the Disc. For example, polishing is done chemo-mechanically loid-disperse silica sol, with the aim of maximum plane parallel front and back and reduced micro-roughness speed.
Der Verwendungszweck der Halbleiterscheibe entscheidet, ob einseitig oder doppelseitig poliert wird. Bei der Einseitenpo litur wird die Scheibe mit der Rückseite auf einer hochplana ren Trägerplatte befestigt, und von einem auf der Trägerplatte montierten Druckstempel auf einen Polierteller gedrückt und poliert. Eine form- und kraftschlüssige Verbindung zwischen der Scheibe und der Trägerplatte erhält man beispielsweise durch Adhäsion, Kleben, Kitten und/oder Vakuumanwendungen. Die Einseitenpolier-Vorrichtungen für die Einzelscheibenbehandlung bzw. für die Behandlung von Gruppen von Scheiben sind so ge baut, daß sie über eine bzw. über mehrere Trägerplatten verfü gen.The intended use of the semiconductor wafer decides whether is polished on one or both sides. At the one-sided po lit the disc with the back on a high plana ren carrier plate attached, and by one on the carrier plate mounted pressure stamp on a polishing plate and polished. A positive and non-positive connection between the disc and the carrier plate are obtained, for example by adhesion, gluing, kitten and / or vacuum applications. The Single-side polishing devices for single disc treatment or for the treatment of groups of disks are so ge builds that they have one or more support plates gene.
Um Dimpel nach dem Polieren zu vermeiden, müssen vor dem, bei spielsweise Verkleben der Halbleiterscheibe mit der Träger platte sowohl Scheibe als auch Platte eine partikelfreie Ober fläche aufweisen. Unter Dimpel versteht man Vertiefungen auf der polierten Scheibe, die immer dann beobachtet werden, wenn der Durchmesser eines Partikels die Dicke der Klebeschicht überschreitet und dadurch die Planarität der aufgekitteten Scheibe, in Form einer Erhöhung stört. Die Erhöhung wird bei dem Polierverfahren abgetragen und zeigt sich nach Ablösung der Scheibe von der Trägerplatte als Vertiefung. Halbleiter scheiben mit Vertiefungen sind für weitergehende Bearbeitungs schritte unbrauchbar.To avoid dimpel after polishing, before, at for example gluing the semiconductor wafer to the carrier Both the disc and the plate have a particle-free surface have area. Dimpel means deepening the polished disc that is observed whenever the diameter of a particle the thickness of the adhesive layer exceeds and thereby the planarity of the cemented Disk, in the form of an elevation. The increase is at the polishing process and shows up after detachment the disc from the carrier plate as a recess. Semiconductors discs with recesses are for further processing steps unusable.
Die Aufgabe der Erfindung bestand daher darin, ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens anzuge ben, die eine partikelfreie Verklebung insbesondere einer Halbleiterscheibe mit einer Trägerplatte ermöglichen.The object of the invention was therefore a method and a device for carrying out the method ben, the particle-free bonding especially one Enable semiconductor wafer with a carrier plate.
Gelöst wird die Aufgabe durch ein Verfahren zur Herstellung einer Klebeverbindung zwischen der Vorderseite einer Träger platte und der gereinigten Rückseite einer Halbleiterscheibe, welches dadurch gekennzeichnet ist, daß die Herstellung der Klebeverbindung unmittelbar nach der Reinigung der Halbleiter scheibe erfolgt. Gelöst wird die Aufgabe auch durch eine Vor richtung gemäß dem unabhängigen Vorrichtungsanspruch.The task is solved by a manufacturing process an adhesive bond between the front of a carrier plate and the cleaned back of a semiconductor wafer, which is characterized in that the manufacture of the Adhesive connection immediately after cleaning the semiconductors disc is done. The task is also solved by a pre direction according to the independent device claim.
Es wurde nämlich gefunden, daß sich die Anzahl der Halbleiter scheiben, die durch Dimpel unbrauchbar wurden, erheblich redu zieren läßt, wenn die Scheiben unmittelbar vor der Herstellung der Klebeverbindung gereinigt werden. Unmittelbar bedeutet in diesem Zusammenhang das Aufkleben nach der Naßreinigung und Trocknung der Scheibe ohne einer zeitlichen Verzögerung.It was found that the number of semiconductors slices that have become unusable due to dimpel, significantly reduced can adorn if the discs immediately before manufacture the adhesive connection can be cleaned. Immediately means in this connection the sticking after the wet cleaning and Drying of the pane without any delay.
Als besonders vorteilhaft für die Herstellung einer partikel freien Klebeverbindung erweist sich die Kombination der unmit telbaren Verklebung mit einer räumlichen Zusammenführung der Reinigungsvorrichtung und der Klebevorrichtung. Die gereinigte Halbleiterscheibe wird dadurch nicht mehr durch Ver- oder Ent packungsprozesse, Transport oder Lagerung kontaminiert.As particularly advantageous for the production of a particle free combination shows the combination of the immediate removable adhesive with a spatial merging of the Cleaning device and the gluing device. The cleaned one Semiconductor wafer is no longer by Ver or Ent packaging processes, transport or storage contaminated.
Die erfindungsgemäße Vorrichtung, eine Reinigungs-, eine Transport- und eine Klebevorrichtung umfassend, wird nachfol gend anhand einer Figur schematisch erläutert. Dabei handelt es sich um eine bevorzugte Kombination der einzelnen Vorrich tungen, die über Laminarströmungsgehäuse direkt miteinander verbunden sind, so daß eine abgeschlossene Vorrichtung ent steht.The device according to the invention, a cleaning, a Comprising transport and an adhesive device, will follow schematically explained with reference to a figure. It acts it is a preferred combination of each device lines that are directly connected to one another via laminar flow housings are connected so that a completed device ent stands.
In einer Reinigungsvorrichtung 1 wird die Halbleiterscheibe zunächst im Naßverfahren gereinigt und anschließend getrock net. Dabei ist die Scheibe so orientiert, daß die Seite, die nachfolgend mit der Trägerplatte verklebt wird (Rückseite) nach oben weist. Eine Transportvorrichtung 2 überführt die Scheibe zu einer Klebevorrichtung 3. Die Transportvorrichtung 2 ist so gestaltet, daß die Scheibe auf der gereinigten Rück seite nicht berührt und nur mit der Vorderseite, die später poliert wird, exakt auf der Klebevorrichtung abgelegt werden kann. Dazu wird mit der Transportvorrichtung ermöglicht, daß die Scheibe bis zur Ablage in der Klebevorrichtung mit der Rückseite sowohl nach oben, insbesondere, wenn die Scheibe be lackt wird, als auch nach Wendung mit der Vorrichtung nach un ten weisen kann, insbesondere, wenn die Trägerplatte belackt wird. Unter dem Begriff Belacken versteht man das Auftragen von Klebkitt oder Kleblack auf einen Körper.In a cleaning device 1 , the semiconductor wafer is first cleaned in a wet process and then dried net. The pane is oriented so that the side that is subsequently glued to the carrier plate (back) faces upwards. A transport device 2 transfers the pane to an adhesive device 3 . The transport device 2 is designed so that the disc on the cleaned back does not touch and can only be placed exactly on the gluing device with the front, which will be polished later. For this purpose, it is made possible with the transport device that the disk can be placed in the gluing device with the back upwards, in particular when the disk is being coated, and after turning with the device after un th, in particular when the carrier plate is coated. The term coating means the application of adhesive putty or adhesive varnish to a body.
In der Klebevorrichtung 3 wird der Klebkitt oder Kleblack wahlweise auf die Scheibenrückseite oder die Vorderseite der Trägerplatte aufgebracht. Wenn die Scheibenrückseite belackt wurde, wird die Scheibe anschließend in der Klebevorrichtung gewendet und mit der Trägerplatte, die nicht belackt wurde, isostatisch zusammengepreßt. Wenn die Vorderseite der Träger platte belackt wurde, übernimmt das Pressen der Scheibe, die nicht belackt wurde, mit der Trägerplatte noch die Transport vorrichtung 2.In the adhesive device 3 , the adhesive putty or adhesive varnish is applied either to the rear of the pane or to the front of the carrier plate. If the rear of the pane has been coated, the pane is then turned over in the adhesive device and isostatically pressed together with the carrier plate which has not been coated. If the front of the carrier plate has been coated, the pressing of the pane which has not been coated with the carrier plate still takes over the transport device 2 .
Alle oben genannten Vorrichtungen sind für eine oder mehrere Halbleiterscheiben ausgelegt und über Laminarströmungsgehäuse direkt miteinander verbunden, so daß eine abgeschlossene Vor richtung entsteht.All of the above devices are for one or more Semiconductor wafers designed and over laminar flow housing directly connected to each other so that a completed front direction arises.
Durch eine Untersuchung der Halbleiterscheiben auf Dimpel nach der Politur kann man sich von der Leistungsfähigkeit des bean spruchten Verfahrens und der beanspruchten Vorrichtung über zeugen.By examining the semiconductor wafers for dimpel the polish can be seen from the performance of the bean claimed method and the claimed device testify.
Claims (4)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE1998116150 DE19816150A1 (en) | 1998-04-09 | 1998-04-09 | Making adhesive bond between support plate front and cleaned rear of semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE1998116150 DE19816150A1 (en) | 1998-04-09 | 1998-04-09 | Making adhesive bond between support plate front and cleaned rear of semiconductor wafer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE19816150A1 true DE19816150A1 (en) | 1999-10-21 |
Family
ID=7864263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE1998116150 Withdrawn DE19816150A1 (en) | 1998-04-09 | 1998-04-09 | Making adhesive bond between support plate front and cleaned rear of semiconductor wafer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE19816150A1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102009052744A1 (en) | 2009-11-11 | 2011-05-12 | Siltronic Ag | Method for producing a semiconductor wafer |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3107995A1 (en) * | 1980-03-03 | 1982-01-28 | Monsanto Co., 63166 St. Louis, Mo. | METHOD AND DEVICE FOR MOUNTING WAX THIN WAFER FOR POLISHING |
| DE3933405A1 (en) * | 1989-10-06 | 1991-04-18 | Josef Schiele | CONTINUOUS VACUUM APPLICATION DEVICE |
| US5399531A (en) * | 1990-12-17 | 1995-03-21 | United Micrpelectronics Corporation | Single semiconductor wafer transfer method and plural processing station manufacturing system |
| DE19707771A1 (en) * | 1996-06-26 | 1998-01-02 | Mitsubishi Electric Corp | Wafer gluing onto carrier substrate |
-
1998
- 1998-04-09 DE DE1998116150 patent/DE19816150A1/en not_active Withdrawn
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3107995A1 (en) * | 1980-03-03 | 1982-01-28 | Monsanto Co., 63166 St. Louis, Mo. | METHOD AND DEVICE FOR MOUNTING WAX THIN WAFER FOR POLISHING |
| DE3933405A1 (en) * | 1989-10-06 | 1991-04-18 | Josef Schiele | CONTINUOUS VACUUM APPLICATION DEVICE |
| US5399531A (en) * | 1990-12-17 | 1995-03-21 | United Micrpelectronics Corporation | Single semiconductor wafer transfer method and plural processing station manufacturing system |
| DE19707771A1 (en) * | 1996-06-26 | 1998-01-02 | Mitsubishi Electric Corp | Wafer gluing onto carrier substrate |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102009052744A1 (en) | 2009-11-11 | 2011-05-12 | Siltronic Ag | Method for producing a semiconductor wafer |
| US8500516B2 (en) | 2009-11-11 | 2013-08-06 | Siltronic Ag | Method for polishing a semiconductor wafer |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE69205255T2 (en) | Process for clamping and fixing semiconductor wafers. | |
| EP1384255B1 (en) | Method for grinding the back sides of wafers | |
| DE69518202T2 (en) | Method and device for surface grinding a workpiece | |
| DE102013216633B4 (en) | Pre-sintered semiconductor chip structure and method of manufacture | |
| EP0857542B1 (en) | Method of making a single side coated and final mirror polished wafer | |
| EP0111957B1 (en) | Method of applying a metallic coating to a substrate | |
| DE3889396T2 (en) | Dust-proof film. | |
| DE2802654B2 (en) | Attachment of a semiconductor plate to a lapping disc | |
| DE69838889T2 (en) | Substrate for use with a disc attractor and its method of preparation | |
| DE60124405T2 (en) | CLEANING SHEET, CONVEYOR ELEMENT, AND CLEANING METHOD FOR SUBSTRATE MACHINING DEVICES IN WHICH IT IS USED | |
| DE60129687T2 (en) | CLEANING ELEMENT | |
| EP1599078A2 (en) | Method of mounting an electronic component on a substrate | |
| DE60112133T3 (en) | NEW, PARTICULARLY EASILY ADHESIVE ADHESIVE FOIL AND ITS MANUFACTURING PROCESS | |
| DE2731100C3 (en) | Method for gluing metal parts to glass surfaces, in particular for gluing holding elements for a rearview mirror and a windshield | |
| DE102018206483A1 (en) | WAFER PROCESSING PROCEDURES | |
| DE3942931C2 (en) | ||
| EP0979169A2 (en) | Method and device for gluing two substrates | |
| EP0700879A1 (en) | Scratch-resistant aluminium oxide coating on a glass substrate and process for its manufacture | |
| DE19816150A1 (en) | Making adhesive bond between support plate front and cleaned rear of semiconductor wafer | |
| DE102013220014A1 (en) | Methods, systems, components and compositions for simultaneously treating a substrate and adhering or applying an adhesive thereto | |
| DE69620587T2 (en) | PRODUCTION OF A GLASS-COVERED ARTICLE AND PRODUCT | |
| EP0258353A1 (en) | Article with adhesive coating and process for its production | |
| WO2024200671A1 (en) | Method for producing substrate stacks for further processing into composite sheets for optical light guide elements | |
| DE10337920B4 (en) | Process for producing a plurality of components and intermediate product in the form of a layer composite | |
| DE202016100186U1 (en) | substrate holder |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
| 8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: WACKER SILTRONIC AG, 84489 BURGHAUSEN, DE |
|
| 8130 | Withdrawal |