DE19744281A1 - Vorrichtung zum Kühlen von Halbleiterbauelementen und ihre Verwendung - Google Patents
Vorrichtung zum Kühlen von Halbleiterbauelementen und ihre VerwendungInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Kühlen von
Halbleiterelementen gemäß dem Oberbegriff der Patentan
sprüche 1 und 11, ein Herstellungsverfahren, sowie die
Verwendung derartiger Vorrichtungen zum Kühlen von La
serdioden.
Beim Betrieb von Halbleiterbauelementen hoher Leistung
müssen zur Erhaltung der Lebensdauer geringe Betrieb
stemperaturen eingehalten werden. Dazu werden Kühlvor
richtungen am Bauelement angebracht, die häufig zusätz
lich zur thermischen auch elektrische oder mechanische
Funktionen erfüllen.
Insbesondere Diodenlaserbarren tragen auf kleinstem Raum
eine Vielzahl leistungsstarker Wärmequellen, die zudem
für die meisten Anwendungen noch in einer zweiten Dimen
sion eng gepackt werden müssen. So wird nach dem Stand
der Technik jeder Diodenlaserbarren auf eine flache Wär
mesenke gelötet, die sowohl die Stromversorgung der La
serdioden, wie auch die Wärmeabfuhr übernimmt. Die ein
zelnen Wärmesenken werden gestapelt und durch Umwälzung
einer Kühlflüssigkeit gekühlt.
Daneben eignet sich die erfindungsgemäße Vorrichtung zum
Kühlen anderer Leistungsbauelemente, wie MOSFETs oder
ähnlicher Schalttransistoren, und von stark wärmebela
steten diskreten Bauelementen. Auch bei der Montage von
Silizium- oder Galliumarsenidchips in ein Gehäuse aus
Keramik oder Kunststoff mit den entsprechenden elektri
schen Zuleitungen (packaging) ist der Einbau einer er
findungsgemäßen Vorrichtung zur Verbesserung der Wär
meabfuhr von Vorteil.
Es ist bekannt zur Kühlung von Halbleiterbauelementen
niedriger bis mittlerer Leistung passive Kühlelemente
vorzusehen. Dazu werden mit gutem Wärmekontakt zum Bau
teil Bleche montiert, die ihrerseits durch Konvektion
gekühlt werden. Zur Verbesserung der Wärmeabfuhr sind
die Bleche häufig verzahnt und aufgebogen bzw. mit Rip
pen versehen, was die Oberfläche erheblich vergrößern
kann. Übliche feste Kühlkörper (Kühlbleche, Kühlrippen)
zeigen bereits bei einem relativ geringen Wärmestrom ei
nen starken Temperaturgradienten aufgrund ungenügender
Wärmeleitung und damit eine deutliche Erwärmung des
elektronischen Bauelements.
Eine Verbesserung der Wärmeabfuhr wird erreicht, wenn
der Kühlkörper von einem Luftstrom umstrichen wird, der
mittels eines geeigneten Gebläses erzeugt wird. Auch
derartige aktive Kühlsysteme (Gebläse zur Luftkühlung,
Flüssigkeitskühler, Peltier-Elemente) erfordern in der
Regel eine große Auskoppelfläche für die Wärme, so daß
Halbleiterbauelemente oft weniger kompakt ausgeführt
werden müssen, als es vom elektrotechnischen Standpunkt
aus möglich wäre.
Bei gestapelten Hochleistungslaserdioden, wo die Kühl
leistung passiver Kühlelemente nicht ausreicht, wird
nach dem Stand der Technik auf eine erzwungene Flüssig
keitskühlung zurückgegriffen. Dazu werden in der Wärme
senke Kanäle für die Zu- und Abfuhr einer Kühlflüssig
keit, beispielsweise Wasser, geschaffen.
Um eine möglichst wirksame Kühlung zu erreichen, soll
bei der Wärmeübertragung in den Kühlkörper die Strecke,
die durch Wärmeleitung überbrückt werden muß, möglichst
gering gehalten werden. Daneben ist in dem Bereich, in
dem die Wärme eingekoppelt wird, eine große Kontaktflä
che zwischen Kühlflüssigkeit und Kühlkörper erforder
lich. Um beide Anforderungen zu realisieren, wird erheb
licher konstruktiver Aufwand betrieben. In dem Bereich
des Kühlkörpers, wo die Laserdiode montiert wird, werden
knapp unter der Oberfläche dünnste Mikrokanäle ange
bracht, durch die das Kühlmittel mit hohem Druck getrie
ben werden muß.
Derzeit sind hierzu zwei Konstruktionsprinzipien üblich.
In der Druckschrift IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS,
Vol. 28, No. 4, 1992, 966-976; R. Beach et al. "Micro
channel heatsinks for high average power laser diode
arrays" ist eine Vorrichtung zum Kühlen von Hochlei
stungslaserdioden beschrieben, bei der durch lithogra
phische Prozeßschritte, wie sie aus der Halbleiterfer
tigung bekannt sind, Mikrokanäle in einem Silizium-
Monolithen geätzt werden. Die Strukturierungsprozesse
für Silizium sind zwar aus dem Bereich der Halbleiter
fertigung gut bekannt und hochentwickelt. Nachteilig für
die Kühlung der Hochleistungslaserdioden ist aber die
nur mäßige Wärmeleitfähigkeit des Halbleitermaterials.
Ein anderes Herstellungsverfahren für Mikrokanalwärme
senken bedient sich der Feinbearbeitung mit Lasern, um
in dünne Kupferbleche feinste Schnitte anzubringen.
Durch Verbinden von mindestens fünf unterschiedlich aus
geschnittenen Blechen kann eine günstige Strömungsfüh
rung in der Wärmeeinkoppelfläche unter der Diode er
reicht werden.
Bei Flüssigkeitskühlverfahren wird durch die Wärmeein
kopplung die Enthalpie der Kühlflüssigkeit erhöht. Bei
spielsweise nimmt 1 cm3 Wasser bei einer Erwärmung um
10°C eine Wärmemenge von ca. 42 J auf. Eine Verbesse
rung der Wärmeabfuhr kann also nur erreicht werden, in
dem die pro Zeiteinheit vorbeiströmende Flüssigkeitsmen
ge erhöht wird oder die Flüssigkeit um eine größere Tem
peraturdifferenz erwärmt wird. Einer Erhöhung der Durch
flußmenge steht der geringe in der Wärmesenke zur Verfü
gung stehende Raum und der sehr dünne Durchmesser der
Mikrokanäle entgegen. Temperaturdifferenzen von mehr als
30 oder 40°C sind mit Wasser als Kühlmittel kaum zu
realisieren, da bei Betriebstemperaturen oberhalb von 50
oder 60°C bereits die Lebensdauer der Halbleiterbauele
mente stark reduziert wird. Gegen die Verwendung alter
nativer Kühlflüssigkeiten spricht der technische Aufwand
und die - verglichen mit Wasser - geringere spezifische
Wärmekapazität.
Einen anderen Ansatz zur Kühlung stellt die Verdunstung
eines Kühlmittels dar. Auf den Siedepunkt bereits er
hitztes Wasser nimmt durch Vermehrung seiner Entropie
beim Verdampfen pro Kubikzentimeter zusätzlich eine Wär
memenge von über 2000 Joule auf. Dies ist eine erheblich
größere Wärmemenge als durch Temperaturänderung des
Kühlmittels alleine möglich ist. Als weiterer Vorteil
kommt hinzu, daß die Verdampfung praktisch ohne Tempera
turänderung des Mediums vonstatten gehen kann, also sehr
konstante Betriebsbedingungen für das Halbleiterbauele
ment möglich sind. Die Einstellung der Betriebs- und
Verdampfungstemperatur erfolgt durch Veränderung des Um
gebungsdrucks. Nach diesem Prinzip arbeiten Kühlsysteme,
die, wenn die Flüssigkeitsrückführung über eine Pumpe
erfolgt, als Impingement-Kühler oder, wenn eine Kapil
larstruktur diese Aufgabe übernimmt, als Wärmerohre
(engl. "Heat Pipes" ) bezeichnet werden.
Das Prinzip des Wärmerohrs ist seit langem bekannt (sie
he beispielsweise in "Effekte der Physik und ihre An
wendungen" , VEB Deutscher Verlag der Wissenschaften,
Berlin 1989, S 759-764). Im Grundprinzip handelt es sich
um ein evakuiertes, hermetisch abgeschlossenes System,
dessen Innenwandungen mit einer Kapillarstruktur ausge
kleidet sind. Diese Struktur ist mit einem flüssigen
Wärmeträger als Kühlmittel gesättigt. In einem Bereich
des Wärmerohrs verdampft das Kühlmittel aus der Kapil
larstruktur, so daß der Umgebung Wärme entzogen wird.
Der Dampf strömt durch eine Transportzone und konden
siert in der Kühlzone unter Abgabe seiner Verdampfungs
wärme. Das Kondensat wird durch die Saugwirkung der Ka
pillarstruktur zur Heizzone zurücktransportiert. Das
Wärmerohr findet in verschiedenen wärmetechnischen Be
reichen Anwendung. Üblicherweise wird ein evakuiertes
Rohr von einigen zehn Zentimetern Länge und einigen Qua
dratzentimetern Fläche mit rundem oder rechteckigem
Querschnitt eingesetzt. Einer Verkleinerung des Systems
steht im wesentlichen die fehlende Transportkapazität
für den Wärmeträger entgegen. Dies gilt gleichermaßen
für den wärmetragenden Dampfstrom in der Rohrmitte, wie
für das in der Kapillarstruktur rückfließende Konden
sat. Bei extremer Miniaturisierung kann sich auch unge
nügende mechanische Stabilität gegen den Umgebungsdruck
auswirken, da in Abhängigkeit vom momentan übertragenen
Wärmestrom und damit von der Betriebstemperatur Dampf
drücke des Mediums von wenigen Millibar bis zum Atmo
sphärendruck auftreten. Wärmerohre werden verwendet, um
in Öfen, in Industrieanlagen oder auch in Satelliten ei
nen widerstandsarmen Wärmetransport über größere Entfer
nungen zu gewährleisten.
Das sukzessive Versagen eines Wärmerohres wird als Aus
trocknen bezeichnet, wenn an der Einkoppelfläche mehr
Wärmeträger verdampft, als durch die Kapillarstruktur
nachgeführt werden kann. Ausblasung findet statt, wenn
durch den Dampfstrom Tropfen des Wärmeträgers von der
Oberfläche der Kapillarstruktur mitgerissen werden, ohne
vorher die volle Verdampfungsenthalpie aufzunehmen. Dies
belastet unnötig die Transportkapazität der Kapillar
struktur, die sich ohnehin bereits nahe an ihrer physi
kalischen Grenze befindet.
Der Einsatz eines miniaturisierten Wärmerohres zur Küh
lung von Laserdioden ist aus der Patentschrift US-PS 5 453 641
bekannt. Hierbei werden, in Abwandlung des von
Flüssigkeitskühlern bekannten Bauprinzips einseitig of
fene Mikrokanäle eingesetzt, in denen das noch unver
dampfte Kühlmittel als Flüssigkeit strömt. Die Oberflä
chenspannung der Flüssigkeit hält diese vor dem Verdamp
fen in den zu einer Seite hin offenen Kanälen fest. In
der Wärmeeinkoppelzone wird das Kühlmittel bis über den
Siedepunkt erwärmt und wird als Dampf abgeführt. Nach
teilig bei diesem System offener Kanäle ist der, durch
den relativ großen Kanalquerschnitt bedingte, geringe
Kapillardruck und die, aufgrund der offenen Kanäle,
nicht völlig auszuschließende Ausblasung durch den
schnell vorbeiströmenden Dampf. Diese Ausblasung ver
braucht Kühlmittel, indem dieses aus der Wärmeeinkop
pelzone abgeführt wird, ohne daß es vorher die Verdamp
fungswärme aufgenommen hat. Weiterhin nachteilig an die
sem System ist, daß die Wände des Wärmerohres wegen des
notwendigerweise ungefüllten Innenraumes während der
Herstellung nur eine geringe mechanische Beständigkeit
gegen die Kräfte beim Evakuieren aufweisen.
In der gattungsbildenden Druckschrift von Itoh, A. und
Polasek, F.: "Development and Application for micro
heat pipes" , Proc. 7th International Heat Pipe Con
ference, Minsk, May 1990, Hemisphere, New York, 1990, S.
295-310, insbesondere S. 304-306, ist eine Vorrichtung
offenbart, die nach dem Wärmerohrprinzip arbeitet und
der Kühlung von Laserdioden dient. Das Gehäuse besteht
aus zwei Kupferhalbschalen und auf der Innenseite des
Gehäuses befindet sich eine Kapillarstruktur aus einem
gesinterten Kupferpuder. Die geringe Porengröße des Sin
termaterials sorgt für einen hohen Kapillardruck, auf
grund dessen die kondensierte Kühlflüssigkeit in die
Verdampfungszone zurückgeführt wird. Gerade diese gerin
ge Porengröße begrenzt jedoch andererseits durch den
Strömungswiderstand die Rückflußkapazität des Materials.
Weiterhin kann die offene Sinterstruktur nur in geringem
Maße zur Aussteifung des Hohlkörpers beitragen, so daß
bei geringer Wandstärke auch hier Probleme mit der Be
ständigkeit beim Evakuieren gegeben sind.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrich
tung zum Kühlen von Halbleiterbauelementen, insbesondere
für Hochleistungslaserdioden anzugeben, die gegenüber
dem Stand der Technik eine höhere Rückflußkapazität be
sitzt und damit eine höhere Kühlleistung ermöglicht.
Die Lösung dieser Aufgabe erfolgt durch Vorrichtungen
mit den Merkmalen der nebengeordneten Patentansprüche 1
und 11. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind
mit den Merkmalen der Unteransprüche 2 bis 10 und 12 bis
18 gekennzeichnet. Ein Herstellungsverfahren ist in den
Patentansprüchen 19 und 20 angegeben. Bevorzugte Verwen
dungen der erfindungsgemäßen Vorrichtungen finden sich
in den Patentansprüchen 21 bis 23.
Für eine optimale Rückführung der kondensierten Kühl
flüssigkeit weisen die bekannten Kapillarstrukturen Po
ren, Kanäle oder andere Hohlräume mit einem geschickt
ausgewählten Durchmesser auf. Diese Auswahl stellt in
allen Fällen jedoch einen Kompromiß zwischen einem mög
lichst hohen Kapillardruck, der kleine Durchmesser er
fordert und einem durch große Durchmesser zu erreichen
den geringen Strömungswiderstand dar. Da beide Größen in
die Rückflußkapazität der Kapillarstruktur eingehen,
durchläuft diese ein Maximum, das dann als idealer Po
rendurchmesser verwendet wird.
Bei Versuchen mit verschiedenen Verfahren zur Anbringung
von Sinterkörpern der bekannten Art an die Innenwand ei
nes Gehäuses für ein Wärmerohr zeigte sich eine überra
schende Erhöhung des Grenzwärmestromes, wenn die Verbin
dung mangelhaft ausgeführt war und zwischen der Innen
wand und dem Sinterkörper ein oder mehrere kleine Spalte
verblieben. Derartige Lücken sind aus der Sicht des
Fachmanns zu vermeiden, denn dadurch wird die Wärmeüber
tragung zwischen der Innenwand und dem Sinterkörper ver
schlechtert. Die Lücken haben jedoch den Vorteil, daß
sie ein ungehindertes Strömen der kondensierten Kühl
flüssigkeit ermöglichen. Dadurch wird die Rückflußkapa
zität des gesamten Systems wesentlich verbessert und
überwiegt den Nachteil der reduzierten Wärmeübertragung.
In Weiterentwicklung dieses Grundgedankens ist es dann
möglich, keine Kapillarstrukturen mit idealem Poren
durchmesser zu verwenden, sondern auch solche mit klei
neren Poren und damit einem erhöhten Kapillardruck, wel
cher ein frühzeitiges Ausblasen des Wärmeträgers verhin
dert, und derartige Kapillarstrukturen mit geeigneten
Kanälen zu kombinieren. Man verläßt also das Maximum der
Rückflußkapazität der Kapillarstruktur selbst und er
zielt im Ergebnis durch die genannte Kombination insge
samt eine verbesserte Rückflußkapazität und damit eine
erhöhte Kühlleistung. Anstelle der Kanäle kann auch eine
zweite Kapillarstruktur mit einem verminderten Kapillar
druck, beispielsweise ein Sinterkörper mit einer größe
ren Porenweite, verwendet werden.
Der wesentliche Vorteil der vorliegenden Erfindung liegt
also darin, daß durch eine Kombination einer Kapillar
struktur der bekannten Art, also mit einem hohen Kapil
lardruck und Strukturen mit einem niedrigeren Kapillar
druck, eine Entkopplung von Strömungswiderstand und Ka
pillardruck für die rückströmende Kühlflüssigkeit er
zielt wird. Dies ergibt im Endergebnis eine erhöhte
Rückflußkapazität und damit eine verbesserte Kühllei
stung.
Ein weiterer Vorteil der Erfindung liegt darin, daß im
Gegensatz zu den Herstellungsverfahren für die bekannten
Wärmerohre weniger strenge Anforderungen an die Ferti
gungsgenauigkeit gestellt werden, da ein Auftreten von
Restspalten innerhalb gewisser Grenzen im Sinne der Er
findung ist.
Als besonders vorteilhaft hat sich die Ausrichtung der
Kanäle in Richtung der Strömung der Kühlflüssigkeit er
wiesen (Patentanspruch 2). Eine vergleichsweise einfache
Herstellung der erfindungsgemäßen Vorrichtung ist mög
lich, wenn die Kanäle als Rillen zwischen der Gehäusein
nenwand und der Kapillarstruktur liegen (Patentanspruch
3, zweite Alternative). In dieser Variante werden die
Rillen entweder in die Innenwand des Gehäuses des Wär
merohrs eingeritzt und anschließend von der Kapillar
struktur überdeckt oder die Rillen werden in die der Ge
häuseinnenwand zugewandten Fläche der Kapillarstruktur
eingeritzt und die so vorbereitete Kapillarstruktur, im
einfachsten Fall ein Sinterkörper, an die Gehäuseinnen
wand des Wärmerohrs angebracht.
In weiterer Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen,
die Vorrichtung zum Kühlen von Hochleistungslaserdioden
zu verwenden, wobei als Kühlflüssigkeit Wasser verwendet
wird und der Druck im Wärmerohr unter den Atmosphären
druck abgesenkt wird. Damit läßt sich in einfacher Weise
eine Betriebstemperatur der Hochleistungsdiodenlaser im
Bereich von 30 bis 70°C einstellen.
Nachfolgend wird die Erfindung in verschiedenen Ausfüh
rungsbeispielen und anhand der Fig. 1 bis 7 näher er
läutert. Es zeigen:
Fig. 1 fertig montierter Laserdiodenstapel,
Fig. 2 einzelner Laserdiodenbarren mit darunter ange
ordneter Kühlvorrichtung,
Fig. 3 eine erste Ausführungsform der erfindungsgemä
ßen Kühlvorrichtung,
Fig. 4 eine zweite Ausführungsform der erfindungsge
mäßen Kühlvorrichtung,
Fig. 5 großflächige Kühleinheit aus mehreren parallel
angeordneten erfindungsgemäßen Kühlvorrich
tungen,
Fig. 6 eine dritte Ausführungsform der erfindungsge
mäßen Kühlvorrichtung,
Fig. 7 eine vierte Ausführungsform der erfindungsge
mäßen Kühlvorrichtung,
Fig. 8 eine erfindungsgemäße Kühlvorrichtung in zer
legtem Zustand.
Bei der nachfolgenden Beschreibung der Ausführungsbei
spiele soll die Kapillarstruktur aus einem Sinterkörper
bestehen. Es soll jedoch betont werden, daß auch andere
Stoffe für die Kapillarstruktur verwendet werden können,
solange sie geeignet sind, für den erforderlichen Kapil
lardruck zu sorgen. In Betracht kommen daher insbesonde
re andere poröse Stoffe wie Geflechte, Gewebe, Schäume
oder Fasern. Besonders geeignet ist auch ein feinmaschi
ges Netz (vgl. Fig. 8 und Erläuterungen).
Fig. 1 zeigt einen fertig montierten Laserdiodenstapel
(1), der typischerweise eine Breite (2) von 1 cm und ei
ne Höhe (3) von mehreren cm aufweist. Die Tiefe (4) des
Stapels, also die Länge von der Vorderkante, auf der die
Laserdiode (7) montiert ist, bis zur Rückseite ist nicht
entscheidend für die Packungsdichte der Dioden. Dort
kann ein weiterer Wärmetauscher (5, 6) vorgesehen werden,
der die Wärme aus dem Kondensationsbereich der eigentli
chen Kühlvorrichtung, nämlich dem miniaturisierten Wär
merohr, abführt und mit einem nachgeordneten Kühlgerät
verbunden ist. Im Stapel wechseln sich Laserdioden (7)
und Wärmerohr (8) ab, wobei das Wärmerohr (8) neben der
Wärmeabfuhr auch die elektrische Kontaktierung der La
serdioden (7) übernimmt. Die einzelnen Laserdioden (7)
sind damit elektrisch in Reihe geschaltet.
Fig. 2 zeigt einen Ausschnitt aus dem Laserdiodenstapel
(1), nämlich einen einzelnen Laserdiodenbarren (7) mit
darunter angeordnetem miniaturisiertem Wärmerohr (8).
Hervorzuheben und aus der Fig. 2 ersichtlich ist, daß
die Wärmeeinkopplung nur auf einer extrem kleinen Fläche
an der äußersten vorderen Kante des Wärmerohrs (8) er
folgt. In diesem schmalen Bereich verdampft die Kühl
flüssigkeit aus der Kapillarstruktur und der Dampf
strömt in Richtung der hinteren Kante des Wärmerohrs
(8). In der Fig. 2 ist ferner eine Schnittebene A ein
getragen, die senkrecht zur Richtung des Wärmetransports
verläuft. Die nachfolgenden Fig. 3 bis 6 zeigen je
weils einen Schnitt längs dieser Ebene durch verschie
dene Ausführungsformen der erfindungsgemäßen Kühlvor
richtungen.
Fig. 3 zeigt eine erste Ausführungsform der erfindungsge
mäßen Kühlvorrichtung. Das miniaturisierte Wärmerohr (8)
besteht aus einem im Querschnitt rechteckigen Gehäuse,
und einem auf der Gehäuseinnenwand (9) angeordneten Sin
terkörper (15). Im Bereich der Wärmeeinkopplung ist die
Wandstärke des Gehäuses möglichst dünn zu halten, damit
der Wärmewiderstand klein bleibt. Mit seiner der Wärme
quelle abgewandten Seite grenzt der Sinterkörper (15) an
einen Hohlraum (17), in dem der entstehende Dampf ab
strömen kann. Das miniaturisierte Wärmerohr (8) weist
auf der Gehäuseinnenwand (9) mehrere Rillen (13) auf,
die in Längsrichtung, also in Richtung der Dampfströ
mung, verlaufen. Diese Rillen (13) können, wie hier dar
gestellt, einen dreieckigen Querschnitt, einen rechtec
kigen Querschnitt oder beliebige andere Formen aufwei
sen. Die Rillen (13) zum Transport der Kühlflüssigkeit
können sich nicht nur in der Gehäuseinnenwand (9) befin
den, über der die Laserdiode (7) montiert wird, wie dies
in der Fig. 3 dargestellt ist, sondern können auch in an
deren Gehäuseinnenwänden (10, 12) vorgesehen werden.
Zur Herstellung dieser Ausführungsform bieten sich ver
schiedene Möglichkeiten an.
Zum einen kann der Sinterkörper (15) außerhalb des Ge
häuses des miniaturisierten Wärmerohrs (8) zunächst auf
einer flachen Unterlage vorgeformt und dann an der Ge
häuseinnenwand (9) befestigt werden. In diesem Fall kön
nen die Rillen (13) entweder in die Gehäuseinnenwand (9)
oder in die der Gehäuseinnenwand (9) zugewandte Oberflä
che des Sinterkörper (15) selbst eingebracht werden. Zur
Fertigung der Rillen werden ähnliche Verfahren wie zur
Fertigung von Mikrokanalwärmesenken angewandt. Bei
spielsweise kann eine Gravur oder ein Abtrag durch Li
thografie oder Laserverfahren stattfinden.
Zum anderen kann auch ein loses Material mit einer Korn
größe, die größer ist als der Querschnitt der Rillen
(13) mit der Gehäuseinnenwand (9) des miniaturisierten
Wärmerohres (8) verpreßt und anschließend in dieser Form
gesintert werden.
Beim Sintervorgang ist darauf zu achten, daß die Rillen
(13) zwar flächig abgedeckt, aber nicht verfüllt werden.
Diese Rillen (13) zwischen der Gehäuseinnenwand (9) und
dem Sinterkörper (15) dienen dann als offener Kanal für
das Rückströmen der Kühlflüssigkeit aus der Kondensati
onszone in den vorderen Bereich des Wärmerohrs (8), wo
der zu kühlende Laserdiodenbarren (7) auf dem Wärmerohr
montiert ist. Gleichzeitig wird durch die feinporige
Struktur des Sinterkörpers ein hoher Kapillardruck er
zeugt und eine Ausblasung der Kühlflüssigkeit unterbun
den.
Das Einbringen des Sinterkörpers in das Gehäuse kann
beispielsweise erfolgen, indem das Gehäuse durch ein U-
förmiges Blech oder Profil gebildet wird und zwei derar
tige Halbschalen nach Einbringen des Sinterkörpers zu
sammengesetzt werden. Weiterhin ist es möglich, mehrere
planare, entsprechend ausgeschnittene Schichten zu sta
peln und durch eine Diffusionsschweißung zu verbinden.
Fig. 4 zeigt eine zweite Ausführungsform der erfindungs
gemäßen Kühlvorrichtung. Bei dieser Variante ist die Ge
häuseinnenwand (9) des miniaturisierten Wärmerohrs (8)
glatt und der Sinterkörper (15) weist Bohrungen (14)
auf, die in Längsrichtung verlaufen. Diese Bohrungen
(14) bilden die Kanäle für die Kondensatrückführung mit
erhöhter Rückflußkapazität. Die Lage der Kanäle (14) in
der Mitte des Sinterkörpers (15) ist nur beispielhaft
dargestellt. Ebenso können sich die Kanäle (14) auch
weiter oben oder unten, beispielsweise genau an der
Grenzfläche zwischen Gehäuseinnenwand (9) und Sinterkör
per (15) befinden. Weiterhin müssen die Kanäle (14)
nicht nur in dem oberen Teil des Sinterkörpers (15) ver
laufen, über dem der Laserdiodenbarren (7) montiert
wird, sondern sie können auch in den Seitenteilen oder
in dem unteren Teil vorgesehen werden. Die Kanäle (14)
können entweder bei der Vorfertigung des Sinterkörpers
(15) in diesen gebohrt werden oder nachdem ein homogener
Sinterkörper (15) in ein glattes Gehäuse eingebracht
worden ist. Im Ergebnis weist der Sinterkörper (15) so
mit zusätzlich zu den kleinen, durch die Sinterung ent
standenen Poren weitere Kanäle (14) auf, die für einen
verbesserten Rückfluß der kondensierten Kühlflüssigkeit
sorgen und die Rückflußkapazität des gesamten Systems
wesentlich erhöhen.
Fig. 5 zeigt eine fertig montierte großflächigere Küh
leinheit, bei der mehrere miniaturisierte Wärmerohre (8)
parallel nebeneinander angeordnet sind. Darüber ist dann
der Laserdiodenbarren (7) montiert. Die Wärmerohre (8)
sind hier nur schematisch, also ohne Kanäle (14) darge
stellt, die wie in den Fig. 3 oder 4 ausgeführt sein
können. Die einzelnen Wärmerohre (8) müssen nicht durch
gängig miteinander verbunden sein, sondern in den Zwi
schenwänden (11) können Öffnungen vorgesehen werden, so
daß benachbarte Hohlräume (17) untereinander verbunden
sind. Die Ausführungsform gemäß Fig. 5 stellt für einen
Unterdruckbetrieb eine bevorzugte Ausgestaltung der Er
findung dar, da die Breite von U-förmigen Profilen, wie
sie zur Herstellung der Wärmerohre (8) verwendet werden,
wegen des Unterdrucks begrenzt ist. Um eine Wärmesenke
größerer Breite zu erhalten, werden also mehrere minia
turisierte Wärmerohre (8) parallel nebeneinander zusam
mengesetzt.
Fig. 6 zeigt eine dritte Ausführungsform der erfindungs
gemäßen Kühlvorrichtung. Bei dieser Variante weist der
Sinterkörper (15) mehrere Hohlräume (17) auf, die durch
Stege (16) aus dem Sintermaterial voneinander getrennt
sind und parallel zueinander in Richtung des strömenden
Dampfes verlaufen. Die Kanäle verlaufen als Rillen (13)
in der Gehäuseinnenwand (9) und als Bohrungen (14) im
oberen, der Wärmequelle zugewandten Bereich der Stege
(16). Die Stege (16) können in Längsrichtung durchgängig
sein oder zusätzlich Öffnungen aufweisen, so daß benach
barte Hohlräume (17) untereinander verbunden sind. Durch
diese Ausgestaltung liegt letztendlich ein Hohlkörper (17)
mit einer inneren Stützstruktur vor. Letztere über
nimmt eine Doppelfunktion, indem sie nicht nur zur Rück
führung der kondensierten Kühlflüssigkeit dient, sondern
auch eine Stützfunktion ausübt beim Betrieb des miniatu
risierten Wärmerohrs (8) mit Unterdruck.
Fig. 7 zeigt ausschnittsweise eine vierte Ausführungsform
der erfindungsgemäßen Kühlvorrichtung. In dieser Ausge
staltung wird die erhöhte Rückflußkapazität nicht durch
Kanäle realisiert, sondern durch Verwendung einer zwei
ten Kapillarstruktur mit einem - vorzugsweise deutlich -
niedrigerem Kapillardruck. An der Gehäuseinnenwand (9)
ist eine erste, grobporige Sinterschicht (18) angebracht
und auf dieser eine zweite, vergleichsweise feinporige
Sinterschicht (19). Nach innen schließt sich dann der
Hohlraum (17) an, über den die verdampfte Kühlflüssig
keit in die Kondensationszone strömen kann. Die feinpo
rige Sinterschicht (19) sorgt in diesem Fall für den er
forderlichen Kapillardruck, während die grobkörnigere
Sinterschicht (18) einen relativ geringen Strömungswi
derstand für das Kondensat darstellt und zur Erhöhung
der Rückflußkapazität des Gesamtsystems beträgt. Die
Reihenfolge der Schichtanordnung kann auch umgekehrt er
folgen als dies in Fig. 7 dargestellt ist. Die in Fig. 7
dargestellte Kombination zweier Kapillarstrukturen mit
unterschiedlicher Porösität und damit unterschiedlichem
Kapillardruck kann mit kleinen Schichtdicken realisiert
werden, so daß die gesamte Kapillarstruktur einen gerin
gen thermischen Widerstand aufweist. Dies ist insofern
wichtig, als der Temperaturabfall in der Kapillarstruk
tur wesentlich größer ist als in dem Gehäuse, insbeson
dere im dünnwandigen Bereich des Gehäuses unter dem La
serdiodenbarren, d. h.
ΔTWand « ΔTKapillarstruktur.
Fig. 8 zeigt eine erfindungsgemäße Kühlvorrichtung in
ihren Einzelteilen vor dem Verbinden. Deckellage (20),
Zwischenlage (21) und Bodenlage (22) sind als planare,
entsprechend aus geschnittene Schichten ausgebildet und
entsprechend ihrer späteren Verwendung vorstrukturiert.
So weist die Zwischenlage (21) eine für die Aufnahme der
Kapillarstruktur passende Ausnehmung auf. Im vorliegen
den Fall dient als Kapillarstruktur eine Netzstruktur
(23), mit der ein hoher Kapillardruck von ca. 6000 Pa
erzielt wird und die in die Ausnehmung der Zwischenlage
(21) eingelegt wird. Die Bodenlage (22) ist mit Arterien
(15) vorstrukturiert, die in der Fig. 8 jedoch nicht
sichtbar sind. Die Deckellage (20) ist mit noppenartigen
Abstandshaltern strukturiert. Zur Herstellung der Kühl
vorrichtung werden die einzelnen Lagen übereinander ge
stapelt, wobei die Netzstruktur in der Zwischenlage (21)
eingelegt ist und anschließend mit einer Diffusions
schweißung miteinander verbunden.
1
Laserdiodenstapel
2
Breite von
1
3
Höhe von
1
4
Tiefe von
1
5
Zulauf eines äußeren Kühlmittels
6
Ablauf zu nachgeordnetem Kühlgerät
7
Laserdiodenbarren
8
Miniaturisiertes Wärmerohr, bestehend aus:
9
oberer Gehäuseinnenwand (= Wärmeeinkoppelfläche)
10
seitliche Gehäuseinnenwand
11
Zwischenwände
12
Untere Gehäuseinnenwand
13
Arterie in einer Wand
14
Arterie im Sinterkörper
15
Sinterkörper
16
Stege
17
Hohlraum für Dampfabfluß
18
Grobe Sinterkugeln (20-40 µm)
19
Feine Sinterkugeln (40-80 µm)
20
Deckellage mit Abstandshalter
21
Zwischenlage
22
Bodenlage mit Arterienstruktur
23
Netzstruktur für hohen Kapillardruck zur Einlage in
die Zwischenlage
Claims (23)
1. Vorrichtung zum Kühlen von Halbleiterbauelementen, insbesondere von
Laserdioden (7), nach dem Wärmerohrprinzip, bestehend aus einem Ge
häuse, einer oder mehrerer im Gehäuse angeordneter und mit Kühlflüssigkeit
gesättigter Kapillarstrukturen (15), die das Gehäuse nicht vollständig aus
füllen, so daß ein oder mehrere Hohlräume (17) vorliegen,
dadurch gekennzeichnet, daß die Kapillarstruktur (15) durch geeignete
Einstellung von Permeabilität Querschnittsfläche und effektivem Poren
durchmesser einen hohen Kapillardruck besitzt daß innerhalb des Gehäu
ses zusätzlich Kanäle (13) vorgesehen sind, und daß die Kanäle (13) eine
größere Querschnittsfläche besitzen als der effektive Porendurchmesser in
der Kapillarstruktur (15) so daß die Kanäle (13) einen wesentlich niedrige
ren Strömungswiderstand als die Kapillarstruktur (15) aufweisen.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß die Kanäle (13) im wesentlichen parallel zur
Strömungsrichtung der Kühlflüssigkeit liegen.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Kanäle (13) innerhalb der Kapillarstruktur (15) liegen und/oder als
Rillen (13) zwischen der Gehäuseinnenwand (9) und der Kapillarstruktur
(15) ausgebildet sind.
4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet,
daß es sich bei den Kanälen (13) um geradlinige Bohrungen (14) innerhalb
der Kapillarstruktur (15) handelt.
5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet, daß es sich bei der Kapillarstruktur um ein fein
maschiges Netz (23) mit mindestens 500 Maschen pro Zoll handelt.
6. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Kapillarstruktur (15) aus einem Sinterkörper besteht.
7. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Kapillarstruktur (15) derart ausgebildet ist, daß mehrere Hohlräume
(17) vorliegen, die durch Stege (16) aus dem Material der Kapillarstruktur
(15) voneinander getrennt sind.
8. Vorrichtung nach Anspruch 7,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Stege (16) Öffnungen aufweisen, so daß alle Hohlräume (17) oder
ein Teil der Hohlräume (17) untereinander verbunden sind.
9. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 8,
dadurch gekennzeichnet,
daß es sich bei der Kühlflüssigkeit um Wasser handelt.
10. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 9,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Gehäuse vollständig evakuiert und anschließend mit der Kühlflüs
sigkeit bis zu einem Druck von weniger als 1 atm befüllt wird.
11. Vorrichtung rum Kühlen von Halbleiterbauelementen, insbesondere von
Laserdioden (7), nach dem Wärmerohrprinzip, bestehend aus einem Ge
häuse, einer oder mehrerer im Gehäuse angeordneter und mit Kühlflüssig
keit gesättigter Kapillarstrukturen (18, 19), die das Gehäuse nicht vollständig
ausfüllen, so daß ein oder mehrere Hohlräume (17) vorliegen,
dadurch gekennzeichnet,
daß eine erste Kapillarstruktur (19) vorgesehen ist, die durch geeignete
Einstellung von Permeabilität, Querschnittsfläche und effektivem Poren
durchmesser einen hohen Kapillardruck besitzt und daß eine zweite Kapil
larstruktur (18) vorgesehen ist die durch geeignete Einstellung von Per
meabilität, Querschnittsfläche und effektivem Porendurchmesser einen vor
zugsweise deutlich niedrigeren Strömungswiderstand als die erste Kapillar
struktur (19) besitzt.
12. Vorrichtung nach Anspruch 11,
dadurch gekennzeichnet,
daß ein oder beide Kapillarstrukturen (18, 19) aus einem Sintermaterial be
stehen.
13. Vorrichtung nach Anspruch 11,
dadurch gekennzeichnet,
daß die erste Kapillarstruktur (19) aus einem Sintermaterial mit einem ef
fektivem Porendurchmesser von 20-40 Mikrometer besteht und daß die
zweite Kapillarstruktur (18) aus einem Sintermaterial mit einem effektivem
Porendurchmesser von mehr als 40 bis 80 Mikrometer, vorzugsweise von
60 bis 80 Mikrometer besteht.
14. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 11 bis 13,
dadurch gekennzeichnet,
daß die zweite Kapillarstruktur (18) als erste Schicht an der Innenseite des
Gehäuses angebracht ist und daß die erste Kapillarstruktur (19) als zweite
Schicht auf der ersten Schicht aufgebracht ist.
15. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 11 bis 14,
dadurch gekennzeichnet,
daß die erste und/oder die zweite Kapillarstruktur (18, 19) derart ausgebildet
ist bzw. sind, daß mehrere Hohlräume (17) vorliegen, die durch Stege (16)
aus dem Material der jeweiligen Kapillarstruktur (18, 19) voneinander ge
trennt sind.
16. Vorrichtung nach Anspruch 15,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Stege (16) Öffnungen aufweisen, so daß alte Hohlräume (17) oder
ein Teil der Hohlräume (17) untereinander verbunden sind.
17. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 11 bis 16,
dadurch gekennzeichnet,
daß es sich bei der Kühlflüssigkeit um Wasser handelt.
18. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 11 bis 17,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Gehäuse vollständig evakuiert und anschließend mit der Kühlflüs
sigkeit bis zu einem Druck von weniger als 1 atm befüllt worden ist.
19. Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung zur Kühlung von Halbleiter
bauelementen nach dem Wärmerohrprinzip,
dadurch gekennzeichnet,
daß vorstrukturierte planare, entsprechend ausgeschnittene Schichten von
Gehäuse, Docht und Abstandhalter gestapelt und verbunden werden.
20. Verfahren nach Anspruch 19,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Verbindung durch eine Diffusionsschweißung erfolgt.
21. Verwendung von Vorrichtungen nach einem der Ansprüche 1 bis 18 zur
Kühlung von Laserdioden,
dadurch gekennzeichnet,
daß mehrere Vorrichtungen nebeneinander angeordnet werden, so daß
eine Wärmesenke mit einer gemeinsamen Fläche gebildet wird.
22. Verwendung von Vorrichtungen nach einem der Ansprüche 1 bis 18 zur
Kühlung von Laserdioden oder Verwendung nach Anspruch 21,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Verdampfungstemperatur der Kühlflüssigkeit durch Einstellung des
Drucks innerhalb des Gehäuses geregelt wird.
23. Verwendung nach Anspruch 22,
dadurch gekennzeichnet,
daß als Kühlflüssigkeit Wasser verwendet wird und der Druck derart unter 1
atm eingestellt wird, daß die Verdampfungstemperatur zwischen 30 und
70°C liegt.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1997144281 DE19744281A1 (de) | 1997-10-07 | 1997-10-07 | Vorrichtung zum Kühlen von Halbleiterbauelementen und ihre Verwendung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE1997144281 DE19744281A1 (de) | 1997-10-07 | 1997-10-07 | Vorrichtung zum Kühlen von Halbleiterbauelementen und ihre Verwendung |
Publications (1)
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DE19744281A1 true DE19744281A1 (de) | 1999-06-02 |
Family
ID=7844849
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DE1997144281 Ceased DE19744281A1 (de) | 1997-10-07 | 1997-10-07 | Vorrichtung zum Kühlen von Halbleiterbauelementen und ihre Verwendung |
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