DE19700697A1 - Verfahren zur Herstellung von Solarzellen - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von SolarzellenInfo
- Publication number
- DE19700697A1 DE19700697A1 DE19700697A DE19700697A DE19700697A1 DE 19700697 A1 DE19700697 A1 DE 19700697A1 DE 19700697 A DE19700697 A DE 19700697A DE 19700697 A DE19700697 A DE 19700697A DE 19700697 A1 DE19700697 A1 DE 19700697A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- carrier plate
- solar cells
- solar cell
- ceramic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims abstract description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 2
- 150000002926 oxygen Chemical class 0.000 claims 1
- 238000010079 rubber tapping Methods 0.000 claims 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
Bisher werden Solarzellen hauptsächlich in der Weise hergestellt, daß Silizium in sehr
reiner Form hergestellt und dann kristallin gezüchtet wird, daß das Silizium zweifach
mit Fremdatomen dotiert wird, wobei eine positiv dotierte an eine negativ dotierte
Siliziumschicht grenzt, und wobei die bei Lichtbestrahlung anfallende elektrische Energie
an beiden Seiten des Siliziums mit metallischen Elektroden abgegriffen wird (vgl.
Peter Würfel, Physik der Solarzellen, Spektrum Akademischer Verlag, Heidelberg Berlin
Oxford 1995).
Dieses Verfahren hat erhebliche Nachteile. Silizium, das zwar in großen Mengen zur
Verfügung steht, ist zumeist stark verunreinigt, es muß für die Herstellung von Solarzellen
in hochreiner Form vorliegen, muß somit in aufwendiger Weise gereinigt werden und
hat darüber hinaus den Nachteil, daß dieses Material sehr hart und deswegen schwierig
zu bearbeiten ist, und daß die Resorption der einfallenden Lichtenergie zu wünschen
übrig läßt. Silizium bildet eine oxydierte Schicht an der Oberfläche, die zwar einerseits
die Rekombination der Dotierung verhindert, andererseits aber den Wirkungsgrad der
Solarzelle herabsetzt. Der Wirkungsgrad von mit herkömmlichen Verfahren hergestellten
Solarzellen läßt daher zu wünschen übrig. Schließlich kann eine dauerhafte Dotierung mit
den bisher bekannten Verfahren nur dann erzielt werden, wenn Silizium in kristalliner
Form verwendet wird, so daß in zeitaufwendiger Weise Siliziumkristalle gezüchtet werden
müssen. All dies führt dazu, daß die Herstellung der Solarzellen relativ teuer ist, daß die
Gewinnung von Elektrizität aus Solarenergie aufgrund erheblicher Herstellungskosten nur
in Ausnahmefällen wirtschaftlich vertretbar ist und daß die umweltfreundliche Solar
energie nicht in breitem Umfang zum Einsatz kommen kann.
Mit der im Patentanspruch angegebenen Erfindung soll eine Erhöhung des Wirkungs
grades sowie der Lebensdauer von Solarzellen sowie eine kostengünstige Produktion
von Solarzellen in größerer Stückzahl ermöglicht werden.
Dieses Problem wird durch die im Patentanspruch aufgeführte Herstellungsweise von
Solarzellen gelöst.
Die mit der Erfindung erreichten Vorteile bestehen insbesondere darin, daß Solarzellen
auf wesentlich einfachere, schnellere und damit billigere Weise als bisher hergestellt
werden können. Keramisches Material stellt einen elektrischen Nichtleiter (Isolator)
mit einem sehr hohen elektrischen Widerstand dar, der nicht aufwendig gereinigt zu
werden braucht, der somit auf einfache Weise dotiert werden kann, der sehr dünn
aufgebracht werden kann, und der schließlich im Wege des keramischen Brennens
auf kostengünstige Weise mit einem günstigen Wirkungsgrad in größerer Stückzahl
hergestellt und verarbeitet werden kann. Der Schutz der dotierten Schichten erfolgt
nach dem im Patentanspruch beschriebenen Verfahren mittels einer lichtdurchlässigen
Glasur und nicht durch Oxydation, was einerseits den Wirkungsgrad der Solarzelle
erhöht, andererseits deren Lebensdauer zugute kommt. Die auf der Trägerplatte
angebrachte metallisch leitende Schicht wirkt zusätzlich als Spiegel, was der Resorption
der einfallenden Lichtenergie zugute kommt.
Durch die vorstehend beschriebene Herstellungsweise können die Herstellungskosten
für Solarzellen deutlich gesenkt werden und diese umweltfreundliche Technik kann
damit einer breiteren Nutzung zugeführt werden, so daß fossile Energien in geringerem
Maße eingesetzt werden müssen und damit dem Treibhauseffekt entgegengewirkt
werden kann.
Eine vorteilhafte Ausführung der Erfindung ergibt sich in Kombination mit dem
Patentanspruch 2. Die auf der Trägerplatte angebrachte metallische Schicht ermöglicht
es mit Hilfe der in der Trägerplatte angebrachten Löcher, daß die in dieser Schicht
auftretende elektrische Energie zur Rückseite der Trägerplatte hin über Elektroden
abgegriffen wird, wobei diese metallische Schicht nicht ganz bis zu den Rändern der
Trägerplatte gezogen wird. Dies erleichtert das Abgreifen der elektrischen Energie an
der äußeren gitterartigen metallischen Schicht, da dort die Elektroden zweckmäßigerweise
seitlich der Trägerplatte angebracht werden.
Ein Ausführungsbeispiel kann so ausgestaltet werden, daß einzelne oder auch eine
Vielzahl von Solarzellen nach dem im Patentanspruch beschriebenen Verfahren herge
stellt wird, daß bei jeder dieser Solarzellen die bei Lichteinfall entstehende Spannung
mit Hilfe von Elektroden zum einen an der innen angebrachten metallisch leitenden
Schicht sowie zum anderen auf dem unter der Glasur angebrachten elektrisch leitenden
Gitter abgegriffen wird, daß diese Solarzellen ggf. miteinander verbunden werden und
daß auf diese Weise aus Solarenergie technisch verwertbare elektrische Energie
gewonnen wird.
Claims (2)
1. Verfahren zur Herstellung von Solarzellen,
dadurch gekennzeichnet,
daß auf eine elektrisch nichtleitende keramische Trägerplatte (Isolator) eine elek
trisch leitende Metallschicht aufgebracht wird, daß auf diese eine positiv (oder
negativ) dotierte keramische Schicht aufgebracht wird, daß auf dieser Schicht
eine gegensätzlich dotierte keramische Schicht aufgebracht wird, daß auf diese
Schicht in Gitterform ein elektrische Leiter aufgebracht wird, und daß schließlich
darauf eine elektrisch isolierende durchsichtige Glasur aufgebracht wird, wobei
das Brennen der keramischen Schichten jeweils im sauerstoffarmen Milieu statt
findet, so daß während des Brennens der keramischen Schichten diesen Sauerstoff
entzogen wird (Redoxbrand).
2. Verfahren nach Patentanspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß in die Trägerplatte zusätzlich Löcher eingebracht werden, die das Abgreifen
der elektrischen Energie, die in der auf der Trägerplatte angebrachten Metall
schicht anfällt, zur Rückseite der Trägerplatte hin ermöglicht.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19700697A DE19700697A1 (de) | 1997-01-13 | 1997-01-13 | Verfahren zur Herstellung von Solarzellen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19700697A DE19700697A1 (de) | 1997-01-13 | 1997-01-13 | Verfahren zur Herstellung von Solarzellen |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19700697A1 true DE19700697A1 (de) | 1998-07-16 |
Family
ID=7817144
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19700697A Ceased DE19700697A1 (de) | 1997-01-13 | 1997-01-13 | Verfahren zur Herstellung von Solarzellen |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE19700697A1 (de) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3135411C2 (de) * | 1980-09-09 | 1994-07-07 | Energy Conversion Devices Inc | Fotoempfindliche Anordnung mit übereinanderliegenden pin-Schichten eines amorphen Siliciumlegierungsmaterials |
DE4229702C2 (de) * | 1992-09-05 | 1994-09-29 | Joerg Prof Dr Ing Mueller | Verfahren zur Herstellung von Silizium/Eisendisilizid-Dünnschicht-Solarzellen auf Graphitsubstraten durch Elektronenstrahlrekristallisation |
DE4227783C2 (de) * | 1991-08-23 | 1995-04-20 | Mitsubishi Materials Corp | Gerät zum Umwandeln von Lichtenergie in elektrische Energie und Speichern dieser Energie |
DE3408317C2 (de) * | 1983-03-08 | 1995-05-04 | Agency Ind Science Techn | Solarzelle aus amorphem Silicium |
-
1997
- 1997-01-13 DE DE19700697A patent/DE19700697A1/de not_active Ceased
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3135411C2 (de) * | 1980-09-09 | 1994-07-07 | Energy Conversion Devices Inc | Fotoempfindliche Anordnung mit übereinanderliegenden pin-Schichten eines amorphen Siliciumlegierungsmaterials |
DE3408317C2 (de) * | 1983-03-08 | 1995-05-04 | Agency Ind Science Techn | Solarzelle aus amorphem Silicium |
DE4227783C2 (de) * | 1991-08-23 | 1995-04-20 | Mitsubishi Materials Corp | Gerät zum Umwandeln von Lichtenergie in elektrische Energie und Speichern dieser Energie |
DE4229702C2 (de) * | 1992-09-05 | 1994-09-29 | Joerg Prof Dr Ing Mueller | Verfahren zur Herstellung von Silizium/Eisendisilizid-Dünnschicht-Solarzellen auf Graphitsubstraten durch Elektronenstrahlrekristallisation |
Non-Patent Citations (4)
Title |
---|
DE-Z.: "Appl.Phys.", 17, 1978, S. 1-25 * |
JP-Z.: "Japan.J.Appl.Phys.", Vol. 15, No. 11, 1976, S. 2281-2282 * |
JP-Z.: "Japan.J.Appl.Phys.", Vol. 15, No. 9, 1976, S. 1849-1850 * |
US-B.: "Solar Cells", M.A. Green, Prentice-Hall, Englewood Cliffs, N.J., 1982, S. 196-200 * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE587309C (de) | Verfahren und Anordnung zum Antrieb von Vorrichtungen, welche die bei elektrischem Strom-durchgang durch ein aus einem Halbleiter und einem denselben beruehrenden Halbleiter oder Leiter bestehendes Aggregat zwischen den Beruehrungsflaechen auftretende elektrostatische Anziehungskraft ausnutzen | |
DE2422195C2 (de) | Verfahren zur Vermeidung von Grenzschichtzuständen bei der Herstellung von Halbleiteranordnungen | |
DE69730377T2 (de) | Permanente Halbleiterspeicherzelle und deren Herstellungsverfahren | |
DE112009002290T5 (de) | Strukturieren von Elektrodenmaterialien, frei von Bermstrukturen, für Dünnfilm-Photovoltaikzellen | |
DE102007031958A1 (de) | Kontakt-Struktur für ein Halbleiter-Bauelement sowie Verfahren zur Herstellung desselben | |
EP0301471B1 (de) | Verfahren zur Wiederverwendung von Silizium-Basismaterial einer Metall-Isolator-Halbleiter-(MIS)-Inversionsschicht-Solarzelle | |
DE3727823A1 (de) | Tandem-solarmodul | |
EP0334111A1 (de) | Verfahren zur integrierten Serienverschaltung von Dickschichtsolarzellen sowie Verwendung dieses Verfahrens bei der Herstellung einer Tandem-Solarzelle | |
DE1942598A1 (de) | Halbleiter und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE1544190A1 (de) | Verfahren zum Einfuehren zusaetzlicher erlaubter Energieniveaus in das Kristallgitter einer Substanz,insbesondere von Diamanten | |
DE3542111A1 (de) | Verfahren zur durchfuehrung eines glimmprozesses | |
DE3015362A1 (de) | Solarbatterie | |
DE19700697A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Solarzellen | |
DE2456515C2 (de) | Elektrode für die elektrochemische Bearbeitung elektrisch leitender Werkstücke | |
DE2039734A1 (de) | Verbessertes Metall-Isolator-Halbleiter-Bauelement | |
DE102004047630A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines CBRAM-Halbleiterspeichers | |
DE3542116C2 (de) | ||
EP2058076A2 (de) | Verfahren zur Oberflächenbehandlung einer elektrisch leitfähigen Substratoberfläche | |
DE102009009499A1 (de) | Markierungsverfahren | |
EP4062466A1 (de) | Entfeuchtung eines photovoltaikmoduls durch elektrolyse | |
EP0168771A1 (de) | Verfahren zur gezielten Erzeugung von lateralen Dotierungs-gradienten in scheibenförmigen Siliziumkristallen für Halbleiterbauelemente | |
DE102012017483A1 (de) | Verfahren zur Laserstrukturierung von dünnen Schichtsystemen | |
DE4342527A1 (de) | Verfahren zum elektrischen Kontaktieren von porösem Silizium | |
DE102008004340A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines photoaktiven Schichtenverbunds, photoaktiver Schichtenverbund und Anwendung. | |
DE2906058A1 (de) | Verfahren zum herstellen von halbleiterkoerpern fuer solarzellen aus silizium |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
ON | Later submitted papers | ||
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8131 | Rejection |