DE19622166C2 - Verfahren zur Herstellung von Schichtwerkstoffen für Gleitelemente - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von Schichtwerkstoffen für GleitelementeInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Schichtwerkstoffen
für Gleitelemente, bei dem auf das vorgefertigte Halbzeug galvanisch eine
Laufschicht, insbesondere aus SnCuNi, PbSnCu, PbSn, Sn, SnCu oder CuSn,
mit eingelagerten Hartteilchen aufgebracht wird.
Unter Gleitelementen werden alle Arten von Lagerschalen sowie u. a. Kolben
und Kolbenringe verstanden. Laufschichten von Schichtwerkstoffen für
Gleitelemente werden meist durch Galvanisierung in entsprechenden
Elektrolytbädern hergestellt.
Es ist ferner z. B. aus "Oberflächen- und Dünnschichttechnologie", Teil 1
Beschichtung von Oberflächen von Rene A. Häfer, Springer-Verlag 1987,
Seite 198 bis 200 bekannt, die Eigenschaften galvanisch abgeschiedener
Metallschichten dadurch zu verändern, daß z. B. Hartstoffe oder Gleitstoffe in
Form von pulverförmigen Partikeln in den Elektrolyten gegeben und dann
zusammen mit dem Metall auf dem Substrat niedergeschlagen werden.
Während der Elektrolyse wandern die suspendierten Partikel zur Kathode, wo
sie in das sich abscheidende Metall eingebaut werden. Hierbei wird angestrebt,
möglichst kleine Partikel in die Metallmatrix einzubauen, weil dadurch eine
Dispersionshärtung erzielt wird, wodurch Härte, Verschleißwiderstand und
Festigkeit vor allem bei erhöhten Temperaturen verbessert wird.
Diese Möglichkeiten existieren allerdings nur in der Theorie, weil die
Oberflächenenergie der Partikel umso größer wird, je kleiner der Durchmesser
der Partikel ist. Die Folge davon ist die Bildung von Agglomeraten bereits im
Elektrolyten, wobei sich zwischen den Partikeln Lufteinschlüsse bilden, die
beim Einbau der Agglomerate in die Matrix zu Fehlstellen und damit zur
Brüchigkeit der Laufschicht führen.
In "Developments in Tri Metal Bearings", Paper 2 von T & N, 1995 wird
diese Problematik diskutiert, wobei als erfolgversprechendes Verfahren ein
Rührverfahren erwähnt wird, mit dem die Clusterbildung auf die Größe von 2
bis 3 µm begrenzt werden konnte.
Als Elektrolyt wurden bisher Fluoroboratbäder verwendet, die allerdings den
Nachteil haben, daß die Partikel nur unzureichend benetzt werden, was zur
Folge hat, daß auch bei großem Angebot von Hartteilchen im Elektrolyten nur
eine begrenzte Menge, in der Regel bis maximal 2 Vol.-%, in die Matrix
eingebaut werden können.
Ferner zeigen die mit den bekannten Bädern hergestellten Laufschichten,
insbesondere Ternärschichten, z. T. erhebliche Dickenschwankungen, die u. U.
eine mechanische Nachbearbeitung der Gleitelemente erforderlich machen.
Außerdem ist das Zinn in der Laufschicht nicht gleichmäßig verteilt, so daß es
zu Anhäufungen und grobkristallinen Abscheidungen, sogenannten
Zinnagglomerationen, kommt. Diese inhomogene Struktur der Laufschicht
begünstigt die Diffusion, die bei stärkerer Erwärmung des Gleitelementes im
Betrieb auftritt, so daß derartige Laufschichten nur auf einer Zwischenschicht,
wie z. B. eines Nickeldamms aufgebracht werden können, der die Zinndiffusion
in die darunterliegende Bleibronzeschicht verhindert, wie beispielsweise in E.
Römer, "Werkstoff und Schichtaufbau bei Gleitlagern", Sonderdruck aus
ZFW, Zeitschrift für Werkstoff Technik, Jahrgang 4, Heft 7, Verlag Chemie
Weinheim/Bergstraße 1973 beschrieben wird. Nur durch diese zusätzliche
Maßnahme konnte bisher die Korrosionsfestigkeit verbessert und
Ablösungserscheinungen der Laufschicht vermieden werden, die zu
Lagerschäden führen können. Darüber hinaus ist die Härte dieser bekannten
Laufschichten und somit die Verschleißfestigkeit nicht zufriedenstellend.
Es ist daher Aufgabe der Erfindung ein Verfahren zur Herstellung von
Schichtwerkstoff für Gleitelemente bereitzustellen, der hinsichtlich der
Verschleißfestigkeit, Härte und Verschleißwiderstand verbessert ist.
Die Aufgabe wird mit einem Verfahren gelöst, bei dem ein ternäres,
fluoroboratfreies Galvanisierbad ohne Glanzbildner unter Zusatz von nicht
ionischen Netzmitteln und freier Alkylsulfonsäure sowie ein eine Karbonsäure
aufweisendes Kornverfeinerungsmittel und ein Fettsäurepolyglykolester
verwendet wird und die Hartteilchen im Galvanisierbad während des
Galvanisierungsvorgangs in konstanter Konzentration vorgehalten werden.
Es hat sich überraschend gezeigt, daß durch die Verwendung von
fluoroboratfreien Galvanisierbädern unter Zusatz von nicht-ionischen
Netzmitteln eine Vereinzelung der Hartteilchen bereits im Galvanisierbad
stattfindet, so daß dann auch bei der galvanischen Abscheidung die
entsprechend feine Verteilung ohne Agglomeratbildung beibehalten werden
kann. Hierbei hat sich gezeigt, daß Hartteilchen vorzugsweise mit einem
Durchmesser von < 2 µm problemlos verarbeitet werden können.
Um hohe Anteile an Hartteilchen in der Matrix zu erzielen, müssen die
Hartteilchen im Galvanisierbad während des Galvanisiervorganges in
entsprechend hoher und insbesondere konstanter Konzentration vorgehalten
werden. Dadurch ist es möglich, den Anteil an Hartteilchen im Matrixmaterial
bis auf 20 Vol.-% zu steigern. Der Vorteil der Hartteilchen besteht nicht nur
darin, daß sie verschleißmindernd sind, sondern insbesondere auch darin, daß
die Diffusion von Zinn behindert wird. Die Partikel wirken insbesondere dann,
wenn sie als Einzelpartikel in kleiner Verteilung im Matrixmaterial vorliegen,
als Barriere für das Zinn. Man kann daher bei den Hartteilchen von einer Art
Diffusionssperrmittel sprechen, die als Fremdkörper in der Gleitschicht die
Bewegung der Zinnteilchen behindern.
Der Fettsäurepolyglykolester beeinflußt in positiver Weise die Gleichmäßigkeit
der Abscheidung. Während bei den bekannten Verfahren in den Randbereichen
von Nuten, Bohrungen odgl. deutliche Erhöhungen auftraten, so sind diese
jetzt nicht feststellbar. Offensichtlich hat der Fettsäurepolyglykolester einen
Einfluß auf die Ionenverteilung im Galvanisierbad, was letztendlich auch zu
einer gleichmäßigeren Abscheidung führt. Es hat sich gezeigt, daß nicht nur
die Dickenschwankungen vermieden werden können, sondern daß auch die
Oberflächenrauhigkeit deutlich abnimmt.
Das Galvanisierbad weist vorzugsweise eine Methansulfonsäure auf.
Eine bevorzugte Badzusammensetzung enthält außer den abzuscheidenden
Metallen und Hartteilchen 30 bis 200 g/l freie Methansulfonsäure, 5 bis
125 ml/l nicht-ionische Netzmittel, 5 bis 25 ml/l Kornverfeinerungsmittel und
0,01 bis 1 g/l Fettsäurepolyglykolester.
Als nicht-ionische Netzmittel werden vorzugsweise Arylpolyglykolether
und/oder Alkylarylpolyglykolether verwendet mit der Formel CnH(n+1-Ar-
(OCH2-CH2)m-OCH2-CH3, in der n = 0 bis 15, m = 5 bis 39 und Ar einen
aromatischen Rest darstellt.
Das Kornverfeinerungsmittel weist vorzugsweise eine α-β-ungesättigte
Karbonsäure auf mit der allgemeinen Formel
in der R1 und R2 gleich oder verschieden sind und Wasserstoff oder
Niederalkylgruppen mit 1 bis 3 C-Atomen und R3 Wasserstoff oder Niederalkyl
mit 1 bis 5 C-Atomen darstellt.
Die erfindungsgemäßen Galvanisierbäder zeichnen sich durch hohe Stabilität
aus, da sich die Alkylsulfonsäure während der Elektrolyse nicht zersetzt. Man
erhält dadurch eine gleichmäßige, nahezu 100%-ige Stromausbeute sowohl an
der Kathode als auch an der Anode.
Vorzugsweise können während der Galvanisierung Stromdichten von 2 bis
20 A/cm2 eingesetzt werden. Hierbei konnten keine Veränderungen in der
Zusammensetzung der Beschichtung festgestellt werden. Durch den Einsatz
derart hoher Stromdichten wird der Vorteil einer schnellen Abscheidung
erzielt. Es ist daher möglich, die Prozeßdauer fast um einen Faktor 10 zu
senken. Das neue Verfahren eignet sich daher auch für die
Hochgeschwindigkeitsabscheidung und damit für die Bandgalvanisierung. Es ist
somit möglich, eine Großserienfertigung mit hohem Durchsatz einzurichten.
Das Galvanisierbad wird vorzugsweise auf einer Temperatur unter 25°C
gehalten, weil anderenfalls keine kontrollierte Abscheidung mehr möglich ist.
Da sich während des Galvanisiervorgangs das Bad erwärmt, muß es
entsprechend gekühlt werden.
Beispielhafte Ausführungsformen werden nachfolgend anhand der Fig.
näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1a, b elektronenmikroskopische Aufnahmen eines Schichtwerkstoffes
nach dem Stand der Technik und gemäß der Erfindung.
In den Fig. 1a und 1b sind zwei Schliffbilder dargestellt, wobei die Fig.
1a einen Schichtwerkstoff für Gleitelemente nach dem Stand der Technik und
die Fig. 1b einen Schichtwerkstoff zeigt, der nach dem erfindungsgemäßen
Verfahren hergestellt wurde.
In der Fig. 1a ist ein Schichtwerkstoff 1a dargestellt, der aus einem
Stahlrücken 2a, einer Blei-Bronze-Schicht 3a, einem Nickeldamm 4a und einer
Ternärschicht 5a besteht. Die Ternärschicht besitzt die Zusammensetzung
PbSnl4Cu8 mit Einlagerungen von α-Al2O3-Dispersoiden 8a, die in der
Ternärschicht 5a im wesentlichen in Form von Agglomeraten 7a vorliegen.
Diese Ternärschicht wurde mit einem fluoroborathaltigen Galvanisierbad
hergestellt. Ferner sind in der Ternärschicht deutlich Zinnanhäufungen 6a zu
sehen. Insgesamt besitzt die Ternärschicht 5a eine inhomogene Struktur und
eine rauhe Oberfläche.
In der Fig. 1b ist ein Schichtwerkstoff 1b gemäß der Erfindung dargestellt.
Auf dem Stahlrücken 2b befindet sich ebenfalls eine Blei-Bronze-Schicht 3b,
auf der unmittelbar, also ohne Nickeldamm, die Ternärschicht 5b aufgebracht
ist, deren Matrixmaterial aus PbSnCu entsprechend dem Matrixmaterial der
Ternärschicht 5a in Fig. 1a besteht. In der hier dargestellten tausendfachen
Vergrößerung ist das Zinn deutlich als feinkristalline Abscheidung in
homogener Verteilung zu sehen und auch die Hartteilchen 8b, die einen
Durchmesser < 2 µm aufweisen, liegen nicht mehr in Form von
Agglomeraten sondern als Einzelpartikel in homogener Verteilung in der
Ternärschicht Sb vor.
Insgesamt zeigt die Ternärschicht Sb einen guten Verbund und auch nach einer
Wärmebehandlung bei 170°C über 1000 Stunden war keine Zinndiffusion
festzustellen. Die Härte dieser Ternärschicht 5b liegt bei 38 HV.
Eine beispielhafte Badzusammensetzung für das System PbSnCu-a-Al2O3 sieht
wie folgt aus:
Gesamtmenge | 250 l |
Pb | 50-100 g/l |
Sn | 6-20 g/l |
Cu | 2-16 g/l |
freie Methansulfonsäure | 100-160 g/l |
Netzmittel N | 40-100 ml/l |
Netzmittel L | 5-25 ml/l |
Netzmittel auf der Basis Polyklykolether | 0,01-0,5 g/l |
Netzmittel N bezeichnet ein Netzmittel auf der Basis Alkylarylpolyglykolether
und Netzmittel L einem Zusatz, der außer der 30% Karbonsäure bis zu einem
Drittel Arylpolyglykolester und/oder Alkylarylpolyglykolether aufweist, wobei
der Rest aus Wasser besteht. Diese Netzmittel werden beispielsweise unter
dem Handelsnamen BN 160308 Stannosar HMB bzw. BN 160309 Stannosar
HMB der Fa. Blasberg/Solingen vertrieben.
Der Feststoffanteil an α-Al2O3 wurde im Elektrolyten in mehreren Schritten
von 20-100 g/l gesteigert, wobei die jeweilige Konzentration im
Galvanisierbad während des Galvanisiervorgangs konstant gehalten worden ist.
Das Ergebnis ist in der nachfolgenden Tabelle zusammengestellt.
Bei einem konstanten Angebot von 100 g/l an Hartteilchen konnte in die
Ternärschicht ein Anteil von 9,7 Vol.-% eingebaut werden, was nach dem
Verfahren gemäß dem Stand der Technik nicht möglich ist. Der Durchmesser
der verwendeten Hartteilchen lag unter 2 µm.
Mit einem Bad der genannten Zusammensetzung wurde ferner folgende
Abscheidungstabelle erstellt, wobei diese Abscheidungstabelle unabhängig vom
Anteil der Hartteilchen im Elektrolyten Gültigkeit besitzt.
Abscheidungstabelle
Am System PbSn14Cu8 wurden Härtemessungen und
Verschleißuntersuchungen durchgeführt. Ohne Hartteilchen lag die Härte der
Ternärschicht bei 22 HV. Bei einem Anteil von 4,8 Vol.-% Al2O3 konnte die
Härte auf 37 HV gesteigert werden.
Bei einer Laufzeit von 130 h mit einer spezifischen Belastung von 65 MPa
wurde bei dem System PbSnCu ohne Hartteilchen ein Verschleiß von
0,001 mm festgestellt. Wenn die spezifische Belastung auf 80 MPa gesteigert
wurde, trat bereits nach einer Laufzeit von 60 h ein Verschleiß von 0,004 mm
auf.
Im Gegensatz dazu zeigte das System PbSnCu mit Al2O3-Hartteilchen keinerlei
Verschleiß.
In einem weiteren Versuch wurden bleifreie Gleitschichten des System SnCuNi
untersucht. Die Abscheidung erfolgte ebenfalls aus einem methansulfonsauren
System. Die beispielhafte Zusammensetzung des Elektrolyten sieht wie folgt
aus:
Sn | 54-60 g/l |
Cu | 2-8 g/l |
Nickel | 0,5-2 g/l |
freie Methansulfonsäure | 80-160 ml/l |
Netzmittel N | 60-100 ml/l |
Netzmittel L | 5-25 g/l |
Polyglykolether | 0,01-0,05 g/l |
Als Hartteilchen wurden ebenfalls α-Al2O3-Partikel mit einem Durchmesser
< 2 µm verwendet. Der Anteil der Hartteilchen wurde ebenfalls von 20-
100 g/l im Elektrolyten angeboten. Auch hier konnte festgestellt werden, daß
ein Einbau in die Ternärschicht bis zu 10 Vol.-% Hartteilchen möglich ist.
Versuche mit 150 bzw. 200 g/l Hartteilchen haben Anteile von 15 bzw.
19 Vol.-% Hartteilchen in der Ternärschicht ergeben.
1
a, b Schichtwerkstoff
2
a, b Stahlrücken
3
a, b Blei-Bronze-Schicht
4
a Nickeldamm
5
a, b Ternärschicht
6
a Zinnanhäufungen
7
a Agglomerate von Hartteilchen
8
a, b Hartteilchen
Claims (8)
1. Verfahren zur Herstellung von Schichtwerkstoffen für Gleitelemente,
bei dem auf das vorgefertigte Halbzeug galvanisch eine Laufschicht,
insbesondere aus SnCuNi, PbSnCu, PbSn, Sn, SnCu oder CuSn, mit
eingelagerten Hartteilchen aufgebracht wird, dadurch gekennzeichnet,
daß ein ternäres, fluoroboratfreies Galvanisierbad ohne Glanzbildner unter Zusatz von nicht-ionischen Netzmitteln und freier Alkylsulfonsäure sowie ein eine Karbonsäure aufweisendes Kornverfeinerungsmittel und ein Fettsäurepolyglykolester verwendet wird und
daß die Hartteilchen im Galvanisierbad während des Galvanisiervorgangs in konstanter Konzentration vorgehalten werden.
daß ein ternäres, fluoroboratfreies Galvanisierbad ohne Glanzbildner unter Zusatz von nicht-ionischen Netzmitteln und freier Alkylsulfonsäure sowie ein eine Karbonsäure aufweisendes Kornverfeinerungsmittel und ein Fettsäurepolyglykolester verwendet wird und
daß die Hartteilchen im Galvanisierbad während des Galvanisiervorgangs in konstanter Konzentration vorgehalten werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
Hartteilchen mit einem Durchmesser < 2 µm verwendet werden.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß ein
Galvanisierbad verwendet wird, daß Methansulfonsäure aufweist.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch
gekennzeichnet, daß das Galvanisierbad außer den abzuscheidenden
Metallen und Hartteilchen 30-200 g/l freie Methansulfonsäure und 5-
125 ml/l nicht-ionische Netzmittel, 5-25 ml/l Kornverfeinerungsmittel
und 0,01-1 g/l Fettsäurepolyglykolester enthält.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß als nicht-
ionische Netzmittel Arylpolyglykolether und/oder
Alkylarylpolyglykolether verwendet werden.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch
gekennzeichnet, daß während des Galvanisierprozesses Stromdichten
von 2-20 A/dm2 eingesetzt werden.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch
gekennzeichnet, daß das Galvanisierbad während des
Galvanisierprozesses bewegt wird.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch
gekennzeichnet, daß das Galvanisierbad auf eine Temperatur unter
25°C gehalten wird.
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