DE19609967A1 - Schaltungsanordnung zum Schützen einer Schaltstufe vor thermischer Überlastung - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.

Eine derartige Schaltungsanordnung ist aus der Literaturstelle Paolo Antognetti: "Power Integrated Circuits", McGraw-Hill, 1986, Seite 6.23-6.24 bekannt. Die dort beschriebene Schaltungsanordnung weist einen Transi­ stor als Schaltstufe, eine Temperaturerfassungseinheit, eine Vergleichsspan­ nungsquelle und eine Vergleichseinheit auf. Dabei wird mit der Schaltstufe ein Laststrom in eine Last eingespeist, mit der Temperaturerfassungseinheit eine der Temperatur der Schaltstufe entsprechenden Meßspannung er­ zeugt, mit der Vergleichsspannungsquelle eine konstante Vergleichsspan­ nung erzeugt und mit der Vergleichseinheit ein Vorzeichenwechsel der Spannungsdifferenz zwischen der Meßspannung und der Vergleichsspan­ nung detektiert. Die Schaltstufe ist zum Schutz vor thermischer Überlastung durch die Vergleichseinheit ausschaltbar. Sie wird dabei dann ausgeschaltet, wenn die Meßspannung die Vergleichsspanung überschreitet. Gleichzeitig wird die Meßspannung über eine Mitkopplungsschleife von der Vergleichs­ einheit zur Temperaturerfassungseinheit um einen Hysteresewert erhöht. Im ausgeschalteten Zustand kühlt die Schaltstufe ab und sie ist erst nach­ dem die Meßspannung die Vergleichsspannung unterschreitet wieder ein­ schaltbar. Die Meßspannung wird, sobald sie die Vergleichsspannung unter­ schreitet, um den Hysteresewert reduziert. Mit dem Hysteresewert wird da­ bei die Temperaturdifferenz zwischen einer Ausschalttemperatur und einer Einschalttemperatur vorgegeben, wobei die Ausschalttemperatur diejenige Temperatur der Schaltstufe ist, bei der die Schaltstufe zum Schutz vor ther­ mischer Überlastung ausgeschaltet wird und die Einschalttemperatur dieje­ nige Temperatur der Schaltstufe ist, bei der die Schaltstufe wieder einschalt­ bar ist.

Der wesentliche Nachteil dieser Schaltungsanordnung besteht darin, daß der Arbeitspunkt der Temperaturerfassungseinheit über die Mitkopplungs­ schleife durch die Vergleichseinheit veränderbar ist. Der Hysteresewert und somit auch die Einschalttemperatur und die Ausschalttemperatur sind dem­ nach stark von Herstellungstoleranzen Vergleichseinheit und der Mitkopp­ lungsschleife abhängig und können daher nicht mit hoher Genauigkeit ein­ gehalten werden.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Schaltungsanordnung ge­ mäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 anzugeben, die mit geringem Schaltungsaufwand realisierbar ist und bei der die Einschalttemperatur und die Ausschalttemperatur weitgehend unabhängig von Herstellungstoleran­ zen sind.

Die Aufgabe wird durch die kennzeichnenden Merkmale des Patentanspru­ ches 1 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen und Ausgestaltungen ergeben sich aus den Unteransprüchen.

Erfindungsgemäß weist die Vergleichsspannungsquelle einen durch die Ver­ gleichseinheit ansteuerbaren Steuereingang auf, über den die Vergleichs­ spannung durch die Vergleichseinheit variierbar ist. Dabei wird mit der Ver­ gleichseinheit ein Vorzeichenwechsel der Spannungsdifferenz zwischen der Meßspannung und der Vergleichsspannung detektiert und die Vergleichs­ spannung, sobald ein Vorzeichenwechsel stattfindet, um einen Hysterese­ wert derart variiert, daß die Spannungsdifferenz betragsmäßig erhöht wird. Das heißt, die Vergleichsspannung wird bei einem durch einen Anstieg der Meßspannung bewirkten Vorzeichenwechsel der Spannungsdifferenz um den Hysteresewert reduziert und bei einem durch einen Abfall der Meß­ spannung bewirkten Vorzeichenwechsel der Spannungsdifferenz um den Hysteresewert erhöht. Da der Arbeitspunkt der Temperaturerfassungsein­ heit durch die Vergleichseinheit nicht beeinflußt wird, wird die Meßspan­ nung durch Herstellungstoleranzen der Vergleichseinheit nicht verfälscht.

Die Vergleichsspannungsquelle weist vorzugsweise einen Schalttransistor mit einem mit dem Steuereingang der Vergleichsspannungsquelle verbun­ denen Steueranschluß und mit zwei Schaltanschlüssen, einen Lastwider­ stand und eine Referenzspannungsquelle mit gegebener Ausgangsimpedanz auf. Die Referenzspannungsquelle ist dabei mit einem Referenzanschluß, an dem die Vergleichsspannung ansteht, verbunden und der Referenzanschluß ist über den Lastwiderstand und den Schalttransistor mit einem Bezugspo­ tentialanschluß, an dem ein Bezugspotential, beispielsweise ein Massepoten­ tial, anliegt verbunden. Der Lastwiderstand ist demnach zum Schalttran­ sistor bezüglich dessen Schaltanschlüssen in Reihe geschaltet. Zur Variation der Vergleichsspannung wird die Belastung der Referenzspannungsquelle durch Ein- oder Ausschalten des Schalttransistors verändert. Der Hyste­ resewert, um den die Versorgungsspannung durch Umschalten des Schalt­ transistors verändert wird, hängt dabei vom Widerstandsverhältnis des Lastwiderstandes und der Ausgangsimpedanz der Referenzspannungsquelle ab. Ein derartiges Widerstandsverhältnis ist bei der Verwendung von Wi­ derständen mit gleichem Temperaturkoeffizient temperaturunabhängig und ist zudem, insbesondere bei einer in einen Schaltkreis integrierbaren Schaltungsanordnung, mit hoher Genauigkeit herstellbar.

Der Schalttransistor ist vorzugsweise als invers beschalteter Bipolartransistor ausgeführt. Bei leitendem Schalttransistor ist dessen Kollektor-Emitter-Span­ nung aufgrund der inversen Beschaltung so gering, daß die Vergleichsspan­ nung bei eingeschaltetem Schalttransistor weitgehend unabhängig von Schaltungseigenschaften, insbesondere von Streuungen eines über den Steuereingang der Vergleichsspannungsquelle dem Steueranschluß des Schalttransistors als Basisstrom zugeführten Vergleichssignals der Vergleichs­ einheit, ist.

Die Temperaturerfassungseinheit weist vorzugsweise eine Meßdiode, die beispielsweise als Bipolartransistor mit kurzgeschlossenem Kollektor- und Basis-Anschluß ausgeführt ist, und eine Ruhestromquelle zur Einprägung ei­ nes Ruhestromes in die Meßdiode auf. Die Meßdiode ist mit der Schaltstufe, welche beispielsweise als Leistungstransistor ausgebildet ist, thermisch ge­ koppelt, so daß eine entlang der Meßdiode anstehende Diodendurchfluß­ spannung von der Temperatur der Schaltstufe abhängig ist. Die Meßspan­ nung entspricht dann der Diodendurchflußspannung der Meßdiode.

Die Referenzspannungsquelle ist vorzugsweise als sogenannte Bandgap- Spannungsquelle ausgeführt, die eine von Versorgungsspannungsschwan­ kungen und Temperaturschwankungen unabhängige Referenzspannung er­ zeugt, aus der die Vergleichsspannung ableitbar ist.

Die Erfindung wird im folgenden anhand der Figuren näher beschrieben. Es zeigen:

Fig. 1 eine Prinzipdarstellung der erfindungsgemäßen Schaltungsan­ ordnung,

Fig. 2 ein Ausführungsbeispiel der Schaltungsanordnung aus Fig. 1,

Fig. 3 eine vorteilhafte Ausgestaltung einer Vergleichsspannungs­ quelle aus Fig. 1 oder 2.

Gemäß Fig. 1 weist die Schaltungsanordnung eine als Leistungstransistor ausgebildete Schaltstufe 1 mit einem ersten Schaltanschluß 11, mit einem zweiten Schaltanschluß 12 und mit einem Steueranschluß 10, eine Tempera­ turerfassungseinheit 2 mit einem Sensoranschluß 20, eine Vergleichsspan­ nungsquelle 3 mit einem Referenzanschluß 30 und mit einem Steuereingang 31, eine Vergleichseinheit 4 mit einem ersten Vergleichseingang 41, mit einem zweiten Vergleichseingang 42, mit einem ersten Vergleichsausgang 43 und mit einem zweiten Vergleichsausgang 44, eine Last 5 sowie eine Treiberstufe 6 mit einem ersten Treibereingang 60, mit einem zweiten Trei­ bereingang 62 und mit einem Treiberausgang 61 auf. Dabei ist der Sensor­ anschluß 20 der Temperaturerfassungseinheit 2 mit dem ersten Vergleichs­ eingang 41 der Vergleichseinheit 4 verbunden, der Referenzanschluß 30 der Vergleichsspannungsquelle 3 mit dem zweiten Vergleichseingang 42 der Vergleichseinheit 4 verbunden, der Steuereingang 31 der Vergleichs­ spannungsquelle 3 mit dem ersten Vergleichsausgang 43 der Vergleichs­ einheit 4 verbunden, der erste Treibereingang 60 der Treiberstufe 6 mit dem zweiten Vergleichsausgang 44 der Vergleichseinheit 4 verbunden, der Treiberausgang 61 der Treiberstufe 6 mit dem Steueranschluß 10 der Schalt­ stufe 1 verbunden und der erste Schaltanschluß 11 der Schaltstufe 1 mit der Last 5 verbunden.

Die Vergleichsspannungsquelle 3 weist eine Referenzspannungsquelle 37 mit gegebener Ausgangsimpedanz 38, einen Lastwiderstand 36 und einen als Bipolartransistor ausgeführten Schalttransistor 35 auf. Die Referenzspan­ nungsquelle 37 ist mit dem Referenzanschluß 30 verbunden und der Refe­ renzanschluß 30 ist über den Lastwiderstand 36 und die Emitter-Kollektor- Strecke des Schalttransistors 35 mit dem Bezugspotentialanschluß 32, an dem ein Bezugspotential, beispielsweise ein Massepotential, anliegt, verbun­ den. Der Schalttransistor 35 ist invers beschaltet, d. h. sein Kollektor-An­ schluß ist als Emitter-Anschluß und sein Emitter-Anschluß ist als Kollektor-An­ schluß beschaltet.

Die Temperaturerfassungseinheit 2 weist als Temperatursensor eine mit der Schaltstufe 1 thermisch gekoppelte Meßdiode 22 und eine Ruhestromquelle 25 zur Einspeisung eines konstanten Ruhestromes I₀ in die Meßdiode 22 auf. Der Sensoranschluß 20 ist dabei mit der Ruhestromquelle 25 und über die Meßdiode 22, die beispielsweise als Bipolartransistor mit kurzgeschlossenem Basis- und Kollektor-Anschluß ausgebildet ist, mit einem weiteren Bezugs­ potentialanschluß 21 verbunden, dem zur Arbeitspunkteinstellung der Meß­ diode 22 eine konstante Spannung, beispielsweise das Massepotential, zu­ geführt wird.

Die von der Temperaturerfassungseinheit 2 am Sensoranschluß 20 bereitge­ stellte Meßspannung U_M ist aufgrund der Temperaturabhängigkeit der an der Meßdiode abfallenden Diodendurchflußspannung ein Maß der Tempera­ tur der Schaltstufe 1, d. h. ein Maß der Temperatur einer Sperrschicht des Leistungstransistors 1. Die Meßspannung U_M wird dem ersten Vergleichsein­ gang 41 der Vergleichseinheit 4 zugeführt und die am Referenzanschluß 30 von der Vergleichsspannungsquelle 3 bereitgestellte Vergleichsspannung U_S wird dem zweiten Vergleichseingang 42 der Vergleichseinheit 4 zugeführt. Die Vergleichseinheit 4 erzeugt aus der Meßspannung U_M und aus der Ver­ gleichsspannung U_S ein am ersten Vergleichsausgang 43 anstehendes erstes Vergleichssignal S_A1 und ein am zweiten Vergleichsausgang 44 anstehendes zweites Vergleichssignal S_A2, die dem Vorzeichen der Spannungsdifferenz U_D zwischen der Meßspannung U_M und der Vergleichsspannung U_S entsprechen. Das erste Vergleichssignal S_A1 wird dem Steuereingang 31 der Vergleichs­ spannungsquelle 3 zugeführt und dient zum Ein- und Ausschalten des Schalt­ transistors 35. Durch das Einschalten des Schalttransistors 35 ändert sich die Belastung der Referenzspannungsquelle 37, da dann ein zusätzlicher Strom I_R durch den Lastwiderstand 36 und durch den Schalttransistor 35 fließt. Dieser zusätzliche Strom I_R bewirkt eine Änderung der Vergleichsspannung U_S um einen von dem Widerstandsverhältnis des Lastwiderstandes 36 und der Ausgangsimpedanz 38 abhängigen Hysteresewert. Der Hysteresewert wird durch die Kollektor-Emitter-Spannung des eingeschalteten Schalttran­ sistors 35 kaum beeinflußt, da diese aufgrund der inversen Beschaltung des Schaltransistors 35 sehr gering ist. Das zweite Vergleichssignal S_A2 wird über die Treiberstufe 6 dem Steueranschluß 10 Schaltstufe 1 zugeführt. Am zwei­ ten Treibereingang 62 der Treiberstufe liegt ein Schaltsignal U_SCH zum Ein- und Ausschalten der Schaltstufe 1 an. Die Schaltstufe 1 kann jedoch jeder­ zeit, d. h. unabhängig vom Schaltsignal U_SCH, durch das dem ersten Treiber­ eingang 61 zugeführte zweite Vergleichssignals S_A2 ausgeschaltet werden. Dem zweiten Schaltanschluß 12 der Schaltstufe 1 wird die Betriebsspannung U_CC zugeführt, so daß bei eingeschalteter Schaltstufe 1 ein Laststrom I_L in die Last 5 eingespeist wird.

Die Temperatur der Schaltstufe 1 wird durch die Vergleichseinheit 4 über­ wacht, indem diese die Meßspannung U_M mit der Vergleichsspannung U_S ver­ gleicht. Die Vergleichsspannung U_S entspricht, falls die Temperatur der Schaltstufe 1 kleiner als die Ausschalttemperatur ist, der Ausschalttempera­ tur. In diesem Falle hängt der Schaltzustand der Schaltstufe 1 vom Schaltsi­ gnal U_SCH ab. Eine durch den Laststrom I_L bedingte Erwärmung der Schaltstu­ fe 1 bewirkt dann eine Änderung der Meßspannung U_M. Sobald die Tempe­ ratur der Schaltstufe 1 die Ausschalttemperatur überschreitet, ändert sich das Vorzeichen der Spannungsdifferenz U_D. Die Vergleichseinheit 4 detek­ tiert diesen Vorzeichenwechsel und schaltet daraufhin die Schaltstufe 1 aus. Mit der Vergleichseinheit 4 wird gleichzeitig auch der Schalttransistor 35 umgeschaltet. Hierdurch wird die Vergleichsspanung U_S derart verändert, daß die Spannungsdifferenz U_D betragsmäßig ansteigt und somit ein siche­ res Ausschalten der Schaltstufe 1 gewährleistet wird. Die Vergleichsspan­ nung U_S springt dabei um den Hysteresewert auf einen der Einschalttempe­ ratur entsprechenden neuen Spannungswert. Die Einschalttemperatur ist um eine Differenztemperatur kleiner als die Ausschalttemperatur, wobei die Differenztemperatur durch den Hysteresewert vorgegeben ist.

Die Schaltstufe 1 kühlt im ausgeschalteten Zustand ab. Das Vorzeichen der Spannungsdifferenz U_D ändert sich dabei dann, wenn die Temperatur der Schaltstufe 1 die Einschalttemperatur unterschreitet. Die Vergleichseinheit 4, die diesen Vorzeichenwechsel detektiert, schaltet daraufhin die Schaltstu­ fe 1, sofern diese nicht durch das Schaltsignal U_SCH ausgeschaltet wird, wie­ der ein. Gleichzeitig schaltet sie auch den Schalttransistor 31 in den ur­ sprünglichen Schaltzustand um, so daß die Vergleichsspannung U_S wieder den der Ausschalttemperatur entsprechenden ursprünglichen Spannungs­ wert annimmt.

Gemäß Fig. 2 weist die Vergleichseinheit 4 einen Transkonduktanzverstär­ ker, d. h. einen Differenzverstärker, der die Differenzspannung U_D in einen Ausgangsstrom wandelt, und zwei Widerstände 45, 46, die den Ausgangs­ strom in zwei Teilströme aufteilen, auf. Der eine Teilstrom wird über den Widerstand 45 dem ersten Vergleichsausgang 43 als erstes Vergleichssignal S_A1 zugeführt und der andere Teilstrom wird über den Widerstand 46 dem zweiten Vergleichsausgang 44 als zweites Vergleichssignal S_A2 zugeführt, Die Referenzspannungsquelle 37 weist als Ausgangsimpedanz einen Span­ nungsteiler mit den beiden Widerständen 38′ und 38′′ auf, der die konstante Versorgungsspannung U_CCI von beispielsweise 5 V auf die Vergleichsspan­ nung U_S, deren Spannungswerte beispielsweise zwischen 400 mV und 500 mV liegen, herunterteilen. Durch das Einschalten des Schalttransistors 35 wird der Lastwiderstand 36 zum Widerstand 38′ parallel geschaltet und das Teilverhältnis des Spannungsteilers und demnach auch die Vergleichsspan­ nung U_S verändert.

Die Schaltstufe 1, die Temperaturerfassungseinheit 2, die Referenzspan­ nungsquelle 3, die Vergleichseinheit 4 und die Treiberstufe 5 sind in einen Schaltkreis integrierbar. Die Meßdiode 22 ist dabei in der Nähe der Schaltstu­ fe 1 angeordnet, so daß sie durch die Erwärmung der Schaltstufe 1 ebenfalls erwärmt wird.

Die Bezugspotentialanschlüsse 32 und 21 liegen beide auf Massepotential. Die Meßspannung U_M beträgt daher etwa 400-500 mV und nimmt bei stei­ gender Temperatur pro °C um ca. 2 mV ab. Die Kollektor-Emitter-Spannung des eingeschalteten Schalttransistors 35 beträgt wegen dessen inversen Be­ schaltung ca. 3-10 mV, und ist somit wesentlich kleiner als die Vergleichs- Spannung U_S. Die Vergleichsspannung U_S hängt demzufolge im wesentlichen nur von der Versorgungsspannung U_CCI und den Widerständen 36, 38′ und 38′′ ab und ist, da die Widerstände 36, 38′ und 38′′ gleiche Temperaturkoef­ fizienten aufweisen, zudem temperaturunabhängig.

Die Schaltstufe 1 wird, solange ihre Temperatur kleiner als die Ausschalttem­ peratur vom beispielsweise 150°C ist, d. h. solange die Meßspannung U_M grö­ ßer als die Vergleichsspannung U_S ist, durch die Vergleichseinheit 1 nicht ausgeschaltet. Sobald die Meßspannung U_M aufgrund eines Temperaturan­ stiegs die Vergleichsspannung U_S unterschreitet, wird die Schaltstufe 1 durch die Vergleichseinheit 4 ausgeschaltet und der Schalttransistor 35 ein­ geschaltet. Die Vergleichsspannung U_S springt daraufhin auf einen um den Hysteresewert höheren Spannungswert, so daß die Schaltstufe 1 auch wei­ terhin ausgeschaltet bleibt. Die Schaltstufe 1 kann erst dann wieder einge­ schaltet werden, wenn die Meßspannung U_M die nun um den Hysteresewert höhere Vergleichsspannung U_S überschreitet, d. h. wenn die Temperatur der Schaltstufe 1 die Einschalttemperatur unterschreitet. Die Einschalttempe­ ratur ist dabei um eine Differenztemperatur von beispielsweise 24°C, das entspricht einem Hysteresewert von etwa 47 mV, kleiner als die Ausschalt­ temperatur. Sobald die Temperatur der Schaltstufe 1 die Einschalttem­ peratur unterschreitet, wird Schalttransistor 35 ausgeschaltet und die Ver­ gleichsspannung U_S hierdurch um den Hysteresewert auf den der Ausschalt­ temperatur entsprechenden ursprünglichen Spannungswert reduziert.

Fig. 3 zeigt eine vorteilhafte Ausgestaltung der Vergleichsspannungsquelle 3 aus Fig. 1 oder Fig. 2. Die Referenzspannungsquelle 37 ist hierbei als eine an sich bekannte Bandgap-Spannungsquelle ausgeführt, die die Wider­ stände 310, 311, 312, 313, 380′ und 380′′, die Transistoren 320 und 321 und den Differenzverstärker 350 umfaßt. Die Versorgungsleitung 33, an der die Versorgungsspannung U_CCI anliegt, ist dabei über den Widerstand 310 mit dem Kollektor des Transistors 320 und über den Widerstand 311 mit dem Kollektor des Transistors 321 verbunden; der Kollektor des Transistors 320 ist mit dem nichtinvertierenden Eingang des Differenzverstärkers 350 und der Kollektor des Transistors 321 mit dem invertierenden Eingang des Differenz­ verstärkers 350 verbunden; der Ausgang des Differenzverstärkers 350 ist mit den Basisanschlüssen der Transistoren 320 und 321 und über den Wider­ stand 380′′ und den diesem nachgeschalteten Widerstand 380′ mit dem Be­ zugspotentialanschluß 32 verbunden; der Emitter des Transistors 321 ist über den Widerstand 312 mit dem Emitter des Transistors 320 verbunden und der Emitter des Transistors 320 ist über den Widerstand 313 mit dem Bezugspotentialanschluß 32 verbunden. Der mit den Widerständen 380′ und 380′′ gebildete Spannungsteiler entspricht dem Spannungsteiler 38′, 38′′ aus Fig. 2.

Die Widerstände 310. . . 313 sind derart dimensioniert, daß der Widerstand 310 um einen Faktor n₁ kleiner als der Widerstand 311 ist, der Widerstand 312 um einen Faktor n₂ kleiner als der Widerstand 311 ist und der Wider­ stand 313 um den Faktor 1 + n₁ kleiner als der Widerstand 311 ist, wobei für die Faktoren n₁ und n₂ folgende Bedingung gilt: n₂·Ig(n₁)≈10. Die am Aus­ gang des Differenzverstärkers 350 anstehende Ausgangsspannung U_A be­ trägt dann 1,205 V. Sie ist unabhängig von Temperaturschwankungen und auch unabhängig von Schwankungen der Versorgungsspannung U_CCI, so daß die mit dem Spannungsteiler 380′, 380′′, mit dem Lastwiderstand 36 und mit dem Schalttransistor 35 daraus abgeleitete Vergleichsspannung U_S dann ebenfalls unabhängig von Schwankungen der Versorgungsspannung U_CCI ist. Die Ausschalttemperatur der Schaltstufe 1 wird demzufolge durch die Versorgungsspannung U_CCI nicht beeinflußt.

In den Fig. 1 und 2 ist die Schaltstufe 1 als npn-Transistor eingezeichnet, Denkbar sind jedoch auch Schaltungsanordnungen mit als pnp-Transistoren ausgebildeten Schaltstufen.

Claims (6)

1. Schaltungsanordnung zum Schützen einer Schaltstufe (1) vor thermischer Überlastung, die eine Temperaturerfassungseinheit (2) zur Erzeugung einer der Temperatur der Schaltstufe (1) entsprechenden Meßspannung (U_M) auf­ weist, die eine Vergleichsspannungsquelle (3) zur Erzeugung einer Ver­ gleichsspannung (U_S) aufweist und die eine Vergleichseinheit (4) zur Detek­ tion eines Vorzeichenwechsels der Spannungsdifferenz (U_D) zwischen der Meßspannung (U_M) und der Vergleichsspannung (U_S) aufweist, wobei die Schaltstufe (1) durch die Vergleichseinheit (4) bei einem durch einen Anstieg der Temperatur der Schaltstufe (1) bewirkten Vorzeichenwechsel der Span­ nungsdifferenz (U_D) ausschaltbar und erst nach einem durch einen Abfall der Temperatur der Schaltstufe (1) bewirkten Vorzeichenwechsel der Span­ nungsdifferenz (U_D) wieder einschaltbar ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Vergleichsspannungsquelle (3) einen durch die Vergleichseinheit (4) an­ steuerbaren Steuereingang (31) aufweist, über den die Vergleichsspannung (U_S) bei einem durch einen Anstieg der Meßspannung (U_M) bedingten Vorzei­ chenwechsel der Spannungsdifferenz (U_D) um einen Hysteresewert reduzier­ bar und bei einem durch einen Abfall der Meßspannung (U_M) bedingten Vor­ zeichenwechsel der Spannungsdifferenz (U_D) um den Hysteresewert erhöh­ bar ist.

2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Vergleichsspannungsquelle (3) einen Schalttransistor (35) mit einem Steuer­ anschluß und mit zwei Schaltanschlüssen, einen Lastwiderstand (36) und eine Referenzspannungsquelle (37) mit gegebener Ausgangsimpedanz (38) auf­ weist, wobei die Referenzspannungsquelle (37) mit einem Referenzanschluß (30) der Vergleichsspannungsquelle (3), an dem die Vergleichsspannung (U_S) ansteht, verbunden ist, der Steueranschluß des Schalttransistors (35) mit dem Steuereingang (31) der Vergleichsspannungsquelle (3) verbunden ist, der Lastwiderstand (36) zum Schalttransistor (35) bezüglich dessen Schaltan­ schlüssen in Reihe geschaltet ist und der Referenzanschluß (30) über den Lastwiderstand (36) und den Schalttransistor (35) mit einem Bezugspotential­ anschluß (32), an dem ein Bezugspotential anliegt, verbunden ist.

3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Schalttransistor (35) als invers betriebener Bipolartransistor ausgeführt ist.

4. Schaltungsanordnung nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Temperaturerfassungseinheit (2) eine mit dem Schalt­ stufe (1) thermisch gekoppelte Meßdiode (22) als Temperatursensor und eine Ruhestromquelle (25) zur Einprägung eines Ruhestromes (I₀) in die Meßdiode (22) aufweist, wobei eine entlang der Meßdiode (22) abfallende Dioden­ durchflußspannung der Meßspannung (U_M) entspricht.

5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Meßdiode (22) als Bipolartransistor mit kurzgeschlossenem Kollektor- und Basis-Anschluß ausgeführt ist.

6. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Referenzspannungsquelle (37) als Bandgap-Spannungs­ quelle ausgeführt ist.