DE19521724A1 - Verfahren zur Herstellung einer Glühkathode für eine Elektronenröhre - Google Patents
Verfahren zur Herstellung einer Glühkathode für eine ElektronenröhreInfo
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 63
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 61
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 61
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 38
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 38
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 37
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 24
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 42
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 37
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 32
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 22
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 239000012071 phase Substances 0.000 claims description 16
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 10
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 9
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 claims description 6
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 70
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 13
- UJFNWDURPXOKHZ-UHFFFAOYSA-N iridium lanthanum Chemical compound [La].[Ir].[Ir].[Ir].[Ir].[Ir] UJFNWDURPXOKHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 7
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UOYHMMHRCBBMON-UHFFFAOYSA-N cerium iridium Chemical compound [Ce].[Ir] UOYHMMHRCBBMON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 3
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910000952 Be alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000858 La alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003723 Smelting Methods 0.000 description 1
- MEOSMFUUJVIIKB-UHFFFAOYSA-N [W].[C] Chemical compound [W].[C] MEOSMFUUJVIIKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012754 barrier agent Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000009395 breeding Methods 0.000 description 1
- 230000001488 breeding effect Effects 0.000 description 1
- 229910052729 chemical element Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004663 powder metallurgy Methods 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010671 solid-state reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010025 steaming Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/58—After-treatment
- C23C14/5806—Thermal treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/58—After-treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/58—After-treatment
- C23C14/5893—Mixing of deposited material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/13—Solid thermionic cathodes
- H01J1/14—Solid thermionic cathodes characterised by the material
- H01J1/146—Solid thermionic cathodes characterised by the material with metals or alloys as an emissive material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J35/00—X-ray tubes
- H01J35/02—Details
- H01J35/04—Electrodes ; Mutual position thereof; Constructional adaptations therefor
- H01J35/06—Cathodes
- H01J35/064—Details of the emitter, e.g. material or structure
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/04—Manufacture of electrodes or electrode systems of thermionic cathodes
- H01J9/042—Manufacture, activation of the emissive part
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Description
Die Erfindung betrifft Verfahren zur Herstellung einer Glüh
kathode für eine Elektronenröhre, welche Glühkathode auf
einem Substrat eine Schicht einer Legierung aus einem Metall
der Gruppe Ru, Rh, Pd, Os, Ir, Pt, Re und einem Element der
Gruppe Ba, Ca, La, Y, Gd, Ce, Th, U aufweist.
Die Schicht befindet sich zumindest in dem Bereich, in dem
die Elektronenemission bevorzugt erfolgen soll. Solche
Schichten weisen nämlich ein hohes Elektronen-Emissionsvermö
gen bei geringen Betriebstemperaturen und damit eine hohe Le
bensdauer bei verbesserter mechanischer Stabilität auf.
Ein Verfahren der eingangs genannten Art ist in der
EP 0 143 222 B1 beschrieben. Bei dem bekannten Verfahren wird
zunächst die Legierung oder eine entsprechende intermetalli
sche Verbindung auf schmelz- oder pulvermetallurgischem Wege
erzeugt und dann pulverisiert und auf naßmechanischem, chemi
schem, galvanischem oder schmelzmetallurgischem Weg auf das
Substrat aufgebracht. Die Herstellung von Beschichtungen nach
dem bekannten Verfahren ist also mit einem ganz erheblichen
Aufwand verbunden und entsprechend kostspielig.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde ein Verfahren der
eingangs genannten Art so auszubilden, daß es einfach und
kostengünstig durchführbar ist.
Nach der Erfindung wird diese Aufgabe gelöst durch ein Ver
fahren zur Herstellung einer Glühkathode für eine Elektronen
röhre, welche Glühkathode auf einem Substrat eine Schicht
einer Legierung aus einem Metall der Gruppe Ru, Rh, Pd, Os,
Ir, Pt, Re und einem Element der Gruppe Ba, Ca, La, Y, Gd,
Ce, Th, U aufweist, mit folgenden Verfahrensschritten:
- a) das Substrat wird mit dem Metall und dem Element der Grup pe durch Abscheidung aus der Dampfphase derart beschich tet, daß das Metall und das Element der Gruppe in dem der Legierung der herzustellenden Schicht entsprechenden Men genverhältnis auf dem Substrat vorhanden sind, und
- b) das Substrat wird für eine Zeitdauer, die zur Legierungs bildung ausreicht, erwärmt.
Die Abscheidung der beiden Legierungskomponenten aus der
Dampfphase kann in beliebiger, an sich bekannter Weise erfol
gen, z. B. durch Elektronenstrahl, aus dem Tiegel, durch Ver
dampfen, insbesondere Laserverdampfen, Sputtern usw. Die Bil
dung der Legierung erfolgt als Festkörperreaktion während der
Erwärmung, die sich an die Beschichtung anschließen oder,
insbesondere bei Cobeschichtung, d. h. gleichzeitiger Be
schichtung mit beiden Legierungskomponenten, gemäß einer be
sonders bevorzugten Ausführungsform der Erfindung während des
Beschichtungsvorganges erfolgen kann. Die Dauer der Erwärmung
ist um so kürzer, je höher die Temperatur ist, auf die das
Substrat zur Legierungsbildung erwärmt wird. Es wird also
deutlich, daß die Beschichtung nach der Erfindung mit einem
im Vergleich zu dem bekannten Verfahren deutlich verringerten
Aufwand und damit kostengünstiger hergestellt werden kann.
Das Mengenverhältnis der Legierungskomponenten ist entspre
chend der Stöchiometrie der jeweils gewünschten Legierung zu
wählen, wobei sich in der Praxis natürlich nicht nur die ge
wünschte Legierung, sondern lokal auch Legierungen bilden
werden, die mehr von der einen oder mehr von der anderen Le
gierungskomponente enthalten. Nur im Mittel wird die Legie
rungszusammensetzung der Schicht dem Mengenverhältnis der Le
gierungskomponenten entsprechen.
Es ist vorteilhaft, wenn die Temperatur, auf die das be
schichtete Substrat zur Legierungsbildung erwärmt wird, ge
ringer als die Schmelztemperatur der niedrigstschmelzenden
Phase der Legierung ist, weil andernfalls die Gefahr des Ab
dampfens der Schicht bestünde, sowie die Gefahr, daß bei
Überschreitung des Schmelzpunktes der niedrigstschmelzenden
Phase das Substrat durch flüssige Komponenten der Schicht so
zusagen angeätzt wird.
Wenn das Substrat bereits während des Beschichtungsvorganges
erwärmt wird, vorzugsweise auf eine Temperatur die geringer
als die Schmelztemperatur der niedrigstschmelzenden Phase der
Legierung ist, wird der Entstehung von Rissen in der sich
bildenden Schicht entgegengewirkt. Zugleich wird eine Zeiter
sparnis erreicht, da sich die Legierungsbildung zumindest
teilweise während der Beschichtung des Substrats vollzieht.
Je nach Schichtdicke und Beschichtungsdauer kann bereits die
Beschichtungsdauer zur Legierungsbildung in der gesamten
Schicht ausreichen. Die im Zuge des Beschichtungsvorganges
frei werdende Energie kann, je nach Beschichtungsverfahren,
bereits ausreichen, um die erforderliche Erwärmung zu bewir
ken. Andernfalls muß zum Zwecke der Erwärmung zusätzlich
Energie zugeführt werden. Reicht die Beschichtungsdauer zur
vollständigen Legierungsbildung nicht aus, kann die Tempera
tur unmittelbar im Anschluß an den Beschichtungsvorgang für
die zur Legierungsbildung in der gesamten Schicht erforder
liche Zeit gehalten werden. Es besteht aber auch die Möglich
keit das beschichtete Substrat nach vorheriger Abkühlung und
eventuell nach Entnahme aus der verwendeten Beschichtungsein
richtung erneut auf die erforderliche Temperatur zu erwärmen.
Die Schmelztemperatur der niedrigstschmelzenden Phase der
Legierung darf auch in diesem Fall aus den bereits genannten
Gründen nicht überschritten werden.
Um der Bildung von Rissen in der Schicht, sei es vor oder
nach der Legierungsbildung, entgegenzuwirken, sollte eine
sich an die zur Legierungsbildung dienende Erwärmung even
tuell anschließende Abkühlung allmählich erfolgen. Es besteht
im Zusammenhang mit der Vermeidung von Rissen auch die Mög
lichkeit, die Temperatur während der zur Legierungsbildung
erforderlichen Erwärmung allmählich abzusenken, was aller
dings zu einer Verlängerung der zur Legierungsbildung erfor
derlichen Zeit führt.
Grundsätzlich ist es möglich, das Substrat in mehreren
Schichten abwechselnd mit dem Metall und dem Element der
Gruppe zu beschichten, wobei der Beschichtungsvorgang wahl
weise mit dem Metall oder dem Element der Gruppe begonnen
werden kann. Einfacher ist es jedoch, das Substrat gleichzei
tig mit dem Metall und dem Element der Gruppe zu beschichten.
Dies kann entweder geschehen, indem das Metall und das Ele
ment der Gruppe separat aber gleichzeitig verdampft werden
oder indem die Legierung aus dem Metall und dem Element der
Gruppe sublimiert wird, z. B. durch Sputtern. Im ersten Falle
muß die zur Durchführung des Verfahrens vorgesehene Vorrich
tung so ausgebildet sein, daß es möglich ist, zwei Substanzen
separat aber gleichzeitig aus der Dampfphase abzuscheiden. Es
muß also eine Quelle für den Dampf des Metall und eine Quelle
für den Dampf des Elementes der Gruppe vorhanden sein. Im
zweiten Fall genügt eine Quelle, jedoch muß die Legierung aus
dem Metall und dem Element der Gruppe als Material zur
Verfügung stehen.
Unter Umständen kann es zweckmäßig sein, daß in einem weite
ren Verfahrens schritt im Anschluß an die Beschichtung mit dem
Metall und dem Element der Gruppe eine dünne aus der Dampf
phase abgeschiedene Schicht des Metalls aufgebracht wird.
Dies bietet den Vorteil, daß eine Oxidation der Beschichtung
vermieden und die Handhabungs- und Lagersicherheit erhöht
wird. Es genügt daher, wenn die Dicke der Schicht des Metalls
diejenige Dicke nicht oder nicht wesentlich übersteigt, die
erforderlich ist, um die darunterliegende Schicht vollständig
zu schützen. Eine Schutzschicht kann auch erzeugt werden,
wenn im Falle eines in mehreren Schichten abwechselnd mit dem
Metall und dem Element der Gruppe beschichteten Substrat als
letzte Schicht eine Schicht des Metalls aufgebracht wird, de
ren Dicke derart gewählt ist, daß sie die zur Legierungsbil
dung erforderliche Dicke übersteigt, so daß nach der Legie
rungsbildung eine Schicht des Metalls zurückbleibt.
Die Aufbringung einer Schutzschicht kann auch im Anschluß an
die der Legierungsbildung dienende Erwärmung noch zweckmäßig
sein, wenn die Umstände, unter denen das Substrat gehandhabt
bzw. gelagert wird, dies erfordern. Die bei der Aufbringung
der Schutzschicht auftretende Temperatur sollte dann aller
dings 200°C nicht überschreiten, um einer Legierungsbildung
des Metalls der Schicht mit dem darunterliegenden Material
entgegenzuwirken.
Gemäß Varianten der Erfindung kann das Substrat vor der Be
schichtung mit der Legierung mit einer dünnen Schicht eines
als Diffusionssperre geeigneten Materials und/oder das
Substrat bzw. die als Difussionssperre vorgesehene Schicht
vor der Beschichtung mit der Legierung mit einer dünnen
Schicht eines als Benetzungsmittel geeigneten Materials ver
sehen werden. Bei dem Substrat handelt es sich gemäß einer
Variante der Erfindung um ein hochschmelzendes Material, bei
spielsweise Wolfram (W), Molybdän (Mo), Tantal (Ta), Niob
(Nb), Zirkondioxid (ZrO₂) usw. Bei Verwendung eines Substrats
aus Wolfram eignet sich Wolframkarbid (W₂C und/oder WC) so
wohl als Difussionssperre als auch als Benetzungsmittel. Es
können also in vorteilhafter Weise durch eine einzige Schicht
die Funktionen der Diffusionssperre und des Benetzungsmittels
erfüllt werden. Die Schicht aus Wolframkarbid kann beispiels
weise hergestellt werden, indem auf das Substrat aus Wolfram
Kohlenstoff aufgedampft wird und anschließend in einer redu
zierenden Atmosphäre eine Erwärmung auf Temperaturen in der
Größenordnung von 1500°C erfolgt.
Besonders als Legierungskomponenten eignen sich als Metall
Platin (Pt), Osmium (Os) und insbesondere Iridium (Ir) und
als Element der Gruppe Cer und insbesondere Lanthan (La).
Dies gilt insbesondere dann, wenn gemäß einer besonders be
vorzugten Ausführungsform der Erfindung vorgesehen ist, daß
der Verfahrensschritt der Erwärmung auf die unterhalb der
Schmelztemperatur der niedrigstschmelzenden Phase der Legie
rung liegende Temperatur durch Beheizen der Glühkathode in
nerhalb der Elektronenröhre, vorzugsweise im Zuge des Aushei
zens beim Evakuieren der Elektronenröhre, erfolgt. Die ge
nannten Elemente (Pt, Os, Ir einerseits und La andererseits)
eignen sich deshalb gut für Glühkathoden, weil die aus Ihnen
gebildete Schicht bereits bei einer relativ niedrigen Be
triebstemperatur in ausreichendem Maße Elektronen emittiert
und ihr Schmelzpunkt um ein ausreichendes Maß oberhalb der
Betriebstemperatur liegt. Für aus anderen Elementen gebildete
Schichten sollte sichergestellt sein, daß der Schmelzpunkt
wenigstens ca. 200°C oberhalb der Betriebstemperatur liegt.
Ein Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend an
hand der beigefügten Zeichnungen beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 und 2 in schematischer Darstellung einen Schnitt
durch ein für eine Glühkathode bestimmtes
Substrat mit einer nach einem erfindungsgemäßen
Verfahren hergestellten Schicht vor und nach
dem Tempern,
Fig. 3 und 4 in perspektivischer Darstellung Glühkathoden
welche ein nach Substrat mit einer nach dem er
findungsgemäßen Verfahren hergestellten Schicht
enthalten,
Fig. 5 eine Röntgenröhre, welche eine Glühkathode nach
Fig. 3 enthält, während des Herstellungsprozes
ses, und
Fig. 6 in zu der Fig. 2 analoger Darstellung ein für
eine Glühkathode bestimmtes Substrat mit einer
nach einem weiteren erfindungsgemäßen Verfahren
hergestellten Schicht nach dem Tempern.
Zur Herstellung einer Glühkathode wird zunächst ein Substrat
aus einem hochschmelzenden Material, z. B. einem der Gruppe W,
Mo, Ta, Nb, ZrO₂, zumindest im Bereich seiner zu beschichten
den Oberfläche mit einer als Diffusionssperre und Benetzungs
mittel geeigneten Schicht versehen. Wird wie im Falle des be
schriebenen Ausführungsbeispiels Wolfram als Material für das
Substrat verwendet, wird das Substrat zunächst auf an sich
bekannte Weise (z. B. durch Erwärmen auf 1500°C in einer koh
lenstoffhaltigen Atmosphäre, z. B. CO₂) karburiert, wodurch
eine Schicht aus Wolframkarbid als Diffusionssperre und Be
netzungsmittel entsteht.
Das karburierte Substrat wird dann an seinen beiden Seiten
flächen an Haltern befestigt. Diese Anordnung wird in einen
Hochvakuumkessel (p<10-6 mbar) gebracht, in dem sich die Ver
dampfungsanlage befindet. Diese besteht z. B. aus einer Elek
tronenkanone und zwei Tiegeln, wobei der eine Tiegel ein Me
tall der Gruppe Ru, Rh, Pd, Os, Ir, Pt, Re , im Falle des be
schriebenen Ausführungsbeispiels Iridium, und der andere ein
Element der Gruppe Ba, Ca, La, Y, Gd, Ce, Th, U , im Falle
des beschriebenen Ausführungsbeispiels Lanthan, enthält. Der
Abstand und die Lage des Substrats relativ zu der Verdamp
fungsanlage sind so gewählt, daß eine ausreichende Schicht
dickenhomogenität gewährleistet ist. Die Beschichtung beginnt
z. B. mit einer Schicht aus Lanthan definierter Schichtdicke.
Anschließend wird eine Schicht aus Iridium aufgedampft, wobei
die Schichtdicke. Es folgt eine weitere Schicht aus Lanthan.
Die Dicke der Iridiumschicht ist so gewählt, daß sich ein
Mengenverhältnis von Lanthan und Iridium ergibt, wie es
stöchiometrisch zur Bildung von Ir₂La mit den beiden
angrenzende Lanthanschichten nötig ist. Die zweite
Lanthanschicht ist im Hinblick darauf, daß eine weitere Iri
diumschicht folgt, doppelt so dick wie die erste Schicht, da
die nachfolgende Legierungsbildung in beide Richtungen, d. h.
mit beiden Lanthanschichten, erfolgt. Die Beschichtung mit
Iridium und Lanthan wird abwechselnd fortgesetzt und endet
mit einer Schicht aus Iridium, deren Dicke im Falle des be
schriebenen Ausführungsbeispiels größer ist, als dies
stöchiometrisch zur Bildung von Ir₂La erforderlich ist. Hier
durch ist gewährleistet, daß nach Abschluß der Legierungsbil
dung eine Iridiumschicht als Schutzschicht verbleibt. Falls
eine solche Schutzschicht nicht erforderlich ist, beschränkt
sich die Dicke der letzten Schicht auf das zur Legierungsbil
dung stöchiometrisch notwendige Maß.
Das karburierte Substrat wird zur Vermeidung von Rissen in
der sich ausbildenden Schicht während des Beschichtungsvor
gangs auf einer Temperatur gehalten, die geringer als die
Schmelztemperatur der niedrigstschmelzenden Phase der Legie
rung ist. Im Falle von Iridium und Lanthan ist dies eine Tem
peratur von z. B. 600°C, da die Schmelztemperatur der nied
rigstschmelzenden Phase des Systems Iridium-Lanthan, nämlich
des Eutektikums, bei ca. 730°C liegt. Die bei der Beschich
tung des Substrates ohnehin auftretende Verlustwärme genügt
u. U. schon, um die Erforderliche Erwärmung zu bewirken. Er
forderlichenfalls wird zusätzlich Wärme zugeführt.
Das karburierte Substrat mit den einzelnen Schichten aus
Lanthan und Iridium ist in Fig. 1 in schematischer Darstel
lung veranschaulicht. Dabei bezeichnen 1 das Substrat, 2 die
durch die Karburierung entstandene Wolframkarbidschicht, 3, 4
und 5 Lanthanschichten und 6, 7 und 8 Iridiumschichten, wobei
die Iridiumschicht 8 zur Bildung einer Schutzschicht eine
vergrößerte Dicke aufweist; die zur Legierungsbildung
stöchiometrisch notwendige Dicke der Iridiumschicht S ist
strichliert angedeutet. Es versteht sich, daß die Darstellung
gemäß Fig. 1 idealisiert ist, da die Legierungsbildung infol
ge von durch die bei der Beschichtung auftretende Erwärmung
geförderte Diffusionsvorgänge schon während der Beschichtung
einsetzt und somit am Ende des Beschichtungsvorganges anders
als in Fig. 1 dargestellt keine klar gegeneinander abgegrenz
te Schichten mehr vorhanden sind.
Zur Legierungsbildung bzw. zum Abschluß der Legierungsbildung
wird das Substrat, das nach dem Beschichten allmählich auf
Raumtemperatur abgekühlt wurde mehrere Stunden bei 600°C im
Vakuum getempert. Die Temperatur von 600°C liegt unterhalb
der Schmelztemperatur der niedrigstschmelzenden Phase der
sich bildenden Legierung, d. h. unterhalb des Schmelzpunktes
des Eutektikums des Systems Iridium-Lanthan (730°C). Die er
forderliche Erwärmung kann indirekt durch eine besondere Wär
mequelle oder direkt durch direkten Stromdurchgang erfolgen.
Im Falle der Beheizung durch direkten Stromdurchgang kann der
erforderliche Strom z. B. über die obengenannten Halter
fließen. Die Dauer des Tempervorganges ist von der Dicke der
einzelnen Schichten 3 bis 8 abhängig und um so kürzer je dün
ner die Schichten 3 bis 8 sind.
Das getemperte Substrat ist in Fig. 2 schematisch veranschau
licht. Es bezeichnen 1 das Substrat, 2 die Wolframkarbid
schicht, 9 die durch das Tempern gebildete Schicht aus Iridi
um-Lanthan (Ir₂La) und 8′ eine Schutzschicht aus Iridium, bei
der es sich um den bei der Legierungsbildung nicht verbrauch
ten Rest der Iridiumschicht 8 handelt. Es versteht sich, daß
in der Praxis anders als in der Fig. 2 dargestellt kein
scharfer Übergang zwischen der Iridium-Lanthan-Schicht 9 und
der Schutzschicht 8′ vorliegt. Innerhalb der Iridium-Lanthan-
Schicht liegt nach Abschluß des nur eine begrenzte Zeit, z. B.
30 Minuten, dauernden Tempervorganges selbstverständlich
nicht an allen Stellen die an sich angestrebte Legierung,
d. h. Ir₂La, vor. Vielmehr werden an manchen Stellen lanthan
reichere Legierungen, z. B. Ir₃La₇₁ und an anderen Stellen
lanthanärmere Legierungen, z. B. Ir₅La, vorliegen.
In Fig. 3 ist eine Glühkathode 10 dargestellt, die unter Ver
wendung eines nach dem vorstehenden Verfahren beschichteten
Substrats aufgebaut ist. In Fig. 3 sind die gleichen Bezugs
zeichen wie in Fig. 2 verwendet, d. h., das Substrat ist mit
1, die Iridium-Lanthan-Schicht mit 9 und die Schutzschicht
mit 8′ bezeichnet.
Die Glühkathode 10 ist als Flachemitter ausgeführt, d. h., das
Substrat 1 weist zwei ebene, im Falle der Fig. 3 planparal
lele Flächen auf, von denen nur eine beschichtet ist. Bei
dieser Fläche handelt es sich um denjenigen Bereich, in dem
die Emission von Elektronen erfolgen soll.
Die Glühkathode 10 gemäß Fig. 3 ist mit Anschlüssen 11 und 12
versehen, die zur Zu- und Ableitung des Heizstromes dienen,
d. h., die in Fig. 3 dargestellte Glühkathode 10 wird zur
Elektronenemission durch direkten Stromdurchgang beheizt. Es
versteht sich aber, daß es im Falle unter Verwendung eines in
der zuvor beschriebenen Weise hergestellten Substrats aufge
bauter Glühkathoden auch möglich ist, diese zur Elektronen
emission in an sich bekannter Weise indirekt zu beheizen.
Während es sich im Falle der in Fig. 3 dargestellten Glühka
thode 10 wie erwähnt um einen Flachemitter handelt, ist die
in Fig. 4 dargestellte Glühkathode 13 als Formemitter ausge
führt, d. h., derjenige Bereich, in dem die Emission von Elek
tronen erfolgen soll ist nicht eben, sondern gekrümmt, und
zwar handelt es sich in Fig. 4 bei dem Bereich um eine kon
kav-zylindrische Fläche.
Ansonsten ist die Glühkathode 13 analog zur Glühkathode 10
aufgebaut.
Es versteht sich, daß im Betrieb der Glühkathoden 10 und 13
die Schutzschicht 8′ nicht mehr vorhanden sein darf, da sonst
eine ordnungsgemäße Funktion der Glühkathoden 10 und 13 nicht
gewährleistet wäre.
Im Falle der Glühkathoden 10 und 13 erfolgt im Betrieb der
Stromdurchgang sowohl durch das Substrat 1 als auch die Iri
dium-Lanthan-Schicht 9, sofern das Substrat 1 aus einem elek
trisch leitenden Werkstoff gebildet ist. Im Falle eines aus
einem elektrisch isolierenden Werkstoff gebildeten Substrats
erfolgt der Stromdurchgang nur durch die Iridium-Lanthan-
Schicht 9. Um übermäßig hohe Heizströme zu vermeiden, kann es
auch zweckmäßig sein, das Substrat aus einem Material zu bil
den, das aus elektrisch leitfähigem und elektrisch isolieren
den Komponenten zusammengesetzt ist.
In der Fig. 5 ist eine Röntgenröhre dargestellt, die eine
insgesamt mit 14 bezeichnete Drehanodenanordnung aufweist,
die in einem Vakuumkolben 15 untergebracht ist. Der Vakuum
kolben 15 enthält außerdem noch in an sich bekannter Weise
eine Kathodenanordnung 16, in deren Kathodenbecher 17 eine in
Fig. 5 nicht sichtbare Glühkathode aufgenommen ist, die ein
gemäß dem beschriebenen Verfahren hergestelltes Substrat ent
hält und beispielsweise gemäß Fig. 3 oder Fig. 4 ausgebildet
ist.
Die Drehanodenanordnung 14 weist einen Anodenteller 18 auf,
der an dem einen Ende einer Lagerungswelle 19 fest angebracht
ist. Um die drehbare Lagerung der Drehanodenanordnung 14 zu
gewährleisten, sind als Lager zwei Wälzlager 20, 21 vorgese
hen.
Um die Drehanodenanordnung 14 in Rotation versetzen zu kön
nen, ist ein Elektromotor vorgesehen, dessen fest mit der La
gerungswelle verbundener Rotor mit 22 bezeichnet ist. Der
schematisch angedeutete Stator 23 ist im Bereich des Rotors
22 auf die Außenwand des Vakuumkolbens 15 aufgesetzt und bil
det mit dem Rotor 22 einen elektrischen Kurzschlußläufermo
tor, der bei Versorgung mit dem entsprechenden Strom die
Drehanodenanordnung 14 rotieren läßt.
Werden in üblicher, nicht dargestellter Weise die Heizspan
nung für die Glühkathode der Kathodenanordnung 16 und die
Röntgenröhrenspannung, die zwischen Kathodenanordnung 16 und
Drehanodenanordnung 14 liegt, angelegt, geht von der Glühka
thode der Kathodenanordnung 16 ein Elektronenstrahl aus, der
im sogenannten Brennfleck oder Fokus auf den Anodenteller 18
auftrifft und dort Röntgenstrahlen auslöst, die durch den Va
kuumkolben 15 aus der Röntgenröhre austreten. Infolge der Ro
tation der Drehanodenanordnung 14 bildet sich auf dem Anoden
teller 18 eine sogenannte Brennfleckbahn von ringförmiger Ge
stalt aus, da ständig eine andere stelle des Anodentellers 18
mit dem Elektronenstrahl beaufschlagt wird.
Der Vakuumkolben 15 weist einen Pumpstutzen 24 auf, der dazu
dient, während des Herstellungsprozesses der Röntgenröhre ei
ne Vakuumpumpe anschließen zu können, die der Evakuierung des
Inneren des Vakuumkolbens dient. Nach erfolgter Evakuierung
wird der Pumpstutzen 24 vakuumdicht verschlossen.
Im Zuge des Evakuierens des Vakuumkolbens 15 erfolgt das so
genannte Ausheizen der Röntgenröhre. Hierbei wird die Rönt
genröhre bei bereits evakuiertem Vakuumkolben 15 und noch an
den noch nicht verschlossenen Pumpstutzen 24 angeschlossenen
Vakuumpumpe in Betrieb genommen. Infolge der dann starken
Aufheizung der Röntgenröhre treten gasförmige Verunreinigun
gen aus den Bauelementen der Röntgenröhre aus bzw. verdampfen
niedrig schmelzende Verunreinigungen und werden mittels der
Vakuumpumpe, die in Fig. 5 schematisch angedeutet und über
eine Leitung 26 mit dem Pumpstutzen 24 verbunden ist, aus dem
Inneren des Vakuumkolbens 15 abgesaugt.
Da die Glühkathode im Zuge des Ausheizens auf Temperaturen
aufgeheizt wird, die einerseits geringer als die Schmelztem
peratur der niedrigstschmelzenden Phase von Iridium-Lanthan
sind und andererseits zur Legierungsbildung ausreichen, be
steht die Möglichkeit, abweichend von dem zuvor Beschriebenen
nach der Beschichtung des Substrats auf die Erwärmung zu ver
zichten und die Erwärmung statt dessen im Zuge des Ausheizens
der Röntgenröhre vorzunehmen.
Im Zuge des Ausheizens wird auch die Schutzschicht 8′ der
Glühkathode verdampft, sofern die Schutzschicht zu diesem
Zeitpunkt noch vorhanden sein sollte.
Die Fig. 6 in zu der Fig. 2 analoger Darstellung gezeigte
Ausführungsform der Erfindung unterscheidet sich von der zu
vor beschriebenen dadurch, daß das Substrat 1 mit dem Metall,
z. B. Iridium, und dem Element der Gruppe, z. B. Cer, bei
spielsweise nach einem der eingangs genannten Verfahren zur
Bildung einer einzigen Schicht 27 gleichzeitig mit Iridium
und Cer, und nicht abwechselnd schichtweise, beschichtet
wurde. Beim Aufbringen der Schicht 27 muß sichergestellt
sein, daß bezogen auf die gesamte Schicht 27 Iridium und Cer
in für die Bildung der jeweils gewünschten Legierung erfor
derlichen Mengenverhältnis vorliegen. Dabei können nach der
Beschichtung lokal abweichende Mengenverhältnisse vorliegen,
die sich im Zuge einer zur Legierungsbildung stattfindenden
Erwärmung auf eine Temperatur unterhalb der Schmelztemperatur
der niedrigstschmelzenden Phase des Systems Iridium-Cer, näm
lich des Eutektikums, zumindest teilweise ausgleichen. Die
Schmelztemperatur des Eutektikums des Systems Iridium-Cer
liegt bei 650°C.
Die Erwärmung auf eine Temperatur unterhalb der Schmelztempe
ratur der niedrigstschmelzenden Phase des Systems Iridium-Cer
erfolgt dergestalt, daß die während des Beschichtungsvorgan
ges auftretende Erwärmung ausgenutzt und im Anschluß an die
Beschichtung eine Temperatur von beispielsweise 500°C noch
für eine Zeitdauer, erforderlichenfalls unter Wärmezufuhr,
gehalten wird, die erforderlich ist, um die Legierungsbildung
wenigstens im wesentlichen abzuschließen.
Zwischen dem Substrat 1 und der Schicht 27 ist wieder eine
als Diffusionssperre und Benetzungsmittel wirksame Schicht 2
vorgesehen.
Im Anschluß an den Beschichtungsvorgang zur Erzeugung der
Schicht 27 und die zur Legierungsbildung erforderliche Erwär
mung wurde auf der Schicht 27 eine Schutzschicht 28 aus dem
Metall, d. h. aus Iridium, durch Abscheidung aus der Dampf
phase bei einer Temperatur von maximal 200°C erzeugt.
Im Falle der beiden vorstehend beschriebenen Ausführungsbei
spiele erfolgt zur Legierungsbildung jeweils eine Erwärmung
auf eine Temperatur, die geringer als die Schmelztemperatur
der niedrigstschmelzenden Phase der Legierung ist. Wenn si
chergestellt ist, daß Beschädigungen des Substrates nicht
auftreten, sind jedoch auch höhere Temperaturen, beispiels
weise in der Größenordnung von 1500°C möglich.
Claims (20)
1. Verfahren zur Herstellung einer Glühkathode für eine Elek
tronenröhre, welche Glühkathode auf einem Substrat (1) eine
Schicht (9) einer Legierung aus einem Metall der Gruppe Ru,
Rh, Pd, Os, Ir, Pt, Re und einem Element der Gruppe Ba, Ca,
La, Y, Gd, Ce, Th, U aufweist, mit folgenden Verfahrens
schritten:
- a) das Substrat (1) wird mit dem Metall und dem Element der Gruppe durch Abscheidung aus der Dampfphase derart be schichtet, daß das Metall und das Element der Gruppe in dem der Legierung der herzustellenden Schicht (9, 27) ent sprechenden Mengenverhältnis auf dem Substrat (1) vorhan den sind, und
- b) das Substrat (1) wird für eine Zeitdauer, die zur Legie rungsbildung ausreicht erwärmt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, bei welchem das Substrat (1)
auf eine Temperatur erwärmt wird, die geringer als die
Schmelztemperatur der niedrigstschmelzenden Phase der
Legierung ist.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei welchem das Substrat
(1) während des Beschichtens erwärmt wird.
4. Verfahren nach Anspruch 3, bei welchem das Substrat (1)
während des Beschichtens auf eine Temperatur erwärmt wird,
die geringer als die Schmelztemperatur der niedrigstschmel
zenden Phase der Legierung ist.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei das
Substrat (1) in mehreren Schichten (6, 7, 8 bzw. 3, 4, 5) ab
wechselnd mit dem Metall und dem Element der Gruppe beschich
tet wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei das
Substrat (1) gleichzeitig mit dem Metall und dem Element der
Gruppe beschichtet wird.
7. Verfahren nach Anspruch 6, wobei die gleichzeitige Be
schichtung mit dem Metall und dem Element der Gruppe derart
erfolgt, daß das Metall und das Element der Gruppe separat,
aber gleichzeitig verdampft werden.
8. Verfahren nach Anspruch 6, wobei die gleichzeitige Be
schichtung mit dem Metall und dem Element der Gruppe derart
erfolgt, daß ein beide enthaltendes Material verdampft wird.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, mit dem weite
ren Verfahrenschritt, daß auf im Anschluß an die Beschichtung
mit dem Metall und dem Element der Gruppe eine dünne aus der
Dampfphase abgeschiedenen Schicht (28) des Metalls aufge
bracht wird.
10. Verfahren nach Anspruch 5, wobei als letzte Schicht eine
Schicht (8) des Metalls aufgebracht wird, deren Dicke derart
gewählt ist, daß sie die zur Legierungsbildung erforderliche
Dicke übersteigt, so daß nach der Legierungsbildung eine
Schicht (8′) des Metalls zurückbleibt.
11. Verfahren nach Anspruch 9 oder 10, wobei die Dicke der
Schicht (8′, 28) des Metalls diejenige Dicke nicht oder nicht
wesentlich übersteigt, die erforderlich ist, um die darunter
liegende Schicht vollständig zu schützen.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, bei dem die
Legierung als Metall Iridium und als Element der Gruppe Lan
than enthält.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12, mit dem wei
teren Verfahrenschritt, daß das Substrat (1) vor der Be
schichtung mit dem Metall und dem Element der Gruppe mit ei
ner dünnen Schicht (2) eines als Diffusionssperre geeigneten
Materials versehen wird.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, mit dem wei
teren Verfahrenschritt, daß das Substrat (1) bzw. die als
Diffusionssperre vorgesehene Schicht vor der Beschichtung mit
dem Metall und dem Element der Gruppe mit einer dünnen
Schicht (2) eines als Benetzungsmittel geeigneten Materials
versehen wird.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 14, bei dem ein
Substrat (1) aus einem hochschmelzenden Material, z. B. W, Mo,
Ta, Nb, ZrO₂, verwendet wird.
16. Verfahren nach Anspruch 15, wobei der Verfahrensschritt
der Erwärmung auf die unterhalb der Schmelztemperatur der
niedrigstschmelzenden Phase der Legierung liegende Temperatur
zumindest teilweise durch Beheizen der Glühkathode (10, 13)
innerhalb der Elektronenstrahlröhre erfolgt.
17. Verfahren nach Anspruch 16, wobei das Beheizen der Glüh
kathode (10, 13) innerhalb der Elektronenröhre im Zuge des
Ausheizens der Elektronenröhre erfolgt.
18. Glühkathode für eine Elektronenröhre, insbesondere Rönt
genröhre, welche nach einem Verfahren nach einem der Ansprü
che 1 bis 15 hergestellt und als Flachemitter (10) ausgeführt
ist.
19. Glühkathode für eine Elektronenröhre, insbesondere Rönt
genröhre, welche nach einem Verfahren nach einem der Ansprü
che 1 bis 15 hergestellt und welche als Formemitter (13) aus
geführt ist.
20. Glühkathode nach Anspruch 18 oder 19, welche nur in dem
jenigen Bereich, in dem die Emission von Elektronen erfolgen
soll, mit der Legierung beschichtet ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19521724A DE19521724A1 (de) | 1994-06-22 | 1995-06-14 | Verfahren zur Herstellung einer Glühkathode für eine Elektronenröhre |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4421809 | 1994-06-22 | ||
DE19521724A DE19521724A1 (de) | 1994-06-22 | 1995-06-14 | Verfahren zur Herstellung einer Glühkathode für eine Elektronenröhre |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19521724A1 true DE19521724A1 (de) | 1996-01-04 |
Family
ID=6521205
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19521724A Withdrawn DE19521724A1 (de) | 1994-06-22 | 1995-06-14 | Verfahren zur Herstellung einer Glühkathode für eine Elektronenröhre |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5580291A (de) |
JP (1) | JPH08171852A (de) |
DE (1) | DE19521724A1 (de) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100338035B1 (ko) * | 1994-12-28 | 2002-11-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 직열형음극및그제조방법 |
US6238122B1 (en) * | 1999-03-01 | 2001-05-29 | Exhaust Etiquette | Display device and method therefor |
KR100315123B1 (ko) | 2000-01-10 | 2001-11-29 | 김순택 | 전자빔 장치용 음극 물질 |
US7795792B2 (en) | 2006-02-08 | 2010-09-14 | Varian Medical Systems, Inc. | Cathode structures for X-ray tubes |
JP5131735B2 (ja) * | 2007-04-12 | 2013-01-30 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 面エミッタの製造方法、点エミッタの製造方法及び構造体 |
JP6285254B2 (ja) * | 2014-04-02 | 2018-02-28 | 大学共同利用機関法人 高エネルギー加速器研究機構 | 電子ビーム生成用カソード部材およびその製造方法 |
JP6761522B1 (ja) * | 2019-09-02 | 2020-09-23 | 株式会社コベルコ科研 | 電子ビーム生成用カソード部材およびその製造方法 |
JP6922054B2 (ja) * | 2019-09-02 | 2021-08-18 | 株式会社コベルコ科研 | 電子ビーム生成用カソード部材およびその製造方法 |
JP2025054954A (ja) * | 2023-09-27 | 2025-04-08 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電子源、これを用いた電子銃及びデバイス |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3703405A (en) * | 1970-10-27 | 1972-11-21 | Atomic Energy Commission | Vapor deposition of rhenium and rhenium-tungsten alloy coatings |
US4142023A (en) * | 1975-12-16 | 1979-02-27 | United Technologies Corporation | Method for forming a single-phase nickel aluminide coating on a nickel-base superalloy substrate |
JPH0670858B2 (ja) * | 1983-05-25 | 1994-09-07 | ソニー株式会社 | 光磁気記録媒体とその製法 |
EP0143222B1 (de) * | 1983-09-30 | 1987-11-11 | BBC Aktiengesellschaft Brown, Boveri & Cie. | Glühkathode mit hohem Emissionsvermögen für eine Elektronenröhre und Verfahren zu deren Herstellung |
JPH01268869A (ja) * | 1988-04-20 | 1989-10-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | スパッタリング装置 |
US4894257A (en) * | 1988-07-05 | 1990-01-16 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of America | Method of overcoating a high current density cathode with rhodium |
US4957463A (en) * | 1990-01-02 | 1990-09-18 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Method of making a long life high current density cathode from tungsten and iridium powders using a quaternary compound as the impregnant |
-
1995
- 1995-06-14 DE DE19521724A patent/DE19521724A1/de not_active Withdrawn
- 1995-06-22 JP JP15650295A patent/JPH08171852A/ja not_active Withdrawn
- 1995-06-22 US US08/493,737 patent/US5580291A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5580291A (en) | 1996-12-03 |
JPH08171852A (ja) | 1996-07-02 |
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Date | Code | Title | Description |
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8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |