DE1943140A1 - Elektronenstrahl-Geraet - Google Patents
Elektronenstrahl-GeraetInfo
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- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims description 16
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 63
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 claims 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 claims 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 230000009291 secondary effect Effects 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 1
- 239000000700 radioactive tracer Substances 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J37/266—Measurement of magnetic or electric fields in the object; Lorentzmicroscopy
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Description
CAMBRIDGE SCIENTIFIC INSTRUMENTS LIMITED, Cambridge (England)
und CHARLES WILLIAM OATLEY, Cambridge (England)
Elektronenstrahl-Gerat
Die Erfindung betrifft einen Apparat zum Abtasten von Elektronenstrahlen, bei welchem ein scharfer Strahl oder eine
Sonde von Elektronen auf einen Prüfling gerichtet ist und über einen Bereich dieses Prüflings abgetastet wird. Die Sekundärelektronen,
die durch den Aufprall reflektiert und/oder erzeugt werden, werden gesammelt und zur Erzeugung eines Kontrastbildes
des abgetasteten Bereichs benutzt. Sie vermitteln dadurch eine charakteristische Wiedergabe von diesem Bereich.'
Die Erfindung betrifft im besonderen die Hervorbringung eines Bildes, das die Verteilung des elektrischen Potentials
über die Oberfläche des Prüflings zeigt. Dies schließt die Verteilung anderer Eigenschaften ein, die gleichfalls in der Lage
sind und dazu benutzt werden, Rückschlüsse auf einen Potentialkontrast zu ziehen.
Bei bekannten abtastenden Elektronen-Mikroskopen führen die primären Elektronen, d.h. jene des Strahles, die auf den
Prüfling gerichtet sind, im allgemeinen hohe Energien, die in einem typischen Fall 20 KeV betragen können, wenn auch mitunter
wesentlich geringere Energien verwendet werden. Von den Elektronen, die von dem abgetasteten Bereich des Prüflings ausgestrahlt
werden und die häufig ungenau sekundäre Elektronen genannt wer-
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den, besteht ein Teil aus reflektierten primären Elektronen, die nur wenig von ihrer Anfangsenergie verloren haben, während
die verbleibenden Elektronen wahre sekundäre Elektronen mit einer Energie sind, die zwischen null und einigen'Zehnteln
Elektronen-Volt liegen.
Ein Teil der Elektronen, die den Prüfling verläßt, muß gesammelt werden, damit ein Signal zustande kommt, von v/elchem
das Bild des Prüflings auf dem Schirm einer Kathodenstrahl-Röhre oder auf einem anderen geeigneten Wiedergabegerät erscheint.
Zu diesem Zweck wird ein Kollektor auf einem mit bezug auf den Prüfling positiven Potential gehalten, so daß sekundäre Elektronen
über einen mäßig weiten festen Winkel von ihm angezogen
werden. Einige der reflektierten primären Elektronen v/erden ebenfalls gesammelt werden. In einem typischen Pail kann die
Potentialdifferenz zwischen dem Prüfling und dem Kollektor 250,Volt betragen.
Der Kontrast in dem Bild ergibt sich in erster Linie durch die Tatsache, daß die Zahl der Elektronen, die von dem
Prüfling zum Kollektor gelangt und daher die Stärke des Ausgangssignals vom Kollektor ausmacht, von den topographischen
Eigenschaften der Oberfläche sowie von dem Koeffizient der Sekundäremission an der Stelle abhängt, auf die der primäre Strahl
auftrifft. Bei geeigneter Anordnung des Kollektors hängt die
Zahl der Elektronen, die ihn erreichen, auch von dem Potential (in bezug auf den Kollektor und/oder benachbarte Elemente auf
der Prüflings-Oberfläche) desjenigen Bereichs des Prüflings ab, auf welchen der primäre Strahl einfällt. Potential-Änderungen
eines Bruchteils von einem Volt an der Oberfläche des Prüflings können, so zu beobachtbaren Änderungen in dar Klarheit der entsprechenden
Teile des Bildes Veranlassung geben. Solche Änderungen
in der Klarheit des Bildes jedoch, die von Potentialän-
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derungen auf dem Prüfling herrühren, können auch durch Klarheitsänderungen
verdeckt sein, die durch topographische Eigenschaften der Prüflingsoberfläche oder durch Änderungen ihres
Koeffizienten der Sekundäremission verursacht sind. Selbst wenn dies nicht der Fall ist, ist eine Deutung des gesamten Kontrastes
auf dem Bild oft schwierig.
Der hauptsächliche Zweck der Erfindung besteht darin, so weit wie möglich störende Einflüsse der Topographie und andere
Effekte im Gleichgewicht zu halten und die Ausbreitung eines Potentialkontrastes weitgehend unabhängig von solchen
Einflüssen zu gestatten.
ErfindungsgemäQ kommt auf den Prüfling oder auf eine
Elektrode, die in die Bahn zwischen dem Prüfling und dem Kollektor eingeführt wird, eine Spannung zur Anwendung, de schnell
an- und ausgeschaltet wird, so daß bei angeschalteter Spannung Potential-Änderungen auf der Oberfläche des Prüflings oder Änderungen
in dem den Kollektor erreichenden Signal auf tr-:.
diese Änderungen jedoch verschwinden, wenn sie wieder ai schaltet wird.
Im Synchronismus mit diesen Schaltvorgängen wird der
Ausgang des Kollektors der Sekundärelektronen auf untereinander abwechselnde Kanäle geschaltet und es ist dann die Differenz
zwischen diesen beiden Kanälen, die zur Herbeiführung des Kontrastbildes dient. In einer bevorzugten Ausbildungsart ist
das Signal in jedem Kanal eine amplituden-modulierte Rechteckwelle. Als vorteilhaft ist zu. vermerken, daß das Signal in einem
Kanal den Bedingungen bei an den Prüfling angelegter Spannung entspricht, während das Signal in dem anderen Kanal mit
einer zur Anwendung kommenden Null-Spannung übereinstimmt. Bei
der bevorzugten Anordnung ist das Ausgangssignal jedes Kanals
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durch einen Demodulator geführt und die beiden demodulierten Signale sind voneinander subtrahiert. Das sich ergebende Differenz-Signal
wird dann benutzt, um die Fleck-Helligkeit der Kathodenstrahl-Röhre zu.ändern, die wie bei normalen abtastenden
Elektronenmikroskopen im Synchronismus mit dem Elektronenstrahl abgetastet wird, der auf den Prüfling auftrifft. Auf
diese Weise wird ein sichtbares zweidimensionales Bild auf dem Schirm zustande gebracht, in welchem der Kontrast in erster
Linie von den Xnderungen des Potentials auf der Oberfläche des Prüflings herrührt.
Im nachstehenden werden weitere Einzelheiten der Erfindung anhand der Zeichnung erläutert, in der mehrere Ausführungs
beispiele dafür wiedergegeben sind. Insbesondere zeigt
Fig. 1 in schematischer Darstellung den Elektronenstrahl-Apparat
nach der Erfindung in seiner einfachsten Form mit einer in einer gebrochenen Linienführung wiedergegebenen
Änderung;
Fig. 2 eine graphische Darstellung der Schaltfolgen, die in der geänderten Ausführungsform Verwendung findenj und
Fig. 3 ein Diagramm, das nur den Bereich des Prüflings
und den Kollektor sowie eine weitere Vervollkommnung der Erfindung erkennen läßt.
Nach Fig. 1 ist der Elektronenstrahl-Apparat im wesentlichen von bekanntem Aufbau, d.h. er setzt sich aus einem Elektronenstrahl-Erzeuger
G, einer Beschleunigungs-Anode A, strahlformende sowie Endlinsen Ll und L2 und schließlich aus den
Spulen C zusammen. Der Strahl trifft auf einen Prüfling S auf und die sich dadurch ergebenden nach rückwärts gestreuten oder
sekundären Elektronen werden durch einen Detektor nach Art ei-
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-tiElektronenkollektors aufgefangen, beispielsweise eines
Szintillators, der mit einem Photovervielfacher D verbunden ist. In einer bekannten Ausführungsform des Apparates werden
die Signale von dem Photovervielfacher einfach verstärkt und dazu benutzt, die Klarheit der Leuchtspur auf dem Schirm einer
Kathodenstrahl-Röhre CR zu steuern, deren Strahl im Synchronismus mit dem Abtasten des Analysators abgetastet wird, so daß
ein solches Bild des abgetasteten Bereichs des Prüflings auf dem Schirm dargestellt wird, dessen Kontrast den der Prüflingsoberfläche wiedergibt, die ihrerseits eine Änderung in der Zahl
der Elektronen hervorruft, die den Detektor D erreichen, wenn sich der Strahl über die Oberfläche bewegt.
Hat die Prüflingsoberfläche Gebiete von unterschiedlichem elektrischen Potential, so werden dadurch unterschiedliche
Signale in dem Detektor zustande gebracht, wodurch ein Bild von der Potential-Verteilung gewonnen werden kann. Wie schon
erläutert wurde, können diese durch Potentialänderungen hervorgerufenen Unterschiede jedoch durch Änderungen in der Klarheit,
in der örtlichen Beschaffenheit oder von der Natur des Materials
verdeckt sein. Die Materialien von verschiedener Natur können unterschiedliche sekundäre Emissions-Koeffizienten haben.
Ist das Potential von außen an den Prüfling angelegt, zum Beispiel wenn der Prüfling ein Halbleiter mit einer oder
mehreren Grenzflächen zwischen den Bereichen unterschiedlicher Art ist, oder ist er ein Element eines integrierten Schaltkreises,
der mehrere Bereiche unterschiedlicher Leitfähigkeit und unterschiedlichen Potentials enthält, so wird erfindungsgemäß
dieses Potential jetzt intermittierend an- und abgeschaltet. Wie aus der Pig. 1 ersichtlich, wird zwischen der Quelle des
Potentials P und dem Prüfling ein Gitter Gl vorgesehen, das von einem Rechteckwellen-Generator SG gesteuert wird. Die Schaltfrequenz ist verglichen mit der Tastfrequenz des Strahles hoch,
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z.B. 100 KHz, wenn die Abtastung ungefähr 30 Zeilen in der
Sekunde beträgt, so dai der Fleck auf dem Prüfling, d.h. die Stelle des Auftreffens des Strahles nicht merklich zwischen
einem "An"-Zyklus bis zum nächsten wandert. Der Generator SG
steuert auch das zweite Gitter G2 im Synchronismus mit dem Gitter Gl, durch das das Signal von dem Detektor G wechselweise
auf jeden der beiden Kanäle Gl und C2 geschaltet wird. Ein Kanal trägt so dasjenige Signal, welches empfangen wird, wenn
kein Potential auf den Prüfling zur Anwendung kommt und der andere trägt das Signal, welches empfangen wird, wenn der PrUfling
ein Potential aufweist. Die Signale in den beiden Kanälen sind demoduliert und v.-erden dann in einem Differentialverstärker
DA verglichen sowie das Differentialsignal der Kathodenstrahl-Röhre zugeleitet.
Das Bild, das auf dem Schirm der Kathodenstrahl-Röhre
erscheint, gibt dann so weit wie möglich nur den Potentialkontrast wieder und unterdrückt andere Paktoren. Tatsächlich
kann die· Topographie einen zweitrangigen Effekt auf die Kontraste
haben, da das Ausmaß, bis zu welchem Potentialänderungen zu Kontrasten Veranlassung geben, selbst bis zum gewissen
Grad durch die Topographie beeinflußt ist. In der Praxis hat sich dieser zweitrangige Effekt jedoch als nicht störend herausgestellt.
Mit gewissen Prüflingen kann sich ergeben, daß nach angelegter Spannung oder bei Wegnahme dieser von dem Prüfling
ein kurzes Zeitintervall vergehen muß, bevor der letztere in seinen neuen Zustand übergegangen ist. In einem solchen Fall
ist die im nachstehenden beschriebene Abänderung erforderlieh,
damit von der Erfindung zufriedenstellend Gebrauch gemacht werden kann.
Der primäre Strahl selbst wird ein- und ausgeschaltet, bei einer, frequenz, die doppelt so hoch ist, wie diejenige,
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1 ~ 3
bei der die auf den Prüfling zur Anwendung kommende Spannung
geschaltet wird und die Intervalle, während der der Strahl eingeschaltet
ist, können oder können nicht denjenigen gleich sein, während derer er ausgeschaltet ist. Durch geeignete Wahl
der Schaltfrequenzen und der Phasenbeziehung zwischen den beiden
Schaltkreisen kann dann dafür gesorgt werden, daß der Primärstrahl nur für einen Teil jedes der Intervalle eingeschaltet
ist, während der der Elektronenkollektor mit einem oder dem anderen der beiden verstärkenden Detektorkreise verbunden ist,
und daß genügend Zeit zwischen den aufeinanderfolgenden Impulsen des Strahlstromes auf den Prüfling vorhanden ist, damit
von einem seiner beiden Zustände auf den anderen umgeschaltet und im wesentlichen Gleichgewicht in seinem zweiten Zustand
hergestellt wird.
Diese Abänderung ist in Fig. 1 mit gestrichelten Linien
wiedergegeben, wobei der Generator SG in seiner Verbindung über einen Prequenzverdoppler F und einen Impulsbreitenregler W zum
Gitter G3 in der Bahn des primären Strahls gezeigt ist. Dieses Gitter kann in beliebiger Weise ausgebildet sein, z.B. kann
eine Rechteckwellenspannung auf das Gitter des Elektronen;: trahl-Erzeugers
G zur Einwirkung gebracht werden, so daß der Strahl unterdrückt wird. Die Spannung kann auch an ein Paar Ablenkplatten
angelegt werden, die so angeordnet sind, daß sie den Strahl von der Achse des Instrumentes ablenken.
Fig. 2 ist eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen den Zeitspannen der 11An"-Perioden des Strahls (oberer
Linienzug), dem Potential auf dem Prüfling (mittlerer Linienzug) und den Signalschaltungen auf die beiden Kanäle (unterer
Linienzug).
In der vorstehenden Beschreibung der Erfindung ist auf das Signal Bezug genommen, das von den vom Prüfling ausgehenden
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Sekundärelektronen herrührt. In diesem Zusammenhang ist der
Ausdruck Kollektor dahin zu verstehen, daß er alle Einrichtungen umfaßt, die zum Umformen eines Eingangsstromes freier
Elektronen in eine grob proportionale Ausgangsspannung Verwendung finden können. Die Erfindung kann ebenso gut dann gebraucht
werden, wenn das Originalsignal nicht von der Sammlung
sekundärer Elektronen, sondern von Änderungen des gesamten Elektronenstroms abgeleitet wird, der zu dem Prüfling fließt,
d.h. von der Differenz zwischen dem auf dem Prüfling auftreffenden Strom und dem sekundären und reflektierten Elektronenstrom,der
ihn verläßt.
Es wurde schon hervorgehoben, daß ein Kontrast, der von
Potentialänderungen auf dem Prüfling herrührt, durch geeignete Anordnung des Kollektors in bezug auf den Prüfling.zustande
gebracht werden kann. Die Erfindung ist darauf jedoch nicht
beschränkt. Gitter oder andere Elektroden, die an festen oder sich ändernden Potentialen angelegt sind, können in der Nachbarschaft
des Prüflings oder des Kollektors angebracht werden, um den Fluß der sekundären Elektronen vom Prüfling zum Kollektor
zu beeinflussen und so den Potentialkontrast hervorzurufen, der in dem Bild erzielt wird.
Die Erfindung ist sowohl zur Prüfung des statischen als auch des dynamischen Verhaltens von Schaltelementen verwendbar
und besonders zur Untersuchung von integrierten MikroMiniatur-Elementen
geeignet. Im allgemeinen muß selbstverständlich der Prüfling aus Materialien bestehen, die genügend gute
Leiter sind, um ein Abfließen der Potentiale während der "Aus"-Perioden
des Strahles zu erlauben. Statische Ladungsverteilungen auf nicht-leitende Materialien können deshalb in dieser
Weise nicht untersucht werden. Die Erfindung kann schließlich nicht nur Verwendung finden, um unmittelbar den Potentialkontrast
in Schaltelementen zu untersuchen, sondern auch andere
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Eigenschaften, die dazu geeignet sind, einen Potentialkontrast zu übertragen und es gestatten, in der erforderlichen Weise
ein- und ausgeschaltet werden zu können. Mit Hilfe der Änderung, die sich aus Fig. 3 ergibt, ist es möglich, die Erfindung
auch dann anzuwenden, wenn das Potential auf dem Prüfling selbst nicht an- und ausgeschaltet werden kann, z.B. im Falle statischer
Kontaktpotentiale. Die Figur zeigt eine Anordnung, bei der ein Gitter H zwischen dem Prüfling S und dem Detektor D
vorgesehen ist. Wie in der Anordnung, die voraufgehend beschrieben
wurde, liegt der Szintillator hier auf positivem Potential mit bezug auf den Prüfling, so daß eine gewisse Zahl
von Sekundärelektronen angezogen wird. In der AusfUhrungsart nach Fig. 3 kann das Potential von der Oröfle von 250 Volt sein.
Das Gitter H befindet sich auf relativ niedrigem Potential, das von dem Rechteckwellengenerator G erhalten wird und es wird
zwischen die beiden Niveaus geschaltet, die beide vorzugsweise durch Änderung der Amplitude und des mittleren Niveaus des Signals
einstellbar sind, das vom Generator an das Gitter gelegt wird. Beispielsweise kann das Gitter zwischen 0 und -5 Volt
geschaltet sein.
In einer Ausführung, die derjenigen nach der Anordnung in Fig. 1 ähnlich ist, tritt das Signal in den Perioden, in
denen sich das Gitter auf null Volt befindet, durch einen der beiden Kanälen Cl und C 2 hindurch und wenn das Gitter auf
-5 Volt liegt, tritt es durch den andern Kanal. Das Differenzsignal steuert das Sichtgerät, das von der Kathodenstrahl-Röhre
gebildet wird.
Wenn der Strahl auf einen solchen Bereich des Prüflings trifft, der sich auf null Volt befindet, dann verlassen die
sekundären Elektronen den Prüfling mit Energien von weniger als 5 Volt (die große Mehrzahl der Elektronen). Diese Elektronen
werden dann angehalten und durch das Gitter H während der Perioden umgewendet, in welchen das Gitter bei -5 Volt liegt.
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1 9.: 3 : L Π
Sie werden hindurchgelassen in den dazwischenliegenden Perioden, wenn es auf null Volt liegt. Es gibt deshalb ein Signal
am Ausgang des Differenzverstärkers DA.
Weist die Stelle auf dem Prüfling, an der der Strahl
auftrifft, ein effektives Potential von beispielsweise -2 Volt auf, so werden nur jene sekundären Elektronen durch das Gitter
während der "-5 Volt"-Perioden, nicht aber während der "NuIl-Volt"-Period^gestoppt,
die eine Energie von weniger als J5 VoIf haben. So wird das Differenzsignal am Ausgang des Verstärkers
DA für Bereiche des Prüflings geringer sein, die auf -2 Volt, als für solche Bereiche, die auf null Volt liegen. Ein Kontrast
wird deshalb auf dem Schirm der Kathodenstrahl-Röhre erzielt und kann sichtbar gemacht werden, der allein von Potentialdifferenzen
abhängt, während ein Kontrast, der anderweitig von der Topographie oder von Änderungen im sekundären Emissionskoeffizienten der unterschiedlichen Bereiche abhängt, weitgehend
eliminiert ist. Dies ergibt sich, obgleich diese beiden Paktoren der Topographie und des sekundären Emissionskoeffizienten
Änderungen in der Zahl der erzeugten Elektronen hervorrufen, als eine Folge des herangezogenen Differenzsignals, denn
dadurch werden von dem Signal Änderungen in der Zahl der Elektronen
eliminiert, die von den verschiedenen Stellen der Oberfläche ausgehen und es werden im wesentlichen nur Änderungen
in ihrer Energie beobachtet, also Änderungen im Oberflächen-Potential.
Durch Hinzufügung eines zweiten Gitters H1, das mit
einem konstanten (aber möglichst einstellbaren) positiven· Potential
verbunden ist, kann ein Beschleunigungsfeld zustande gebracht v/erden, das die sekundären Elektronen zu Anfang gegen
den Kollektor treibt und das elektrische Feld an der Oberfläche
des Prüflings unabhängig von dem Potential des Gitters H
macht. In dem veranschaulichten Ausführungsbeispiel ist der
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- I1 _ I w-, J
Prüfling mit bezug auf die Richtung des primären Elektronenstrahls
geneigt und Gitter und Kollektor sind auf einer Seite angeordnet, damit keine Interferenz zwischen dem Strahl und
dem Kollektor eintritt (der in diesem Fall dem Wesen nach ein Szintillator sein muß) und so daß weiterhin das Signal in dem
Szintillator durch das Auffangen einer beträchtlichen Anzahl reflektierter Primärelektronen von hoher Energie nicht verfälscht
wird. Es gibt jedoch auch Wege (die allerdings nicht aufgezeigt sind), mit denen mit Prüflingsoberflachen gearbeitet
werden kann, die senkrecht zu dem Strahl liegen.
Obgleich die Ausführungsform nach Fig. 3 unter Anführung
der Gitter H und H* beschrieben worden ist, ergibt es sich als selbstverständlich, daß ein gleiches Ergebnis durch
den Gebrauch jedes Elektrodensystems zustande gebracht werden kann, auf das eine geschaltete Spannung so lange angelegt
werden kann, wie der Ausgang aus dem Differentialverstärker von dem Potential an der Prüflingsoberfläche abhängt'.
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Claims (13)
1 9 /■ 3
- 12 - ■ U|J
Ansprüche
lj Verfahren zum Analysieren der Verteilung des elektrischen
Potentials auf der Oberfläche eines Priflings durch einen auf ihn auftreffenden Elektronenstrahl und durch Erfassung der zurUckgestreuten
und/oder sekundären Elektronen unter Verwendung eines Kollektors gekennzeichnet einerseits
durch schnelles Schalten entweder des an die Oberfläche angelegten
Potentials (P) oder des Potential-Niveaus einer Potential-Sperre (H) in der Bahn der zurUckgestreuten Elektronen
sowie andererseits durch ein in Synchronismus mit diesem An- und Ab-Schalten abwechselndes Anlegen des vom Kollektor (D)
erhaltenen Signals an zwei Kanäle (Cl, C2) und schließlich durch ein nach erfolgter Demodulation erhaltenes endgültiges
Signal, das die Differenz zwischen den Signalen in den beiden
Kanälen wiedergibt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß das Potential der Prüflings-Oberfläehe selbst an eine äußere Spannungs-Quelle (P) gelegt ist und an- und abgeschaltet
wird.
j5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß das Potential an einem Gitter oder ein anderes Elektroden-System (H) zwischen dem Prüfling (S) und dem Kollektor
(D) zwischen zwei Niveaus geschaltet wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Elektronenstrahl in Synchronismus
mit dem angeführten Schalten, jedoch mit doppelter Frequenz an- und abgeschaltet wird.
5· Verfahren nach Anspruch 4, gekennzeichnet durch veränderliche Zeitspannen (W), während der der Elektro-
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Ί'3 --■:
nenstrahl bei jedem halben Zyklus des Schaltens eingeschaltet ist.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Elektronenstrahl den Prüfling
(S) abtastet und das Endsignal auf einem Schreibgerat in Synchronismus mit der Abtastung wiedergegeben wird, wobei die
Schaltfrequenz im Vergleich mit der Tastfrequenz hoch liegt.
7· Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet,
daß die Abtastung in zwei Dimensionen erfolgt und das Endsignal auf einem x-y-Schreibgerät oder auf dem Schirm
einer Kathodenstrahlröhre (CR) wiedergegeben wird.
8. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 2, bestehend aus einem Elektronenstrahl-Erzeuger und Stützen zum
Halten eines Prüflings in der Bahn des Elektronenstrahls sowie bestehend aus einem Detektor, der ein von denjenigen zurückgestreuten
und/oder sekundären Elektronen gebildetes Signal hervorbringt, die auf der Prüflings-Oberfläche an der Stelle des
Strahleinfalls erzeugt werden, und schließlich bestehend aus Mitteln zur Wiedergabe und Aufzeichnung oder Darstellung des
Signals, dadurch gekennzeichnet, daß es zwei
synchronisierte Gitter aufweist, von denen das eine (Gl) so ausgebildet ist, daß es das Potential einer Spannungsquelle
(P) zu dem Prüfling (S) ein- und auszuschalten erlaubt und das andere (G2) das Signal von dem Detektor (D) abwechselnd
in jeden der beiden Kanäle (Cl, C2) zu richten gestattet, wobei die Signale dieser Kanäle in einer Differential-Einrichtung
(DA) verglichen werden, um das Endsignal zu bilden, welches aufgezeichnet oder dargeäbellt wird.
9. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichn
e t i daß ein drittes Gitter (QjJ)* das den Elektronenstrahl
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steuert und bei einer zur Schaltung der anderen beiden Gitter (Gl, G2) mit doppelter Frequenz ein- und ausgeschaltet wird.
10. Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzei chn
e t / daß die Dauer des Einschaltens des Strahles veränderbar"
(W) ist.
11. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 3»
bestehend aus einem Elektronenstrahlgenerator und Mitteln zum Halten eines Prüflings in der Bahn des Elektronenstrahls sowie
weiter bestehend aus einem Detektor, der ein elektrisches Signal der zurückgestreuten und oder sekundären Elektronen liefert,
die von der Prüflings-Oberfläche im Punkt des Strahleinfalls erzeugt werden und schließlich bestehend aus Mitteln zum
Aufzeichnen oder Darstellen des Signals, dadurch ' gekennzeichnet,
da3 ein Gitter oder ein anderes Elektrodensystem (H) zwischen den den Prüfling haltenden Mitteln und
dem Detektor (D) sowie zwei synchronisierende Gitter (Gl, Q2)
vorgesehen sind, von denen das eine das Niveau des Potentials auf dem Gitter oder auf einem anderen Elektrodensystem (H) und
das andere das Signal von dem Detektor (D) abwechselnd in jeden von zwei Kanälen (Cl, C2) richtet und die Signale dieser
Kanäle in einer Differentialanordnung (DA) verglichen werden, um das Endsignal, zu liefern, das aufgezeichnet oder dargestellt
wird.
12. Vorrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekenn ze ichn
e t , daß die Amplitude und das mittlere Niveau des Potentials am Gitter oder einem anderen Elektrodensystem (H) veränderlich
sind.
13. Vorrichtung nach Anspruch 11 oder 12, g e k e η η ζ eichn
e t durch ein zweites Gitter (H1) zwischen dem Prüfling
und dem Gitter (H).
ORIOLNAL INSPECTED 00 9 809/1269
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|
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Family
ID=10415508
Family Applications (1)
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E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
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