Claims (2)
bei der Steuerung am Gate aufgeladen bzw, entladen
^6n Qmm ^ wejtereR Erkenntnis heben sichcharged or discharged during the control at the gate ^ 6n Qmm ^ further knowledge are lifted
1, Signalscbalter unter Verwendung eines Feld- diese Ladestramstöße im Falle einer symmetrisch
effekttransistors, dadurch gekennzeich- gegen Erde aufgebauten Doppelleitung auf, wenn
net, daß für gegen Erde symmetrische Signal- 5 man einen symmetrisch aufgebauten FET und syraspannungen
ein symmetrischer Feldeffekttransistor metrisch angeordnete Vorwiderstände verwendet. Die
(5,12) als Querglied in Reihe mit zwei symroe- FETs sind beute im Gegensatz zu froher meist symtrisch
zu ihm angeordneten, gleich großen Vor- metrische FETs, Die Einschränkung auf symmetrische
widerständen (3, 4) liegt und als Schalter betrie- Doppelleitungen ist z. B. bei Studioanlagen webt
ben ist. io nachteilig, weil solche Anlagen ohnehin symmetrisch1, Signalcbalter using a field- these charging current surges in the case of a symmetrical
effect transistor, characterized by a double line built up against earth, if
net that for signal symmetrical to earth 5 one has a symmetrically constructed FET and syraspannungen
a symmetrical field effect transistor uses metrically arranged series resistors. the
(5,12) as a cross-link in series with two symroe-FETs are, in contrast to froher, mostly symtric
Equally sized pre-metric FETs arranged to it, the restriction to symmetrical
resistors (3, 4) and operated as a switch. B. weaves in studio systems
ben is. io disadvantageous because such systems are symmetrical anyway
2. Signalschalter nach Anspruch 1, dadurch aufgebaut sind. Der erfindungsgemäße Schalter arbeigekennzeichnet,
daß zwischen jedem Ausgangspol tet nicht nur knackfrei, sondern arbeitet besonders
des Feldeffekttransistors und dem Lastwiderstand schrell, weil nicht wie bisher ein Verzögerungsglied
ein Impedanzwandler liegt, z. B. zwei in Kaskade zur Beseitigung des Knackens notwendig ist Man ergeschaltete
Emitterverstärker (13,14 bzw. 15,16). 15 zielt deshalb eine Schaltzeit von etwa 15 μβ statt2. Signal switch according to claim 1, characterized. The switch according to the invention arbeigekmarks,
that between every output pole not only does not click, but works particularly well
of the field effect transistor and the load resistance, because not a delay element as before
an impedance converter is located, e.g. B. two in cascade to eliminate the cracking one is switched on
Emitter amplifier (13,14 or 15,16). 15 therefore aims at a switching time of around 15 μβ instead
5 bis 10 ras.
Die Vorwiderstände müssen einen relativ großen5 to 10 ras.
The series resistors must be relatively large
Widerstandswert haben (z.B. 30Ω), weil tin FETHave resistance value (e.g. 30 Ω) because tin FET
im leitenden Zustand nicht als Kurzschluß wirkt, ao sondern noch einen Widerstand von etwa 100 Ω hat.in the conductive state does not act as a short circuit, ao but still has a resistance of about 100 Ω.
In der Nachrichtentechnik, z. B. in der Studio- Damit die Vorwiderstände im geöffneten Zustand des
technik, sind für manche Zwecke elektronische Schal- Schalters keine Verluste bringen, ist es unter Umter
erwünscht, die knackfrei und schnell schalten. Der ständen zweckmäßig, zwischen Schalter und Ausübliche
bipolare Transistor arbeitet nicht knackfrei, gangsieitung einen Impedanzwandler anzuordnen,
weil er für Signalspannungen über 0,5 V einen Gleich- a5 der den Lastwiderstand zum Schalter hochtransstrom
führen muß. Es ist bekannt, einen Feldeffekt- formiert.In communications engineering, e.g. B. in the studio So that the series resistors in the open state of the technology, electronic switch switches do not bring losses for some purposes, it is sometimes desirable that switch click-free and quickly. The supernatants expedient bipolar transistor Ausübliche between the switch and does not operate crack free, gangsieitung to arrange an impedance converter, since it must carry high current-trans load resistor to a DC switch 5 for a signal voltages above 0.5V. It is known to form a field effect.
transistor, nachfolgend als FET bezeichnet, ohne Die Zeichnung zeigt in F i g. 1 ein einfaches Schal-transistor, hereinafter referred to as FET, without The drawing shows in FIG. 1 a simple scarf
Betriebsspannung und damit ohne einen Gleichstrom tungsbeispiel der Erfindung und in F i g. 2 ein Beiais
Stgnalschalter zu v^ .-wenden (Zeitschrift »Elektro- spiel für eine aufwendigere Schaltung für bestimmte
nik«, 1968, Heft 7, S. 203). Dies ist möglich, weil der 30 hohe Anforderungen an die Eigenschaften des
FET in beiden Richtungen einen Stror., führen kann, Schalters.Operating voltage and thus without a direct current processing example of the invention and in F i g. 2 an beiais
Signal switch to v ^. -Wend (magazine »Elektrospiel for a more complex circuit for certain
nik «, 1968, issue 7, p. 203). This is possible because the 30 high demands on the properties of the
FET can cause a current in both directions, switch.
so daß er ohne einen überlagerten Gl -ichstrom für In Fig. 1 liegt an den Eingangsklemmen 1 und 2so that it is applied to input terminals 1 and 2 without a superimposed direct current for In Fig. 1
Wechselstrom durchlässig ist. Deshalb arbeitet er fast eine gegen Erde symmetrische Signalspannung, z. B.
knackfrei. Ferner ist bei ihm die Steuerelektrode gal- Niederfrequenzspannung. In den beiden Leitungen
vanisch von den beiden anderen Elektroden getrennt. 35 liegt je ein Vorwiderstand 3 bzw. 4. Anschließend
Man könnte ihn in bekannter Weise in Längsrichtung folgt als Querglied ein FET 5. Liegt am Gate über
in eine Leitung legen, jedoch ist es günstiger, ihn als den Widerstand 6 die Vorspannung Null, so ist der
Querglied anschließend an einen Vorschaltwiderstand FET leitend. Die Ausgangsspannung zwischen den
zu verwenden, weil bei einem Ausfall der Betriebs- Klemmen 6 und 7 ist also nahezu kurzgeschlossen,
spannung der FET leitend ist und deshalb keine un- 40 Bei Zuführung einer negativen Vorspannung zum
erwünschte Verbindung vorkommen kann und weil Gate ist der FET dagegen nichtleitend, so daß die
der FET bei hergestellter Verbindung unwirksam ist Eingangsspannung zum Ausgang durchgeführt wird,
und deshalb keine Verzerrungen infolge seines nicht- In F i g. 1 ist als Beispiel für die Zuführung der den
linearen Widerstandes verursachen kann. Bei beiden FET sperrenden Vorspannung eine Batterie 9 dar-Schaltungsarten
ist ein Verzögerungsglied zur Unter- 45 gestellt, die mit ihrem Pluspol geerdet ist und mit
drückung des Umladestoßes der Eingangskapazität ihrem Minuspol über einen Schalter 8 zum Gate gebei
Ansteuern des Schalters erforderlich, um das führt wird. Der geerdete Punkt liegt symmetrisch zu
Knacken klein zu halten. den beiden Leitungen im Verbindungspunkt derAlternating current is permeable. Therefore it works almost a symmetrical to earth signal voltage, z. B.
crack-free. Furthermore, the control electrode is gal low-frequency voltage. In the two lines
vanically separated from the other two electrodes. 35 there is a series resistor 3 or 4 respectively
It could be used in a known manner in the longitudinal direction as a cross member followed by a FET 5. It is located above the gate
put in a line, but it is cheaper to bias it than the resistor 6, it is zero
Cross member connected to a series resistor FET conductive. The output voltage between the
to be used because if the operating terminals 6 and 7 fail, they are almost short-circuited,
voltage of the FET is conductive and therefore no un- 40 When a negative bias voltage is supplied to the
The desired connection can occur and because the gate is the FET, however, it is non-conductive, so that the
the FET is ineffective when the connection is established input voltage is applied to the output,
and therefore no distortions due to its non- In FIG. 1 is an example of the feeding of the den
cause linear resistance. With both FET blocking bias a battery 9 are circuit types
a delay element is placed under 45, which is grounded with its positive pole and with
press the charge transfer of the input capacitance to its negative pole via a switch 8 to the gate
Actuation of the switch is required to get the leads. The grounded point is symmetrical too
Keep cracking small. the two lines at the connection point of the
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen gleich großen Widerstände 10 und 11.
elektronischen Schalter zu scharfen, der im Vergleich 5<
> Wegen der obenerwähnten unvollständigen Kurzzu dem beschriebenen FET-Schalter noch knack- Schlußwirkung eines FET ist in Fig. 2 außer dem
ärmer schaltet. Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe FET S noch ein FET 12 vorgesehen. Es sind also
dadurch gelöst, daß für gegen Erde symmetrische zwei elektronische Schalter in Kaskade angeordnet.
Signalspannungen ein symmetrischer FET als Quer- Außerdem sind die oben schon erwähnten Impedanzglied
in Reihe mit zwei symmetrisch zu ihm angeord- 55 wandler vorgesehen, und zwar in jeder Leitung zwei
neten, gleich großen Vorwiderständen liegt und als Emitterverstärker 13,14 bzw. IS, 16 in Kaskade. Die
Schalter betrieben ist. . die FETsS und 12 steuernde Schaltspannung wirdThe invention is based on the object of providing resistors 10 and 11 of the same size.
Electronic switch to be armed, which in comparison 5 <> Because of the above-mentioned incomplete short to the described FET switch still cracking - the final effect of an FET is in Fig. 2 also poorer switches. According to the invention, this task FET S is also provided with an FET 12. It is thus achieved in that two electronic switches are arranged in cascade for symmetrical to earth. Signal voltages a symmetrical FET as transverse In addition, the impedance elements already mentioned above are provided in series with two symmetrically arranged converters, namely two equal series resistors in each line and as emitter amplifiers 13, 14 or IS, 16 in cascade. The switch is operated. . the switching voltage controlling the FETsS and 12 becomes
Dte Bfflfrdüflg zeigt alsoy daß »an nach wie vor der Klemme Vt zugeführt,. Der Gleichrichter; 18 ist
einen FET verwenden kann, daß jedoch die gewählte für die Ansteuerung von einer digitalen Schaltung
Schaltung einen wesentlichen Einfluß darauf hat, ob &>
aus vorgesehen, damit nur negative Schaltspannungen der elektronische Schalter knackfrei arbeitet. Der Er- wirksam werden, Die Kondensatoren 19 und 20 befindung
liegt die Erkenntnis zugrunde, daß die Ur- zwecken lediglich einen Schutz der Transistoren bei
säche für das Knacken bei einem FET in den Kapa- einem Kurzschluß. An den Ausgangsklemmen 21
Zitaten zwischen der Eingangselektrode (Gate) und und 22 kann z. B. ein Belastungswidefstand von
den Ausgangselektroden (Source und Drain) liegt, die 6s ä» 2 kfl liegen.Dte Bfflfrdüflg also shows that »an is still fed to terminal Vt. The rectifier; 18 an FET can be used, but the selected circuit for the control of a digital circuit has a significant influence on whether &> off is provided so that only negative switching voltages of the electronic switch operate without clicking. The fact that the capacitors 19 and 20 are effective is based on the knowledge that the original purpose is merely to protect the transistors against the cracking of an FET in the capacitor short circuit. At the output terminals 21 quotations between the input electrode (gate) and and 22 can, for. B. a load width of the output electrodes (source and drain) is 6s ä »2 kfl.