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DE1920932A1 - Kopierlack fuer die Halbleitermaskierung - Google Patents

Kopierlack fuer die Halbleitermaskierung

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DE1920932A1
DE1920932A1 DE19691920932 DE1920932A DE1920932A1 DE 1920932 A1 DE1920932 A1 DE 1920932A1 DE 19691920932 DE19691920932 DE 19691920932 DE 1920932 A DE1920932 A DE 1920932A DE 1920932 A1 DE1920932 A1 DE 1920932A1
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lacquer
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DE19691920932
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DE1920932C3 (de
DE1920932B2 (de
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Kookootsedes Gust John
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Dow Silicones Corp
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Dow Corning Corp
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Publication date
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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/075—Silicon-containing compounds
    • G03F7/0751—Silicon-containing compounds used as adhesion-promoting additives or as means to improve adhesion
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)

Description

jjtittjßheh, 23.4.1969 Dr*Wg./wö
DC J5D6/895
Kopierlack für die Halbleitermägkierung
Bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen, wie Gleichrichtern, Transistoreri und integrierten Schaltkreisen wird Üblicherweise ein dünnes, feinpoliert.es Scheibchen aus Halbleitermaterial wie Silicium oder Germanium als Ausgangsmaterial verwendet. Die Sdheibchen sind mit einer schützenden Oxidschicht ausgerüstet, welche mit einem Kopierlack (auch unter der Bezeichnung "Photoresist-Lack" oder "Photo-Lack" bekannt) bedeckt ist. Die Kopierlackbeschichtung wird einem Lichtbild ausgesetzt, um die Beschichtung selektiv zu härten oder statt dessen eine selektive Zerstörung der Beschichtung zu verursachen, damit diese ausgewählten Stellen der Oberfläche unangreifbar für Ätzmittel gemacht werden. Die ungehärteten Stellen der Kopierlackbeschichtung werden entfernt, dann wird ein Ätzmittel aufgetragen, um die Oxidschicht in den Kopierlack-freien Zonen zu entfernen. In diesen Zonen werden anschließend Beschichtungs- und Diffusionsstufen durchgeführt, um die gewünschten, elektronischen Bauelemente zu erhalten.
Häufig sind zur Herstellung eines einzigen Bauelements mehrere Kopierlack- und Ätzvorgänge erforderlich. Für diesen Zweck gibt es zahlreiche handelsübliche Kopierlackmaterialien. Ein Problem besteht jedoch darin, daß diese Kopierlacke auf den Oxidbeschichtungen sehr schlecht haften, insbesondere bei dem nachfolgenden Ätzvorgäng der Oxidschicht. Es wurden daher bereits Versuche unternommen, die Oxidschicht auf dem Scheibchen mit einer Lage eines Haft- oder Grundiermittels vorzubeschichten. Das führte aber nur teilweise zum Erfolg und hatte ebenfalls mehrere Nachtelle. Der Hauptnachteil besteht darin, daß hierzu ein zusätzlicher Arbeitsgang erforderlich
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ist, der mit zusätzlichen Kosten verbunden ist. Ein zweites Problem ist der zusätzliche Abstand zwischen dent Kopierlack und der Oxidoberflache. Auf Grund der fast mikroskopischen Abmessungen der gewünschten Ätzinuster j ist eine extrem hohe Bildschärfe erforderlich. Der zusätzliehe Abstand, der durch die Grundierbeschichtung hervorgerufen wird, beeinträchtigt die Bildschärfe der Ätzmustermaske, die durch den Kopierlack gebildet wird.
Ein weiteres Problem besteht darin,, daß die Grundiermittel . oder Haftvermittler die Entwicklungsfähigkeit des Koplerlackes störend beeinflussen, wenn dieser längere Zeit auf dem Scheibchen verbleibt (8 Stunden oder länger)« bevor die Entwicklung stattfindet.
Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist daher die Verbesserung der Haftfähigkeit von Kopierlacken gegenüber der Oxidbeschichtung von Silicium auf Halbleiteroberflächen, ohne daß hierbei die oben geschilderten Nachtelle auftreten. Es wurde nun gefunden, daß die Zufügung geringer Mengen an Organosilanhaftvermittlern, u.zw. direkt zu den handelsüblichen Kopierlacken die Wirksamkeit derselben nicht beeinträchtigen, jedoch die Haftfähigkeit des Kopierlacks auf f der Siliciumoxidschicht oder den Siliciumcxid-enthaltenden Lagen auf den Halbleiteroberfiächen beträchtlich verbessern.
Das erfindungsgemäße Verfahren zur Verbesserung der Haftfestigkeit von polymeren Kopierlacken auf Slllcluiaoxld-enthaltenden Oberflächen von Halbleitern ist dadurch gekennzeichnet, daß die Kopierlackzusammensetzung, die von positiver oder negativer Art sein kann, mit 0,5 bis 4 %, bezogen auf das Gewicht der Kopierlackzusammensetzung, eines Silanhaftvermittlers vermischt wird.
Im einzelnen können hierfür chlorierte, Methoxy« und andere Alkoxysilane in den angegebenen Mengen einer handelsüblichen
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Kopierlackmasse, die entweder vom positiven oder negativen Typ sein kann, zugefügt werden. Die so erhältlichen Kopierlackzusammensetzungen zeigen eine beträchtlich verbesserte Haftung auf Siliciumoxid oder Siliciumoxid-enthaltenden Lagen von Halbleitersubstraten ohne Beeinträchtigung der Bildschärfe oder Fähigkeit im entwickelten oder unentwickelten Zustand nach üblichem Verfahren entfernt zu werden. Außerdem sind hiermit keine zusätzlichen Arbeitsvorgänge während des Herstellungsverfahrens verbunden.
Zum besseren Verständnis des erfindungsgemäßen Verfahrens werden die Einzelheiten anhand einer besonderen Ausführungsform erläutert:
Kopierlacke werden bei der Herstellung der meisten aktiven elektronischen Halbleiterbauelemente, wie Transistoren, Gleichrichter und integrierte Schaltkreise verwendet. Es gibt zahlreiche Kopierlackmaterialien, die im Handel erhältlich sind. Für das Grundverfähren zur Herstellung von aktiven Halbleiterbauelementen und Schaltkreisen ist zunächst die Herstellung einer Scheibe aus dem Halbleitermaterial, wie aus Silicium oder Germanium, erforderlich. Die Scheibchen werden im allgemeinen von einem Stab oder Block aus monokristallinem Material gesägt. Nach dem Absägen werden die Scheibchen grob geschliffen und geläppt, um beim Sägen entstandene Unebenheiten zu entfernen; anschließend werden sie mit einer Säurelösung, z.B. einem Gemisch aus Salpeter- und Fluorwasserstoffsäure poliert.
Die polierten Scheibchenoberflächen werden üblicherweise zusätzlich mit Siliciumoxid beschichtet, obwohl bei Verwendung von Silicium die Oberfläche bei Berührung mit Luft von selbst etwas oxidiert. Die Siliciumoxidechicht kann nach verschiedenen bekannten Verfahren gebildet werden, beispielsweise durch Oxidation der Silicium-Seheibchen in Dampf und Bildung der Oxide durch thermische Beschichtung von Siliciumoxid-enthaltenden Verbindungen, wie Orthokieselsäureäthylester, Äthyltrimetho-
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silan und Tetramethoxysilan (Örthokieselsäuremethylester).
Anschließend wird über den Oxidfilm eine Kopierlackschicht gelegt, und diese unter einer sog. "Master-Maske" (worunter eine Original-Maske zu verstehen ist, von der eine Reihe von Gebrauchsmasken abkopiert wird), die undurchsichtige und durchsichtige Stellen enthält, nur an den gewünschten Stellen dem Licht ausgesetzt. Belichtete oder unbelichtete Stellen in der Kopierlackschicht, abhängig davon, .ob diese positiv oder negativ ist, werden dann durch photographische Entwicklung entfernt, so daß eine widerstandsfähige Maskierung auf den vorbestimmten Stellen der Scheibchenoberfläche zurückbleibt.
Zur Entfernung des Oxidfilms an den unmaskierten Stellen des Scheibchens wird dann ein chemisches Ätzmittel, wie gepufferte Fluorwasserstoffsäure, verwendet, während die Kopierlackschicht die Zerstörung des Oxids in den maskierten Stellen verhindert. Die entblößten Stellen in der Scheibchenoberfläche werden dann dem Verfahren zur Bildung der in dem betreffenden Bauelement erforderlichen p-n Übergänge ausgesetzt. Das wird im allgemeinen beispielsweise durch Diffusion von leitfähigkeitsbestimmenden Verunreinigungen wie Bor oder'Phosphor in die Seheibchenoberflache oder durch Aufbringen von mit Verunreinigungen dotierten Schichten auf die entblößten Stellen der Scheibchenoberfläche erreicht; die restlichen Stellen werden durch das Oxid gegen die Verunreinigungen abgeschirmt, dieses dient als elektrische Isolierschicht.
Der Kopierlack muß selbstverständlich lichtempfindlich sein und auf der Oberfläche des Siliciumoxids oder der Siliciumoxid-enthaltenden Oberfläche des Scheibchens haften. Außerdem muß er nach der Entwicklung fähig sein, dem Ätzmittel, das zum Entfernen der Oxidschicht in den entblößten Stellen des Scheibchens verwendet wird, zu widerstehen.
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Im Handel stehen zahlreiche Kopierlackmaterialien zur Verfügung, die bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen und bei anderen Photoätztechniken Verwendung finden. Derartige Produkte werden beispielsweise von der Firma Eastman Kodak Company unter den geschützten Handelsbezeichnungen "Kodak Photo Resist" (KPR), "Kodak Thin Film Resist" (KTFR) und "Kodak Ortho Resist" (KOR), und von der Firma Shipley Company of Newton, Massachusetts, als "AZ-1J55O" und "AZ-lll" vertrieben. Die aufgeführten KODAK-Produkte sind vom negativen Typ, d.h. die belichteten Stellen bleiben nach der Entwicklung zurück. Die von der Firma Shipley vertriebenen Produkte sind hingegen vom positiven Typ, d.h. die belichteten Stellen werden durch die Entwicklung entfernt. Die für diese Produkte verwendeten Masken müssen dementsprechend ausgewählt werden.
Die handelsüblichen Kopierlacke vom negativen Typ basieren auf lichtaktivierter Polymerisation oder Vernetzung. Einzelheiten über Herstellung und Verwendung derartiger Produkte sind beispielsweise in den US-Patentschriften 2 544 905 und 2 690 966 beschrieben, so daß sich nähere Angaben hierzu erübrigen. Derartige Produkte umfassen z.B. lichtempfindliche Polymerisate, die durch Veresterung von Hydroxylgruppen aufweisenden Polymerisaten wie Stärke, Zellulose und Polyvinylalkohol mit Zimtsäurehalogeniden, wie einfachen Zimtsäure-, cxC Phenyl-,.. /$- Phenyl-, o-Chlor- und m-Nitrozimtsäurechloriden hergestellt worden sind oder Alkylketonen, die mit Zelluloseäthyläther oder Acrylatharzen, wie Methylmethacry-Iaten vermischt worden sind.
Die von der Firma Shipley verwendeten Produkte basieren auf der Anregung von Harzen durch UV-Bestrahlung anstelle eines Polymerisationsprozesses. In diesem Fall wird durch die Energiezufuhr durch Licht die Zerstörung ausgelöst, die die leichte Entfernung ermöglicht. Derartige Produkte umfassen verschiedene Diazoverbindungen auf Harzgrundlage, die beispielsweise
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i ·
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in den US-Patentschriften 3 201 239, 3 199 98l und 3 Οβί 435 beschrieben sind. Beispiele hierfür sind Verbindungen der Formeln
D-SO2-O
worin D ein Naphtochinon -(l,2)-diazidrest und X Wasserstoff atome, Alkyl-, Aryl-, Alkoxy-, Aryloxy-, Amino- und heterocyclische Reste bedeutet, sowie Verbindungen, die durch Reaktion von aromatischen Aminodiazoniumsalzen mit hochmolekularen Kondensationsprodukten, z.B. aus einer sulfonierten, aromatischen Hydroxylverbindung und Formaldehyd oder einer Arylsulfonsäure, einer aromatischen Hydroxylverbindung und Formaldehyd, hergestellt worden sind.
Alle Kopierlacke, die für die Zugabe von Silanen zur Verbesserung der Haftfestigkeit auf den Siliciumoxid-enthaltenden Substraten geeignet sind, müssen ein organisches Polymerisat enthalten, mit Gruppen, die zu einer chemischen oder additiven Bindung mit funktionellen oder organischen Gruppen der Silanzusätze fähig sind. Diese Voraussetzungen werden im allgemeinen von allen Kopierlacken erfüllt, die auf organischen Polymerisaten basieren, unabhängig davon, ob in diesen Zusammensetzungen die Lichtenergie als Polymerisationsaktivator oder zur Auflösung der Polymerisatstruktur dient.
Die erfindungsgemäß als Zusätze für die genannten Kopierlacke verwendbaren Silane umfassen alle bekannten Haftvermittler, die die Bindung zwischen organischen Polymerisaten und silicathaltigen Produkten, wie Glasfasern,verbessern.
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ti Λ Q O η ■■; '. ο
Derartige Verbindungen sind in zahlreichen Patenten, z.B. in den US^Patentschriften j> 318 757, 2 763 573 und
2 4^6 304 beschrieben.
Für die erfindungsgemäße Verwendung werden folgende Silane bevorzugt:
Phenyltrichlorsilan, Vinyltrichlorsilan, β -Chlorpropyltrichlorsilan, Allyltrimethoxysilan, Vinyltrimethoxysilan und /"-Methacryloxypropyltrimethoxysilan.
1 O 9 S . , ! : L , 2
Beispiel 1;
Über polierte Siliciumscheibchen wurde nach 5 Minuten Vor-■"— -"■-"-erhitzen 10 Minuten lang Dampf bei einer Temperatur von :*■::■; 11000C geleitet. Anschließend wurden die Scheibchen erneut 15 Minuten gebrannt, zur Bildung einer Oxidschicht auf der Oberfläche. Eine Kopierlackmasse (Kodak Thin Film Resis.t [KTFR])wurde mit 1 Gew.% Phenyltrichlorsilan versetzt und 6 Tropfen des so erhaltenen Gemisches auf jedes Scheibchen aufgetragen. Anschließend wurden die Scheibchen waagrecht auf einer Zentrifuge 15 Sekunden mit 2 000 Umdrehungen per Minute (UpM), 45 Sekunden mit J, 000 UpM und -2 Minuten mit 6 000 UpM geschleudert. Einige der Scheibchen wurden dann 15 Minuten auf 1000C erhitzt, anschließend 2 1/4 Minuten unter einer Maske mit quadratischem Muster (Größe: 5*08 cm; Linienabstand 0,051 cm) mit ultraviolettem Licht bestrahlt, mit einem handelsüblichen Entwickler der Firma Kodak (8 second spray of Stoddard solvent) entwickelt, mit einem Kopierlackverdünner gespült und dann mit entionisiertem Wasser nachgespült. Die Scheibchen wurden dann 30 Minuten auf eine heiße Platte von 1000C gelegt* weitere 4 Stunden getrocknet und unter dem Mikroskop betrachtet. Verschiedene Scheibchen wurden nach der Beschichtung mit dem Kopierlack über Nacht gelagert und erst am nächsten Morgen belichtet und entwikkelt. Die Bildschärfe des entwickelten Musters war auf allen Exemplaren sehr gut und es war kein Unterschied festzustellen zwischen den Exemplaren, die sofort belichtet und entwickelt worden waren gegenüber jenen, die vor dieser Behandlung über Nacht gelagert worden waren.
Anschließend wurden die Scheibchen 20 Minuten lang in eine kalte gepufferte Flußsäurelösung von Halbleiterstandardqualität gelegt und dann erneut unter dem Mikroskop be- . trachtet.
Die Bildschärfe des Musters war noch immer gut und es war
keine sichtbare Zerstörung des Kopierlackes zu bemerken.
Die Oxidschicht war an den belichteten Stellen vollständig verschwunden.
1 0 Ü 8 . 3 / : l> A 2 "9"_
IAL IMSPECTED
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Beispiel 2;
Eine Anzahl von Scheibchen wurde unter, denselben Bedingungen, wie in Beispiel 1 beschrieben, hergestellt, mit der Abänderung, daß der Kopierlack keinen Zusatz enthielt. Unmittelbar nach dem Entwickeln war die Bildschärfe gut.
Nach 5 Minuten langem Eintauchen der Scheibchen in die gepufferte Plußsäurelösung gemäß Beispiel 1, ergab die mikroskopische Untersuchung eine schlechte Bildschärfe und ein teilweises Abblättern des Kopierlackes an verschiedenen Stellen jedes Scheibchens, was ein Unterkriechen der gepufferten Plußsäurelösung unter die maskierten Zonen anzeigte.
Beispiel J>i
Eine Anzahl von Scheibchen wurde unter denselben Bedingungen, wie in Beispiel 2 beschrieben, hergestellt, jedoch mit der Abänderung, daß die oxidierten Scheibchen vor dem Auftragen des Kopierlackes in eine Xylollösung, die 1,0 Gew.-^ Phenyltrichlorsilan enthielt, getaucht und dann mit Xylol allein gespült wurden. Dann wurden die Scheibchen eine halbe Stunde lang auf 2000C erhitzt, bevor der Kopierlack aufgetragen wurde. Dann wurden die Scheibchen wie in Beispiel 2 weiterbehandelt. Einige der Scheibchen wurden vor der Belichtung über Nacht stehen gelassen und einige wurden unmittelbar nach dem Trocknen des Kopierlackes belichtet und entwickelt.
Die Scheibchen, die sofort nach dem Auftragen des Kopierlackes belichtet worden waren, zeigten nach der Entwicklung eine gute Bildschärfe. Die Scheibchen hingegen, die vor der Entwicklung über Nacht stehen gelassen worden waren, konnten praktisch überhaupt nicht entwickelt werden, da sie nur ein Muster mit außerordentlich schlechter Bildschärfe aufwiesen.
Das Einlegen aller Scheibchen in eine kalte gepufferte Flußsäurelösung nach dem Entwickeln in einem Zeitraum von 20 Minuten zeigte keine sichtbaren Veränderungen im Bild oder in der Kopierlackqualltät.
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1 r-j ~ Π Q ο. Beispiel 4; '"^
Wurde die Menge an Phenyltrichlorsilan, die dem Kopierlack gemäß Beispiel 1 zugefügt wurde, zwischen 0,5 und 4 Gew.-% variiert, ist eine leichte Beeinträchtigung der Begrenzungslinien und des Kopierlackes nach 20 Minuten Eintauchen des entwickelten Kopierlackes in die gepufferte Flußsäurelösung bei einigen Scheibchen festzustellen, die mit einem Kopierlack, der 0,5 Gew.-% Silan enthielt, beschichtet wurden. Betrug die Silanmenge 4 Gew.-^, sind schlechtere Begrenzungslinien des Musters zu beobachten, bevor das entwickelte Kopierlackmuster in die gepufferte Flußsäurelösung getaucht wurde, obwohl in den meisten Fällen kein Unterschied des Musters nach. 20 Minuten Eintauchen in die gepufferte Flußsäurelösung bemerkt werden konnte. Die Ergebnisse mit Silankonzentratlonen zwischen 0,5 und 4 Gew.*>% unterschieden sich nicht wesentlich von den Ergebnissen, die gemäß Beispiel 1 erhalten wurden.
Beispiel 5?
Wurden bei den Verfahren gemäß Beispiel 1 und 4 anstelle von Phenyltrichlorsilan folgende Silane eingesetzt: Vinyltrichlorsilan, Jf -Chlorpropyltrichlorsilan, Allyltrimethoxysilan, Vinyltrlmethoxysllan und ^"-Methacryloxypropyltrimethoxysilan, wurden praktisch dieselben Ergebnisse erzielt.
Beispiel 6:
Wurden anstelle des in Beispiel 1 verwendeten Kopierlacks folgende Kopierlacke, die unter den geschützten Kandelsnamen "Kodak Metal Etch Resist" (KMER), "Kodak Photo Resist" (KPR), "Kodak Photosensitive Lacquer" (KPL), "Kodak Orto Resist" (KOR), "AZ-1350" und "AZ-Hl" bekannt sind, eingesetzt und diese jeweils nach den Angaben des Herstellers unter Zugabe der Silane gemäß Beispiel 1, 4 und 5, belichtet und entwickelt, wurden praktisch die gleichen Ergebnisse wie in den Beispielen 1 und erzielt, soweit es die Ätzmittelhaftung In der gepufferten Fluß« säurelösung betrifft, während die Begrensungslinien nach dem Entwickeln in einigen Fällen nicht so klar waren wie in Beispiel 1.
1098 15/1642. URINAL «PECTED

Claims (2)

1920322 dc 1508/895
PATENTANSPRÜCHE
Verfahren zur Verbesserung der Haftfestigkeit von polymeren Kopierlacken auf Siliciumoxid enthaltenden Oberflächen von Halbleitern, dadurch gekennze lehnet, daß die Kopierl-ackzusammensetzung mit 0,5 bis 4 %, bezogen auf das Gewicht des Kopierlacks, eines Silanhaftvermittlers vermischt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Sllanhaftvermittler Phenyltrichlorsilan, Vinyltrichlorsilan, ^f -Chlorpropyltrichlorsilan, Allyltrimethoxysilan, Vinyltrimethoxysilan oder J"-Hethacryloxysilan verwendet wird.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2441315A1 (de) * 1974-08-29 1976-03-11 Hoechst Ag Mit o-naphthochinondiazidverbindung vorsensibilisierte druckplatte
JPS59500436A (ja) * 1982-03-29 1984-03-15 モトロ−ラ・インコ−ポレ−テツド 電子ビ−ム／光学的ハイブリドリソグラフイツクレジスト法
GB8403698D0 (en) * 1984-02-13 1984-03-14 British Telecomm Semiconductor device fabrication
US4782008A (en) * 1985-03-19 1988-11-01 International Business Machines Corporation Plasma-resistant polymeric material, preparation thereof, and use thereof
US4737425A (en) * 1986-06-10 1988-04-12 International Business Machines Corporation Patterned resist and process
DE3720465A1 (de) * 1987-06-20 1988-12-29 Asea Brown Boveri Haftvermittler fuer negativresist zum aetzen tiefer graeben in siliciumscheiben mit glatter oberflaeche und verfahren zur herstellung des haftvermittlers

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Publication number Publication date
BE732026A (de) 1969-10-24
JPS494851B1 (de) 1974-02-04
DE1920932C3 (de) 1975-12-04
FR2007530A1 (de) 1970-01-09
NL6906398A (de) 1969-10-28
GB1246704A (en) 1971-09-15
DE1920932B2 (de) 1971-11-25
AT297478B (de) 1972-03-27

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