DE1901665B2 - Verfahren zur Herstellung und Prüfung monolithisch integrierter Halbleiterschaltungen - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung und Prüfung monolithisch integrierter Halblei terschaltungen. bei dem in einem Halbleiterplättcher mehrere Halbleiterschaltungen mit in dotierten Inselr im Halbleiterplättchen eingebrachten, PN-Ubergängc aufweisenden aktiven und auf dem Halbleiterplätt chen befindlichen passiven Schaltungselementen, du durch auf dem Halbleiterplättchen isoliert aufge brachte metallische Leitungsbahnen verbunden sind sowie an verschiedenen Stellen des Halbleiterplätt ehe ns Testbereiche mit bestimmten Formen voi Schaltungselemente!! ausgebildet werden, die minde stens zwei Transistoren enthalten.

Die Erfindung befaßt sich also mit den Methode! der Fabrikation integrierter Schaltungen vom monoli thischen Typ und mit der Prüfung solcher Schaltun gen, um deren Charakteristiken vollständig bestim

19 Ol 665

men zu können und um Gewißheit über die Zuverlässigkeit fertiggestellter Schaltungen zu erlangen, wenn diese in ihrer Betriebsumgebung eingeordnet sind.

Der Ausdruck »integrierte Schaltungen« umfaßt eine Vielfalt von Ausführungsverfahren und Formen auf dem Gebiete der Mikrominiaturisation oder der Mikro-Schaltungen. Gewisse Formen integriertet Schaltungen schließen die Bildung aktiver Schaltungselemente, j. B. Transistoren, auf sogenannten Chips ein. Diese Chips sind ganze Stücke, welche aus einem Halbleiterplättchen herausgeschnitten worden sind. Die Chips werden danach mit passiven Schaltungselementen auf einer Schaltungstafel oder einem Modul verbunden.

Im Gegensatz dazu enthält der monolithische Typ der integrierten Schaltung eine vollständige Schaltung auf dem ganzen Stück oder dem Chip aus ha'.bleitendem Material.

Mit anderen Worten, im Falle des monolithischen Typs machen alle oder im wesentlichen alle Schaltungselemente die auf dem Halbleiterplättchen, von dem die Chips stammen, gebildete Schaltung aus. Im allgemeinen sind die Schaltungselemente oder Bauteile der Schaltung im Halbleiterplättchen eingebettet. Diese Einbettung geschieht durch die Diffusions-Technologie, bei der in bekannter Weise Störstoffe in den Monolithen oder in das Halbleiterplättchen mit veränderbaren, vorbestimmten Tiefen eindringen. Diese Schaltungselemente lassen sich natürlich in bekannter Weise auch durch die verschiedenen Dünnschichtmethoden bilden.

Man könnte glauben, daß es praktisch und einfach ware, wenn man konventionelle oder reguläre integrierte Schaltungen innerhalb eines Halbleiterplätt chens mit den oben erwähnten passiven und aktiven Schaltungselementen schafft und dann diese Schaltungselemente prüft, so wie sie in dieser Form fabriziert worden sind. Jedoch bringt ein solches Vorgehen Schwierigkeiten insofern, als bei der normalen Bildung monolithischer Typen von integrierten Schaltungen feste und unzugängliche Zwischenverbindungen enthalten sein müssen. Diese sind deshalb für Prüfzwecke nicht leicht zu bedienen und eine derartige Maßnahme wäre völlig nutzlos in dieser Situation.

Bei der Entwicklung integrierter Schaltungen hat eine grundsätzliche Revision in der Auffassung zur Gestaltung stattgefunden, welche bisher die Schaltungsfertigung beherrschte. Das Schwergewicht hat sich von der Beurteilung der individuellen Schalt angsparameter auf die Beachtung der Möglichkeiten höherer Nutzung der Gesamtschaltung verschoben, womit eine Kostensenkung gegeben sein kann.

Diese Möglichkeit des verbesserten Ertrages rührt aus den Vorteilen der Behandlung, welche mit der neuen Technologie möglich ist. Die Auffassung zur integrierten Planung hat dazu geführt, sich mehr mit der Wirtschaftlichkeit der Gesamtdurchführung bei geringerer Betonung strenger Schaltungstoleranzen zu befassen. Trotzdem bleibt die Zuverlässigkeit eine unerläßliche Bedingung beim Herstellen solcher Schaltungen. Mit anderen Worten, ungeachtet der Durchführung eines guten Ertrages bei integrierten Schaltungen bleibt es eine unerbittliche Vorschrift, daß die Schaltungselemente Zuverlässigkeit bieten müssen, wenn sie in den Dienst gestellt werden sollen. Aus diesem Grunde ist es noch erforderlich, die verschiedenartigen Schaltungselemente der Schaltung zu testen, da die Zuverlässigkeit dieser Schaltung nicht besser ist als die Zuverlässigkeit des schwächsten Schaltungselementes.

In der Vergangenheit hat man sich mehr mit Stu-

dien über die Lebensdauer diskreter Bauelemente befaßt. Deshalb hat man Kondensatoren, Widerstände u. dgl. individuell getestet, um deren Eignung zur Aufnahme maximaler Belastungen bis zum Ausfal! zu ermitteln. Bei einer integrierten Schaltung, insbeson-

dere vom monolithischen Typ, ist eine solche Methode aus den schon erörterten Gründen nicht annehmbar, denn die Zwischenverbindungen der Schaltungselemente sind in solchen monolithischen Schaltungen wegen der Erfordernisse der angewandten Herstel

lungsverfahren nicht zugänglich.

Wie schon erwähnt wurde, enthält die monolithische integrierte Schaltung ein kompliziertes Muster oder eine Zwischenverbindung einer Vielzahl von Schaltungselementen,die man nicht so leicht für Testzwecke auftrennen kann.

Durch die USA-Patentschrift 3 304 594 ist bereits ein Verfahren zum Herstellen von Festkörperschaltungen und von Halbleiter-Bauelementen und insbesondere ein Verfahren zur Kontrolle der beim Fabrizieren monolithisch integrierter Schaltungen benutzten Prozeduren und zur Bestimmung ihrer Zuverlässigkeit bekanntgeworden. Die vordem bekanntgewordenen Prozedurkontrollen schließen in den meisten Fällen die Bildung von Widerstands- und Dickenmessungen in den diffundierten Halbleiterbereichen aus. Viele der vordem bekanntgewordenen Prozeßkontrollmethoden bei der Erstellung der integiicilen Schaltung sind nicht zerstörungsfrei. Um z. B einen Diffusionsverfahrensschritt in der Funktion eines PN-Überganges zu prüfen, müßte man mehrere integrierte Schaltungen aus dem Halbleiterplättchen ausschneiden und das auf ihnen während der Diffusion gebildete Oxyd abziehen. Im allgemeinen kann man jede der Testprozeduren, welche die Entnahme eines derartigen Chips aus einem im Herstellungsverfahren befindlichen Halbleiterplättchen erfordert, als destruktiv betrachten, da, wenn die Teile nicht mehr ein Teil des zu behandelnden Plättchens sind, sie auch nicht komplettiert werden können. Diese Chips bleiben dann nur noch Ausschuß.

Das Testen individueller Teile einer integrierten Schaltung ist besonders auch durch die Tatsache erschwert, daß manche von ihnen durch Lagen von Schutzschichten aus Oxydmaterial bedeckt sind. Diese

5" Schichten machen die zu messenden Teile im Grunde genommen unzugänglich, wenn man nicht besondere ohmsche Kontakte durch die Oxydschicht führt.

Durch die bereits genannte USA-Patentschrift 3 304 594 ist nun eine nichtdestruktive Prozeß-Kon trollmethode in Form einer Zuverlässigkeits-Überprüfung bekanntgeworden, wonach Fabnkationsprozesse für die integrierte Schaltung und für Schaltungselemente in einer integrierten Schaltung auf einem gegebenen Plättchen, auch Wafer genannt, aus HaIbleitermaterial durch analysierende Spezial-Kontrollbauelemcnte, die auf demselben Halbleiterplättchen dargestellt sind wie die auf ihre Zuverlässigkeit zu überwachenden integrierten Schaltungsteile, welche aber nicht funktionelle Teile der integrierten Schaltung sind, eine Spezifikation erfahren. Durch die erwähnte Patentschrift ist die Verwendung von speziellen integrierten Schaltungsmustern, die auf einem gegebenen Plättchen aus Halbleitermaterial darge-

19 Ol 665

stellt sind, bekanntgeworden, um aus der Kontrolle diejenigen detaillierten Angaben zu gewinnen, die für die Zuverlässigkeit und Sicherheit einer funktionell integrierten Schaltung, welche auf demselben HaIbleiterplättchen in gleicher Weise dargestellt ist, nötig sind.

Nach dem Bekanntgewordenen können integrierte Schaltungen, die im Schicht-Typ-Verfahren hergestellt werden, bei dem eine große Anzahl von Schaltungen auf diskreten Bereichen eines Siliciumplättchens gebildet werden, während der Behandlung beobachtet und in ihrer Qualität abgeschätzt werden. Dies geschieht durch Testen von speziell entworfenen Strukturen, welche auf dem Halbleiterplättchen als ein Teil der Behandlung der integrierten Schaltung gebildet werden. Diese Strukturen, die auch »integrale Kontrollmuster« genannt werden, besetzen auch diskrete Bereiche auf dem Halbleiterplättchen getrennt, welche die integrierten Schaltungen enthalten.

Die bekannten Kontrollmuster mit Testfunktion sind aus Transistoren. Widerständen, Kondensatoren und Stromkreisverbindungen zusammengesetzt. Außerdem sind Metallisierungen für elektrische Kontakte und Verbindungszwecke vorgesehen.

Trotz dieses geschilderten Standes der Technik bleiben noch viele Schwierigkeiten, um ein Optimum an Informationen aus der Prüfung monolithischer Schaltungen und damit ein Optimum an Zuverlässigkeit zu gewinnen. Obgleich beim Bekannten besondere Testbereiche an gewissen Steller auf einem Halbleiterplättchen vorgesehen sind, reicht doch die durch verschiedene Messungen beim Bekannten gewonnene Information nicht aus, um die Arbeitsweise und die Zuverlässigkeit regulär integrierten Schaltungen bei ihrer Erstellung vorauszubestimmen.

ri ^hiik hhh <«t Hjc «^rr Frfir.

dung zugrunde liegende Aufgabe.

Für ein Verfahren zur Herstellung und Prüfung monolithisch integrierter Halbleiterschaltungen, bei dem in einem Halbleiterplättchen mehrere Halbleiterschaltungen mit in dotierten Inseln im Halbleiterplättchen eingebrachten, PN-Übergänge aufweisenden aktiven und auf dem Halbleiterplättchen befindlichen passiven Schaltungselemente^ die durch auf dem Halblciterplättchen isoliert aufgebrachte metallische Leitungsbahnen verbunden sind, sowie an verschiedenen Stellen des Halbleiterplättchens Testbereiche mit bestimmten Formen von Schalungselementen ausgebildet werden, die mindestens zwei Transistoren enthalten, besteht danach die Erfindung darin, daß zwei Arten von Testbereichen mit verschiedenem Muster vorgesehen sind, von denen die eine zur Messung elektrischer Kenndaten der Schaltungselemente und die andere zur Messung von Kontaktwiderständen der Leitungsbahnen dient, und daß die Emitter der in den Testbereichen der erstgenannten Art enthaltenen ersten beiden Transistoren mit einem gemeinsamen ersten Kontrollanschluß und ihre Basen und Kollektoren mit vier weiteren Kontrollanschlüssen verbunden sind.

Auf diese Weise läßt sich in vorteilhafter Weise der die beiden Transistoren enthaltende Testbereich der erstgenannten Art zur Messung des Emittcr-Basis-Spannungsabfalles V_fB einrichten, womit man zusätzlich zur Schaltungsaufbauinformation Informationen zur Abschätzung der Qualität der Transistoren gewinnt, da vicie Wechselstrom -uleichstrom-Parameter mit Γ, „ Werten fur eine gegebene Transistor-^r'eomctrie korrelierbar sind.

Durch die Erfindung verringert sich ganz erheblich die Anzahl von zu parasitären Störungen Anlaß gebenden Zwischenverbindungen zu den Testanschlüssen, wie man sie bei bekannten Testverfahren noch vorfindet. Durch die Erfindung ist ein Verfahren geschaffen, das durch Kopplung mit einem besonderen Programm eine Korrelation aller wesentlichen Testinformationen ermöglicht und welches die Bestimmbarkeil aus einem integrierten Schaltungsherstcllungsprozeß wesentlich vervollkommnet.

Die wichtigen exakten ^„-Messungen sind bei der Erfindung ungeachtet des Kontaktwiderstandes zwischen den Testmustern und den Kontrollanschlüssen und trotz des Widerstandes der Zwischenverbindungen möglich. Auch hierin liegt ein wesentlicher technischer Vorteil der Erfindung gegenüber dem Bekannten.

Ein weiterer technischer Vorteil der Erfindung be-

ao steht darin, daß die Einbeziehung von Gruppen von Widerständen und Transistoren für die Schaffung genauer Isolationsmessungen zwischen diesen Schaitungselementen möglich ist.

Ein weiterer technischer Fortschritt besteht durch die Erfindung darin, daß die Möglichkeit besteht, die Qualität der Schaltungselemente insoweit zu bestimmen, ob diese aktive oder passive Schaltungselemente sind. Insbesondere sind dabei auch die dynamischen elektrischen Kenndaten der Transistoren bestimmbar.

Die Messung des Widerstandes bestimmter Schaltungselemente der integrierten Schaltung, insbesondere nach der Dreipunkt-Prüfungsmethode, läßt sich durch die Erfindung vereinfachen.

Mit der Erfindung ist eine fehlerfreie Messung der

Basis Emitter-Spannung mit einer genauen Zwi- «rhrnverhindiino Her Tran«.?<:toren der Testschaituna möglich und zw.tr bei gleichzeitiger Messung der Abwicklung der Leistungsfähigkeit regulär integrierter Schaltungen.

Die Erfindung sei nachstehend an Hand der schematischen Zeichnungen für ein Ausführungsbeispiel erläutert.

Fig. IA zeigt eine Draufsicht eines Testmusters an einer elektrischen Teststelle auf einem Halbleiterplättchen. Fig. 1 B ist eine Schnittzeichnung nach der Schnittlinie Iß-IB in Fig. 1A.

Fig. 2 ist ein schematisches Schaltbild eines Musters von miteinander verschalteten Schahungselementen. Der schematische Aufbau steht im Einklang

mit der Darstellung in Fig. 1. Die Fig. 2 zeigt auch die Verbindung der Apparatur für bestimmte Tests. Fig. 3 ist eine schematische Schaltung, die praktisch mit der Schaltung nach Fig. 2 identisch ist, bis auf jenen Teil, der mit bestimmten Testanschlüssen zur Herstellung anderer Tests an den Testmustem verbunden ist.

F i g. 4 ist eine Draufsichtdarstellung des Zwischenverbindungsmusters, d. h. der Metallisierungen für die elektrischen Kontakte und für die Zwischenverbindüngen, welche auf dem Halbleitermonolith gebildet sind.

Fig. 5 ist ein Blockschaltbild für die Beschreibung des Zusammenhanges zwischen den verschiedener Tests und der Korrelation und der Abwicklung diesel

Testresultatc zur Schaffung einer kompletten Infor mat ion über die integrierten Schaltungen.

Fig. h zeigt ein Siiiciumpianchen, welches eint große Anzahl integrierter Schaltungen enthält. Fig. t

19 Ol 665

zeigt auch eine An/iihl von Testhereichen gemäß der Erfindung, d. h. sie zeigt Testbereiche für das Testen der elektrischen Charakteristiken und auch Testbereiche für das Testen der Metallisierungen für die elektrischen Kontakte und für die Zwischenverbindungen, welche auf dem Halblcitermonolith gebildet sind.

Aus den Figuren, insbesondere aus Fig. 6, kann man abschätzen, welch eine riesige Zahl von integrierten Schaltungen gewöhnlich auf einem einzigen HaIbleiterplättchen hergestellt sind. Diese Halblciterplättchen werden normalerweise in kleinere Stücke, »Chips« genannt, zur weiteren Bearbeitung gebrochen. Wie aus Fig. ο zu ersehen ist, enthält ein HaIbleitcrplättchen 100 eine Anzahl von elektrischen Testbereichen FE. Jedes Chip 100a des Halbleiter plättchens 100 ist mit einem solchen Testbereich FE besetzt. In entsprechender Weise ist eine Anzahl von Testbereichen FM für das Testen der Metallisierungen für die elektrischen Kontakte und fur die Zwischenverbindungen vorgesehen.

Auf einem Halbleiterplättchen können vorteilhaft zehn /-Έ-Testbcreiche und sechs FM-Testbereiche vorhanden sein. Obgleich diese Testbereiche naturlich einen Verlust darstellen, so ist dieser Verlust dennoch gering, wenn man ihn gegen die Vorteile abwägt, welche die Testbereiche genau der Erfindung erbringen.

Die Gesamtheit der integrierten Schaltungen ist in einer Schicht des Halblcitcrplättchens 100 hergestellt, die im allgemeinen aus Silicium besteht. Jedes der nicht besonders spezifizierten Quadrate FE oder FM stellt eine reguläre integrierte Schaltung dar. Dies sollte man im Auge behalten bei dem übrigen Teil der Beschreibung, die sich auf die Testmuster konzentriert. ii. h. auf jene Muster, die in den VE- und FM-T--'.K:.!(.her! gcHHrl werden. In derselben Zeit wo diese Testmuster gebildet werden, entsteht eine gioße Anzahl regulärer Schaltungen.

Fin typischer, bei dem Verfahren gemäß der Erfindung gebildeter lest bereich FE ist in den Fig. IA und 1 B dargestellt. Fig. IA ist der Grundriß eines endgültigenTcstbereichs FE. Die Fig IB zeigt einen Querschnitt desselben Tcstbereichs.

In der Draufsicht nach Fig. IA sind diejenigen Elemente, welche den in Fig. 2 besonders dargestellten Schaltungselemente!! entsprechen, durch stark abgezeichnete Rechtecke dargestellt. Auf diese Weise sind die Transistoren 50. 52. 54. 56 und 66 wiedergegeben. Eis sind dies jedoch nicht die einzigen Transistoren, die im (hip 100ο untereinander verbunden sind. In entsprechender Weise steilen die mit Marken Linien gezeichneten Rechtecke 102. 104 und 118 Widerstände dar. welche in der schcmatischen Schaltung in Fig. 2 zu finden sind.

Es sei bemerkt, daß die übrigen als Rechtecke nut dicken Linien dargestellten Elemente in Fig. 1 A nicht spezifiziert sind So sind die Transistoren 61 und 62 und die Widerstände R " und R₁₁" mit dicken Linien dargestellt, weil der Zeichnungsschnitt von Fig. IB durch diese Elemente zwecks Erläuterung der typischen Formation der eingebetteten Bauelemente im Monolithen gelegt ist.

Chip 100a hat die Form einer »Hauptschcibc« Bei derartigen einfachen Mitteln sind die eingebetteten Bauelemente in der Standard Konfiguration gebildet Fur bes.in.li-n- /vu-ikc. wie im Falle der Zeichnung, werden passende Mctallisicrungsmuster an der Ober Hache des Chips geschaffen Diese metallischen In ter. auch »Länder« genannt, welche die notwendiger Zwischenverbindungen bilden, sind in Fig. IA durcr getüpfelte Muster dargestellt. Die metallischen Leitei enden am Rande des Chips 100«, wo sie Verbindung haben zu den Anschlüssen 1 bis 12.

Die übliche Art der Bildung einer Anzahl von Bauelementen, welche entweder aktive Vorrichtungen wie Transistoren, oder passive Vorrichtungen, ζ. Β Widerstände, sind, befinden sich in an sich bekanntei Weise im Substrat oder in dem Halblciterplättcher 100. Hierzu erübrigt sich deshalb eine detaillierte Beschreibung. Es sollte jedoch kurz erwähnt sein, dal.¹ die konventionellen fotolithographischen Verfahrer an einer isolierend beschichteten Oberfläche des

¹S Halbleiterplättchens angesetzt werden, um die gewünschten maskierenden Muster zu schaffen. Zur Erzeugung der individuellen, im Halbleiterplättchen IOC eingebetteten Bauelemente wird eine Folge von Diffusionsschritten gemacht. Zusätzlich wird die erforderliche Metallisierung für die Kontaktierung und für die Zwischenverbindung der Elemente durch fotolithographische Methoden erreicht.

Im Chip 100« sind, wie bereits erwähnt. Bauelemente geschaffen. Die Anlage oder Konfiguration dei eingebetteten Bauelemente läßt sich aus Fig. 1 B ersehen. Lediglich aus Gründen der Einfachheit der Darstellung und um eine typische Kollektorherstel· lung zu zeigen, sind in dieser FiN ' -Sub-Kollektorzonen 16 besonders angeführt. Diese Zonen stammen aus der Diffusion von Störstoffen in das Substrat vor der Bildung der epitaktisch hergestellten N-Schicht.

welche eine konventionell erzeugte Schicht darstellt.

Ein sogenannter Isolationsdiffusionsschritt wird

über die isolierende Schicht 100b im oberen Teil der in Fig. IB gezeigten Struktur durchgeführt. Ein Halbleiterplättchen 100 aus Silicium hat eine isolierende Schicht, die /.B. aus dem Oxyd des Silicium besteht. Ein den P-Leitfähigkeitstyp bildender Stcrstoff wird in die epitaktische N-Schicht eindiffundiert.

damit eine Verbindung oder Verkettung mit dem P-Substrat zustande kommt. Danach entsteht etwas, was man oft mit dem Ausdruck »Inseln« bezeichnet. Diese Inseln haben in der Zeichnung das Bezugszeichen 20. Sie entstehen infolge der Bildung der Isolationsbereiche 18 bei dem eben erwähnten Diffusionsschritt. Die verschiedenen Zonen, welche besondere Bauteile definieren, werden im allgemeinen in diesen Inseln 20 durch anschließendes Diffundieren gebildet, wobei gleichfalls ein selektives Eindringen von Störstoffen stattfindet. Im allgemeinen wird dann eine selektive Diffusion bewerkstelligt, d. h. eine Diffusion über eine entsprechende Maskierung durchgeführt, um die verschiedenen Zonen zu schaffen. Diese Maskierung wird unter Einsatz der konventionellen fotolithographischen Techniken ander isolierenden Schicht 100/> ausgeübt. Nach der Anwendung der Metallisierung fur die Zwischemerbindung der Bauelemente wird in üblicher Weise eine Schutzschicht lOOr auf die Oberflache aufgebracht

Die Bildung der vier getrennten Bauelemente kann aus Fig. IB entnommen werden. Es sei besonders zu bemerken, daß der Widerstand R₁₁" durch eine der in dieser Figur gezeigten Inseln gebildet wird Dieser Widerstand R_u' wird nachstehend auch als »Unter fiihrungs-Widerstand« bezeichnet. Er ist vom gleichen ix-itungstypwiedie Kollcktorzonen der eingebetteten TrHftMstorrn. d h vom Nl eitiingstyn

Nachfolgende Diflusionsschritte. d h Diffusions

509 508/145

19 Ol 665

ίο

schritte, welche dem einleitenden Isolationsdiflusionsschritt folgen, schaffen die anderen Halbleiterzonen in den Inseln 20. Danach werden die Transistoren 61 und 62 mit dem Basis-Diffusions-Verfahrensschritt gebildet, welcher zur Schaffung der Basiszonen 24 und gleichzeitig zur Bildung der den Widerstand R" definierenden Zone 26 dient.

In ähnlicher Art wird der Emitter-Diffusionsschritt in ebenfalls bekannter Weise ausgeführt, um die Emitterzonen 28 sowie die erforderlichen Kontaktzonen zu schaffen.

Die Fig. 2 enthält eine Schaltung für den Testbereich FE. Die Bezugsziffern entsprechen hier denen der Fig. 1. Der Einfachheit halber sind jedoch nicht alle Transistoren in jeder Gruppe noch alle Widerstände in den \erschiedenen Gruppen besonders dargestellt. Sie sind vielmehr durch punktierte Linien zwischen den Transistoren und den Widerständen angedeutet. Nach Fig. 2 sind zwölf Kontrollanschlüsse vorgesehen. Die Pfeile, welche auf die verschiedenen Kontrollanschlüsse treffen, stellen in einfacher Weise den selektiven Anschluß der Außenanlage dar. Dies kommt in Betracht, wenn besondere Tests durchgeführt werden sollen.

Die Anordnung der Zwischenverbindungen der Schaltungselemente des Testbereichs FE nach Fig. 2 liefert die folgenden Vorteile. Sie erlaubt eine genaue Messung der V_nl -Werte von zwei Transistoren, wobei der Kontaktwiderstandseffekt ausgeschaltet wird.

Derart genaue Messungen standen bisher mit den bekannten Anordnungen nicht /ur Verfugung. Die Messung des V_n,. -Wertes ist notwendig, wenn man zusätzlich /ur Schaltungsaufbauinformation Informationen über die Abschätzung der Qualität der Transistoren wünscht, da viele Wechselstrom-Glcichstrom-Parameter korrelierbar mit V₁₁₁ -Werten für eine gegebene Transistor-Geometrie sind. Solche Parameter sind /. B. die Großen beta, /, und R_11n. Anerkanntermaßen ist dei !-'„,.-Wert ein wichtiger Parameter in der Schaltungskonstruktion.

Mit anderen Worten, es ist wichtig, den geringen Unterschied bei V_Hh für zwei Transistoren genau messen /u können. Dies gilt sogar, wenn die besondere Schaltungskonfiguration nicht genau mit der Konfiguration nach Fig. 2 übereinstimmt.

Die beiden Transistoren 50 und 52 dienen sowohl /ur Durchfuhrung der genauen Messung von V_Bl . als auch für andere Zwecke. Diese Transistoren sind vom NPN-Typ. Sie konnten natürlich ebenso vom entgegengesetzten Typ sein. Es sei besonders bemerkt, daß die Emitter dieser beiden Transistoren direkt miteinander und mit einem gemeinsamen Punkt, der wiederum an den Kontrollanschluß 5 angeschlossen ist, verbunden sind. Die Kollektoren der Transistoren 50 und 52sind mit den betreffenden Kontrollanschlüssen 11 und 1 verbunden. Die Basis des Transistors 50 ist auf den Kontrollanschluß 12 geschaltet, während die Basis des Transistors 52 mit dem Kontrollanschluß 2 verbunden ist.

Wie oben bemerkt worden ist. soll die Möglichkeit bestehen, daß für wesentliche Zwecke dieser besonderen Verbindung fur die Transistoren 50 und 52 Schiitungsmessungen in sehr einfacher Weise durchführbar sind. Außerdem sind die Emitter dieser beiden Transistoren untereinander verbunden, um Anschlüsse /u sparen, was dem eingangs erwähnten Ziel einer Miniatunsicrung von Kontrollanschlüssen entspricht

Es sei zu bemerken, daß nach Fig. 2 der Emitterwiderstand 140. auch mit R_E bezeichnet, bei seiner Verwendung in einer Transistorschaltung vom Stromschalttyp mit dem eben erwähnten gemeinsamen Punkt des Verbinders für die Emitter angeschlossen ist. Dieser Emitterwiderstand 140 ist damit, wie auch die Widerstände 142 und 144 (R,/), verbunden. Außerdem ist damit eine Gruppe ähnlicher Widerstände [R₁') verbunden. Letztere sind besonders mit den Ziffern 122, 124 und 126 bezeichne!. Es ist natürlich klar, daß die besondere Anzahl dieser Widerstände keine große Auswirkung hat. Sie sind \ ielmehr in einfacher Weise zu einer Gruppe für die Darstellung des mittleren Widerstandsbereiches für Emitter- und Kollektorwiderstände zusammengestellt. Mit anderen Worten, alle diese Widerstände (R₁. /yi beteiligen sich an den Charakteristiken für die Emitterwiderstände, welche in den regulären integrierten Schaltun gen an anderen Stellen im Halbleiterplättchcn 100 einverleibt sind. Desgleichen beteiligen sich die anderen Widerstände (R_t. R₁ ') an den Kennlinien der Kollektorwiderstände, welche ebenfalls in den regulären integrierten Schaltungen gebildet werden.

Es ist zu bemerken, daß /ur Vereinfachung bei der »5 Durchführung der Vielheit angeforderter Messungen der R,-Widerstand 120 /wischen die Kontrollanschlusse 3 und 4 gelegt ist. während die anderen Widerstände dieses Typs (R₁') zu einer Gruppe verbunden sind. Der Widerstand 126 ist mit dem Anschluß 9 verbunden. Diese Stift sparende Verbindung des R₁ -Widerstandes 120 erlaubt kerne Durchbruchsmessungen gegen das N-Bett. Fs können jedoch Isolationsprüfungen mit der gesamten Widerstandsgruppe durchgeführt werden. Das eine Ende dieser Gruppe ist mit dem Anschluß 9 verbunden.

Diese Giuppierung von Widerständen ermöglicht auch die Prüfung von Nadellochern während des Isolations-Diffusions-Verfahrensschrittes. Dieser sind den Nadellochern bei der Maskierung wahrend der Isolations-Diffusion zuzuschreiben. Die unerwünschte Diffusion fuhrt zum Kurzschließen eines Widerstandes oder mehrerer Widerstände mit dem Substrat. Derartige Isolationsmessungcn sind fur das Entwerfen des Ertrages beim Fabrikationsprozeß wichtig.

Eine andere Gruppe \on Widerständen sind die Unterführungs-Widerstände R₁ und R₁ '. Diese sind auch in der Schaltung nach Fig. 2 vorgesehen. Ein erster R₁ -Widerstand 146 liegt zwischen den Kontrollanschlüssen 10 und 11. während eine Anzahl anderer Widerstände des gleichen Typs (R₁ ') mit einer anderen Transistorgruppe verbunden ist.

Diese I'nterfuhrungs-Widerstände sind mit 102. 104 ... 118 bezeichnet und an «lic Gruppe der Transi stören 54. 56 . 66 angcscnlosscn Die zulct/t er wähnte Transistorgruppe repräsentiert wiederum die mittlere Anzahl der in einer integiierten Schaltung verwendeten Transistoren.

Wie vorher, so sind auch hier Messungen tür den Durchbruch und für die Isolation eine Hilfe bei der Formulierung der Ertrags-Projektion. Aus demselben Grunde wie vorher erwähnt wurde, sind im Zusam menhangc mit den Verbindungen fur die Emitter- und Kollcktor-Typ-Widcrsiande die Unterführung*-Widcrstände 1Θ2. 104 .. 118 mit dem Kontrollen Schluß 8 verbunden Diese Verbindung beeinflußt ge mcinsam mit den Ko'lektoren nicht die Frtragsvorhersage, da die Isolation des R₁ -Widerstandes viel

19 Ol 665

wichtiger ist als die des Kollektors. Ein Unterführungs-Widerstand ist in einer regulären Schaltung normalerweise in die Basisleitung oder in den Basiskreis geschaltet.

Es ist zu bemerken, daß die Basen der Transistoren in dieser zuletzt genannten Gruppe, d.h. die Basen der Transistoren 54, 56 ... 66 gemeinsam mit dem Anschluß 6 verbunden sind, während deren Emitter gemeinsam an den Anschluß 5 angeschlossen sind.

Das Substrat ist mit dem Kontrollanschluß 7 durch die Isolations-Diffusions-Fläche (P' ) 70 verbunden und zwar ohne irgendeine zusätzliche Verbindung. Dies ermöglicht eine genaue Messung des Substrates-Isolationswertes. Sie ermöglicht den Lebensdauer-Test des wichtigen PN-Überganges, welcher in einer regulären Schaltung die höchste Spannung erhält. Es ist natürlich klar, daß die Kontaktfläche 72 zur epitaktischen Schicht für diesen Zweck ebenso verwendet werden kann.

Die besondere Verbindung des Emitter-Widerstandes (RE, 140) mit dem gemeinsamen Emitterpunkt liefert einen Weg zur Messung des V_Rf -Wertes der Transistoren mit vernachlässigbarem parasitärem Spannungsabfall, wie man aus der Fig. 2 entnehmen kann. Der Kontroll-Anschluß 5 wird in jedem Falle für die Messung des RE-Widerstandes 140 gebraucht.

Die Verbindung der Außenanlage zur Durchführung eines Mustertestes ist in Fi g. 2 durch Pfeile angedeutet. Die positive Seite des Generators 80 ist sowohl mit den Anschlüssen 1 und 2 als auch mit Erde anschließbar. Der negative Anschluß des Generators hat eine Verbindung zum Kontrollanschluß 5. Zusätzlich ist noch ein Voltmeter an einem Ende mit dem Kontrollanschluß 9 und am anderen Ende mit Erde anschlicßhar. Bei einer Stromzufuhr am Kontroll-Anschluß 5 unü ebenso an den Kontroll-Anschlussen 1 und 2 ergibt sich eine sehr genaue Messung des zwischen Basis und Emitter V_n, auftretenden Spannungsabfalles. Damit läßt sich der V_m -Wert des Transistors bestimmen. In ähnlicher Weise kann auch eine Messung des V_m -Wertes für den Transistor 50 gemacht werden.

Die angegebenen besonderen Verbindungen zur Test-Schaltung sind nur als Beispiel gedacht. Durch geeignete Verbindungen /u passenden Anschlüssen laßt sich eine Vielfalt geforderter Tests durchführen. Alle die dafür mitigen Anschlüsse sind zur Erreichung einer vollständigen Information vorhanden.

In Fig. Λ findet man die in Fig. 2 gezeigte Test Schaltung identisch wieder. Darüber hinaus sind aber noch andere Testanordnungen vorhanden. Es sind andere mögliche Verbindungen der äußeren Anlage zur Test-Schaltung möglich, um Messungen zu machen

Mit der Verbindung vom Kontroll-Anschluß 4 zum Kontroll-Anschluß 11, welche als Strom-Schalter be zeichnet wird, ist insbesondere eine Schaltung wirksam gemacht, mil der effektiv getestet werden kann Der Ausdruck Strom-Schalter bezieht sich auf einen besonderen Typ des Schalters, der bei Schaltoperationen hoher Geschwindigkeit eine breite Anwendung gefunden hat (vgl. die deutsche Patentschrift *i(W5S7

Er umfaßt die Verbindung von zwei oder mehr Transistoren mit einem gemeinsamen Auspangs-NcI/werk an ihren Kollektoren und entsprechend an ihren Emittern eine gemeinsame Verbindung zu einer Ouelle konstanten Stromes. Im allgemeinen ist der line oder der andere der Transistoren im leitenden Zustand, und die konstante Stromquelle überträgt den Strom über diesen einen Transistor zum Ausgangs-Netzwerk. Wenn jedoch diese Zustände sich am Eingang ändern, wird der konstante Strom in einem sehr kurzen Zeitintervall von dem genannten einen Transistor auf den anderen vollständig umgeschaltet.

Wie bereits oben bemerkt wurde, ist der Unterlührungs-Widerstand R₁₁ 146 mit dem Kollektor des Transistors 50 verbunden, um den Testvorgang zu hahen und um parasitäre Störungen zu vermeiden. Wenn man denselben I.eitungstyp hat, wie beim Kollektor des Transistors 50, dann stößt man auf keinen parasitären Transistor oder auf die Vierschicht-Diode η Wirkung. Eine solche parasitäre Wirkung würde man

¹S normalerweise mit konventionell gebildeten Prüf kreisen begegnen. Es ist natürlich klar, daß der Unterfüh rungs-Widerstand 146 normalerweise nicht in der in den Figuren gezeigten Weise angeschlossen ist. Der Unterführungs-Widerstand hat vielmehr in regulären integrierten Schaltungen die Funktion des Vcrbindens von Elementen und verlauft unterhalb einer Führung oder eines Leiters. Der Widerstand liefert eine wichtige Information zur Leistungsfähigkeit der integrierten Schaltungen. Diesci Widerstand wird durch unkomplizierte Messungen von R_f und R₍ erhalten, d.h. durch die Messungen des Widerstandes dieser Elemente gewonnen. Dieses läßt sich in sehr einfacher Weise bewerkstelligen mit den Anschlüssen 3 und 4 für den R₁ -Widerstand 120 und mit den Anschlüssen 9 und 5 fur den R, -Widersland 140.

In Fig. 4 ist ein typischer FM-Test bereich dargestellt, welcher sich von dem oben erörterten FK-Testbereich wesentlich unterscheidet. Dieses FM-Test muster befindet sich auf einem der Chips 100«, jedoch an einer anderen Stelle des in Fig. 1 dargestellten Chips (siehe Fig. h). Dieselbe Anzahl von Anschlüssen sind auch hier verwendet, und die zwölf Anschlüsse entsprechend bezeichnet. Teile dci äußeren Anlage fur die Testzwecke sind mit bestimmten An-Schlüssen dieser zwölf Anschlüsse verbunden. Derselbe Typ der Hauptschcihe ist auch hier enthalten, jedoch gibt es nicht die Schaltungsverbindung von Schaltungselementen wie Transistoren und Widerstände

Das wesentliche Ziel besteht hier allein in der Durchfuhrung besonderer Messungen, insbesondere von Vieranschluß-Messungen des Kontaktwiderstandes in der Metallisierung-Zwischenschaltung.

Die Metallisierung ist in der Zeichnung durch starke Linien dargestellt, welche zwischen den Anschlüssen liegen. Das gestrichelte Muster zeigt das unten liegende N-Typ-Bctt an. d.h. die Zwischenschaltung im Monolith von bestimmten Teilen de* epitaktischen N-Typ-Materials. Es sei bemerkt, dal; die Teile der Metallisierung sich zwischen Paaren vor Anschlüssen in verschiedenen Dicken ausbreiten. S. breitet sich z.B. der Teil /wischen den Anschlussei 11 und 12 mit ziemlich dünner Schichtdicke aus. w ah rc ad der Teil zwischen den Anschlüssen 11 und 9 \ic breiter ist Der schmälste Teil der Metallisierung be findet sich zwischen den Anschlüssen 8 und 9.

An gewissen gelrennten Stellen, die mit A, B, < bezeichnet sind, isl die Metallisierung mit dem SiI cium-Substrat \crbunden. Dies ist deshalb geschehei damit gewisse Hocnspannungsproblcmc. welche wäl rend des Aufspruhens beim Ätzen auftreten könne auszuschließen Dies geschieht in der üblichen Weis Unmittelbar neben den Anschlüssen 9 erkennt m;

19 Ol

in der Zeichnung einen Kontakt voij dem Punkt A auf dem metallischen Streifen bis herunter zu einem unten liegenden Widerstand. In ähnlicher Weise befindet sich neben dem Kontaktanschluß 7 ein anderer Kontakt B. Dieser ist mit dem Substrat hergestellt, und zwar wiederum zum Zwecke der Ausschaltung hoher Spannungsprobleme, die sich entwickeln könnten.

Der Flächenwiderstand kann sehr leicht mit der genauen Vierpunkt-Methode gemessen werden. Insbesondere läßt sich eine Information über das Ausmaß einer Überätzung ermitteln (siehe den schmalen Landbereich zwischen den Anschlüssen 8 und 9).

Der Widerstandswert vorbestimmter Widerstände und der dazugehörige Kontaktwiderstand kann durch »5 eine Vierpunkt-Methode gemessen werden, bei der die Anschlüsse 1, 2, 3 und 4 verwendet werden Dies laßt sich leicht bewerkstelligen durch einfache Einführung einer Stromquelle z. B. an den Anschlüssen 2 und 4 und durch eine Ablesung der Spannung an den Anschlüssen 1 und 2, womit sich der Wert des unteren Teiles R₁ des Widerstandes, welcher unter der Metallschicht liegt, ableiten läßt. In gleicher Weise kann der Widerstand des oberen Teiles R_? des darunterliegenden Widerstandes gemessen werden. ^a5

Die große Mctallfläche 400. welche mit dem Anschluß 5 verbunden ist. dient /ur Messung der Nadellöcher, die sich in der Silicium-Oxydschicht auf dem Halbleiterkörper befinden. Beim Auftreten von Nadellöchern im Verfahren können diese durch den Gc brauch einer Stromquelle am Anschluß 5 aufgedeckt werden. Es ist möglich, zwischen Nadellöchern in den P-Zonen und jenen in den N-Zonen /u unterscheiden. Man kann hier aus der Tatsache, daß der Anschluß 3 einen Kontakt mit den unten liegenden N-Typ-Zonen liefert, wählend doch der Kontakt /um P-Typ-Substrat besteht. Abschätzungen machen. Der Kontakt zum P-Typ besteht infolge des Kontaktes von Anschluß 10 herab zur P Isolation-Diffusions-Zone.

Die Vcrbindungs-Metalliiicrungam Anschluß 8 ist in zwei Hälften aufgeteilt Dei Anschluß selbst verbindet jedoch beide Teile durch zwei gelr:ni te Lochungen in der Schulzschicht, welche über der Metallisierung angebracht ist. Diese Anordnung gestattet daher eine Messung des Kontakt-Widerstandes mit der darunterliegenden Metallisierung über die normalerweise vorhandenen Löcher, welche sich von der Glas-Schutzschicht zur Metallisierung erstrecken. Die Metallisierung befindet sich über der Silicium-Oxydschicht. Die besondere Meßschaltung für diesen Zweck ist in Fig. 4 dargestellt. Der Generator 410 ist mit der obenliegendcn Teilungsklemme 8 verbunden und außerdem an die Klemme 6 angeschlossen. Die Spannungsablesung erfolgt mit dem Voltmeter 420 an den Anschlüssen 9 und 7.

Aus Fig. 5 ist die Technik der Korrelation und die Zusammenstellung der Prüfdaten zu entnehmen, womit man eine bedeutungsvolle Abschätzung für die Voraussehbarkeil der Schaltungseigenschaften gcvvinnt. Hierzu gehören z. B. die Formulierung der Ertragsprojektionen und die Voraussage der Zuverlässigkeit. Diese Korrelationstcchnik wird normalerweise heim Gebrauch eines Rechnerprogrammes eingeplant. Es ist jedoch notwendig, ein solches Programm zu verwenden. Das Grundziel ist einfach und besteht darin, die Gesamtinformation zu erhalten, die ein vollständiges Bild von dem geben soll, was aus dem Herstellungsprozeß erwartet werden kann.

Ein Rechnerprogramm kann angenommen und verwendet werden für die Verarbeitung der Testbercich-Daten, wobei es zwei Hauptfunktionen geben wird, nämlich die Datenberichtung und die Datenanalyse. Dies ist durch die Blockschaltung in Fig 5 ange deutet. Bei der Daten-Berichtigungs-Operation gibt das Programm die Information über jedes Halbleiter plättchen, z. B. als Rohdaten für die regulären Testbereiche, d. h. für die elektrischen Testbereiche FF. und auch fur die Testbereiche FM der Zwischenverl.indung oder Metallisierung. Es gibt z. B. den Mittelwert von jedem getesteten Parameter fur jedes Halbleiter plättchen und ein Parametermittel nur fur gute Me-sungen Man findet auch den Mittelwert hir jeden P«i ramete: Ferner wird die Anzahl der Chips ge/.ihlt und /war jene nut keinen fehlgehenden Parametern und jene mit Beta-Werten kleiner als 25.

Die Operation der Datenanalyse ist autgcbaut durch eine Reihe von logischen »ob«-Aussagen, um die Messungen verschiedenen Kategorien./ B. -olfener Transistor··, »nichtige Daten«, »fehlender Par;t meter«, usw., /u/uweisen.

Wie bereits oben erörtert worden ist. kann die An zahl der verschiedenen Testbereichc FF. und f'Mwci testgehend variiert werden. In vorteilhafter Weist wird der elektrische Testbereich FF. an zehn Stellen auf dem HalblciterplMt'chen und der /-'M-TcSIbCrCiCh an sechs Stellen verwendet. Da die Gesamtzahl der Testbeieiche in der Größenordnung von 30(1 liegt, so läßt sich abschätzen, daß der Verlust regulärer Chips klein ist. wenn man gegen die Vorteile ahvvagt. welche durch die Testbereiche geboten werden

Was vorstehend beschrieben wurde, ist eine eindeutige Testmethode /ur Prüfung der Fabrikation integrierter Halbleiter-Schaltungen, wobei die gewonnenen Informationen /ur Vorhersage dei besonderen Eigenheiten reguläi herzustellender Schaltungen ausgenutzt werden können Diese Methode ermöglicht die Erfüllung aller wichtigen Funktionen, die ein ^ollständiges Bild über den Erfolg des Herstellungsprozesses liefern können. Anders als die bekannten Meßmethoden ermöglicht die vorliegende Methode nach der Erfindung die Gewinnung von Informationen über die kritischen, dynamischen elektrischen Charakteristiken, d.h. der Schalt-Charakteristiktn. der Transistören in integrierten Schaltungen. Man erreicht das erfindungsgemäß durch die beschriebene Konfiguration von Transistoren in einem elektrischen Testbereich. Durch diese selbe eindeutige Konfiguration ist es möglich, äußerst genaue Messungen von einer der kritischsten Daten, nämlich dem V_m -Wert der Transistoren, zu erhalten. Weiterhin können Schalt-Charaktcristiken ohne Einführung parasitärer Effekte gewonnen werden. Diese Effekte sind zuzuschreiben dem Transistor oder der Vierschicht-Diode, auf deren Wirkung man unvermeidlich stößt, wenn der passende Widerstand nicht mit dem Kollektor des Transistors verbunden ist. Die vorliegende Technik liefert auch eine Minimierung der Anschlüsse bei einem gegebenen Testbereich durch das angegebene Zwischenverbindungsschema.

Hierzu 3 Blatt Zeichnungen

Claims (12)

19 Ol 665 Patentansprüche:

1. Verfahren zur Herstellung und Prüfung monolithisch integrierter Halbleiterschaltungen, bei dem in einem Halbleiterplättchen mehrere Halbleiterschaltungen mit in dotierten Inseln im Halbleiterplättchen eingebrachten, PN-Übergänge aufweisenden aktiven und auf dem Halbleiterplättchen befindlichen passiven Schaltungselementen, die durch auf dem Halbleiterplättchen isoliert aufgebrachte metallische Leitungsbahnen verbunden sind, sowie an verschiedenen Stellen des Halbieiterplättchens Testbereiche mit bestimmten Formen von Schaltungselementen ausgebildet werden, die mindestens zwei Transistoren enthalten, dadurch gekennzeichnet, daß zwei Arten von Testbereichen mit verschiedenem Muster vorgesehen sind, von denen die eine (FE) zur Messung elektrischer Kenndaten der Schaltungselemente und die andere (FM) zur Messung von Kontaktwiderständen der Leitungshahnen dient, und daß die Emitter der in den Testbereichen der erstgenannten Art (FE) enthaltenen ersten beiden Transistoren (50, 52) mit einem gemeinsamen ersten Kontrollanschluß (5) und ihre Basen und Kollektoren mit vier weiteren Kontrollanschlüssen (12, 2; 11, 1) verbunden sind.

2 Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der die beiden ersten Transistoren (50, 52) enthaltende Testbereich der erstgenannten Art (FE) zur Messung des Emitter-Basis-Spannungsabfalls (V_tB) eingerichtet ist.

3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß /ur Messung des Emitter-Basis-Spannungsabfalls ( V₁^g) das eine Ende eines eingebauten Emitter-Basis-Widerstandes (R_t, Fig. 2) mit dem gemeinsamen ersten Kontrollanschluß (5) und das andere Ende mit einem weiteren, sechsten Kontrollanschluß (9) verbunden wird.

4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß halbleitertechnologisch im Testbereich der erstgenannten Art (FE) dargestellte Emitter-Widerstände {R_h, ft_£ ) und Kollektor Widerstände (R( ) mit dem sechsten Kontrollanschluß (9) verbunden werden.

5. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 4. dadurch gekennzeichnet, daß von wenigstens drei Transistoren des Testbereiches der erstgenannten Art (FF) die Emitter mit dem gemeinsamen ersten Kontrollanschluß (5) und die Kollektoren mit einem siebenten Kontrollanschluß (8) verbunden werden.

6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß mit dem siebenten Kontrollanschluß (8) eine Gruppe von Widerständen (R₁₁ ) des Testbereichs der erstgenannten Art (FE) verbunden werden.

7. Verfahren nach den Ansprüchen 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß ein achter, neunter, zehnter, elfter und zwölfter Kontrollanschluß (7, 3, 4, 6,1) vorgesehen werden, daß der achte Kontrollanschluß (7} unter dem Substrat des Halbieiterplättchens (100), der neunte Kontrollanschluß (3) mit einer auf dem Halbleitersubstrat epitaktisch aufgetragenen Schicht (N, 72) und außerdem mit einem Kollektorwiderstand (R_c. 120) im

Testbereich der erstgenannten Art (FE) verbunden wird, dessen anderes Ende mit dem zehnten Kontrollanschluß (4) verbunden wird

8 Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der elfte Kontrollanschluß (6) mit den Basen der Transistoren (54, 56, 66) des Testbereichs der erstgenannten Art (FE) verbunden wird und daß der siebente Kontrollanschluß (8) mit einem Widerstand (R₁₁) des Testbereichs der erstgenannten Art (FE) verbunden wird, dessen anderes Ende eine Verbindung zum Kollektor eines der Transistoren (54, 56, 66) des Testbereichs der erstgenannten Art (FE) hat.

9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der mit dem siebenten Kontrollanschluß (8) verbundene Widerstand (R₁₁) des Testbereichs der erstgenannten Art (FE) vom selben Leitungstyp wie die Kollektorzone der Transistoren (54,56,66) des Testbereichs der erstgenannten Art (FE) ist. so daß Kontrollmessungen unter Vermeidung parasitärer Störungen durchführbar werden.

10. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß im Testbereich der zweitgenannten Art (FM) zwischen den Kontrollanschlüssen (1 bis 12) die Metallisierung des Halbieiterplättchens (100) liegt, die eine breite, obenliegende Fläche am Halbleiterplättchen (100) einnimmt und mit dem ersten Kontrollanschluß (5) verbunden ist.

11 Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß im Testbereich der zweitgenannten Art (FM) eine Anzahl von metallischen Streifen (Fig. 4) verschiedener Breite zwischen Paaren von Kontrollanschlüssen (11 und 12 bzw. 11 und 9 bzw. 8 und 9) geschaltet sind.

12. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 11. dadurch gekennzeichnet, daß eine Gruppe aus vier Kontrollanschlüssen (1, 2, 3, 4) mit einem darunterliegenden, im Testbereich der zweitgenannten Art (FM) des Halbieiterplättchens (100) gebildeten Widerstand (Λ,) verbunden wird, so daß Messungen des Kontaktwiderstandes nach der Vierpunkt-Methode zwischen der Verbindung der metallischen Fläche (Fig. 4) und dem gebildeten Widerstand (A₁) durchführbar sind