DE1832899U

DE1832899U - Kuehlsockel fuer eine halbleiter-anordnung.

Info

Publication number: DE1832899U
Application number: DEB44727U
Authority: DE
Original assignee: WALTER BRANDT GmbH
Current assignee: WALTER BRANDT GmbH
Priority date: 1961-04-07
Filing date: 1961-04-07
Publication date: 1961-06-15

Description

Walter Brand GmbH., Lage/Lippe Kühlsockel für eine Halbleiter-Anordnung Die Neuerung betrifft einen Kühlsockel für eine Halbleiter-Anordnung, vorzugsweise aus Silicium oder Germanium, mit einem oder mehreren pn-Übergängen.
Bekanntlich muß jedes Halbleiter-Element, vorzugsweise diejenigen aus Silicium oder Germanium, mit einem oder mehreren pn-Übergängen gegen äußere Luftatmosphären vakuumdicht gekapselt sein. Die beim Betrieb entstehende Verlustleistung muß über einen Kühlsockel, vofzugsweise aus Kupfer schnell und ohne Stauung auf einen Kühlkörper abgeleitet werden. Bei der üblichen Kontaktierung der Halbleiter-Bauelemente auf dem Kühlsockel entstehen jedoch Schwierigkeiten. So wurde unter anderem festgestellt, daß sich zwischen der Grundfläche des Kühlsockels und der Trägerplatte des aktiven Halbleiter-Eelements durch Flußmittel-Rückstände oder Oxydhäute der Kontaktierungslote Inseln bildeten, welche im praktischen Betrieb der Anordnung Wärmestauungen hervorrufen und dadurch eine Verschlechterung des thermik schen Innenwiderstandes oder ein Ansteigen der Sperrschicht-Temperatur über den Grenzwert hinaus mit sich bringen.
Die geschilderten Nachteile sind durch die Neuerung bei einem Kühlsockel der eingangs geschilderten Art dadurch behoben, daß neuerungsgemäß die Trägerfläche für das Halbleiter-Element gegenüber ihrer Umgebung hochgezogen ist. In einer bevorzugten Ausführungsform der Neuerung ist um die Trägerfläche herum eine Nut vorgesehen. Die Nut kann jede beliebige Form aufweisen und liegt gegenüber der Trägerfäche einige Millimeter tiefer. Das aktive Halbleiter-Element wird mit seinem Trägerkörper auf diese Fläche aufgelötet.
Durch die neuerungsgemäße Ausbildung des Kühlsockels ist es möglich, beim Aufschmelzen des aktiven Halbleiter-Elementes auf die Fläche des Kühlsockels das Halbleiter-Element in dem Augenblick, wo das Kontaktierungslot geschmolzen ist, mittels einer Vorrichtung den Kühlsockel in eine geringfügige exzentrische Drehung zu versetzen oder das aktive Halbleiter-Element mittels einer Hilfsvorrichtung so zu bewegen, daß nahezu sämtliche Flußmittel-Rückstände in die neuerungsgemäße Nut des Kühlsockels geschoben werden. Diese Bewegung des Halbleiter-Elementes oder des Kühlsockels erreicht noch den zusätzlichen Effekt, daß nur die geringstmögliche Lotmenge an den Kontaktierungs-Flächen haftet, welche unbedingt für eine einwandfreie Verbindung erforderlich ist. Schließlich wird durch diese Bewegung, die beim Schmelzen entstehende Oxydhaut mitsamt dem überflüssigen Lot in die tieferliegende Nut geschoben.
Der Kühlsockel nach der Neuerung ist in der nachstehenden Beschreibung an Hand der Zeichnung in einer Ausführungsform beispielhaft erläutert. Der Kühlsockel weist eine Trägerfläche 2 für das Halbleiter-Element auf, welche gegenüber ihrer Umgebung 3 hochgezogen ist. Um die Trägerfläche 2 herum ist eine Nut 4 vorgesehen, welche einen hochgezogenen Rand 5 aufweist, welcher sogar noch über die Trägerfläche 2 hinausragt.

Claims

Schutzansprüche 1. Kühlsockel für eine Halbleiter-Anordnung, vorzugsweise aus Silicium oder Germanium, mit einem oder mehreren pn-Übergängen, dadurch gekennzeichnet, daß die Trägerfläche (2) für das Halbleiter-Element gegenüber ihrer Umgebung (3) hochgezogen ist.
2. Kühlsockel nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß um die Trägerfläche (2) herum eine Nut (4) vorgesehen ist.
3. Kühlsockel nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Nut (4) von einer Außenwand (5) umgrenzt ist, die sich bis oberhalb der Trägerfläche (2) erstreckt.
4. Kühlsockel nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Trägerfläche aus Kupfer besteht.