DE1784806U

DE1784806U - Gasdichtes gehaeuse fuer elektrische halbleiteranordnung mit einkristallinem grundkoerper.

Info

Publication number: DE1784806U
Application number: DES25356U
Authority: DE
Original assignee: Siemens Corp
Current assignee: Siemens Corp
Priority date: 1957-11-02
Filing date: 1957-11-02
Publication date: 1959-03-12

Description

Gasdichtes Gehäuse für elektrische Halbleiteranordnungen mit einkristallinem Grundkörper Halbleiteranordnungen, wie Gleichrichter, Transistoren, Fotodioden, werden bereits für verschiedene Zwecke in der Elektrotechnik angewendet. Sie bestehen meist aus einem einkristallinem Grundkörper aus Germanium, Silizium oder einer intermetallischen Verbindung von Elementen der III. und V. Reihe des periodischen Systems, der zweckmäßigerweise in einem gasdichten Gehäuse eingeschlossen wird, um unter Vakuum oder einer Schutzgas-Atmosphäre aufbewahrt zu werden.
Für gewöhnlich ist das Halbleiterelement mit dem Boden des Gehäuses gut wärmeleitend verbunden und trägt auf der Oberseite eine Reihe von Anschlüssen, die durch das Oberteil des Gehäuses hindurchgeführt werden. Zwecks Erleichterung der Montage des Gerätes wird das Ge-

häuse zeckmäßigerweise aus zwei Teilen hergestellt, dere oberen

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bereits vor dem Zusammenbau mit den notwendigen Durchführungen versehen wird. Das untere besteht napfartig aus einer Bodenplatte und Seitenwandungen. Beide Teile werden dann später durch Lötung gasdicht miteinander verbunden.
Es hat sich nun gezeigt, daß bei diesem Zusammenlöten der beiden Gehäuseteile eine zu starke Erhitzung des Halbleiterelementes auftreten kann, so daß dessen elektrische Eigenschaften verschlechtert werden. Dies ist insbesondere dann zu befürchten, wenn der Halbleiter während der Behandlung von Luft umgeben ist. Man ist deshalb meistens gezwungen, das Zusammenlöten der beiden Gehäuseteile unter Schutzgas vorzunehmen.
Die Neuerung bezweckt die Vermeidung der beschriebenen Nachteile und ermöglicht ein einfaches Zusammenlöten der Gehäuseteile des Halbleitergerätes ohne Verschlechterung der elektrischen Eigenschaften des Halbleiters und ohne Anwendung einer Schutzgasatmosphäre.
Dies geschieht gemäß der Neuerung dadurch, daß die Seitenwandungen des Gehäuses mit erhöhtem Wärmewiderstand ausgeführt sind. Hierdurch wird die Wärmeübertragung zum Boden des Gehäuses und damit zum Halbleiterelement weitgehend herabgesetzt. Dies hat gleichzeitig noch den weiteren Vorteil, daß das Zusammenlöten durch Verringerung der Wärmeabfuhr von der Lötnaht erleichtert wird. Das untere Gehäuseteil wird während des Lötvorganges zweckmäßigerweise auf einen Kühlklotz aufgesetzt. Hierdurch wird eine sofortige Ableitung der Wärme gewährleistet, die trotz der Maßnahmen der Erfindung noch zum Boden des Gehäuses gelangt.
Die Zeichnung zeigt ein Ausführungsbeispiel der Neuerung. Das Gehäuse des Halbleitergerätes besteht aus dem Bodenteil 1, den Seitenwänden 2 und dem Oberteil 3. Das Halbleiterelement 4 befindet sich in einer Ausdrehung des Bodenteiles und ist mit diesem gut wärmeleitend, z. B. durch Lötung, verbunden.
Durchführungen 5, zweckmäßig aus Glasperlen bestehend, führen von den Anschlüssen 6 durch das Oberteil 3 nach außen. Das Bodenteil 1 besteht aus einem guten Wärmeleiter, z. B. Kupfer, und ist zur Erhöhung seiner Wärmekapazität starkwandig ausgeführt. Die Seitenwände 2 sind aus demselben Material wie das Bodenteil, aber mit erheblich geringerer Wandstärke ausgeführt, wie es z. B. die Zeichnung zeigt.
Hierbei sollte das Verhältnis von Höhe zur Wandstärke der Seitenwandungen größer als 5 sein. Die Höhe der Seitenwandungen ist in der Regel durch die Höhe des Halbleiterelementes einschließlich der auf seiner Oberseite befindlichen Anschlußteile bestimmt. Durch eine Vergrößerung der Gehäusehöhe darüber hinaus kann zwar ebenfalls der Wärmewiderstand erhöht werden, jedoch ist dies meist unerwünscht, weil damit ein Hauptvorzug der elektrischen Halbleitergeräte, nämlich ihr geringer Raumbedarf, teilweise aufgegeben wird. 2 Schutzansprüche 1 Figur

Claims

Schutzansprüche 1. Gasdichtes Gehäuse für elektrische Halbleiteranordnungen mit einem aus einem Stück bestehenden napfartigen Unterteil, dessen als Trägerplatte dienender Boden aus einem guten Wärmeleiter besteht, und einem aufgelöteten deckelartigen Oberteil, dadurch gekennzeichnet, daß die Seitenwandungen des Unterteils von erheblich geringerer Wandstärke als die des Bodens sind.
2. Gasdichtes Gehäuse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Verhältnis von Höhe zu Wandstärke der Seitenwandungen größer als 5 ist.