DE1764958B1 - Steuerbares elektronisches festkoerperbauelement und ver fahren zum herstellen - Google Patents
Steuerbares elektronisches festkoerperbauelement und ver fahren zum herstellenInfo
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- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 claims 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims 1
- 230000004044 response Effects 0.000 claims 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 18
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 12
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 9
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 5
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 4
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 4
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 238000010405 reoxidation reaction Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FGRBYDKOBBBPOI-UHFFFAOYSA-N 10,10-dioxo-2-[4-(N-phenylanilino)phenyl]thioxanthen-9-one Chemical compound O=C1c2ccccc2S(=O)(=O)c2ccc(cc12)-c1ccc(cc1)N(c1ccccc1)c1ccccc1 FGRBYDKOBBBPOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVEXGJYMHHTVKP-UHFFFAOYSA-N 6-oxabicyclo[3.2.1]oct-3-en-7-one Chemical compound C1C2C(=O)OC1C=CC2 TVEXGJYMHHTVKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101150021183 65 gene Proteins 0.000 description 1
- CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N Fe2+ Chemical compound [Fe+2] CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000006386 memory function Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B53/00—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
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- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
- C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
- C04B35/468—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates
- C04B35/4682—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates based on BaTiO3 perovskite phase
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/48—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates
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- C04B35/50—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on rare-earth compounds
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- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
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- C04B35/51—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on compounds of actinides
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
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Description
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Schaltvorgang eine unter Umständen beträchtlich behält und welches sich mit besserer Reproduziererhöhte
Temperatur annimmt. barkeit herstellen läßt.
Ein anderes Bauelement, das als ohmscher Wider- Diese Aufgabe wird bei einem steuerbaren elektro-
stand arbeitet, besteht aus einem zugleich als Steuer- nischen Festkörperbauelement, bei dem auf einer
elektrodenisolator dienenden Ferroelektrikum-Kri- 5 halbleitenden Schicht, an die beabstandete, die Enden
stallsubstrat mit einer aufgedampften Dünnschicht eines Stromweges durch die Schicht bildende Elek-
aus Halbleitermaterial, an deren Enden eine Quellen- troden angeschlossen sind, eine isolierende, ferro-
und eine Abflußelektrode angeschlossen sind. Durch elektrische, an den Stromweg angrenzende Schicht
spontane Polarisation des ferroelektrischen Gitter- angeordnet ist und bei dem auf der der halbleitenden
materials wird dabei die Dichte der freien Ladungen id Schicht gegenüberliegenden Oberfläche der isolieren-
und damit die Leitfähigkeit des Widerstandes ge- den, ferroelektrischen Schicht eine Elektrode zum
steuert. Dieses bekannte Bauelement hat viele wün- Steuern des Stromflusses durch den Stromweg ange-
schenswerte Eigenschaften. Es hat hohe Widerstands- bracht ist, erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die
Verhältnisse von mindestens 1000:1. Es ist bis hinauf beiden Schichten Teile eines einkristallinen Körpers
zu hohen Frequenzen frequenzunabhängig. Sein 15 aus ferroelektrischem Material sind.
Widerstand kann durch teilweises Schalten auf mitt- Der Widerstand des Bauelements wird dadurch
lere Werte der Ferroelektrikum-Polarisation auf be- gesteuert, daß die Polarisation des unter der Steuer-
liebige Zwischenwerte eingestellt werden. Seine elektrode oder dem Gitter befindlichen Teils des
Schaltzeit beträgt in der Größenordnung von Mikro- Ferroelektrikumkörpers verändert wird, so daß in
Sekunden. Schließlich benötigt es nur geringe Schalt- 20 dem den Stromweg bildenden Halbleiterteil eine
leistungen in der Größenordnung von Milliwatt. An- größere oder kleinere Anzahl von Ladungen indu-
dererseits hat dieses Bauelement den Nachteil, daß ziert wird. Durch die Anzahl der Ladungen im
sein Speicherungszustand mit der Zeit langsam ab- Stromweg wird der Widerstand gegen den Stromfluß
klingt und daß es durch Umgebungseinflüsse in seiner bestimmt. Stabile Betriebszustände werden dadurch
Leistung beeinträchtigt wird. 25 erhalten, daß das Ferroelektrikum vollständig ent-
Ferner ist ein steuerbares Halbleiterbauelement be- weder positiv oder negativ polarisiert wird, während
kannt (USA.-Patentschrift 2 791 758), bei welchem mit unvollständiger Polarisation Zwischenzustände
sich auf einem Halbleiterkörper eines Leitungstyps erhalten werden können.
eine Schicht aus Halbleitermaterial des entgegenge- In spezieller Ausgestaltung der Erfindung kann der
setzten Leitungstyps befindet, welches zwischen zwei 30 einkristalline Körper ein flaches Plättchen sein, und
Elektroden einen leitenden Kanal bildet. Zwischen die Schichten sind parallel zu dessen Hauptflächen
diesen beiden Elektroden ist eine Steuerelektrode angeordnet und haben im wesentlichen die gleiche
angeordnet, welche von dem Kanal durch eine isolie- Ausdehnung. Der einkristalline Körper kann in berende,
ferroelektrische Schicht, welche beispielsweise kannter Weise aus Bariumtitanat bestehen. Ferner
aus Bariumiitanat bestehen kann, getrennt ist. Durch 35 kann der einkristalline Körper aus einem halbleiten-Anlegen
einer Steuerspannung läßt sich die ferro- den Innenkern und einer diesen Kern im wesentelektrische
Schicht polarisieren, wobei die Polarisa- liehen umgebenden isolierenden ferroelektrischen
tion nach Entfernen der Steuerspannung aufrecht- Außenschicht bestehen, und am Umfang des Kernes
erhalten bleibt und die auf den Kanal einwirkende können zwei beabstandete, die Enden eines Strom-Polarisationsspannung
dessen Leitfähigkeit beein- 40 weges durch den Kern bildende Elektroden angeflußt.
Auf diese Weise läßt sich der Kanal in unter- bracht sein. Hierbei kann der Kern insbesondere
schiedliche Leitfähigkeitszustände schalten. durch eine reduzierte und die Außenschicht durch
Ferner ist ein steuerbares elektronisches Fest- eine oxydierte Form des Materials des einkristallinen
körperbauelement bekannt (deutsche Patentschrift Körpers gebildet werden. Ein derartiges Bauelement
950 301), welches durch eine Tellurschicht gebildet 45 kann beispielsweise durch Reduktion eines vorbewird,
welche als eine Elektrode eines Kondensators reiteten einkristallinen Plättchens aus oxydiertem
wirkt, dessen Dielektrikum durch ein an die Tellur- Bariumtitanat in einer heißen Wasserstoffatmosphäre
schicht angrenzendes ferroelektrisches Material ge- und anschließende Reoxydation des äußeren Teiles
bildet wird, auf dessen der Tellurelektrode gegen- erhalten werden. Allerdings ist es aus der deutschen
überliegenden Seite eine metallische Steuerelektrode 50 Auslegeschrift 1 097 568 bekannt, eine scheibenförangebracht
ist. Mit Hilfe einer dieser Elektrode zu- mig gepreßte Mischung aus Bariumtitanat, Strontiumgeführten
Steuerspannung läßt sich wiederum das titanat und Oxyden seltener Erden in einer Wasser-Ferroelektrikum
polarisieren, wobei die Polarisie- Stoffatmosphäre zu brennen, um durch die dabei
rungsspannung den Leitungszustand der Tellurschicht erfolgende Reduktion eine Umwandlung der Scheibe
bestimmt. Auch dieses Bauelement läßt sich unter 55 in einen η-leitenden Halbleiter zu bewirken.
Ausnutzung der dielektrischen ferroelektrischen Sätti- In weiterer Ausgestaltung der Erfindung können gung in zwei stabile Leitungszustände umschalten, auf verschiedenen Teilen der Außenschicht beiderdie nach Entfernen der Steuerspannung erhalten seits des Stromweges zwei metallische Steuerelektrobleibt. den angebracht sein, die entweder symmetrisch oder
Ausnutzung der dielektrischen ferroelektrischen Sätti- In weiterer Ausgestaltung der Erfindung können gung in zwei stabile Leitungszustände umschalten, auf verschiedenen Teilen der Außenschicht beiderdie nach Entfernen der Steuerspannung erhalten seits des Stromweges zwei metallische Steuerelektrobleibt. den angebracht sein, die entweder symmetrisch oder
Demgegenüber besteht die Aufgabe der Erfindung 60 nichtsymmetrisch ausgebildet sind. Mit dieser Mehrin
der Schaffung eines steuerbaren elektronischen elektrodenanordnung lassen sich mehr als zwei
Fesikörperbauelements, welches bei einem hohen stabile Leitungszustände des Elements erreichen, wie
Schaltverhältnis und weitgehender Frequenzunabhän- in der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsgigkeit
sowie kurzer Schaltzeit und geringer Schalt- beispielen im einzelnen erläutert ist. Es zeigt
leistung in seinen Eigenschaften stabiler ist als die 65 F i g. 1 einen Querschnitt eines Körpers aus dielekbekannten Bauelemente und insbesondere seinem trischem, ferroelektrischem Material für die Herstel-Schaltzustand auch nach Verschwinden der Steuer- lung eines Bauelements gemäß einer Ausführungsspannung praktisch unverändert über lange Zeit bei- form der Erfindung,
leistung in seinen Eigenschaften stabiler ist als die 65 F i g. 1 einen Querschnitt eines Körpers aus dielekbekannten Bauelemente und insbesondere seinem trischem, ferroelektrischem Material für die Herstel-Schaltzustand auch nach Verschwinden der Steuer- lung eines Bauelements gemäß einer Ausführungsspannung praktisch unverändert über lange Zeit bei- form der Erfindung,
Fig. 2 eine entsprechende Darstellung des Körpers wird auf die freiliegende Bodenfläche der Isolier-
nach F i g. 1, nachdem dessen Außenteil in die halb- schicht 2' eine Steuer- oder Gitterelektrode 10 in
leitende Form umgewandelt worden ist, Form eines dünnen Goldfilmes aufgedampft.
Fig. 3 einen Schnitt des Körpers nach Fig. 2, Sodann werden z. B. durch Löten Zuleitungsdrähte
nachdem bestimmte Teile davon entfernt worden 5 12' und 14' an den Metallschichten 6 und 8 sowie
sind, ein weiterer Zuleitungsdraht 16' an der Schicht 10
F i g. 4 eine Darstellung des Körpers nach F i g. 1 befestigt.
mit angebrachten Elektroden, Der zwischen den Endelektroden 6 und 8 befind-F
i g. 5 eine Strom-Spannungs-Kurvenschar für das liehe Teil der Schicht 4' bildet den Stromweg des Bau-Bauelement
nach F i g. 4, io elements. Durch Erhöhen der Anzahl von Majoritäts-F
i g. 6 eine Darstellung des Körpers nach F i g. 1 ladungsträgern in diesem Stromweg wird dessen
nach dessen Umwandlung in halbleitende Form, Widerstand erniedrigt, so daß der bei Anlegen einer
F i g. 7 eine der F i g. 6 entsprechende Darstellung Spannungsdifferenz zwischen den beiden Endelektrodes
gleichen Körpers, nachdem dessen Außenmantel den fließende Strom sich entsprechend erhöht. Bei
in die isolierende Form zurückgewandelt worden ist, 15 Verringern der Anzahl von Ladungsträgern im
F i g. 8 einen Schnitt entlang der Linie 4-4 in Stromweg oder Kanal erhöht sich dessen Wider-F
i g. 7, stand, so daß der Stromfluß sich entsprechend ver-
F i g. 9 eine der F i g. 8 entsprechende Darstellung, ringert.
die einen weiteren Verfahrensschritt bei der Her- Im Betrieb des Bauelements wird dieses, wenn dem
Stellung des erfindungsgemäßen Bauelements ver- 20 Gitter 10 ein positiver Impuls von für das vollstän-
anschaulicht, dige Schalten des Ferroelektrikums ausreichender
F i g. 10 eine der F i g. 9 entsprechende Darstellung Größe zugeführt wird, in den maximalen EIN-Zu- Λ
des Bauelements mit angebrachten Elektrodenzulei- stand mit einer der Kurve A in F i g. 5 entsprechen- ^
tungen, wobei die Arbeitsweise des Bauelements ver- den Strom-Spannungs-Kennlinie geschaltet. Bei Er-
anschaulicht ist, 25 höhen der Spannung zwischen den Endelektroden 6
Fig. 11 eine Querschnittsdarstellung einer anderen und 8 fließt durch die Schicht 4' ein entsprechend
Ausführungsform des erfindungsgemäßen Bau- erhöhter Strom. Wenn dann ein ausreichend großer
elements, Spannungsimpuls entgegengesetzter Polarität zuge-
F i g. 12 eine Strom-Spannungs-Kurvenschar für führt wird, wird der ferroelektrische Körperteil 2'
dasBauelementnachFig.il, 30 im entgegengesetzten Sinne polarisiert, so daß im
Fig. 13 eine Querschnittsdarstellung einer wei- Kanalteil der Schicht 4'positive Ladungen (+) indu-
teren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Bau- ziert werden und das Bauelement in den maximalen
elements und AUS-Zustand, entsprechend der durch die Kurve C in
Fig. 14 eine Strom-Spannungs-Kurvenschar für Fig. 5 angedeuteten Kennlinie, geschaltet wird,
das Bauelement nach Fig. 13. 35 Wenn der Gitterelektrode 10 Spannungsimpulse
Das erfindungsgemäße Bauelement läßt sich gemäß zugeführt werden, deren Größe nicht ausreicht, um
einem Ausführungsbeispiel wie folgt herstellen. Als das Ferroelektrikum vollständig zu schalten, erhält
Ausgangsmaterial eignet sich ein Einkristallplätt- man Zwischenzustände, wie durch die Kurve B in
chen 2 (Fig. 1) aus oxydiertem Bariumtitanat-Isola- Fig. 5 angedeutet.
tor. Geeignete Körper sind im Handel erhältlich, 40 Bei dem erfindungsgemäßen Bauelement wird ein
obwohl sie unter Umständen nicht die gezeigte Form einziges Material mit durchgehendem kristallinen
haben. Wie in F i g. 2 angedeutet, wird ein Außen- Gefüge für sowohl den Ferroelektrikumteil als auch
mantel 4 des Körpers durch ein- bis mehrstündiges den Halbleiterteil verwendet. Durch diese Struktur
Erhitzen in einer Wasserstoffatmosphäre auf 500 bis des Bauelements werden diejenigen Zustände elimi- ä
900° C in den halbleitenden Zustand übergeführt, 45 niert, die früher an der Grenzfläche zwischen Halb- '
wobei, wie angenommen wird, eine Materialform mit leiter und Ferroelektrikum vorhanden waren.
Sauerstoff-Leerstellen entsteht. Der Außenmantel ist Gemäß einer anderen Ausführungsform der Ern-halbleitend.
Ein sichtbares Zeichen der Umwand- findung besteht das Bauelement aus einem Körper
lung oder Reduktion ist die Änderung der Farbe aus einkristallinem ferroelektrischem Material mit
von Hellgelb in Dunkelbraun. Auch andere Metho- 50 einem Innenkern mit Halbleitereigenschaften und
den der Reduktion können verwendet werden. einem Außenmantel mit Isoliereigenschaften, wobei
Wie in F i g. 3 angedeutet, wird z. B. durch Schlei- der Kern mit zwei beabstandeten, die Enden eines
fen oder durch Maskieren und Ätzen mit Phosphor- den Kern durchsetzenden Stromweges bildenden
säure der gesamte halbleitende Außenmantel 4 des Elektroden kontaktiert und auf einem oder mehreren
Körpers mit Ausnahme eines oberen Schichtteils 4' 55 Teilen des Mantels über dem Stromweg mindestens
entfernt, so daß ein Verbund- oder Schichtkörper, eine metallische Steuer- oder Gitterelektrode angebestehend
aus einem Teil des ursprünglichen Isolier- bracht ist.
materials in Form einer Schicht 2' und der Halb- Der Widerstand dieses Bauelements wird dadurch
leiterschicht 4', zurückbleibt. gesteuert, daß die Polarisation des unter der Gitter-
Wie in F i g. 4 gezeigt, werden dann an den beiden 60 elektrode (bzw. den Gitterelektroden) befindlichen
Enden der Schicht 4' Elektroden 6 und 8 angebracht, Teiles des ferroelektrischen Außenmantels verändert
was durch Aufbringen von Magnesiumfilmen an den wird, so daß in dem den Stromweg bildenden HaIb-
beiden Enden der Schicht 4', Bedecken dieser Magne- leiterteil eine größere oder geringere Anzahl von
siumfilme mit Goldfilmen und anschließendes Sintern Ladungen induziert werden. Die Anzahl der Ladun-
bei ungefähr 400° C in einer neutralen Atmosphäre, 65 gen im Stromweg bestimmt den Widerstand gegen
z. B. in Stickstoff, geschehen kann. Man kann jedoch den Stromfluß. Stabile Betriebszustände werden da-
auch anderweitige Metalle verwenden. durch erhalten, daß das Ferroelektrikum vollständig
Ebenfalls mit Hilfe üblicher Maskierverfahren positiv oder negativ polarisiert wird, während mit
unvollständiger Polarisation Zwischenzustände er- Auf den Teil 7 der Isolierschicht 6 zwischen den
halten werden können. eingeätzten öffnungen 8 und 10 wird wiederum
Auch für diese Ausführungsform wird ein einziges mittels üblicher Maskierverfahren eine Gitterelek-Material
mit durchgehendem kristallinem Gefüge für trode 16 in Form eines dünnen Goldfilmes auf-
sowohl den Ferroelektrikumteil als auch den Halb- 5 gedampft.
leiterteil verwendet. Der Halbleiterteil ist vollständig Wie in F i g. 10 gezeigt, werden elektrische Zuin
den Ferroelektrikumteil eingebettet und von die- leitungsdrähte 18,20 und 22 an den Elektroden 12,
sem umgeben. Bei dieser Ausführungsform werden 14 bzw. 16 z. B. durch Anlöten befestigt,
die durch das Einfangen von freien Ladungsträgern Der zwischen den Elektroden 12 und 14 befindbedingten Effekte, die bei freiliegender Halbleiter- iq liehe Teil des Halbleiterkerns 4' dient als Stromweg oberfläche auftreten, vermieden. Ebenso werden auch oder Kanal des Bauelements. Durch Erhöhen der die Zustände vermieden, die sich an der Grenzfläche Anzahl der Majoritätsladungsträger in diesem Stromzwischen Halbleiter und Ferroelektrikum ergeben. weg wird der Widerstand des Stromwegs erniedrigt,
die durch das Einfangen von freien Ladungsträgern Der zwischen den Elektroden 12 und 14 befindbedingten Effekte, die bei freiliegender Halbleiter- iq liehe Teil des Halbleiterkerns 4' dient als Stromweg oberfläche auftreten, vermieden. Ebenso werden auch oder Kanal des Bauelements. Durch Erhöhen der die Zustände vermieden, die sich an der Grenzfläche Anzahl der Majoritätsladungsträger in diesem Stromzwischen Halbleiter und Ferroelektrikum ergeben. weg wird der Widerstand des Stromwegs erniedrigt,
Zur Herstellung eines solchen Bauelements ver- so daß sich der bei einer gegebenen Spannungswendet
man gemäß einem Verfahrensbeispiel einen 15 differenz zwischen den beiden Elektroden 12 und 14
Körper aus einkristallinem ferroelektrischem Material fließende Strom entsprechend erhöht. Bei Verringewie
Bariumtitanat. Das Material des gesamten Kör- rung der Anzahl der Ladungsträger im Stromweg
pers wird zunächst, z. B. durch ein Reduktionsver- oder Kanal erhöht sich der Widerstand des Stromfahren,
in eine Form mit Halbleitereigenschaften um- weges, so daß der Stromfluß sich entsprechend vergewandelt.
Anschließend wird lediglich ein Außen- 20 ringert.
mantelteil des Körpers in seinen vorherigen Isolier- Fig. 11 veranschaulicht eine weitere Ausführungszustand
zurückgewandelt. Zur Vervollständigung des form, bei der das Bauelement dem nach Fig. 10
Bauelements wird der Kernteil mit zwei beabstande- ähnlich ist, jedoch eine zweite Gitterelektrode 26 hat,
ten Elektroden, welche die Enden eines Stromweges die auf der Oberfläche der Isolierschicht 6 direkt
durch den Halbleiterkern bilden, versehen, und es 25 gegenüber der ersten Gitterelektrode 16 angebracht
werden auf über dem Stromweg befindliche Teile des ist. Die Elektrode 26 hat die gleiche Flächenaus-Ferrodielektrikum-Außenmantels
ein oder mehrere dehnung wie die Elektrode 16 und ist mit einem Metallfilme aufgebracht, die ein oder mehrere Gitter- Zuleitungsdraht 28 versehen,
elektroden bilden. Die Arbeitsweise des Bauelements nach Fig. 11
elektroden bilden. Die Arbeitsweise des Bauelements nach Fig. 11
Im einzelnen gestaltet sich das Herstellungsver- 30 ist anders als die des Bauelements nach Fig. 10.
fahren gemäß diesem Ausführungsbeispiel wie folgt. Die Strom-Spannungs-Kennlinien des Bauelements
Wiederuni ist ein geeignetes Ausgangsmaterial ein für den Fall, daß dieses symmetrisch aufgebaut ist
einkristallines Plättchen 2 aus oxydiertem Barium- und die Gitter gleiche Steuerwirkung haben, sind in
titanat-Isolator, wie er, obwohl nicht unbedingt in Fig. 12 gezeigt. Wenn beide Gitter mit positiven
der gezeigten geometrischen Form, im Handel er- 35 Impulsen (+) beaufschlagt sind, arbeitet das Bauhältlich
ist. Wie in F i g. 6 gezeigt, wird der Körper element mit einer der Kurve E entsprechenden Kenndurch
12- bis 17stündiges Erhitzen in einer Wasser- linie, in welchem Fall der Kanal maximale Leitstoffatmosphäre
auf 600 bis 900° C vollständig in fähigkeit hat. Wenn beide Gitter mit negativen
den Halbleiterzustand reduziert, wobei, wie ange- Impulsen (—) beaufschlagt sind, ergibt sich die der
nommen wird, eine Materialform mit Sauerstoff- 40 Kurve G entsprechende Kennlinie. In diesem Fall
Leerstellen entsteht. Der Körper ist jetzt insgesamt hat der Kanal minimale Leitfähigkeit. Wenn ein
n-halbleitend. Sichtbares Zeichen für die erfolgte Gitter mit positivem und das andere Gitter mit
Reduktion ist ein Wechsel der Farbe von Hellgelb negativem Impuls beaufschlagt ist, ergibt sich die
in Dunkelbraun. Wie in F i g. 7 und 8 gezeigt, wird der Kurve F entsprechende Kennlinie. In diesem Fall
ein Außenmantel 6 mit einer Dicke von 0,025 bis 45 Hegt die Leitfähigkeit des Kanals zwischen den durch
0,1 mm (1 bis 4 Mil) des umgewandelten Körpers 4 die Kurven E und G gegebenen Zuständen,
nach Fig. 6 durch Reoxydation in die Ferrodielek- Das symmetrische Zweigitter-Bauelement hat getrikumform zurückgewandelt. Die Reoxydation er- genüber dem Eingitter-Bauelement den Vorteil, daß folgt durch einige Minuten langes Erhitzen in Luft es für tertiäre Speicher- oder Logikfunktionen verbei 700° C. Sichtbares Zeichen der Rückwandlung 50 wendet werden kann, da sämtliche drei Zustände ist ein Wechsel der Farbe von Dunkelbraun zurück stabile, zwangläufig sich einstellende Zustände sind, in Hellgelb. die durch vollständiges Schalten des Gitterf erroelek-
nach Fig. 6 durch Reoxydation in die Ferrodielek- Das symmetrische Zweigitter-Bauelement hat getrikumform zurückgewandelt. Die Reoxydation er- genüber dem Eingitter-Bauelement den Vorteil, daß folgt durch einige Minuten langes Erhitzen in Luft es für tertiäre Speicher- oder Logikfunktionen verbei 700° C. Sichtbares Zeichen der Rückwandlung 50 wendet werden kann, da sämtliche drei Zustände ist ein Wechsel der Farbe von Dunkelbraun zurück stabile, zwangläufig sich einstellende Zustände sind, in Hellgelb. die durch vollständiges Schalten des Gitterf erroelek-
Man kann auch mit anderen Reduktions- und trikums erhalten werden.
Oxydationsmethoden arbeiten und die Dauer und Das symmetrische Zweigitter-Bauelement läßt sich
Temperaturen der Verfahrensschritte verändern, um 55 auch unvollständig polarisieren, um eine beliebige
Bauelemente mit anderen Eigenschaften zu erhalten. Anzahl von Zwischenzuständen zu erhalten.
Wie in Fig. 9 gezeigt, werden auf der einen Fig. 13 veranschaulicht eine andere Ausführungs-Kristallfläche
in dichtem Abstand voneinander zwei form des erfindungsgemäßen Zweigitter-Bauelements.
Öffnungen 8 und 10 durch Maskieren und Durch- Dabei ist das zweite, mit dem Zuleitungsdraht 32
ätzen des isolierenden Außenmantels bis zum Halb- 60 versehene Gitter 30 in seiner Fläche kleiner oder
leiterkern mit Phosphorsäure gebildet. Als nächstes größer als das erste Gitter 16, so daß sich also
werden auf das Kernmaterial 4' am Boden der Öff- unsymmetrische Steuerelektroden ergeben und das
nungen 8 und 10 Magnesiumfilme 12 bzw. 14, bei- Bauelement folglich vier vollständig stabile Betriebsspielsweise
durch Aufdampfen im Vakuum, aufge- zustände, entsprechend den verschiedenen Kombibracht.
Dann wird auf den Magnesiumfilm ein Gold- 65 nationen von maximaler positiver oder negativer
film aufgebracht, und die Filme werden bei ungefähr Polarisation der Gittermaterialien, aufweist, wie
400° C in einer neutralen Atmosphäre, z. B. in Stick- durch die Strom-Spannungs-Kennlinienschar in
stoff, gesintert. Fig. 14 angedeutet.
In Fig. 14 ergibt sich die KurveH, wenn beide
Gitter positiv gepulst sind. Die Kurve/ ergibt sich, wenn das steuerungseffektivere Gitter (in diesem Fall
das großflächigere Gitter 16) positiv und das weniger steuerungseffektive Gitter (in diesem Fall das kleinflächigere Gitter30) negativ gepulst ist. Die Kurve/
ergibt sich, wenn das steuerungseffektivere Gitter negativ und das weniger steuerungseffektive Gitter
positiv gepulst ist. Die Kurve K ergibt sich, wenn beide Gitter negativ gepulst sind.
10
Auch dieses unsymmetrische Zweigitter-Bauelement kann unvollständig polarisiert werden, um eine
beliebige Anzahl von Zwischenzuständen zu erhalten.
Das Bauelement nach Fig. 13 eignet sich unter
anderem für quaternäre Logik- und Speicherfunktionen.
Statt Bariumtitanat kann man für sowohl das Ferroelektrikum als auch den Halbleiter auch andere
bekannte Ferroelektrika, z. B. Materialien vom Perovskite-Oxydtyp verwenden.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (10)
1. Steuerbares elektronisches Festkörperbau- Sphäre erfolgt.
element, bei dem auf einer halbleitenden Schicht, 10. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch
an die beabstandete, die Enden eines Stromweges 5 gekennzeichnet, daß das Zurückwandeln des
durch die Schicht bildende Elektroden ange- Außenmantels in den Isolierzustand durch
schlossen sind, eine isolierende, ferroelektrische, Oxydieren erfolgt,
an den Stromweg angrenzende Schicht angeordnet ist und bei dem auf der der halbleitenden
Schicht gegenüberliegenden Oberfläche der iso- io
lierenden ferroelektrischen Schicht eine Elektrode
zum Steuern des Stromflusses durch den Stromweg angebracht ist, dadurch gekenn- Die Erfindung betrifft ein steuerbares elektronizeichnet, daß die beiden Schichten (4', 2', 7) sches Festkörperbauelement, bei dem auf einer halb-Teile eines einkristallinen Körpers aus ferroelek- 15 leitenden Schicht, an die beabstandete, die Enden irischem Material sind. eines Stromweges durch die Schicht bildende Elek-
zum Steuern des Stromflusses durch den Stromweg angebracht ist, dadurch gekenn- Die Erfindung betrifft ein steuerbares elektronizeichnet, daß die beiden Schichten (4', 2', 7) sches Festkörperbauelement, bei dem auf einer halb-Teile eines einkristallinen Körpers aus ferroelek- 15 leitenden Schicht, an die beabstandete, die Enden irischem Material sind. eines Stromweges durch die Schicht bildende Elek-
2. Festkörperbauelement nach Anspruch 1, da- troden angeschlossen sind, eine isolierende, ferrodurch
gekennzeichnet, daß der einkristalline elektrische, an den Stromweg angrenzende Schicht
Körper ein flaches Plättchen ist und die Schich- angeordnet ist und bei dem auf der der halbleitenden
ten (2', 4') parallel zu dessen Hauptflächen ange- 20 Schicht gegenüberliegenden Oberfläche der isolierenordnet
sind und im wesentlichen gleiche Aus- den, ferroelektrischen Schicht eine Elektrode zum
dehnung haben (F i g. 4). Steuern des Stromflusses durch den Stromweg ange- λ
3. Festkörperbauelement nach Anspruch 1, da- bracht ist. "
durch gekennzeichnet, daß der einkristalline Elektronische Festkörperbauelemente stehen in
Körper aus Bariumtitanat besteht. 25 Form von Dioden und Trioden für Verstärkungs-,
4. Festkörperbauelement nach Anspruch 1, Schwingungserzeugungs- und Schaltzwecke sowie in
dadurch gekennzeichnet, daß der einkristalline Form von klassischen Schaltungselementen wie
Körper aus einem halbleitenden Innenkern (4') ohmschen Widerständen und Kondensatoren zur
und einer diesen Kern (4') im wesentlichen um- Verfügung. Es ist jedoch wünschenswert, auch Baugebenden,
isolierenden, ferroelektrischen Außen- 30 elemente für anderweitige Funktionen, die früher
schicht (6, 7) besteht und daß am Umfang des mit Festkörperbauelementen nicht zufriedenstellend
Kernes (4') zwei beabstandete, die Enden eines realisiert werden konnten, zur Verfügung zu haben.
Stromweges durch den Kern (4') bildende EIek- Dazu gehören diejenigen Funktionen, bei denen das
troden (12,14) angebracht sind (Fig. 9 bis 11 Bauelement als Reaktion auf Eingangsgrößen wie
und 13). 35 Spannungen oder Ströme sich in seinen Eigenschaf-
5. Festkörperbauelement nach Anspruch 4, ten ändern muß, wobei diese Änderung auch nach
dadurch gekennzeichnet, daß der Kern (4') durch Verschwinden der Eingangsgrößen erhalten bleieine
reduzierte und die Außenschicht (6, 9) durch ben soll.
eine oxydierte Form des Materials des einkristal- Derzeit ist ein Bauelement, dessen elektrischer
linen Körpers gebildet sind. 40 Widerstand durch Anlegen eines kurzzeitigen elektri-
6. Festkörperbauelement nach Anspruch 4, sehen »Setzsignals« über einen abstufbaren Bereich
dadurch gekennzeichnet, daß auf verschiedenen einstellbar ist, für Anwendungszwecke wie Gedächt-Teilen
der Außenschicht (7, 6) beiderseits des nis-, Speicher-, Zähl- und Schaltanordnungen von
Stromweges zwei metallische Steuerelektroden Interesse. Ein spezieller Anwendungsfall ist die ύ
(16,26,32) angebracht sind (Fig. 11 und 13). 45 »vollelektronische« Abstimmung oder Kanalwahl in
7. Festkörperbauelement nach Anspruch 6, Fernsehempfängern.
dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerelektro- Ein derartiges Bauelement mit einer ausreichend
den (16, 26, 32) bezüglich ihrer Steuereigenschaf- großen Anzahl von stabilen Zuständen kann über
ten entweder symmetrisch oder nichtsymmetrisch eine geeignete Lastschaltung eine spannungsabhänzueinander
sind. 50 gige Kapazität für die Wahl verschiedener Frequen-
8. Verfahren zur Herstellung eines steuerbaren zen oder eine spannungsabhängige Verstärkungselektronischen
Festkörperbauelements nach An- schaltung für die Lautstärkeregelung in einem sprach 4, dadurch gekennzeichnet, daß bei einem Heimempfänger oder anderweitigen Gerät steuern,
einkristallinen Körper aus ferroelektrischem, iso- Steuerbare Widerstände können auch Speicherfunklierendem
Material das gesamte Körpermaterial 55 tionen ausüben, wenn sie nach Abschalten der
in eine halbleitende Form umgewandelt wird; daß Energiezufuhr in dem gewünschten Zustand verdann
lediglich ein Außenmantel des Körpers in bleiben. Zum Auslesen des gespeicherten Wertes
seinen vorherigen Isolierzustand zurückgewandelt wird den entsprechenden Elektroden eine Spannung
wird; daß an dem nicht zurückgewandelten halb- zugeführt, wobei das Auslesen zerstörungsfrei erfolgt,
leitenden Teil des Körpers zwei beabstandete, 60 Es gibt eine Reihe von bekannten Lösungsvordie
Enden eines Stromweges durch den diesen schlagen für derartige steuerbare Bauelemente. Bei-Teil
bildende Elektroden angebracht werden; und spielsweise läßt sich ein derartiges Bauelement mitdaß
auf mindestens einen Teil des Außenmantels tels feldinduzierter Ionenbewegung in einem Festüber
dem Stromweg ein als Steuerelektrode die- körper vom Diodenzustand in einen Widerstandszunender
Metallfilm aufgebracht wird. 65 stand schalten. Jedoch ist für viele Zwecke die
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch Ionenbewegung zu langsam, und außerdem erfordert
gekennzeichnet, daß als Material für den ein- der Ionenbewegungsvorgang eine verhältnismäßig
kristallinen Körper Bariumtitanat verwendet wird große Schaltleistung, so daß das Bauelement beim
ORiSiMAL IrICPECTED
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US66728367A | 1967-09-12 | 1967-09-12 | |
US66720267A | 1967-09-12 | 1967-09-12 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1764958B1 true DE1764958B1 (de) | 1972-02-03 |
Family
ID=27099634
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19681764958 Pending DE1764958B1 (de) | 1967-09-12 | 1968-09-11 | Steuerbares elektronisches festkoerperbauelement und ver fahren zum herstellen |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US3463973A (de) |
DE (1) | DE1764958B1 (de) |
FR (1) | FR1582684A (de) |
GB (1) | GB1206850A (de) |
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