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DE1646795A1 - Traegerkoerper fuer einen Halbleiterkoerper einer Halbleitervorrichtung und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents

Traegerkoerper fuer einen Halbleiterkoerper einer Halbleitervorrichtung und Verfahren zu seiner Herstellung

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DE1646795A1
DE1646795A1 DE1966N0029537 DEN0029537A DE1646795A1 DE 1646795 A1 DE1646795 A1 DE 1646795A1 DE 1966N0029537 DE1966N0029537 DE 1966N0029537 DE N0029537 A DEN0029537 A DE N0029537A DE 1646795 A1 DE1646795 A1 DE 1646795A1
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nickel
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semiconductor
niobium
carrier
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Bronnes Robert Lewis
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Philips Gloeilampenfabrieken NV
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Description

"Trägerkörper für einen Halbleiterkörper einer Halbleitervorrichtung und Verfahren zu seiner Herstellung."
Die Erfindung bezieht sich auf einen Trägerkörper für einen Halbleiterkörper einer Halbleitervorrichtung, welcher Trägerkörper aus einer keramischen-Unterlage besteht, die wenigstens örtlich mit einer Ketallbedeckung versehen ist, und bezieht sich weiter auf ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Trägerkörpers. Mit der Erfindung wird eine Ketallbedeckung beabsichtigt, die einerseits eine gute leitende Verbindung mit dem Halbleiterkörper und anderer-Beits eine feste Verbindung zwischen Halbleiterkörper und keramischer Unterlage ermöglicht. Der Trägerkörper des eing.angserwähnten Art iat erfindungsgemäss dadurch gekennzeichnet, dass die Metallbedeckung besteht aus einer Schicht aus Nickel und Hiobium und einer diese
109832/028-3
BAD ORIGINAL
-2 - - . PHA 20.437
Schicht bedeckenden Golischicht zur Befesti^oing des Halbleiterkörpers. Mit der Nicbium-Nickelschicht wird sowohl eine gute Haftung mit der keramischen Unterlage als mit der Goldbedeckung erreicht, während mit dem Gold, gegebenenfalls unter Benutzung von lot, z.B. Hartlötmetallen, oder andere Legierungen, eine gute Verbindung mit dem Halbleiterkörper ermöglicht wird. Das Verfahren zur Herstellung des erfindungsgemässen Trägerkörpers ist dadurch gekennzeichnet,, dass übereinanderliegende Schichten aus Niobium und Nickel auf der Oberfläche der keramsichen Unterlage angebracht werden, darauf die auf diese Weise bedeckte Fläche der keramischen Unterlage in einer nicht-oxydierenden Atmosphäre erhitzt wird um das Niobium and das Nickel ineinanderzudiffundieren, und schliesslich die Goldschicht auf der auf diese Weise bedeckte Fläche angebracht wird. Vorzugsweise werden die Niobium- und Nickelschichten mittels Kathodenzerstäubung angebracht. Auch die· Goldschicht kann vorteilhaft mittels Kathodenzerstäubung angebracht werden. Zum.Ineinanderdif fundieren des Niobiums und des Nickels wird vorzugsweise eine nicht-oxydierende Atmosphäre aus Wasserstoff, gegebenenfalls mit Zusatz von Stickstoff, oder Vakuum verwendet*
Die Erfindung wird an Hand der Zeichnung näher erläutert. Die Figur zeigt einen Transistor mit einem Halbleiterkörper auf einem Trägerkörper.
Ein Halbleiterkörper 1, aer mit Emitter- und Kollektorelektroden 2 und 3 versehen ist, ist an einer keramsichen Unterlage 4 befestigt, die erfindungsgemäss metallisiert ist.
Entsprechend dem erfindungsgemässen Verfahren werden zunächst dünne Niobium- und Nickelschichten durch Katholenzerstäubung aufgetragen.
Danach werdeji diese JJchieilten eine halbe Stunde in einer
' . - 3— PHA 20.437
nicht-oxydierenden Atmosphäre, nämlich im Vakuum, in Wasserstoff oder in .einem Gemisch aus Wasserstoff, und Stickstoff, z.B. erhalten durch Kracken von Ammonial, auf eine Temperatur von ca. 1100 -1200 C erhitzt, ura&ie Niobium- und NickelscLichten ineinander audiffundieren und eine aus ineinanderdiffundierten Niobium und Nickel bestehende Schicht 5 zu bilden. Diese Schicht 5 aus in-einanderdiffundierten Niobium und Nickel wird ebenfalls durch Kathodenzerstäubung, wie in der erwähnten Anmeldung beschrieben, mit einer aus Gold bestehenden Deckschicht 6 versehen.
Der Halbleiterkörper 1 wird danach auf die Goldschicht gestellt und unter Benutzung von Lot öder HarMötmetallen dadurch mit ihr verbunden, dass das Ganze auf äen Schmelzpunkt «des Lots oder Hartlötmetalls erhitzt wird. Dieser Vorgang kann an der /Luft- durchgeführt werden, was einen der VorteilLe dieser ^Erfindung bildet.
Das metallisierte keramische Katerial kann gegebenenfalls durch Maskierung in änem geitissien !Küster ausgeführt werden, um leitende Gebiete zu erhalten, die von' niöht-lei tend en getrennt sind. Dies lässt sich auch dadurch erreichen, dass die Metalischicht Äerjenigen Gebiete, in d«nen Metall nicht erwünscht ist, durch Schleifen, Schmirgeln oder Aetzen entfernt wird. Bie Ansehlussdräh^e können durch· Ultraschallschweissen, durchs^^ eine iitffusiOnsverbindung oder durch HartletBn mit dem ffletallisierten keramischen Körper verbunden «erden.
Ohscbon die Erfindung hinsichtlich an Hand bestimmter Beispiele und Anwendungen beBchriel>en wurde} sind für eitteh iPäehmann selbstverständlich andere Ausfühirungsfonnen innerhalb des Bahmens .!er Erfindung möglich.
109832/0283
. BAD OFöGINAL

Claims (3)

- 4 - PHA 20,43? 1 ATEKT Al?JPl3JgCiIE: -
1. Trägerkörper für einen Halbleiterkörper einer Halbleitervorrichtung, welcher Trägerkcrper aus einer keramischen Unterlage besteht, üe wenigstens "rtiich mit einer Ketallbedeckung versehen ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Ketallbedeckung besteht aus riner Schicht aus Nickel und Kiobium und einer diese Schicht bedeckenden Goidschicht zur Befestigung des Halbleiterkörpers.
2. Verfahren zur Herstellung eines TrägetVörpers nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass übereinanderliegende Schichten aus Niobium und Nickel auf der Oberfläche der keramischen Unterlage angebracht werden, darauf die auf diese Weise bedeckte Fläche der" keramischen Unterlage in einer nicht-oxydierenden Atmosphäre erhitzt wird, um das Niobium und .das Nickel ineinderzudiffundieren, und schliesslich die Goldschicht auf der auf diese "weise bedeckten Fläche angebracht wird. .
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Kiobium- und Uickeiscichten mittels Kathodenzerstäubung angebracht werden. ^
4·· Verfahren nach Ansjruch 2, oder j, dadurch gekennzeichnet, dass die Goldschicht mitteis Kathodenzerstäubung angebracht wird» 5· Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass für die nicht-cxvdierende Atmcsxhare Wasserstoff, gegebenenfalls mit Zusatz von Stickstoff, verwendet wird. L. Verfahrf-n nach einer der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, das..; Für die nicht-oxydierende Atmosphäre Vakuum verwendet wir ί. - ' -'."""■- -
1 0 9832 / Π"? Ρ 3
BAD ORIGINAL
DE1646795A 1965-11-26 1966-11-22 Trägerkörper für einen Halbleiterkörper einer Halbleiteranordnung und Verfahren zu seiner Herstellung Expired DE1646795C3 (de)

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US509937A US3386906A (en) 1965-11-26 1965-11-26 Transistor base and method of making the same

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE1646795A1 true DE1646795A1 (de) 1971-08-05
DE1646795B2 DE1646795B2 (de) 1977-09-22
DE1646795C3 DE1646795C3 (de) 1978-06-01

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CH (1) CH455440A (de)
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GB (1) GB1136447A (de)
NL (1) NL6616399A (de)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3655545A (en) * 1968-02-28 1972-04-11 Ppg Industries Inc Post heating of sputtered metal oxide films
US4459321A (en) * 1982-12-30 1984-07-10 International Business Machines Corporation Process for applying closely overlapped mutually protective barrier films
US4563400A (en) * 1983-09-09 1986-01-07 Ppg Industries, Inc. Primer for metal films on nonmetallic substrates
US4512863A (en) * 1983-09-09 1985-04-23 Ppg Industries, Inc. Stainless steel primer for sputtered films
DE3337173A1 (de) * 1983-10-12 1985-04-25 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Montage von halbleiterbauteilen auf einer traegerplatte
US4559280A (en) * 1984-12-18 1985-12-17 North American Philips Corporation Metallized rare earth garnet and metal seal to same
US4601424A (en) * 1985-05-17 1986-07-22 International Business Machines Corporation Stripped gold plating process
EP0230853A1 (de) * 1986-01-20 1987-08-05 W. Blösch AG Verfahren zur Herstellung einer lötfähigen Schicht aus einer Metallegierung auf einem Keramik-, insbesondere Oxydkeramiksubstrat
US6398925B1 (en) * 1998-12-18 2002-06-04 Ppg Industries Ohio, Inc. Methods and apparatus for producing silver based low emissivity coatings without the use of metal primer layers and articles produced thereby
US20090075056A1 (en) * 2006-05-09 2009-03-19 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Aluminum-silicon carbide composite body and method for processing the same

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3208835A (en) * 1961-04-27 1965-09-28 Westinghouse Electric Corp Thermoelectric members
US3218194A (en) * 1962-04-19 1965-11-16 Gold loaded tantalum film
US3239376A (en) * 1962-06-29 1966-03-08 Bell Telephone Labor Inc Electrodes to semiconductor wafers
US3256588A (en) * 1962-10-23 1966-06-21 Philco Corp Method of fabricating thin film r-c circuits on single substrate
US3324019A (en) * 1962-12-11 1967-06-06 Schjeldahl Co G T Method of sputtering sequentially from a plurality of cathodes
US3325258A (en) * 1963-11-27 1967-06-13 Texas Instruments Inc Multilayer resistors for hybrid integrated circuits

Also Published As

Publication number Publication date
CH455440A (de) 1968-07-15
NL6616399A (de) 1967-05-29
GB1136447A (en) 1968-12-11
US3386906A (en) 1968-06-04
DE1646795B2 (de) 1977-09-22
DE1646795C3 (de) 1978-06-01
FR1502347A (fr) 1967-11-18

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