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DE1644028A1 - Verfahren zum Eindiffundieren von Stoerstellen in einen begrenzten Bereich eines Halbleiterkoerpers - Google Patents

Verfahren zum Eindiffundieren von Stoerstellen in einen begrenzten Bereich eines Halbleiterkoerpers

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DE1644028A1
DE1644028A1 DE19671644028 DE1644028A DE1644028A1 DE 1644028 A1 DE1644028 A1 DE 1644028A1 DE 19671644028 DE19671644028 DE 19671644028 DE 1644028 A DE1644028 A DE 1644028A DE 1644028 A1 DE1644028 A1 DE 1644028A1
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DE
Germany
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diffusion
semiconductor body
intermediate layer
layer
semiconductor
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Pending
Application number
DE19671644028
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English (en)
Inventor
Monika Batz
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Telefunken Patentverwertungs GmbH
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Telefunken Patentverwertungs GmbH
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Publication date
Application filed by Telefunken Patentverwertungs GmbH filed Critical Telefunken Patentverwertungs GmbH
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Description

T e 1 € f unk e n PatentVerwertungsgesellschaft
m.b.H.
Ulm/Donau, Elisabethenstr. 3
Heilbronn, den 29-5·1967 FE/PT-La/N - Hn 17/67
"Vei fuhren zum Eimiiffundieren von Störst ο 11 en in einen begrenzten Bereich eines Halbleiterkörpers"
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Eindiffundieren von Störstellen in einen begrenzten Bereich eines Halbleiterkörpers, bei dem die Diffusion durch eine Öffnung in einer auf der Überfläche des Halbleiterkörpers befindlichen maskierenden Schicht erfolgt. Die Erfindung besteht bei einem solchen Verfahren darin, daß zwischen der maskierenden Schicht und dem Halbleiterkörper eine Zwischenschicht eingefügt wird, die für das üi/'fusionsmaterial eine größere Dif f us ionskoris tant e besitzt als der Halbleiterkörper. Die- ^
se Bedingung für die Zwischenschicht erfüllt bei den Elementen der ill. (irujj« de« periodischen Systems beispielsweise Si 1 ι/,iumdi oxyd , während Siliziumnitrid bei diesen Elementen und insbesondere bei Aluminium, Gallium und Indium dl.'i maskierende; Schicht verwendet wurden kann. Natürlich können auch mehrere Zwischenschichten eingefügt werden.
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Die Erfindung hat den Vorteil, daß bei einem durch Diffusion hergestellten pn-übergang dessen Durchbruchsspannung durch die Erfindung erhöht wird. Die Erhöhung der Durchbruchsspannung ist darauf zurückzuführen, daß der üblichen Diffusion duch das Diffusionsfenster eine Diffusion aus der Zwischenschicht überlagert wird, da das Diffusionsmaterial auch seitlich in die Zwischenschicht eindringt. Durch die Diffusion aus der Zwischenschicht wird nämlich eine Knickbildung in demjenigen Bereich des pn-tiberganges vermieden, in dem dieser bei den üblichen Diffusionen zur Halbleiteroberfläche hin abbiegt.
Durcheine strukturierte Aufbringung der Zwischenschicht in begrenzten Dereichen der Halbleiteroberfläche kann der Verlauf des pn-Überganges weiter beeinflußt werden, was später anhand der Figuren noch näher erläutert wird. Eine strukturierte Aufbringung der Zwischenschicht nach der Erfindung kann darüber hinaus bei der Herstellung einer diffundierten Anordnung sogar ein Diffusionsfenster ersetzten, wenn die Abmessungen der strukturierten Schicht den Abmessungen derjenigen Zone entsprechen, die durch Diffusion durch die strukturierte Zwischenschicht hergestellt wird, und wenn die Diffusion dabei so geführt wird, daß die Diffusion au« der gesamten Zwischenschicht heraus in den HaLb Le i t tsrkör per erfo Igt.
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Im allgemeinen wird man jedoch die Zwischenschicht auf die gesamte Oberflächenseite des Halbleiterkörpers aufbringen und dort belassen. In diesem Falle befindet sich die Zwischenschicht also auch im Bereich des Diffusionsfensters auf der Halbleiteroberfläche während der Diffusion. Durch entsprechende Bemessung der Dicke der Zwischenschicht kann dabei die Störstellenkonzentration der eindiffundierten Halbleiterzone gesteuert werden. Bei Aluminium, Gallium und Indium verhindert eine entsprechend gewählte Zwischen- ' schicht wie z.B. eine Siliziumdioxydschicht ein Legieren des Diffusionsmaterials mit dem Halbleiterkörper.
Die Erfindung wird im folgenden an Ausführungsbeispielen erläutert.
Das erste Ausführungsbeispiel der Erfindung befaßt sich gemäß den Figuren 1 bis 3 mit der Herstellung eines pn-Überganges in einem Germaniumkörper 1 vom n-Leitungstyp, bei Λ
dem die Zivischenschicht 2, die wie die maskierende Schicht eine isolierende Schicht ist, auf die gesamte eine Oberflächenseite des Halbleiterkörpers aufgebracht und auf dieser auch belassen wird. Auf die Zwischenschicht 2 aus Siliziumdioxyd wird nach der Figur 1 eine maskierende Schicht 3 aufgebracht, din aus Siliziumnitrid besteht. In die maskierende
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Schicht 3 wird anschließend nach Figur 2 ein Diffusionsfenster 4 eingebracht, durch das gemäß Figur 3 eine p-Zone in den Halbleiterkörper 1 eindiffundiert wird. Dabei entsteht der pn-übergang 6.
Wie die Figur 3 erkennen läßt, hat jedoch der pn-übergang 6 im Bereich 7 keinen so scharfen Knick, wie es sonst bei diffundierten pn-Übergängen üblich ist, da sich der üblichen Diffusion durch das Diffusionsfenster 4 eine Diffusion aus den Bereichen 8 der Siliziumdioxydschicht 2 überlagert. Die diese Diffusion verursachenden Störstellen dringen von außen durch das Diffusionsfenster 4 seitlich in die Siliziumdioxydschicht 2 ein. Die dadurch bedingte Beseitigung eines scharfen Knickes im Verlauf des pn-Überganges hat eine Erhöhung der Sperrspannung des pn-Überganges zur Folge. Ein weiterer Vorteil der Erfindung besteht darin, daß die Zwischenschicht aus Siliziumdioxyd z.B. bei Aluminium, Gallium und Indium ein Legieren dieser Materialien mit dem Halbleitermaterial verhindert.
Die Figur 4 zeigt ein Ausführungsbeispiel, bei dem die Zwischenschicht 2 strukturiert nur auf einen begrenzten Bereich der Halbleiteroberfläche aufgebracht ist. Da sich die Zwischenschicht 2 in Figur 4 wesentlich weniger seitlich unter die maskierende Schicht 3 erstreckt als bei der Anordnung der Figur 3,
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verläuft der pn-übergang 6 bei der Anordnung der Figur 4 nicht soweit nach außen wie bei der Anordnung der Figur 3« Dadurch kommt sogar eine gewisse Abrundung des pn-Ubergang-Verlaufes zustande.
Bei der Anordnung der Figur 5 ist in die eindiffundierte p-Zone 5 zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit zwei pn-iibergängen noch eine n-Zone 8 eindiffundiert, für die ebenfalls das Fenster k als Diffusionsfenster dient. Das Fenster k ist jedoch in diesem Falle bis zur Halbleiteroberfläche durchgeätzt. Da die Zwischenschicht 2 aus Siliziumdioxyd bei Störstellen der V.ten Gruppe des periodischen •Systems jedoch maskierend wirkt und für solche Stoffe somit nicht durchlässig ist, wird bei der Diffusion der n-Zone 8 der Diffusion durch das Diffusionsfenster k keine Diffusion aus der Zwischenschicht 2 überlagert. Während die Anordnung der Figur k als Diode verwendet werden kann, kann die An-Ordnung der I'igur 5 als Transistor Verwendung finden. Der Grundkörper 1 wird in diesem Fall als die Kollektorzone, die p-Zone 5 als Basiszone und die n-Zono 8 als Emitterzone des Transistors verwendet.
Wird die Si 1 iv.iiinmitridachicht als maskierende Schicht nicht zu dick und beispielsweise nur 5oo Ang.ström dick bemessen, so
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genügt eine gewöhnliche Photolackmaske als Ätzmaske bei der Herstellung des Diffusionsfensters. Bei dickeren Siliziumnitridschichten muß dagegen eine Siliziumdioxydschicht als Ätzmaske verwendet werden, die auf der fertigen Anordnung belassen werden kann. Als Ätzlösung eignet sich in diesem Falle eine heiße Phosphorsäurelösung anstelle einer gepufferten Flußsäurelösung, die bei Lackmasken üblich ist.
Die Figuren 6 und 7 zeigen schließlich noch ein Ausführungsbeispiel der Erfindung, bei dem die Kollektorzone eines pnp-Transistors elektrisch gegenüber dem Grundmaterial isoliert ist. Eine solche elektrische Isolierung gegenüber dem Grund^ körper ist beispielsweise bei integrierten Schaltungen erforderlich.
Zur Herstellung des oben erwähnten Transistors wird z.B. auf einen Germaniumkörper 1 vom n-Leitungstyp eine strukturierte Zwischenschicht 2 aus Siliziumdioxyd aufgebracht, deren Fläch« dem Querschnitt der Kollektorzone entspricht. Auf die Zwischenschicht 2 wird eine maskierende Schicht 3 aua Siliziumnitrid aufgebracht, die mit einem Emitterdiffusionsfeneter k versehen wird.
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Durch das Emitterfenster k und durch die Zwischenschicht 2 wird zur Herstellung der Kollektorzone 9 Indium in den Halbleiterkörper 1 eindiffundiert. Der Halbleiterkörper 1 besteht beispielsweise aus 3 Ohmcm-Grundmaterial vom n-Leitungstyp. Erfolgt die Indiumdiffusion mit einer Kon-
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zentration von z.B. 5.1o Störstellen pro cm , so entsteht in dem Halbleiterkörper 1 mit der Leitfähigkeit 3 Ohmcm eine p-Zone 9 als KoIlektorzone, deren Leitfähigkeit etwa 1 Ohmcm beträgt.
Nach der Herstellung der Kollektorzone 9 wird zur Herstellung der Emitterzone 8 Gallium ebenfalls durch das Emitterdiffusionsfenster 4 in den Halbleiterkörper eindiffundiert. Die Galliumdiffusion, die flacher als die Indiumdiffusion ist,
2o erfolgt mit hoher Konzentration von z.B. i.lo Störstellen pro cm .
Im Anschluß an die Emitterdiffusion wird gemäß Figur 7 ein f
Basisfenster Io in die Siliziumnitridschicht 3 sowie in die Siliziumdioxydschicht 2 eingeätzt, durch das die Basiszone 5 in den Halbleiterkörper eindiffundiert wird. Die Basisdiffusion, die mit Hilfe von Störstellen der V.ten Gruppe des periodischen Systems durchgeführt wird, erfolgt bei dem pnp-Tran-
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sistor der Figur 7 > der sich besonders gut für die Herstellung von monolithischen integrierten Schaltkreisen eignet, somit erst nach der Emitterdiffusion.
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Claims (1)

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Patentansprüche
1) Verfahren zum Eindiffundieren von Störstellen in einen begrenzten Bereich eines Halbleiterkörpers, bei dem die Diffusion durch eine Öffnung in einer auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers befindlichen maskierenden Schicht erfolgt, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der maskierenden Schicht und dem Halbleiterkörper eine Zwischenschicht eingefügt wird, die für das Diffusionsmaterial eine größere Diffusionskonstahte besitzt als der Halbleiterkörper.
2) Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenschicht auf die gesamte Oberflächenseite des Halbleiterkörpers aufgebracht und auch im Bereich des Diffusionsfensters auf dem Halbleiterkörper belassen wird.
3) Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenschicht strukturiert auf einen begrenzten Bereich der Halbleiteroberfläche aufgebracht wird.
k) Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenschicht strukturiert im Bereich des Diffusionsfeneters und in inem daran angrenzenden Bereich unter der maskierenden Schicht auf die Halbleiteroberfläche aufgebracht wird.
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- Io -
5) Anwendung des Verfahrens nach einem der vorhergehenden Ansprüche bei der Eindiffusion, von Elementen der III. Gruppe des periodischen Systems in einen Halbleiterkörper.
6) Verfahren nach Anspruch 5» dadurch gekennzeichnet, daß die maskierende Schicht aus Siliziumnitrid und die Zwischenschicht aus Siliziumdioxyd bestehen.
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DE19671644028 1967-06-01 1967-06-01 Verfahren zum Eindiffundieren von Stoerstellen in einen begrenzten Bereich eines Halbleiterkoerpers Pending DE1644028A1 (de)

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