DE1614876A1 - Halbleiteranordnung - Google Patents
HalbleiteranordnungInfo
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Description
-
l'Halbleiteranordnung Die Erfindung betrifft iine Halbleiteranordnung aus einim wenigsten* ein Bauelement enthaltenden Halbleiterkörper und besteht erfindungsgemäß daring daß der Halbleiterkörper von einem Stoff umgeben ist, der zumindest teilweise aus einer Substanz besteht, die eine Reduzierung der Intensität oder Energie von nuklearer oder radioaktiver Strahlung bewirkt. Es hat sich bei Untersuchungen gezeigtv daß unter dem Ein- fluß nuklearer oder radioaktiver Strahlung, wie beispieln- weine Rdntgenstrahlen,d.,f,#--Strahlen, die Bigenschaften, und Konndaten von Halbleiterbauelmenten so beeinflußt vor- den, daß die Funktionsfähigkeit nicht mehr in der gewünschten Weine gewährleistet worden kann. Es hat sich beispielsweise bei'Tranntstorent Dioden und den Bauelementen integrierter Schaltungen herausgestellt, daß die bestehenden Konnd&t4n der Bauelemente so weit und in oft überraschender Weine unter dem Einfluß nuklearer oder radioaktiver Strahlung verändert vor- den, daß der Betrieb der Bauelemente unter den den Daten- blättern entnehmbaren Voraussetzungen nicht zu den gewünach- ten Ergebnissen führte Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Halb- leiteranordnung anzugebent bei der der Einfluß nuklearer oder radioaktiver Strahlen auf die Halbleiterbauelemente und damit auf die* in den Datenblättern angegebenen Kenn- werte möglichst klein gabelten wird. Neuerdings ist man immer mehr dazu Übergegangen$ die fertig kontaktierten und mit glektrodeazuleitungen versehenen Halb- leiterbauelmente in geeignete aushärtbare Kunststoffe ein- zugießen. Diese Kunststoffe bestehen vielfach aus ßpoxydhernen, denen Quermehl oder kluminiumoxydpulver &In Fülletoff bei- gegeben wird. Nach der Erfindung zollen nun die Halbleiterhärper in einen Kunststoff einiebettet bzwe eingegossen worden, die als Füllstoff eine äubstann enthalten, die eine Reduzierung der Yntensität odet EnergJa nuklear*r odex radioaktiver Strahlung bewirkt. Als derartiger Füllstoff eignet mich beispielsweise pulverfürnigen Bleioxyd oder eine andere Bleiverbindung- Der Halbleiterkörper wird somit in eine Sießbare Wanne singe- bettet, die aus einer Mischung einen Epoxydharzen mit dem Blei enthaltenden Fülletoff besteht und -anschließend bei ge- - Wenn ein Transistor oder eine andere hälbleiteränordnung in einen aus herkömmlichen Bockel und Abaohlußkappe bostehenden Gehäuse untergebraübt istq wird dar von Gebäune umschlössens Hoblraum mindestens teilweise ab mit einm Kunststoff aungetullt. der wiedea eine pulvertörmite alstdä verbindung alt Füllitott entbälte daß der Hälbleiterkörper möglichst alleeitig von der als Strahlannebuts wirkenden Gießharmaaust umgeben ist* Die Halbleiterbauelmentt können .jedoch auch ohne zusätzliche Kapselung den in Kunststoff eingebetteten Halbleiterkörpore in d«,Handol,,gebracht vorden.
Claims (2)
- P t 9 n t a n a p r c h e 1) Halbleiteranordnung nun einem wenigstens ein Bauelement enthaltenden Halbleiterkörper, dadurch gekonnzeichnet, daß der Halbleiterkörper. von einen Stoff umgeben ist, der zumindest teilweise aus einer Substanz besteht, die eine Reduzierung der Intensität oder Energie von nuklearer oder radioakti vor Strahlung bewirkt.
- 2) Halbleiteranordnung nach Anspruch 19 dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper In einen Kunststoff eingegossen bzw. eingebettet ist, der als Füllstoff eine Substanz enthält, die eine Reduzierung der Intensität oder Energie von nuklearer oder radioaktiver Strahlung bewirkt. 3) Halbleiteranordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper in ein Epoxydharz eingebettet ist, der als Füllstoff*pulvert;irmigen Bleioxyd oder eine andere Bleiverbindung enthält. 4) Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,.dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper in einem aus Sockel und Abschlußkappe bestehenden Gehäuse untergebracht ist, der vom Gehäuse umschlossene Hohlraum mindestens teilweise mit ginem Kunststoff ausgefüllt ist, der als Fülletoff pulveriZirmiges Bleioxyd oder eine andere Bleiverbindung enthält.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DET0035029 | 1967-10-14 |
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DE1614876A1 true DE1614876A1 (de) | 1970-12-23 |
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ID=7558923
Family Applications (1)
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DE19671614876 Pending DE1614876A1 (de) | 1967-10-14 | 1967-10-14 | Halbleiteranordnung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1614876A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2584863A1 (fr) * | 1985-07-12 | 1987-01-16 | Inf Milit Spatiale Aeronaut | Composant electronique durci vis-a-vis des radiations |
-
1967
- 1967-10-14 DE DE19671614876 patent/DE1614876A1/de active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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