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DE1614876A1 - Halbleiteranordnung - Google Patents

Halbleiteranordnung

Info

Publication number
DE1614876A1
DE1614876A1 DE19671614876 DE1614876A DE1614876A1 DE 1614876 A1 DE1614876 A1 DE 1614876A1 DE 19671614876 DE19671614876 DE 19671614876 DE 1614876 A DE1614876 A DE 1614876A DE 1614876 A1 DE1614876 A1 DE 1614876A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor
semiconductor body
substance
nuclear
filler
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19671614876
Other languages
English (en)
Inventor
Heinz-Wilhelm Ehlbeck
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Telefunken Patentverwertungs GmbH
Original Assignee
Telefunken Patentverwertungs GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Telefunken Patentverwertungs GmbH filed Critical Telefunken Patentverwertungs GmbH
Publication of DE1614876A1 publication Critical patent/DE1614876A1/de
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/552Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/16Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Description

  • l'Halbleiteranordnung
    Die Erfindung betrifft iine Halbleiteranordnung aus einim
    wenigsten* ein Bauelement enthaltenden Halbleiterkörper und
    besteht erfindungsgemäß daring daß der Halbleiterkörper von
    einem Stoff umgeben ist, der zumindest teilweise aus einer
    Substanz besteht, die eine Reduzierung der Intensität oder
    Energie von nuklearer oder radioaktiver Strahlung bewirkt.
    Es hat sich bei Untersuchungen gezeigtv daß unter dem Ein-
    fluß nuklearer oder radioaktiver Strahlung, wie beispieln-
    weine Rdntgenstrahlen,d.,f,#--Strahlen, die Bigenschaften,
    und Konndaten von Halbleiterbauelmenten so beeinflußt vor-
    den, daß die Funktionsfähigkeit nicht mehr in der gewünschten
    Weine gewährleistet worden kann. Es hat sich beispielsweise
    bei'Tranntstorent Dioden und den Bauelementen integrierter
    Schaltungen herausgestellt, daß die bestehenden Konnd&t4n
    der Bauelemente so weit und in oft überraschender Weine unter
    dem Einfluß nuklearer oder radioaktiver Strahlung verändert vor-
    den, daß der Betrieb der Bauelemente unter den den Daten-
    blättern entnehmbaren Voraussetzungen nicht zu den gewünach-
    ten Ergebnissen führte
    Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Halb-
    leiteranordnung anzugebent bei der der Einfluß nuklearer
    oder radioaktiver Strahlen auf die Halbleiterbauelemente
    und damit auf die* in den Datenblättern angegebenen Kenn-
    werte möglichst klein gabelten wird.
    Neuerdings ist man immer mehr dazu Übergegangen$ die fertig
    kontaktierten und mit glektrodeazuleitungen versehenen Halb-
    leiterbauelmente in geeignete aushärtbare Kunststoffe ein-
    zugießen. Diese Kunststoffe bestehen vielfach aus ßpoxydhernen,
    denen Quermehl oder kluminiumoxydpulver &In Fülletoff bei-
    gegeben wird.
    Nach der Erfindung zollen nun die Halbleiterhärper in einen
    Kunststoff einiebettet bzwe eingegossen worden, die als
    Füllstoff eine äubstann enthalten, die eine Reduzierung der
    Yntensität odet EnergJa nuklear*r odex radioaktiver Strahlung
    bewirkt. Als derartiger Füllstoff eignet mich beispielsweise
    pulverfürnigen Bleioxyd oder eine andere Bleiverbindung-
    Der Halbleiterkörper wird somit in eine Sießbare Wanne singe-
    bettet, die aus einer Mischung einen Epoxydharzen mit dem
    Blei enthaltenden Fülletoff besteht und -anschließend bei ge-
    eigneten Temperaturen aübt4häetot* Den In dar enthaltene Blei sorgt für eiab lättabitätti. oder thergieabachwächutg dar nitt-1 baren# auf die auftr*tttndttä Strahlung.
  • Wenn ein Transistor oder eine andere hälbleiteränordnung in einen aus herkömmlichen Bockel und Abaohlußkappe bostehenden Gehäuse untergebraübt istq wird dar von Gebäune umschlössens Hoblraum mindestens teilweise ab mit einm Kunststoff aungetullt. der wiedea eine pulvertörmite alstdä verbindung alt Füllitott entbälte daß der Hälbleiterkörper möglichst alleeitig von der als Strahlannebuts wirkenden Gießharmaaust umgeben ist* Die Halbleiterbauelmentt können .jedoch auch ohne zusätzliche Kapselung den in Kunststoff eingebetteten Halbleiterkörpore in d«,Handol,,gebracht vorden.

Claims (2)

  1. P t 9 n t a n a p r c h e 1) Halbleiteranordnung nun einem wenigstens ein Bauelement enthaltenden Halbleiterkörper, dadurch gekonnzeichnet, daß der Halbleiterkörper. von einen Stoff umgeben ist, der zumindest teilweise aus einer Substanz besteht, die eine Reduzierung der Intensität oder Energie von nuklearer oder radioakti vor Strahlung bewirkt.
  2. 2) Halbleiteranordnung nach Anspruch 19 dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper In einen Kunststoff eingegossen bzw. eingebettet ist, der als Füllstoff eine Substanz enthält, die eine Reduzierung der Intensität oder Energie von nuklearer oder radioaktiver Strahlung bewirkt. 3) Halbleiteranordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper in ein Epoxydharz eingebettet ist, der als Füllstoff*pulvert;irmigen Bleioxyd oder eine andere Bleiverbindung enthält. 4) Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,.dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper in einem aus Sockel und Abschlußkappe bestehenden Gehäuse untergebracht ist, der vom Gehäuse umschlossene Hohlraum mindestens teilweise mit ginem Kunststoff ausgefüllt ist, der als Fülletoff pulveriZirmiges Bleioxyd oder eine andere Bleiverbindung enthält.
DE19671614876 1967-10-14 1967-10-14 Halbleiteranordnung Pending DE1614876A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DET0035029 1967-10-14

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1614876A1 true DE1614876A1 (de) 1970-12-23

Family

ID=7558923

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19671614876 Pending DE1614876A1 (de) 1967-10-14 1967-10-14 Halbleiteranordnung

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE1614876A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2584863A1 (fr) * 1985-07-12 1987-01-16 Inf Milit Spatiale Aeronaut Composant electronique durci vis-a-vis des radiations

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2584863A1 (fr) * 1985-07-12 1987-01-16 Inf Milit Spatiale Aeronaut Composant electronique durci vis-a-vis des radiations

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