DE1614865A1 - Optoelektronische Halbleiteranordnung - Google Patents
Optoelektronische HalbleiteranordnungInfo
- Publication number
- DE1614865A1 DE1614865A1 DE19671614865 DE1614865A DE1614865A1 DE 1614865 A1 DE1614865 A1 DE 1614865A1 DE 19671614865 DE19671614865 DE 19671614865 DE 1614865 A DE1614865 A DE 1614865A DE 1614865 A1 DE1614865 A1 DE 1614865A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- component
- optoelectronic semiconductor
- radiation
- translucent
- housing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 26
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims description 25
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 15
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 13
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims description 9
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims description 3
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical group [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 230000000191 radiation effect Effects 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000002193 Pain Diseases 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000002781 deodorant agent Substances 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003502 gasoline Substances 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000008267 milk Substances 0.000 description 1
- 210000004080 milk Anatomy 0.000 description 1
- 235000013336 milk Nutrition 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
- G01F23/00—Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm
- G01F23/22—Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm by measuring physical variables, other than linear dimensions, pressure or weight, dependent on the level to be measured, e.g. by difference of heat transfer of steam or water
- G01F23/28—Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm by measuring physical variables, other than linear dimensions, pressure or weight, dependent on the level to be measured, e.g. by difference of heat transfer of steam or water by measuring the variations of parameters of electromagnetic or acoustic waves applied directly to the liquid or fluent solid material
- G01F23/284—Electromagnetic waves
- G01F23/292—Light, e.g. infrared or ultraviolet
- G01F23/2921—Light, e.g. infrared or ultraviolet for discrete levels
- G01F23/2922—Light, e.g. infrared or ultraviolet for discrete levels with light-conducting sensing elements, e.g. prisms
- G01F23/2925—Light, e.g. infrared or ultraviolet for discrete levels with light-conducting sensing elements, e.g. prisms using electrical detecting means
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/41—Refractivity; Phase-affecting properties, e.g. optical path length
- G01N21/43—Refractivity; Phase-affecting properties, e.g. optical path length by measuring critical angle
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Fluid Mechanics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Description
16H865
Tele funken Pat entverwerttingsges ellschaft
m.b.H.
Ulm / Donau, Elisabethenstr. 3
Ulm / Donau, Elisabethenstr. 3
Heilbronn, den 19.9.1967
FE/PT-Ma/Na HN 67/6.7
"Optoelektronische Halbleiteranordnung11
Die Erfindung betrifft eine optoelektronische Halbleiteranordnung mit einem Strahlung emittierenden und einem von
Strahleneinwirkung abhängigen Bauelement und besteht darin,
daß beide Bauelemente in einem gemeinsamen, strahlungsdurchlässigen
Gehäuse so angeordnet sind, daß aus dem Maße der optoelektronischen Koppelung der beiden Bauelemente auf die
Art eines das Gehäuse umgebendem Mscüissaas oder ©ines dem Gehäuse
benachbarten Gegenstandes gese&Loseen. wandern kann·
Da gemäß der vorliegenden Erfindung - im Gegensatz zu bekannten Vorrichtungen - die Strahlungβquelle und der Strahlenempfänger
in einem gemeinsamen Gehäuse untergebracht ist«
vereinfacht und verbilligt sich der Aufbau von Anaseigegeräten, in denen auf Licht- oder Strahleneinwirkung ansprechende Bauelemente
zu Registrier— und Zählzwecken eingesetzt werden.
Für die Funktionsweise der erfindungegemäßen optoelektronischen
Halbleiteranordnung sind mehrere Faktoren wesentlich.
bad orb»« I 009852/0590
So wird von der Form, dem Brechungsindex des im lichtdurchlässigen
Gehäuse befindlichen Mediums und von der örtlichen Lage der Halbleiterbauelemente in Gehäuse das Maß bestimmt,
in dem die von einem Bauelement ausgehende Strahlung auf
das andere Bauelement reflektiert wird. Die genannten Faktoren können beispielsweise so gewählt und aufeinander abgestimmt werden, daß der von einem Bauelement ausgehende Lichtstrahl an der Grenzfläche zwischen dem Gehäuse und dem Außenmedium total auf das andere strahlung»empfindliche Bauelement reflektiert wird, wenn das Medium außerhalb des Gehäuses gasförmig ist· Ist das Außenssedium Jedoch flüssig, ändern sich die Brechungsverfeältnieee hei einer solchen Anordnung derart, daß der Lichtstrahl ungehindert an der Grenzfläche zwischen Gehäuse und Flüssigkeit austritt und das strahlungsempfindliche Bauelement ohne Strahleneinwirkung bleibt. Aus dem Maß der Lichtreflexion an der Grenzfläche zwischen Gehäuse und Außen· medium und der damit verbundenen Änderung eines lichtabhangigen Kennwertes des von der reflektierten Strahlung getroffenen, lichtempfindlichen Bauelementes kann somit auf die Art des außerhalb des Gehäuses befindlichen Mediums geschlossen werden.
Auf diese ¥eise lassen sich beispielsweise Anzeigegeräte für Brunnen, Flüssigkeitsbehälter und dergleichen aufbauen, die den Abfall oder das Ansteigen des Pegelstandes unter oder über einen durch di« Leg;· des optoelektronischen Bauelementes definierten Vezt angeben» Di« vorliegend« Krfindung soll noch anhand zweier
das andere Bauelement reflektiert wird. Die genannten Faktoren können beispielsweise so gewählt und aufeinander abgestimmt werden, daß der von einem Bauelement ausgehende Lichtstrahl an der Grenzfläche zwischen dem Gehäuse und dem Außenmedium total auf das andere strahlung»empfindliche Bauelement reflektiert wird, wenn das Medium außerhalb des Gehäuses gasförmig ist· Ist das Außenssedium Jedoch flüssig, ändern sich die Brechungsverfeältnieee hei einer solchen Anordnung derart, daß der Lichtstrahl ungehindert an der Grenzfläche zwischen Gehäuse und Flüssigkeit austritt und das strahlungsempfindliche Bauelement ohne Strahleneinwirkung bleibt. Aus dem Maß der Lichtreflexion an der Grenzfläche zwischen Gehäuse und Außen· medium und der damit verbundenen Änderung eines lichtabhangigen Kennwertes des von der reflektierten Strahlung getroffenen, lichtempfindlichen Bauelementes kann somit auf die Art des außerhalb des Gehäuses befindlichen Mediums geschlossen werden.
Auf diese ¥eise lassen sich beispielsweise Anzeigegeräte für Brunnen, Flüssigkeitsbehälter und dergleichen aufbauen, die den Abfall oder das Ansteigen des Pegelstandes unter oder über einen durch di« Leg;· des optoelektronischen Bauelementes definierten Vezt angeben» Di« vorliegend« Krfindung soll noch anhand zweier
BAD ORIGINAL
00S3E2/0590
00S3E2/0590
16U865
Die Figuren 1 und 2 zeigen im Schnitt ein Bauelement, das
besonders für Anzeige und Steuerung von Flüssigkeitspegeln geeignet
ist, während in den Figuren 3 und k gleichfalls im Schnitt
der Aufbau und die Wirkungsweise einer optoelektronischen
Halbleiteranordnung dargestellt ist, die Torteilhafterweisθ
zur Zählung und Registrierung von Objekten eingesetzt wird·
Die in Figur 1 dargestellte Halbleiteranordnung besteht aus
einem Gehäusesockel 1, durch den beispielsweise drei Elektrodenzuführung
en 2 bis k isoliert durchgeführt sind, während
die viert« Elektrodenzulaitung 6 &m saetßlliecSien Boden des
Gehäusesockels elektrisch leitend angebracht ist· Eine der Elektrodensuleitungen (3) ragt über dem Böden de« Gehäusesockel,
und am Ende dieser Elektrodenxuleitung ist ein
Strahlung·- bzw. lichtempfindliches Bauelement 6 mit seiner einen Elektrode befestigt. Die··· lichtempfindliche Bauelement
besteht beispielsweise aus einer Siliziumphotodiodei einem
Photowiderstand oder einem Phototransistor· Handelt es sich - wie im dargestellten Fall - um eine Photodiode oder um' einen
Photowiderstand, so ist die andere Elektrode dieses lichtempfindlichen Bauelementes mit einer weiteren Elektrodenzuführung
(2) über einen dünnen Zuleitungsdraht 7 elektrisch leitend verbunden. Es kann auch so vorgegangen werden, daß die
beiden Elektrodenzuleitungen 2 und 3 über den Gehäusesockel hochragen und an ihren Enden so zusammengebogen werden, daß
OHiQlNAL -
009B52/0590
16U865
das lichtempfindliche Bauelement 6 zwischen die Enden der
Elektrodenzuleitungen gebracht und mit diesen elektrisch leitend verbunden werden kann. Das lichtempfindliche Bauelement
befindet sich somit in jedem Fall -in einer zentralen Lage über dem Boden des Gehäusesockel. Am Rande der Bodenfläche
8 des Gehäusesockel ist das strahlenemittierende Bauelement 9 mit seiner einen Elektrode befestigt, die somit
gleichzeitig mit der Elsktrodenzuleitung 5 elektrisch leitend
verbunden ist» Der Gehäusesockel und die Elektrodenzuleitungen sind zusammen mit den Halbleiterbauelementen in eine lichtdurchlässige
Masse Io eingebettet, die beispielsweise aus Glas, Kunstharz oder einem Gemisch der beiden Stoffe besteht.
Diese lichtdurchlässige Masse bildet den Gehäueeabschluß und
weist vorzugsweise eine sich zum Gehäusesockel hin erweiternde kegelige Form auf·
Wenn nun, wie dies in der Figur 1 dargestellt ist, vom Bauelement 9t das beispielsweise aus einer Gallium-Araenid-Lumineszenzdiode
besteht, aufgrund des durch das Bauelement fließenden Stromes ein Lichtstrahl 11 auegesandt wird, so
trifft dieser unter einem sehr großen Einfallswinkel auf die Grenzfläche zwischen der lichtdurchlässigen Messe Io und dem
umgebenden Medium 12 auf. Der Einfallswinkel liegt nur wenig unter 9o°. Venn nun das umgebende Medium 12 aus einem Gas besteht,
Pad original !
009852/0590
16H865
so wird der Lichtstrahl 11 an der den Gehäuseabschluß bildenden
Grenzfläche 13 total reflektiert und trifft auf die lichtempfindliche Schicht des Halbleiterbauelementes 6,
dessen örtliche Lage dementsprechend in dem Gehäuse gewählt ist. Der vom Licht abhängige Kennwert des lichtempfindlichen
Bauelementes 6 wird durch den starken Lichteinfall bei einem das Gehäuse umgebenden gasförmigen Medium somit sehr
stark beeinflußt.
Wenn dagegen, wie dies die Figur 2 zeigt, das das Gehäuse
umgebende Medium 12 aus einer Flüssigkeit besteht, so erfährt
der Lichtstrahl 11 an der HsNssasfIaelae i3 keine Reflexion
und tritt ungehindert in die Flüssigkeit aus. Deo lichtempfindliche
Bauelement bleibt daher in diesem Fall ©Sam© Bestrahlung.
Daraus ergibt sich, daß sich der vom Liebt abhängige Kennwert des Bauelementes 6 bei einem gasförmigen Medium 12 stark von
dem bei einem flüssigen Med 'um unterscheiden wird. Aus dem
Wert des lichtabhängigen Kennwertes kann daher direkt auf das das
Gehäuse umgebende Medium geschlossen werden. Die Differenz:
zwischen den beiden Kennwerten kann zur Steuerung von Schaltanlagen,
Pumpen, Motoren oder anderen Geräten verwendet werden .
Wenn ·* sich nieht - wie dies bei der Beschreibung der Figur 2
vorausgesetzt wurde - um eine klare Flüssigkeit handelt, die
009852/0590
16H865
die lichtdurchlässige Masse Io des Gehäuses umgibt, sondern
um eine lichtβtreuende Flüssigkeit, wie Milch, tritt ein weiterer
Effekt auf. Die Rückstreuung des Lichtes in das Bauelement beeinfluß den Empfänger in einem für die jeweilige
Flüssigkeit charakteristischen Maße. Es kann somit aus dem durch die Streulichtstrahlung geänderten, lichtabhängigen
W Kennwert des Bauelementes 6 auf den Reinheitsgrad bzw* auch
den Grad der Eintrübung einer das Gehäuse umgebenden Flüssigkeit geschlossen werden.
In Figur 3 iot eine weitere optoelektronische Halbleiteranordnung
dargest@llt„ fe«i der jedoch beide Bauelemente
- eine Galliwra-ArsesEid-Lissine-sasensdiode 9 und eine Silizium-Photodiode
6 - mit je einer Elektrode auf der metallischen Bodenfläche 8 des Gehäusesockel« 1 befestigt sind. Beide
Bauelemente sind etwa in der Mitte der meist kreisförmigen
Bodenfläche angeordnet.-Die Elektrodenzuleitung 5 ist mit
dem metallischen Gehäusesockel elektrisch leitend verbunden, während die von der Bodenfläche des Gehäusesockels unkontaktierten
Elektroden der Halbleiterbauelemente 6 und 9 an den isoliert durch den Gehäusesockel durchgeführten Elektrodenzuleitungen
3 und 2 elektrisch angeschlossen sind. Über der Bodenfläche wölbt sieh vorzugsweise halbkugelförmig die lichtdurchlässige
Masse Io, die beispielsweise aus Kunstharz besteht
und in die die Bauelemente und die an die Bauelement· angeschloi
00S8S2/0590
16U865
senen Enden der Elektroden^uleitungen eingegossen oder anderweitig
eingebettet sind*
Wenn nun * wie Figur 3 zeigt - ve-a. der Lumineszenzdiode 6
ein Lichtstrahl 11 ausgeht, so trifft dieser praktisch senkrecht auf die kugelföraige Grenzfläche zwischen der lichtdurchlässigen
Masse Io und den umgebenden Mediun 12, das
beispielsweise aus der normalen Rausalttft besteht. Wenn sich
in der Nähe der Halbleiteranordnung keine lichtreflektierenden Gegenstände befinden, wird die Photodiode 9 praktisch
keinen Lichteinfall registrieren. Wenn jedoch - wie in Figur 4 an
der Halbleiteranordnung ein lichtundurchlässlger Gegenstand 15t beispielsweise in Pfeilrichtung, vorbeigeführt wird,
wird ein bestlssiter Anteil 16 des von der Lumineszenzdiode 6
ausgestrahlten Lichtes in die lichtdurchlässige Masse Io
zurückreflektiert und trifft &u€ die Photodiode 9, die durch
die Änderung der lichtabhängigen Kennwerte den vorbeigeführten Gegenstand 15 registriert. Auf diese Weise können
Gegenstände aller Art registriert und gezählt werden oder Prozesse der verschiedensten Art bei der Registrierung eines
Gegenstandes ausgelöst werden.
Usi die Anzeige durch die beschriebenen optoelektronischen Koppelanordnungen von etwa vorhandenes Freadlicht unabhängig
zu stachen, hat stan prinzipiell die Möglichkeit, «it Wechsellicht
zu arbeiten.
009852/0590
16U865
Die beschriebenen optoelektronsichen Koppel elemente können
selbstverständlich in konstruktiver Weise abgeändert werden. Beispielsweise kann die räumliche Lage "der Bauelemente im
Gehäuse« die Form und die Art der lichtdurchlässigen Masse und die Zahl der Elektrodenzuleitungen den jeweiligen Erfordernissen
angepasst werden, ohne daß Hiervon der wesentliche k Erfindungsgedanke berührt würde. Neben den bereits genannten
Verwendungsmöglichkeiten bieten sich eine Vielfalt anderer Einsatzgebiete für die erfindungsgemäßen optoelektronischen
Halbleiteranordnungen an, die hier nicht in allen Einzelheiten beschrieben werden können. Erwähnt werden soll jedoch
noch die EinsatzaÖglichkeit der erfindungsgemäßen Anordnungen
iu Waschmaschinen, zur Steuerung der Wasserpunpen, sowie in
Benzin-, Öl- und Wassertanks zur Anzeige de« jeweiligen Flüssigkeit sniveaus.
BADORfGiNAL
009852/0590
Claims (1)
16U865
- 9 Fat entan Sprüche
1) Optoelektronische Halbleiteranordnung mit einem Strahlung
emittierenden und einem von Strahlerieinwirkung abhängigen
Bauelement, dadurch gekennzeichnet, daß beide Bauelemente in einem gemeinsamen, strahlungsdurchlässigen Gehäuse so
angeordnet sind, daß aus dem Maße der optoelektronischen
Koppelung der beiden Bauelemente auf die Art eines das Gehäuse umgebenden Mediums oder eines dem Gehäuse benachbarten
Gegenstandes geschlossen werden kann.
2} Optoelektronische Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das für beide Bauelemente gemeinsame
Gehäuse aus einem Gehäusesockel mit durch den Gehäusesockel geführten Elektrodenzuleitungen besteht9 und daß die
auf dem Gehäusesockel oder auf den Elektrodenzuleitungen befindlichen Bauelemente in eine als Gehäuseabschluß dienende,
lichtdurchlässige Masse eingebettet bzw. eingegossen sind.
3) Optoelektronische Halbleiteranordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Form und der Brechungsindex
der lichtdurchlässigen Masse so gewählt ist, daß die von einem Bauelement ausgehende Strahlung an der Grenzfläche lichtdurchlässige
Masse - umgebendes Medium, je nach dem Brechungsindex des umgebenden Mediums mehr oder weniger stark auf das
Bauelement reflektiert wird.
009852/0590
16U865
- Io -
k) Optoelektronische Halbleiteranordnung nach Anspruch 3,
dadurch gekennzeichnet« daß Fora und Brechungsindex der
lichtdurchlässigen Masse mo gewählt ist, daß die vom einen Bauelement ausgehende Strahlung an der Grenzfläche lichtdurchlässige
Masse - umgebendes Gäe total oder nahezu total auf das andere Bauelement reflektiert wird.
5) Optoelektronische Halbleiteranordnung nach Anspruch 3 und 4
dadurch gekennzeichnet, daß die Form und der Brechungsindex der lichtdurchlässigen Masse so gewählt ist, daß die vom einen
Bauelement ausgehende Strahlung an der Grenzfläche lichtdurchlässige Masse - umgebende Flüssigkeit nicht oder nur in geringem
Maße auf das andere Bauelement reflektiert wird*
6) Optoelektronische Halbleiteranordnung nach einem der vorher
gehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß als Strahlung emittierendes Bauelement eine Gallium-Arsenid-Lumineszenzdiode
und als von der Strahlungseinwirkung abhängiges Bauelement eine Silizium-Photodiode, ein Phototransistor oder «in Photo·
widerstand verwendet wird.
7) Optoelektronische Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Strahlung emittierende Bauelement auf dem Gehäuseboden befestigt
ist, während das von der Strahleneinwirkung abhängige Bauele-
009852/OS90
ment am Ende einer über die Bodenfläche des Gehäusesockels
hochragenden Elektrodenzuleitung befestigt ist.
8) Optoelektronische Halbleiteranordnung nach den Ansprüchen
4, 5 un<' 7, dadurch gekennzeichnet, daß die lichtdurchlässige
Masse aus unstharz besteht und auf dem Gehäusesockel
halbkugel- oder kegelförmig angeordnet ist»
9) Optoelektronische Halbleiteranordnung nach den Ansprüchen
kt 5 und 7t dadurch gekennzeichnet, daß die lichtdurchlässige
Masse aus Glas besteht*
10) Optoelektronische Halbleiteranordnung nach Anspruch i und 2,
dadurch gekennzeichnet, daß die Fora der lichtdurchlässigen Masse und die Anordnung der Bauelemente so gewählt ist, daß
von einem Bauelement ausgehende Strahlung ohne Reflexion aus
der lichtdurchlässigen Masse austritt und von Gegenständen außerhalb der lichtdurchlässigen Masse auf das von Strahlungseinwirkung
abhängige Bauelement zurück reflektiert wird·
11) Optoelektronische Halbleiteranordnung nach Anspruch la,
dadurch gekennzeichnet, daß die lichtdurchlässige Masse halbkugelförmig
ausgebildet ist und die Bauelemente im Mittelpunkt oder in der Nähe des Mittelpunktes dieser Halbkugel angeordnet
sind.
0Ö9852/059Ö .
16U865
12) Optoelektronische Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch seine Verwendung
zur Zählung und Registrierung von Objekten.
13) Optoelektronische Halbleiteranordnung nach einem der k vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch seine Verwendung
zur Anzeige und Steuerung von Flüssigkeitsspiegeln.
009852/0590
Leerseite
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR1585979D FR1585979A (de) | 1967-09-27 | 1968-09-24 | |
GB1239614D GB1239614A (de) | 1967-09-27 | 1968-09-26 | |
JP6980268A JPS46540B1 (de) | 1967-09-27 | 1968-09-27 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DET0034891 | 1967-09-27 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1614865A1 true DE1614865A1 (de) | 1970-12-23 |
Family
ID=7558830
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19671614865 Pending DE1614865A1 (de) | 1967-09-27 | 1967-09-27 | Optoelektronische Halbleiteranordnung |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3639770A (de) |
DE (1) | DE1614865A1 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2137842A1 (de) * | 1971-07-28 | 1973-02-08 | Helmut Dipl Chem Ulrich | Einrichtung zur messung der brechzahl von fluessigkeiten oder gasen, insbesondere zur bestimmung des mischungsverhaeltnisses mehrerer komponenten solcher fluessigkeiten oder gase |
EP0320197A3 (de) * | 1987-12-11 | 1991-01-16 | Honeywell Control Systems Ltd. | Flüssigkeitssensor |
Families Citing this family (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2121744A1 (de) * | 1971-05-03 | 1972-11-09 | Siemens Ag | Optoelektronische Einrichtung zur Messung und Regelung der Konzentration von Lösungen |
US3917410A (en) * | 1971-07-28 | 1975-11-04 | Helmut Ulrich | Apparatus for measuring the refractive index of liquids or gases |
FR2155137A5 (de) * | 1971-10-08 | 1973-05-18 | Radiotechnique Compelec | |
US3760237A (en) * | 1972-06-21 | 1973-09-18 | Gen Electric | Solid state lamp assembly having conical light director |
US3862415A (en) * | 1972-10-31 | 1975-01-21 | Gen Electric | Opto-electronic object detector using semiconductor light source |
US3842263A (en) * | 1973-02-01 | 1974-10-15 | Gen Electric | Molded opto-electronic transducer |
US3914309A (en) * | 1973-12-26 | 1975-10-21 | Eugene T Swensen | Sensing device |
FR2262407B1 (de) * | 1974-02-22 | 1977-09-16 | Radiotechnique Compelec | |
FR2272377B1 (de) * | 1974-05-24 | 1977-06-24 | Texas Instruments France | |
DE2456248A1 (de) * | 1974-11-28 | 1976-08-12 | Sick Optik Elektronik Erwin | Einrichtung zur feststellung der anwesenheit eines gegenstandes in einem erkennungsgebiet |
US4124860A (en) * | 1975-02-27 | 1978-11-07 | Optron, Inc. | Optical coupler |
US4047045A (en) * | 1975-03-03 | 1977-09-06 | Paxton Jr Grady W | Optical coupler |
US4012671A (en) * | 1975-10-14 | 1977-03-15 | Gulf & Western Industries, Inc. | Trigger circuit |
US4040078A (en) * | 1976-05-11 | 1977-08-02 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Opto-isolators and method of manufacture |
DE2634264A1 (de) * | 1976-07-30 | 1978-02-02 | Licentia Gmbh | Halbleiter-lumineszenzbauelement |
JPS53102687A (en) * | 1977-02-18 | 1978-09-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Solidstate photo electric convertor |
US4155013A (en) * | 1977-10-07 | 1979-05-15 | Joseph Spiteri | Liquid level indicator |
US4176552A (en) * | 1978-10-10 | 1979-12-04 | Rca Corporation | Fiber-optic thermometer |
US4176551A (en) * | 1978-10-10 | 1979-12-04 | Rca Corporation | Fiber-optic thermometer |
US4246489A (en) * | 1979-04-16 | 1981-01-20 | Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. | Liquid level detector for detecting a liquid level when reaching a prescribed height |
US4279465A (en) * | 1979-11-30 | 1981-07-21 | The Singer Company | Device for transmitting and receiving optical data on the same optical transmission line |
JPS56150871A (en) * | 1980-04-24 | 1981-11-21 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
US4544843A (en) * | 1983-01-28 | 1985-10-01 | Santa Barbara Research Center | Radiation detector with built-in test capability |
EP0186044B1 (de) * | 1984-12-17 | 1991-03-06 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photodetektor |
US4652745A (en) * | 1985-12-06 | 1987-03-24 | Ford Motor Company | Optical moisture sensor for a window or windshield |
JPS63210645A (ja) * | 1987-02-26 | 1988-09-01 | Ngk Spark Plug Co Ltd | ガソリン−アルコ−ルなどの流体混合比検出装置 |
SE461491B (sv) * | 1987-12-02 | 1990-02-19 | Asea Ab | Monolitisk optokopplare |
JPH02201949A (ja) * | 1989-01-30 | 1990-08-10 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JPH0671061B2 (ja) * | 1989-05-22 | 1994-09-07 | 株式会社東芝 | 樹脂封止型半導体装置 |
US4974552A (en) * | 1990-01-09 | 1990-12-04 | Ford Motor Company | Engine control system responsive to optical fuel composition sensor |
GB9005021D0 (en) * | 1990-03-06 | 1990-05-02 | Alfa Laval Sharples Ltd | Turbidity measurement |
US5311274A (en) * | 1992-05-11 | 1994-05-10 | Cole Jr Charles F | Fiber optic refractometer |
FR2694629B1 (fr) * | 1992-08-10 | 1995-06-30 | Berechet Ion | Sensor refractometrique semiglobulaire-compact. |
US5942748A (en) * | 1993-09-09 | 1999-08-24 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Liquid level sensor and detector |
US6079433A (en) * | 1997-09-12 | 2000-06-27 | The Toro Company | Automatic soil moisture sensing and watering system |
US7247837B2 (en) * | 2004-08-27 | 2007-07-24 | The Toro Company | Optical moisture sensor and method of making the same |
US9007050B2 (en) | 2010-09-17 | 2015-04-14 | The Toro Company | Soil moisture sensor with improved enclosure |
US8981946B2 (en) | 2011-10-24 | 2015-03-17 | The Toro Company | Soil moisture sensor |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2350712A (en) * | 1940-03-01 | 1944-06-06 | Barsties Wilhelm | Fluid level gauge |
US2359787A (en) * | 1942-01-21 | 1944-10-10 | Melville F Peters | Ice detector |
US2355014A (en) * | 1942-03-21 | 1944-08-01 | Carl F Schorn | Ice detector |
US2976763A (en) * | 1957-09-16 | 1961-03-28 | Revere Corp America | Material level detector |
US3167658A (en) * | 1961-07-17 | 1965-01-26 | Air Shields | Apparatus for use in sensing the pulse |
US3227929A (en) * | 1961-10-13 | 1966-01-04 | Kenneth A Mccreight | Light detection device |
US3282149A (en) * | 1963-04-10 | 1966-11-01 | American Cyanamid Co | Linear photoelectric refractometer |
US3426211A (en) * | 1965-10-21 | 1969-02-04 | Honeywell Inc | Refractometers |
-
1967
- 1967-09-27 DE DE19671614865 patent/DE1614865A1/de active Pending
-
1968
- 1968-09-23 US US761685A patent/US3639770A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2137842A1 (de) * | 1971-07-28 | 1973-02-08 | Helmut Dipl Chem Ulrich | Einrichtung zur messung der brechzahl von fluessigkeiten oder gasen, insbesondere zur bestimmung des mischungsverhaeltnisses mehrerer komponenten solcher fluessigkeiten oder gase |
EP0320197A3 (de) * | 1987-12-11 | 1991-01-16 | Honeywell Control Systems Ltd. | Flüssigkeitssensor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US3639770A (en) | 1972-02-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE1614865A1 (de) | Optoelektronische Halbleiteranordnung | |
DE102017128844B4 (de) | Matrixsubstrat umfassend eine Vielzahl von Leuchteinheiten und eine Vielzahl von Fingerabdruckerkennungseinheiten, Anzeigefeld und Anzeigevorrichtung | |
DE2020808B2 (de) | Optisches Bauelement zur Herstellung beleuchtbarer Werbezeichen, Signalvorrichtungen oder dergleichen | |
DE3332463A1 (de) | Nichtabbildendes system zur feststellung des einfallswinkels einer strahlung | |
DE3302660A1 (de) | Lichtsender mit mindestens zwei halbleiterkristallen | |
DE2636984A1 (de) | Lichtleiter | |
DE3029678A1 (de) | Verfahren und anordnung zur optisch-elektronischen ermittlung von verunreinigungen im bodenbereich von transparenten behaeltern | |
DE1547547B2 (de) | Tastatur mit tasten aus durhcsichtigem material | |
DE1207103B (de) | Vorrichtung zur Messung der Lage einer reflektierenden Flaeche | |
DE1762325A1 (de) | Farbfernsehkamera | |
DE2058209A1 (de) | Einrichtung zur selbsttaetigen Scharfeinstellung optischer Geraete | |
DE2209194A1 (de) | Anzeigegeraet | |
DE3786576T2 (de) | Belichtungsfühler. | |
DE1904198A1 (de) | Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE677925C (de) | Thermometerroehre fuer farblose Anzeigefluessigkeit | |
DE1764079A1 (de) | Auf Energie ansprechende Lumineszenzvorrichtung | |
DE767288C (de) | Vergroesserungsgeraet mit photoelektrischem Belichtungsmesser | |
DE2444555A1 (de) | Lichtempfangende vorrichtung fuer eine einaeugige spiegelreflexkamera | |
AT217521B (de) | Einrichtung zur Verstärkung der Intensität eines optisch erzeugten Bildes | |
DE2640370A1 (de) | Gegenlichtblende fuer fotografische kameras | |
DE693459C (de) | Leuchtfeuer | |
DE1912973C (de) | Storhchtblende fur optische Ab bildungssysteme | |
DE958758C (de) | Vorrichtung zur Messung von Strahlungsintensitaeten durch Fluoreszenzvergleich | |
DE731152C (de) | Lichtelektrischer Belichtungsmesser | |
DE1002481C2 (de) | Einrichtung zum Anzeigen von elektromagnetischen Strahlen oder Korpuskularstrahlen mit einem photoleitenden und einem elektrolumineszierenden Teil |