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DE1614865A1 - Optoelektronische Halbleiteranordnung - Google Patents

Optoelektronische Halbleiteranordnung

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Publication number
DE1614865A1
DE1614865A1 DE19671614865 DE1614865A DE1614865A1 DE 1614865 A1 DE1614865 A1 DE 1614865A1 DE 19671614865 DE19671614865 DE 19671614865 DE 1614865 A DE1614865 A DE 1614865A DE 1614865 A1 DE1614865 A1 DE 1614865A1
Authority
DE
Germany
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component
optoelectronic semiconductor
radiation
translucent
housing
Prior art date
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Pending
Application number
DE19671614865
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English (en)
Inventor
Dipl-Phys Walter Zizelmann
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Telefunken Patentverwertungs GmbH
Original Assignee
Telefunken Patentverwertungs GmbH
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Filing date
Publication date
Application filed by Telefunken Patentverwertungs GmbH filed Critical Telefunken Patentverwertungs GmbH
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Priority to GB1239614D priority patent/GB1239614A/en
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Publication of DE1614865A1 publication Critical patent/DE1614865A1/de
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01FMEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
    • G01F23/00Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm
    • G01F23/22Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm by measuring physical variables, other than linear dimensions, pressure or weight, dependent on the level to be measured, e.g. by difference of heat transfer of steam or water
    • G01F23/28Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm by measuring physical variables, other than linear dimensions, pressure or weight, dependent on the level to be measured, e.g. by difference of heat transfer of steam or water by measuring the variations of parameters of electromagnetic or acoustic waves applied directly to the liquid or fluent solid material
    • G01F23/284Electromagnetic waves
    • G01F23/292Light, e.g. infrared or ultraviolet
    • G01F23/2921Light, e.g. infrared or ultraviolet for discrete levels
    • G01F23/2922Light, e.g. infrared or ultraviolet for discrete levels with light-conducting sensing elements, e.g. prisms
    • G01F23/2925Light, e.g. infrared or ultraviolet for discrete levels with light-conducting sensing elements, e.g. prisms using electrical detecting means
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/41Refractivity; Phase-affecting properties, e.g. optical path length
    • G01N21/43Refractivity; Phase-affecting properties, e.g. optical path length by measuring critical angle

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Description

16H865
Tele funken Pat entverwerttingsges ellschaft
m.b.H.
Ulm / Donau, Elisabethenstr. 3
Heilbronn, den 19.9.1967 FE/PT-Ma/Na HN 67/6.7
"Optoelektronische Halbleiteranordnung11
Die Erfindung betrifft eine optoelektronische Halbleiteranordnung mit einem Strahlung emittierenden und einem von Strahleneinwirkung abhängigen Bauelement und besteht darin, daß beide Bauelemente in einem gemeinsamen, strahlungsdurchlässigen Gehäuse so angeordnet sind, daß aus dem Maße der optoelektronischen Koppelung der beiden Bauelemente auf die Art eines das Gehäuse umgebendem Mscüissaas oder ©ines dem Gehäuse benachbarten Gegenstandes gese&Loseen. wandern kann·
Da gemäß der vorliegenden Erfindung - im Gegensatz zu bekannten Vorrichtungen - die Strahlungβquelle und der Strahlenempfänger in einem gemeinsamen Gehäuse untergebracht ist« vereinfacht und verbilligt sich der Aufbau von Anaseigegeräten, in denen auf Licht- oder Strahleneinwirkung ansprechende Bauelemente zu Registrier— und Zählzwecken eingesetzt werden.
Für die Funktionsweise der erfindungegemäßen optoelektronischen Halbleiteranordnung sind mehrere Faktoren wesentlich.
bad orb»« I 009852/0590
So wird von der Form, dem Brechungsindex des im lichtdurchlässigen Gehäuse befindlichen Mediums und von der örtlichen Lage der Halbleiterbauelemente in Gehäuse das Maß bestimmt, in dem die von einem Bauelement ausgehende Strahlung auf
das andere Bauelement reflektiert wird. Die genannten Faktoren können beispielsweise so gewählt und aufeinander abgestimmt werden, daß der von einem Bauelement ausgehende Lichtstrahl an der Grenzfläche zwischen dem Gehäuse und dem Außenmedium total auf das andere strahlung»empfindliche Bauelement reflektiert wird, wenn das Medium außerhalb des Gehäuses gasförmig ist· Ist das Außenssedium Jedoch flüssig, ändern sich die Brechungsverfeältnieee hei einer solchen Anordnung derart, daß der Lichtstrahl ungehindert an der Grenzfläche zwischen Gehäuse und Flüssigkeit austritt und das strahlungsempfindliche Bauelement ohne Strahleneinwirkung bleibt. Aus dem Maß der Lichtreflexion an der Grenzfläche zwischen Gehäuse und Außen· medium und der damit verbundenen Änderung eines lichtabhangigen Kennwertes des von der reflektierten Strahlung getroffenen, lichtempfindlichen Bauelementes kann somit auf die Art des außerhalb des Gehäuses befindlichen Mediums geschlossen werden.
Auf diese ¥eise lassen sich beispielsweise Anzeigegeräte für Brunnen, Flüssigkeitsbehälter und dergleichen aufbauen, die den Abfall oder das Ansteigen des Pegelstandes unter oder über einen durch di« Leg;· des optoelektronischen Bauelementes definierten Vezt angeben» Di« vorliegend« Krfindung soll noch anhand zweier
Auaführungsbeispiel· näher erläutert werden*
BAD ORIGINAL
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Die Figuren 1 und 2 zeigen im Schnitt ein Bauelement, das besonders für Anzeige und Steuerung von Flüssigkeitspegeln geeignet ist, während in den Figuren 3 und k gleichfalls im Schnitt der Aufbau und die Wirkungsweise einer optoelektronischen Halbleiteranordnung dargestellt ist, die Torteilhafterweisθ zur Zählung und Registrierung von Objekten eingesetzt wird·
Die in Figur 1 dargestellte Halbleiteranordnung besteht aus einem Gehäusesockel 1, durch den beispielsweise drei Elektrodenzuführung en 2 bis k isoliert durchgeführt sind, während die viert« Elektrodenzulaitung 6 &m saetßlliecSien Boden des Gehäusesockels elektrisch leitend angebracht ist· Eine der Elektrodensuleitungen (3) ragt über dem Böden de« Gehäusesockel, und am Ende dieser Elektrodenxuleitung ist ein Strahlung·- bzw. lichtempfindliches Bauelement 6 mit seiner einen Elektrode befestigt. Die··· lichtempfindliche Bauelement besteht beispielsweise aus einer Siliziumphotodiodei einem Photowiderstand oder einem Phototransistor· Handelt es sich - wie im dargestellten Fall - um eine Photodiode oder um' einen Photowiderstand, so ist die andere Elektrode dieses lichtempfindlichen Bauelementes mit einer weiteren Elektrodenzuführung (2) über einen dünnen Zuleitungsdraht 7 elektrisch leitend verbunden. Es kann auch so vorgegangen werden, daß die beiden Elektrodenzuleitungen 2 und 3 über den Gehäusesockel hochragen und an ihren Enden so zusammengebogen werden, daß
OHiQlNAL -
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das lichtempfindliche Bauelement 6 zwischen die Enden der Elektrodenzuleitungen gebracht und mit diesen elektrisch leitend verbunden werden kann. Das lichtempfindliche Bauelement befindet sich somit in jedem Fall -in einer zentralen Lage über dem Boden des Gehäusesockel. Am Rande der Bodenfläche 8 des Gehäusesockel ist das strahlenemittierende Bauelement 9 mit seiner einen Elektrode befestigt, die somit gleichzeitig mit der Elsktrodenzuleitung 5 elektrisch leitend verbunden ist» Der Gehäusesockel und die Elektrodenzuleitungen sind zusammen mit den Halbleiterbauelementen in eine lichtdurchlässige Masse Io eingebettet, die beispielsweise aus Glas, Kunstharz oder einem Gemisch der beiden Stoffe besteht. Diese lichtdurchlässige Masse bildet den Gehäueeabschluß und weist vorzugsweise eine sich zum Gehäusesockel hin erweiternde kegelige Form auf·
Wenn nun, wie dies in der Figur 1 dargestellt ist, vom Bauelement 9t das beispielsweise aus einer Gallium-Araenid-Lumineszenzdiode besteht, aufgrund des durch das Bauelement fließenden Stromes ein Lichtstrahl 11 auegesandt wird, so trifft dieser unter einem sehr großen Einfallswinkel auf die Grenzfläche zwischen der lichtdurchlässigen Messe Io und dem umgebenden Medium 12 auf. Der Einfallswinkel liegt nur wenig unter 9o°. Venn nun das umgebende Medium 12 aus einem Gas besteht,
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so wird der Lichtstrahl 11 an der den Gehäuseabschluß bildenden Grenzfläche 13 total reflektiert und trifft auf die lichtempfindliche Schicht des Halbleiterbauelementes 6, dessen örtliche Lage dementsprechend in dem Gehäuse gewählt ist. Der vom Licht abhängige Kennwert des lichtempfindlichen Bauelementes 6 wird durch den starken Lichteinfall bei einem das Gehäuse umgebenden gasförmigen Medium somit sehr stark beeinflußt.
Wenn dagegen, wie dies die Figur 2 zeigt, das das Gehäuse umgebende Medium 12 aus einer Flüssigkeit besteht, so erfährt der Lichtstrahl 11 an der HsNssasfIaelae i3 keine Reflexion und tritt ungehindert in die Flüssigkeit aus. Deo lichtempfindliche Bauelement bleibt daher in diesem Fall ©Sam© Bestrahlung. Daraus ergibt sich, daß sich der vom Liebt abhängige Kennwert des Bauelementes 6 bei einem gasförmigen Medium 12 stark von dem bei einem flüssigen Med 'um unterscheiden wird. Aus dem Wert des lichtabhängigen Kennwertes kann daher direkt auf das das Gehäuse umgebende Medium geschlossen werden. Die Differenz: zwischen den beiden Kennwerten kann zur Steuerung von Schaltanlagen, Pumpen, Motoren oder anderen Geräten verwendet werden .
Wenn ·* sich nieht - wie dies bei der Beschreibung der Figur 2 vorausgesetzt wurde - um eine klare Flüssigkeit handelt, die
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die lichtdurchlässige Masse Io des Gehäuses umgibt, sondern um eine lichtβtreuende Flüssigkeit, wie Milch, tritt ein weiterer Effekt auf. Die Rückstreuung des Lichtes in das Bauelement beeinfluß den Empfänger in einem für die jeweilige Flüssigkeit charakteristischen Maße. Es kann somit aus dem durch die Streulichtstrahlung geänderten, lichtabhängigen W Kennwert des Bauelementes 6 auf den Reinheitsgrad bzw* auch den Grad der Eintrübung einer das Gehäuse umgebenden Flüssigkeit geschlossen werden.
In Figur 3 iot eine weitere optoelektronische Halbleiteranordnung dargest@llt„ fe«i der jedoch beide Bauelemente - eine Galliwra-ArsesEid-Lissine-sasensdiode 9 und eine Silizium-Photodiode 6 - mit je einer Elektrode auf der metallischen Bodenfläche 8 des Gehäusesockel« 1 befestigt sind. Beide Bauelemente sind etwa in der Mitte der meist kreisförmigen Bodenfläche angeordnet.-Die Elektrodenzuleitung 5 ist mit dem metallischen Gehäusesockel elektrisch leitend verbunden, während die von der Bodenfläche des Gehäusesockels unkontaktierten Elektroden der Halbleiterbauelemente 6 und 9 an den isoliert durch den Gehäusesockel durchgeführten Elektrodenzuleitungen 3 und 2 elektrisch angeschlossen sind. Über der Bodenfläche wölbt sieh vorzugsweise halbkugelförmig die lichtdurchlässige Masse Io, die beispielsweise aus Kunstharz besteht und in die die Bauelemente und die an die Bauelement· angeschloi
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senen Enden der Elektroden^uleitungen eingegossen oder anderweitig eingebettet sind*
Wenn nun * wie Figur 3 zeigt - ve-a. der Lumineszenzdiode 6 ein Lichtstrahl 11 ausgeht, so trifft dieser praktisch senkrecht auf die kugelföraige Grenzfläche zwischen der lichtdurchlässigen Masse Io und den umgebenden Mediun 12, das beispielsweise aus der normalen Rausalttft besteht. Wenn sich in der Nähe der Halbleiteranordnung keine lichtreflektierenden Gegenstände befinden, wird die Photodiode 9 praktisch keinen Lichteinfall registrieren. Wenn jedoch - wie in Figur 4 an der Halbleiteranordnung ein lichtundurchlässlger Gegenstand 15t beispielsweise in Pfeilrichtung, vorbeigeführt wird, wird ein bestlssiter Anteil 16 des von der Lumineszenzdiode 6 ausgestrahlten Lichtes in die lichtdurchlässige Masse Io zurückreflektiert und trifft &u€ die Photodiode 9, die durch die Änderung der lichtabhängigen Kennwerte den vorbeigeführten Gegenstand 15 registriert. Auf diese Weise können Gegenstände aller Art registriert und gezählt werden oder Prozesse der verschiedensten Art bei der Registrierung eines Gegenstandes ausgelöst werden.
Usi die Anzeige durch die beschriebenen optoelektronischen Koppelanordnungen von etwa vorhandenes Freadlicht unabhängig zu stachen, hat stan prinzipiell die Möglichkeit, «it Wechsellicht zu arbeiten.
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Die beschriebenen optoelektronsichen Koppel elemente können selbstverständlich in konstruktiver Weise abgeändert werden. Beispielsweise kann die räumliche Lage "der Bauelemente im Gehäuse« die Form und die Art der lichtdurchlässigen Masse und die Zahl der Elektrodenzuleitungen den jeweiligen Erfordernissen angepasst werden, ohne daß Hiervon der wesentliche k Erfindungsgedanke berührt würde. Neben den bereits genannten Verwendungsmöglichkeiten bieten sich eine Vielfalt anderer Einsatzgebiete für die erfindungsgemäßen optoelektronischen Halbleiteranordnungen an, die hier nicht in allen Einzelheiten beschrieben werden können. Erwähnt werden soll jedoch noch die EinsatzaÖglichkeit der erfindungsgemäßen Anordnungen iu Waschmaschinen, zur Steuerung der Wasserpunpen, sowie in Benzin-, Öl- und Wassertanks zur Anzeige de« jeweiligen Flüssigkeit sniveaus.
BADORfGiNAL
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Claims (1)

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- 9 Fat entan Sprüche
1) Optoelektronische Halbleiteranordnung mit einem Strahlung emittierenden und einem von Strahlerieinwirkung abhängigen Bauelement, dadurch gekennzeichnet, daß beide Bauelemente in einem gemeinsamen, strahlungsdurchlässigen Gehäuse so angeordnet sind, daß aus dem Maße der optoelektronischen Koppelung der beiden Bauelemente auf die Art eines das Gehäuse umgebenden Mediums oder eines dem Gehäuse benachbarten Gegenstandes geschlossen werden kann.
2} Optoelektronische Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das für beide Bauelemente gemeinsame Gehäuse aus einem Gehäusesockel mit durch den Gehäusesockel geführten Elektrodenzuleitungen besteht9 und daß die auf dem Gehäusesockel oder auf den Elektrodenzuleitungen befindlichen Bauelemente in eine als Gehäuseabschluß dienende, lichtdurchlässige Masse eingebettet bzw. eingegossen sind.
3) Optoelektronische Halbleiteranordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Form und der Brechungsindex der lichtdurchlässigen Masse so gewählt ist, daß die von einem Bauelement ausgehende Strahlung an der Grenzfläche lichtdurchlässige Masse - umgebendes Medium, je nach dem Brechungsindex des umgebenden Mediums mehr oder weniger stark auf das Bauelement reflektiert wird.
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- Io -
k) Optoelektronische Halbleiteranordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet« daß Fora und Brechungsindex der lichtdurchlässigen Masse mo gewählt ist, daß die vom einen Bauelement ausgehende Strahlung an der Grenzfläche lichtdurchlässige Masse - umgebendes Gäe total oder nahezu total auf das andere Bauelement reflektiert wird.
5) Optoelektronische Halbleiteranordnung nach Anspruch 3 und 4 dadurch gekennzeichnet, daß die Form und der Brechungsindex der lichtdurchlässigen Masse so gewählt ist, daß die vom einen Bauelement ausgehende Strahlung an der Grenzfläche lichtdurchlässige Masse - umgebende Flüssigkeit nicht oder nur in geringem Maße auf das andere Bauelement reflektiert wird*
6) Optoelektronische Halbleiteranordnung nach einem der vorher gehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß als Strahlung emittierendes Bauelement eine Gallium-Arsenid-Lumineszenzdiode und als von der Strahlungseinwirkung abhängiges Bauelement eine Silizium-Photodiode, ein Phototransistor oder «in Photo· widerstand verwendet wird.
7) Optoelektronische Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Strahlung emittierende Bauelement auf dem Gehäuseboden befestigt ist, während das von der Strahleneinwirkung abhängige Bauele-
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ment am Ende einer über die Bodenfläche des Gehäusesockels hochragenden Elektrodenzuleitung befestigt ist.
8) Optoelektronische Halbleiteranordnung nach den Ansprüchen 4, 5 un<' 7, dadurch gekennzeichnet, daß die lichtdurchlässige Masse aus unstharz besteht und auf dem Gehäusesockel halbkugel- oder kegelförmig angeordnet ist»
9) Optoelektronische Halbleiteranordnung nach den Ansprüchen kt 5 und 7t dadurch gekennzeichnet, daß die lichtdurchlässige Masse aus Glas besteht*
10) Optoelektronische Halbleiteranordnung nach Anspruch i und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Fora der lichtdurchlässigen Masse und die Anordnung der Bauelemente so gewählt ist, daß von einem Bauelement ausgehende Strahlung ohne Reflexion aus der lichtdurchlässigen Masse austritt und von Gegenständen außerhalb der lichtdurchlässigen Masse auf das von Strahlungseinwirkung abhängige Bauelement zurück reflektiert wird·
11) Optoelektronische Halbleiteranordnung nach Anspruch la, dadurch gekennzeichnet, daß die lichtdurchlässige Masse halbkugelförmig ausgebildet ist und die Bauelemente im Mittelpunkt oder in der Nähe des Mittelpunktes dieser Halbkugel angeordnet sind.
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12) Optoelektronische Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch seine Verwendung zur Zählung und Registrierung von Objekten.
13) Optoelektronische Halbleiteranordnung nach einem der k vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch seine Verwendung zur Anzeige und Steuerung von Flüssigkeitsspiegeln.
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DE19671614865 1967-09-27 1967-09-27 Optoelektronische Halbleiteranordnung Pending DE1614865A1 (de)

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