DE1614661A1 - Speicherelement mit duennem ebenem anisotropem Magnetfilm mit offenen Magnetkreisen - Google Patents

Description

Unser Zeichen: S 2367

SOGIETE IHDUSTRIELLE BULL-GENERAL ELECTRIC 94, Avenue Gambetta, Paris 20 /Frankreich

Speicherelement mit dünnem ebenem anisotropem Magnetfilm mit offenen Magnetkreisen

Die Erfindung bezieht sich auf Speicherelemente mit dünnem ebenem anisotrppem Magnetfilm mit offenen Magnetkreisen.

Der Aufzeichnungsträger eines Speicherelements dieser Art ist ein dünnes, ebenes Magnetfilmelement, das in seiner Ebene eine bevorzugte Magnetisierungsrichtung, genannt "Richtung leichter Magnetisierbarkeit", und eine Richtung schwerer Magnetisierbarkeit senkrecht zu der Richtung leichter Magnetisierbarkeit aufweist, und in welchem auf eine bestimmte Steuerwirkung hin sich ein magnetischer Bereich ausbildet, der in dieser Richtung leichter Magnetisierbarkeit magnetisiert ist, wobei dieser Bereich die Aufzeichnung eines Informationselements bildet und die Richtung der Remanenzinduktion in diesem Bereich

Lei/Ba 009833/1590 _den

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dea Wert des Informationselements darstellt und von bestimmten Eigenschaften dieser Steuerwirkung abhängt.

Die Steueranordnung für ein Speicherelement dieser Art ist durch zwei gewöhnlich bandförmige elektrische -Steuerleiter gebildet, die entlang dem Magnetfilmelement so angeordnet sind, dass ihre orthogonalen Projektionen auf die Ebene des Magnetfilmelements senkrecht zu der Richtung leichter Magnetisierbarkeit bzw. zu der Richtung schwerer Magnetisierbarkeit liegen.

Ein gewöhnlich bandförmiger elektrischer Leseleiter, der entlang dem Magnetfilmelement senkrecht zu der Richtung leichter Magnetisierbarkeit angeordnet ist, ermöglicht die Abnahme der Lesesignale auf Grund von bestimmten Steuerwirkungen, die unter bestimmten Bedingungen ausgeführt werden.

Die die Bildung des magnetischen Bereichs ermöglichende Steuerwirkung ergibt sich daraus, dass Steuerströme geeigneten Werts in bestimmten Zeitpunkten durch die beiden Steuerleiter fliessen, wobei die Richtung des Stroms in dem senkrecht zu der Richtung leichter Magnetisierbarkeit liegenden Leiter die Magnetisierungsrichtung in dem so gebildeten Bereich bestimmt.

Der

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Der Umriss des magnetisehen Bereichs hat die Form einer Spindel, deren Längsachse parallel zu der Richtung leichter Magnetisierbarkeit liegt, und dieser Umriss ist fein gezackt.Aus später noch angegebenen Gründen ist dieser Umriss nicht stabil, ebenso wenig wie der Bereich selbst. Die Kraftlinien des von der Remanenzinduktion in dem betreffenden magnetischen Bereich stammenden Magnetfelds treten aus dem Magnetfilmelement durch dessen einer oder anderen Seitenfläche entlang diesem Umriss oder in der unmittelbaren Nähe dieses Umrisses aus, um in das nichtmagnetische Medium einzutreten, das sich an das Magnetfilmelement entlang jeder Seitenfläche anschliesst. Diese Kraftlinien treten aus dem Magnetfilmelement praktisch durch schmale Streifen dieser Seitenflächen aus, welche den Umriss des Bereichs umsäumen, und deren Breite einige hundert Angström kaum überschreitet. Diese Streifen bilden die Polflächen des Magnetfilmeleaients, «ad der Wert der magnetischen Induktion auf diesen Polflächen, deren Abmessungen klein sind, ist gross.

Der Umriss des Bereichs ist nicht stabil, denn er ist dadurch gegeben, dass an jedem Punkt des Bereichs das Entmagnetisierungsfeld kleiner als das Koerzitivfeld ist, und dass an der Wand des Bereichs das Entmagnetisierungsfeld gleich dem Koerzitivfeld ist.Deshalb wird durch jede äussere Einwirkung, die ein Magnetfeld an der

BAD

Wand

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Wand des Bereichs bestimmt, das bestehende Gleichgewicht gestört und eine Änderung des Umrisses in der Weise hervorgerufen, dass die zuvor angegebenen Bedingungen wieder erfüllt sind. Dies kann dazu führen, dass der Bereich und damit die von dem Bereich gebildete Informationsaufzeichnung vollständig verschwindet, oder auch dazu, dass die Abmessungen des Bereichs derart vergrössert werden, dass der Betrieb der das Speicherelement enthaltenden A_nordnung dadurch gestört wird.

Bei den bisher bekannten Anordnungen, bei denen eine Reihe von Speicherelementen der angegebenen Art verwendet wird, erzeugt jeder magnetische Bereich, der eine Informationsaufzeichnung in einem Speicherelement darstellt, auf Grund der beträchtlichen magnetischen Induktion an seinen Pol— flächen rings um sich ein Störmagnetfeld, dessen Wert in den benachbarten Speicherelementen nicht vernachlässigbar ist. Es ist dann notwendig, die Speicherelemente in geeigneter Weise voneinander zu trennen oder zu isolieren, wodurch die Dichte der Speicherelemente in den Anordnungen begrenzt wird.

Zur Vermeidung der zuvor angegebenen Nachteile ist es notwendig, das EntmagnetisierungsfeId in dem die Informationsaufzeichnung in denbetirffenden Speicherelementen darstellenden magnetischen Bereich auf einen geeigneten Wert zu begrenzen. Dadurch wird eine obere Grenze für die

Dicke

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Dicke des Magnetfilms und für das Verhältnis der Dicke des magnetischen Bereichs zu seiner Länge vorgeschrieben, und demzufolge auch eine untere Grenze für die Länge des magnetischen Bereichs für den maximal zulässigen Wert der Dicke des Magnetfilms.

Wenn das Lesesignal, das von einem zur Erfüllung dieser Bedingungen in geeigneter Weise ausgebildeten Speicherelement geliefert wird, für eine brauchbare Verwertung zu schwach ist, ist es notwendig, die Breite der Steuerleiter unter gleichzeitiger Vergrösserung der Steuerströme derart zu vergrössern, dass ein Bereich mit grösseren Abmessungen gebildet wird, in welchem der ITutzmagnetfluss verstärkt ist.

Die in dem vorstehenden Absatz angegebenen Bedingungen führen dazu, die durch die zuvor angegebenen Bedingungen vorgeschriebene untere Grenze auf die Abmessungen des Magnetfilmelements anzuheben, welches den Aufzeichnungsträger des in Betracht gezogenen Speicherelements bildet. Dies führt beim gegenwärtigen Stand der !Technik dazu, dass magnetische Bereiche gebildet werden, deren Länge selten kleiner,als 1 mm ist, wobei die Dicke des Magnet-

o
films im allgemeinen 1000 A nicht übersteigt. Bei den Anordnungen, in denen eine Reihe von Speicherelementen diesr Art verwendet wird, ist es zur Erfüllung der gleichen Bedingungen notwendig, die Dichte der Speicherelemente zu begrenzen.

009833/1590 Zusammenfassend

Zusammenfassend bedeutet dies: Bei der Herstellung von Speicherelementen der betrachteten Art und von Anordnungen, die eine Reihe von Speicherelementen dieser Art enthalten, muss die Tatsache berücksichtigt werden, dass das Lesesignal, die Ströme und die Abmessungen der Speicherelemente Kenngrössen sind, deren Werte nicht unabhängig voneinander gewählt werden können, und dass die Wahl miteinander verträglicher Werte dieser drei Kenngrössen einen Kompromiss darstellt , denn die Wahl eines günstigeren Wertes für eine dieser Kenngrössen erfordert die Wahl eines weniger günstigen Wertes für wenigstens eine der beiden anderen Kenngrössen.

Das Ziel der Erfindung besteht darin, die Bedingungen günstiger zu gestalten, welche die Annahme eines solchen Kompromisses bei der Herstellung von Speicherelementen der betreffenden Art und von Anordnungen, wie Speichermatrizen, bei denen eine Reihe von Speicherelementen dieser Art verwendet werden, erforderlich machen.

Insbesondere ist das Ziel der Erfindung die Schaffung von Speicherelementen mit dünnen ebenem anisotropem Magnetfilm mit offenen Magnetkreisen, in welchen das Entmagnetisierungsfeld kleiner als das bei bekannten Speicherelementen dieser Art erscheinende Entmagnetisierungsfeld ist.

Es

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Es ist ferner ein Ziel der Erfindung, die Herstellung von Anordnungen zu ermöglichen, bei denen eine Reihe von Speicherelementen der betrachteten Art verwendet wird, wobei das von jedem der Speicherelemente in den benachbarten Elementen erzeugte Störmagnetfeld verringert ist.

Erfindungsgemäss wird die Tatsache ausgenutzt, dass ein Abschnitt des dünnen anisotropen Magnetfilms seine Eigenschaft der magnetischen Anisotropie wenigstens teilweise verliert, wenn er mit einer ausreichend dicken Schicht eines magnetisch isotropen Magnetmaterials bedeckt ist.

Die Erfindung bezieht · sich, auf ein Speicherelement, das als Aufzeichnungsträger ein ebenes dünnes anisotropes Magnetfilmelement enthält, das in seiner Ebene eine Richtung leichter Magnetisierbarkeit und eine senkrecht dazu liegende Richtung schwerer Magnetisierbarkeit aufweist, mit einem ersten elektrischen Leiter, der entlang dee Magnetfilm so angeordnet ist, dass die Projektion seiner Längsachse auf den Magnetfilm senkrecht zu der Ebene senkrecht zu der Richtung leichter Magnetisierbarkeit liegt, und mit einem zweiten elektrischen Leiter, der entlang dem Magnetfilm so angeordnet ist, dass die Projektion seiner Längsachse auf den Magnetfilm senkrecht zu da? Ebene senkrecht zu der Richtung schwerer Magnetisierbarkeit liegt. Das Speicherelement

nach

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nach der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass es zwei Schichten aus einem magnetisch isotropen Magnetmaterial enthält, die entlang zwei Abschnitten des M^gnetfilms angeordnet sind, welcher auf der Projektion der Längsachse des zweiten Leiters zu beiden Seiten der Projektion der Längsachse des ersten Leiters liegen, dass die Magnetschichten in Berührung mit den Abschnitten des Magnetfilms stehen oder in sehr kleinem Abstand von diesen Abeahnitten liegen, und dass die miteinander in Berührung stehenden oder einander gegenüberliegenden Flächen der Abschnitte des Magnetfilms and der Magnetschichten eine Flächenausdehnung haben, die sehr viel grosser als jeder beliebige Querschnitt des zwischen den Abschnitten des Magnetfilms liegenden Teils des Magnetfilms in einer senkrecht zu der Richtung leichter Magnetisierbarkeit liegenden Ebene ist, so dass der von dem Magnetfilm und den Magnetschichten gebildete Abschnitt des Magnetkreises auf der gleichen Seite des Magnetfilms wie der erste L_eiter Polflächen grosser Abmessung aufweist, damit dem sich rings um den ersten Leiter schliessenden Magnetfluss ein geringer magnetischer Widerstand entgegengesetzt wird, d.h. dem Magnetfluss, der entweder von dem Durchgang eines Steuerstromsjäurch diesen ersten Leiter oder durch das Vorhandensein eines in der Richtung leichter Magnetisierbarkeit magnetisieren und in dem Magnetfilm den zwischen den beiden Abschnitten des Magnetfilms liegenden Teil einnehmenden magnetisierten

Bereichs 0 0 9833/1590

Bereichs hervorgerufen wird, und damit beim Vorhandensein des magnetischen Bereichs die magnetische Induktion entlang dieser Polfläche sehr viel kleiner als die Remanenzinduktion in dem magnetischen Bereich ist.

Infolge der erfindungsgemässen Massnahmen ist das Entmagnetisierungsfeld in dem magnetischen Bereich beträchtlich verringert, und bei Anordnungen, bei denen eine Reihe von Speicherelementen nach der Erfindung verwendet wird, ist das von einem dieser Speicherelemente in den benachbarten Speicherelementen erzeugte Störmagnetfeld gleichfalls verringert. .'

Die Anordnung von magnetischen Schichten nach der Erfindung bildet ein Mittel, um den Bereich eine Form zu geben, die weitgehend unabhängig von Störungen ist, und dieses Mittel ist wirksamer als das bekannte Mittel, das darin besteht, den Magnetfilm zu beschneiden, denn dadurch wird keineswegs verhindert, dass sich der Bereich unter der Einwirkung bestimmter Störungen verkleinert.

Außerdem weisendie erfindungsgemässen Speicherlemente gegenüber den bekannten Speicherelementen der betrachteten Art die in den folgenden Absätzen angegebenen Vorteile auf.

Das

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Das Lesesignal kann unter sonst gleichen Bedingungen merklich vergrössert werden. Einerseits können nämlich die Dicke des Magnetfilms und das Verhältnis der Dicke zu der Länge des die Informationsaufzeichnung darstellenden Bereichs vergrössert werden, ohne dass die Gefahr besteht, dass die form oder die Abmessung des Bereichs beim Betrieb des Speicherelements in schädlicher Weise verändert werden. Andrerseits ergibt die arfindungsgemässe Ausbildung von Polflächen grosser Abmessung, die auf der gleichen Seite des Magnetfilms wie der Leseleiter liegen, die Wirkung, dass der magnetische Widerstand verringert wird, der den Magnetfluss entgegengesetzt wird, welcher in dem auf dieser Seite der Ebene liegenden Abschnitt des Umgebungsraums erscheint. Auf Grund dieser Tatsache ist der Nutzfluss, d.h. der sich um den Leseleiter schliessende Fluss grosser als im fall der bekannten Speicherelemente.

Unabhängig davon, dass das Lesesignal vergrössert werden kann, ist es dank der erfindungsgemässen Massnähmeη möglich, schwächere Steuerströme in den betreffenden Speicherelementen anzuwenden. Die erfindungsgemässe Ausbildung von Pülfläehen grosser Abmessung auf der gleichen Seite des Magnetfilms wie ein Leiter ergibt nämlich die Wirkung, dass der magnetische Widerstand verringert wird, den der von dem Hagnetfilm und den Magnetschichten gebildete Abschnitt des Magnetkreises dem Magnetfluss entgegensetzt, welcher von einem durch

009833/1590 _diesen

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diesen Leiter fliessenden Steuerstrom stammt. Es ist dann möglich, in dem betreffenden Leiter zur Erzielung der erforderlichen magnetischen Induktion in dem Magnetfilmelement schwächere Steuerströme anzuwenden.

Bei den Anordnungen, bei denen eine Reihe von erfindungsgemässen Speicherelementen angewendet wird, sind ferner die Störungen, welche von den sich auf ein Speicherelement beziehenden Steuerströmen bei den benachbarten Speicherelementen hervorgerufen werden, infolge der zuvor angegebenen Verringerung des magnetischen Widerstandes verringert.

Eine weitere vorteilhafte P_olge dieser Verringerung des magnetischen Widerstands besteht Sarin, dass es bei den erfindungsgemässen Speicherelementen möglich ist, die Toleranzen hinsichtlich der Lige, der Form und der Abmessungen der Steuer- und Leseleiter zu vergrössern, um welche sich der Magnetfluss schliesst, dem der in Betracht gezogene magnetische Widerstand entgegengesetzt ist.

Zur Erzielung der vorteilhaften Eigenschaften hinsichtlich der Steuerströme unabhängig von den betreffenden Steuerleiter kann das Speicherelement erfindungsgemäss mit solchen Schichten aus magnetischem Material zu beiden Seiten eines ersten Leiters versehen sein, der dazu bestimmt ist, Steuerströme senkrecht zu der Richtung leichter Magnetisierbarkeit

~ BAD ORIGINAL

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zu führen, sowie auch zu beiden Seiten eines zweiten Leiters, der dazu bestimmt ist, Steuerströme senkrecht zu der Richtung schwerer Magnetisierbarkeit zu Uhren, wobei zwischen diesen Schichten Zwischenräume vorgesehen sind, um zu verhindern, dass an den Rändern des von den Steuerströmen gebildeten magnetischen Bereichs geschlossene Magnetkreise mit geringem magnetischen Widerstand entstehen, welche die Kopplung des Magnetfilmelements mit den diesem Element zugeordneten Leitern in schädlicher Weise herabsetzen würden.

Bekanntlich ist es möglich, die Wirkungsweise eines bekannten Speicherelements der betreffenden Art dadurch zu verbessern, dass oberhalb der oteuerleiter und des Leseleiins dieses Speicherelements eine Schicht aus magnetischem Material angeordnet wird, welche die Wirkung hat, den magnetischen Widerstand der Magnetkreise zu verringern, in welchen die diese Leiter umgebenden Magnetflüsse erscheinen. Die durch diese Massnahrae erzielte Verbesserung ist beschränkt, weil der magnetische Widerstand der in den betreffenden Magnetkreisen bestehenden Luftspalte gross bleibt. Wenn die gleiche Massnahme bei einem nach der Erfindung ausgebildeten Speicherelement angewendet wird, wird die erzielte Verbesserung umso stärker fühlbar, weil infolge des Vorhandenseins der erfindungsgemäss vorgesehenen Magnetschichten der magnetische Widerstand der betreffenden Luftspalte geringer ist.

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Die Erfindung wird nachstehend an Hand der Zeichnung beispielshalber beschrieben. Darin zeigen:

Pig.1 eine perspektivische Ansicht eines bekannten Speicherelemente der in Betracht gezogenen Art,

Pig.2 einen Schnitt durch das Speicherelement von Fig.1 in der Ebene P, gesehen in der in Pig.1 angedeuteten Richtung II,

Pig. 3 eine perspektivische Ansicht eines Speicherelements nach der Erfindung,

Fig.4 einen Schnitt durch das Speicherelement von Pig. 3 in der Ebene P, gesehen in der in Pig.3 angegebenen Richtung IV, und

·5, 6 und 7 perspektivische Ansichten von drei weiteren Ausführungsformen des erfindungsgemässen Speichereleraents.

Das in P£g.1 und 2 dargestellte bekannte Speicherelement enthält einen Abschnitt 10 eines ebenen, dünnen, anisotro pischen Magnetfilms 15, elektrische Steuerleiter 20 und 30 und einen Leseleiter 40.

Der

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- ¹* - 16U661

Der Magnetfilra 15 weist in seiner Ebene eine Richtung FA leichter Magnetisierbarkeit und eine senkrecht zu der Richtung EA liegende Richtung DA schwerer Magnetisierbarkeit auf. Die Dicke e des Magnetfilms liegt in der

ο
Grössenordnung von 500 A und übersteigt im allgemeinen

nicht 1000 S.

Der Magnetfilmabschnitt 10, nachstehend auch als Magnetfilmelement bezeichnet, ist derjenige !Teil des Magnetfilms 15, in welchem sich unter der Wirkung von Steuerströmen geeigneten Wertes, die in bestimmten Zeitpunkten in den Steuerleitern 20 und 30 fliessen, ein in der Richtung PA magnetisierter magnetischer Bereich ausbildet. Dieser Abschnitt 10 des Magnetfilms liegt im wesentlichen konzentrisch zu dem gemeinsamen Teil der orthogonalen Projektierender Steuerleiter 20 und 30 auf die Ebene des Magnetfilms..

Die Steuerleiter 20 und 30 sowie der leseleiter 40 sind entlang einer Seitenfläche 105 (Fig.2) des Magnetfilmelements 10 ±iparallel zu dieser Seitenfläche liegenden Ebenen angeordnet. Diese Seitenfläche wird nachstehend als die Nutzfläche des Magnetfilmelements für die betreffenden Leiter bezeichnet.

Der eine Steuerleiter 20 liegt senkrecht zu der Richtung DA, während der andere Steuerleiter 30 und der leseleiter senkrecht zu der Richtung EA. angeordnet sind.

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Ea ist zu bemerken, dass in an sich bekannter Weise der Steuerleiter 20 entlang der Seitenfläche 106 (Fig. 2) des Magnetfilme leine nts angeordnet sein kann, die der Seitenfläche 105 gegenüberliegt, an welcher der Steuerleiter 30 und der Leseleiter 40 angeordnet sind. Dann ist die Seitenfläche 106 die Nutzfläche für den Leiter 20.

Ferner ist zu bemerken, dass in an sich bekannter Weise die Leiter 30 und 40 durch einen einzigen Leiter ersetzt werden können, der an geeignete Schaltungen angeschlossen ist, die es ermöglichen, diesen einzigen Leiter abwechselnd als Steuerleiter and als Leseleiter zu verwenden. Dies wird in der nachfolgenden Beschreibung angenommen, und der verwendete einzige Leiter wird mit dem Bezugszeichen versehen.

Der Umriss G des Bereichs hat etwa die Form einer Spindel, deren Längsachse parallel zu der Richtung FA liegt. Dieser Umriss ist in Wirklichkeit fein gezackt, wie in Fig.1 schematisch angedeutet ist. Die Länge L des Bereichs liegt in der Gröseenordnung der Breite des Steuerleiters 30, der senkrecht zu der Richtung FA verläuft.

Der betreffende bereich und dementsprechend der Umriss C können sich unter der Einwirkung gewisser Störungen in gewissem Masse ändern.

Das Γ 0 i^: -33/1590

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— Ib —

Das Magnetfilmelement 10 kann den einen oder den anderen von zwei stabilen Zuständen annehmen, die den beiden gleichen Werten entgegengesetzten Vorzeichens entsprechen, welche die Remanenzinduktion in dem magnetischen Bereich in der Richtung FA annehmen kann. In Fig.1 und 2 ist durch einen Vektor BS1 die Remanenzinduktion dargestellt, welcher einer dieser stabilen Zustände entspricht, und durch eine gestrichelte Linie F ist eine Kraftlinie des von dieser Remanenzinduktion stammenden Magnetfelds dargestellt. Diese Kraftlinie ist in einer Ebene P enthalten, die senkrecht zu der Ebene des Magnetfilmelements 10 und parallel zu der Richtung der Remanenzinduktion BS1 liegt.

Fig.2 ., in welcher ein Speicherelement im S_chnitt in der Ebene P dargestellt ist, ermöglicht ein besseres Verständnis der Eigenschaften der Kraftlinie F.

In Fig.2 sind die Strecken fO-f1O und f1-f11 die Schnittlinien der Wand des Bereichs mit der Ebene P. Das den Aufzeichnungsträger des betreffenden Speicherelements darstellende Magnetfilmelement erscheint in dem Abschnitt fO-f1O-f11-f1 des Magnetfilms 15.

Der in dem Magnetfilmelement 10 enthaltene Abschnitt der Kraftlinie F weist eineP geradlinigen Teil Fa auf, der in dem Bereich enthalten ist und parallel zu der Richtung der Remanenzinduktion BS1 liegt, sowie Abschnitte, die

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auf den Schnittlinien fO-f1O und f1-f11 der Bereichswand mit der Ebeae P Liegen, wobei diese Abschnitte an der Nutzfläche 105 des Magnetfilmelements bei fO bzw. f1 am Umriss des Bereichs enden. Diese Punkte fO und f1 liegen in unmittelbarer Nähe des Umrisses C (I¹Ig. 1) des Bereichs in einem Abstand, der einige 100 S. nicht übersteigt.

Der Abschnitt Fb der Kraftlinie ϊ¹, der sich ausserhalb des Magnetfilms in dem sich an die Nutzfläche 105 des Magnetfilmelements 10 anschliessenden Umgebungsraum befindet, bildet mit dem im Magnetfilmelement enthaltenen Teil eine rings um den Leseleiter 40 geschlossene Linie.

Es ist zu bemerken, dass der von der Remanenzinduktion in dem magnetischen Bereich verursachte und aus dem Magnetfilm austretende Magnetfluss sich nahezu, symmetrisch zu beiden Seiten des Magnetfilms aufteilt. Fig.2 zeigt eine in der Ebene P enthaltene Kraftlinie, welche sich in dem Raumabschnitt schliesst, der sich an das Magnetfilmelement entlang der der Nutzfläche 105 gegenüberliegenden Seitenfläche 106 anschliesst. Diese Kraftlinie, die in Pig.2 durch eine gestrichelte Linie P1 dargestellt ist, tritt aus dem Magnetfilmelement 10 an den Punkten f10 und f11 an dessen Seitenfläche 106 entlang dem Umriss des Bereichs aus.

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Jede Kraftlinie dea betrachteten Magnetfelds, die sich ausserhalb des Magnetfilms schliesst, tritt aus dem Magnetfilmelement in der unmittelbaren Nähe des Umrisses des Bereichs aus, und zwar entweder durch die eine oder durch die andere Seitenfläche des Magnetfilmelements, ebenso wie die in Fig.1 und 2 dargestellten Kraftlinien F und J?1. Die Polflächen des Magnetfilmelements sind also durch schmale Streifen der Seitenfläche dieses Elements gebildet, die entlang dem Umriss des Bereichs liegen. Der Wert der magnetischen Induktion entlang diesen Polflächen liegt in der Nähe des Werts der Remanenzinduktion BS1 in dem Element. Dieser beträchtliche Wert der magnetischen Induktion entlang den Polflächen ergibt ein Entmagnetisierungsfeld grossen Werts in dem magnetischen Bereich. Er ergibt ferner in der gesamten Umgebung des Magnetfilms ein Störmagnetfeld grossen Werts. Bei einer Anordnung, bei der eine Reihe von Speicherelementen der betrachteten Art verwendet werden, wird durch ein solches Störmagnetfeld, das von einem Magnetfilmelement nach Art des Magnetfeldelements 10 von 3?ig.1 hervorgerufen wird, der Betrieb jedes Speicherelements gestört, das als Aufzeichnungsträger ein benachbartes Element des gleichen Magnetfilms aufweist, beispielsweise das bei 1OA in i*ig.1 angedeutete Magnetfilme leine nt.

Das in Fig.3 und 4 dargestellte erfindungsgemässe Speicherelement enthält, ebenso wie das in i"ig.1 und 2

dargestellte

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dargestellte bekannte Speicherelement, ein dünnes, ebenes, anisotropes Mpgnetfilmelement 10 sowie Steuer- und Leseleiter, welche die zuvor in "Verbindung mit dem bekannten Speicherelement angegebenen Bedingungen erfüllen, nämlich die entlang der Nutzfläche 105 des Magnetfilmelements 10 angeordneten Leiter 20 und 30.

Der Magnetfilm 15 weist die zuvor angegebenen magnetischen Eigenschaften des Magnetfilms auf, der bei dem in Fig.1 und 2 dargestellten bekannten Speicherelement verwendet wird. Jedoch kann die Dicke des Magnetfilms grosser als bei den bisher bekannten Speicherelementen sein. Sie kann in der Grossenordnung von 3000 S. liegen. Das Magnetfilmelement 10 ist der Abschnitt des Magnetfilms 15, in welchem sich unter der Wirkung von Steuerströmen geeigneten Werts, die in bestimmten Zeitpunkten in den Steuerleitern 20 und 30 fliessen, ein in der Richtung PA magnetisierter magnetischer Bereich bildet. Dieser Magnetfilmabschnitt 1ü liegt im wesentlichen konzentrisch zu dem gemeinsamen Teil der orthogonalen Projektionen der Steuerleiter 20 und 30 auf die Ebene des Magnetfilms. Der Vektor BS1 (Fig.3 und 4) stellt einen der beiden gleichen Werte entgegengesetzten Vorzeichens dar, welche die Remanenzinduktbn in dem magnetischen Besieh in der Richtung FA leichter Magnetisierbarkeit annehmen kann.

Erfind u. ogsgemäas

Γ : ■ ■ - — '590

Erfindungsgemass sind Schichten 50 und 51 aus einem magnetisch isotropen Magnetraaterial entlang zwei Abschnitten 503 und 513(Fig.4) des Magnetfilras 15 auf der orthogonalen Projektion des Leiters 20 auf die Ebene des Magnetfilmelements 10 zu beiden Seiten der orthogonalen Projektion der Längsachse des Leiters 30 auf diese Ebene angeordnet.

Die Dicke h (Fig.3) der Magnetschichten 50 und 51 liegt in der gleichen Grössenordnung wie oder ist grosser als die Dicke e des Magnetfilms 15. Sie kann in der Grössenordnung von 10 000 R liegen.

Die Seitenfläche 501 der Magnetschicht 50 und die Seitenfläche 511 der Magnetschicht 51 liegen entlang der Nutzfläche 105 des Magnetfilms. Sie stehen in direkter Berührung mit der Nutzfläche 105 des Magnetfilms, oder sie können auch davon durch einen Luftspalt getrennt sein, der dem zwischen den einander gegenüberliegenden Flächen der Magnetschichten 50 bzw. 51 und der Abschnitte 503 bzw. 513 des Magnetfilms 15 erscheinenden Magnetfluss nur einen kleinen magnetischen Widerstand entgegensetzt. Diese Flächen 501 und 511 sind Rechtecke ABba bzw. A'B'b'a', deren Breitseite senkrecht und deren Schmalseite parallel zu der Richtung FA liegen und die Abmessung m bzw. π haben, wobei η sehr viel grosser aid die Dicke e

des

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des Magnetfilms Ist und in der Grossenordnung yon 100 Mikron liegen kann.

Die Wahl der Abmessung m ist nur durch technologische Überlegungen und durch die Wahl bestimmter Eigenschaften der das Speicherelement enthaltenden Anordnung begrenzt. Wenn die Werte e und η gewählt worden sind, bestimmt beispielsweise die Wahl der Abmessung m den Wert des Lesesignals und den Wert der Steuerströme im Leiter 20, wobei diese Werte in erster Annäherung dann dem Wert m proportional sind.

Die Seiten AB und A¹B¹ der Elachen 501 und 511 der Magnetschichten 50 und 51 liegen symmetrisch zueinander in Bezug auf die orthogonale Projektion der Längsachse des Leiters 30 auf die Ebene des Magnetfilmelements 10.

Der die Schicht 50 und 51 trennende Abstand, d.h. die Abmessung L (Fig.3) , welche man dem magnetischen Bereich durch die Anwendung der Erfindung erteilen kann, kann merklich verringert sein, und die untere Grenze dieser Abmessung ist nur durch technologische Überlegungen sowie durch die Wahl bestimmter Eigenschaften der das Speicherelement enthaltenden Anordnung beschränkt.

Die Seitenfläche 502 der Magnetschicht 50 und die Seitenfläche 512 der Magnetschicht 51 sind die den Seitenflächen 501 bzw. 511 parallel gegenüberliegenden Flächen. 00 a «33/ 1 5 90 -

Die

Die Abschnitte 505 und 513 des Magnetfilms 15, entlang denen magnetisch isotrope Magnetschichten nach Art der Schichten 50 und 51 in der zuvor angegebenen !weise angeordnet sind, verhalten sich nicht wie der Rest des Magnetfilms. Ihre Eigenschaften magnetischer Anisotropie sind durch die von diesen Magnetsdichten wegen ihrer Nähe darauf ausgeübten Wirkung abgeschwächt. IJie magnetische Induktion in diesen Abschnitten des Magnetfilms kann eine beliebige Orientierung annehmen. Es ist dann möglich, in dem Magnetfilmelement unter der Wirkung von Steuerströmen geeigneten Werts, die in bestimmten Zeitpunkten durch die Leiter 20 und 30 fliessen, in dem Magnetfilmelement einen in der Richtung EA leichter Magnetisierbarkeit magnetisieren magnetischen Bereich zu bilden, der den zwischen den Magnetschichten 50 und 51 enthaltenen Zwischenraum einnimmt. Der sich aus dem Vorhandensein dieses Bereichs ergebende and ausserhalb des Magnetfilms schliessende Magnetfluss besteht aus zwei Teilen. Ein Teil dieses Magnetflusses schliesst sich in dem sich an die Nutzfläche 105 des Magnetfilms anschliessenden Halbraum. Dieser Teil des Magnetflusses tritt hauptsächlich durch die Seitenflächen 502 bzw. 512 der Magnetschichten 50 und 51 aus. Der andere Teil dieses Magnetflusses schliesst sich in dem sich an die entgegengesetzte Seitenfläche 106 des Magnetfilms anschliessenden Halbraum. Dieser Teil des Magnetflusses tritt durch die Flächen und 514 (Fig.4') der Abschnitte 503 bzw. 513 des Magnetfiltas

aus.

Oü^cu;:i3/ 1590

aus. Der von dem Magnetfilm 15 und den Magnetschichten und 51 gebildete Teil des Magnetkreises weist also in dem betrachteten ersten Halbraum Polflächen 502 und 512 und in dem betrachteten zweiten Halbraum Polflächen 504 und 514 auf.

Infolge der Massnähmeη nach der Erfindung weist der unter den zuvor angegebenen Bedingungen gebildete magnetische Bereich einen annähernd rechteckigen Umriss auf, der an den Enden, an denen die Magnetschichten 50 bzw. 51 angeordnet sind, die Seitenlinien AB bzw.A¹B* der Seitenflächen 501 bzw. 511 dieser MagnetschichiEpjenthält.

Zwischen diesen Enden enthält der Umriss Linien CA und GB, welche nur wenig von Geraden abweichen, welche die Punkte A und A¹ bzw. B und B' miteinander verbinden.

Jeder beliebige Querschnitt des Bereichs in einer senkrecht zu der Richtung EA leichter Magnetisierbarkeit liegenden Ebene hat also eine Querschnittsfläche, die angenähert den Wert m.e hat. Dieser Wert ist sehr viel kleiner als die Fläche ja-η der Polflächen 502, 512, 504 und 514 des von dem Magnetfilm 15 und den Magnetschichten 50 und 51 gebildeten Teils des Magnet kreises.' Die magnetische Induktion entlang diesen Polflächen ist demzufolge sehr viel kleiner als die in dem magnetischen Bereich bestehende Remanenzinduktion BS1 , und dies hat zur Folge,

dass

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BAD OFBGINAl

dass das Entmagnetisierungsfeld in dem magnetischen Bereich klein ist» Ferner ist bei einer Anordnung, beispielsweise einer S^eichermatrix, die eine Reihe von Speicherelementen nach der Erfindung enthält und einen den verschiedenen Speicherelementen gemeinsamen Magnetfilra verwendet, das Störmagnetfeld, das eines dieser Speicherelemente in den benachbarten Speicherelementen erzeugen kann, herabgesetzt.

Um die Eigenschaften des von der Remanenzinduktion BS1 im magnetischen Bereich hervorgerufenen Magnetfeldes besser verständlich zu machen , ist in Fig.3 und 4 durch eine gestrichelte Linie F eine Kraftlinie des den Leiter 30 umgebenden Magnetfelds dargestellt. Diese Kraftlinie ist in einer Ebene P enthalten, die senkrecht zu der Ebene des Magnetfilmelements 10 und parallel zu der Richtung der Remanenzinduktion BS1 liegt.

In Fig.4 stellen die Strecken gh und ij die Schnittlinien zwischen der Ebene P und der Wand des Bereichs dar. In dieser Darstellung erscheint das den Aufzeichnungsträger des betreffenden Speicherelements bildende Magnetfilmelement 10 in dem Abschnitt ghji des Magnetfilms 15.

Der

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Der Teil FA der Kraftlinie F, der in dem magnetischen Bereich enthalten ist, ist geradlinig und parallel zu der Richtung der Remanenzinduktion BS1. Er erreicht die Wand des Bereichs bei r und u.

Der ausserhalb des magnetischen Bereichs liegende Abschnitt der Kraftlinie F enthält Teile rf und st, die in dem Magnetfilm 15 bzw. in der Magnetschicht 50 liegen, Teile uv und bw, die in dem Magnetfilm 15 bzw. in der Magnetschicht 51 liegen, und einen Teil Fb, der in dem sich an den Magnetfilm 15 und an die Magnetschichten 50 und 51 auf der gleichen Seite des Magnetfilmelements 10 wie der Leiter 30 anschliessenden Raumabschnitt enthalten ist.

Wenn man beliebige Kraftlinien des betrachteten Magnetfelds zeichnet, die sich in dem auf der gleichen Seite des Magnetfilms wie der Leiter 30 liegenden Raumabschnitt

schliessen, geht die M_ehrzahl der Kraftlinien, die man -

auf diese Weise zeichnen kann, durch die Flächen 502 und 512 der Magnetschichten 50 bzw. 51. Wie zuvor angegeben worden ist, bilden diese Flächen 502 und 512 praktisch in dem betreffenden Raumabschnitt die Polflächen des von dem Magnetfilm und den Magnetschichten 50 und 51 gebildeten Abschnitte des Magnetkreises.

Fig.4 zeigt eine Kraftlinie F1, die in der Ebene P enthalten ist und sich in dem Raumashliesst, der sich

an 0098337-1590.

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an den Magnetfilra entlang der der Nutzfläche 105 gegenüberliegenden Seitenfläche 106 anachliesst. Der Abschnitt PAI dieser Kraftlinie, der in dem magnetischen Bereich enthalten ist, ist geradlinig und parallel zu der Richtung der Remanenzinduktion BS1. Er erreicht die Wand des Bereichs bei k und n. Der ausserhalb des magnetischen Bereichs liegende Abschnitt der Kraftlinie F1 enthält Teile kl und np in den Abschnitten 503 und 513 des Magnetfilms 15 und einen Teil PbI, der in dem sich an den Magnetfilm entlang dessen Seitenfläche 106 anschliessenden Raumabschnitt enthalten ist. Die Teile kl und np der Kraftlinie erreichen die Seitenfläche 106 des Magnetfilras im Innern der Projektionen 504 und 514 der Magnetschicht 50 bz\s<. 51 auf diese Seitenfläche 106, Diese Projektionen 5^4 und 514, welche die gleichen Abmessungen wie die Seitenflächen 502 und 512 der Magnetschichten 50 und 51 haben, bilden die PoIflachen des von dem Magnetfilai 15 und den Magnetschichten 50 und 51 gebildeten Teils der Magoetkreise für den von der Remanenzinduktion BS1 hervorgerufenen Magnetfluss, der sich in dem Teil des Raumes schliesst, der sich entlang der Seitenfläche 106 an den Magnetfilm anschliesst.

Wie zu ersehen war, teilt sich der von der Remaaenziinduktion im magnetischen Bereich hervorgerufene und aus dem Magnetfilm austretende Magnetfluss nahezu gleichmässig zu beiden

Seiten

009833/1590

Seiten des Magnetfilms auf. Die Magnetschichten 50 und 51 rufen praktisch nur eine unbedeutende Unsymmetrie hervor, solange das Verhältnis ihrer Dicke h zu dem sie trennenden Abstand L gross ist.

Ein Speicherelement nach der Erfindung kann also auch dadurch realisiert werden, dass die Steuer- und Leseleiter 20 und 30 auf der Seite des Magnetfilms angeordnet werden, die der Seite gegenüberliegt, an der die Magnetsetiichten 50 und 51 angeordnet sind.

Man kann die erfindungsgeasässen Speicherelemente dadurch herstellen, dass man zunächst den dünnen anisotropen Magnetfilm 15 aufbringt, dann die magnetisch isotropen Magnetschichten 50 und 51 und schliesslich die elektrischen Leiter 20 und 30. M-^n erhält dadurch die in Fig. 3 und 4 gezeigte Anordnung.

Unter Berücksichtigung der vorstehenden Bemerkung über die gegenseitige Lage der Leiter reL ativ zu dem Magnetfilm kann man die erfindungsgemassen Speicherelemente auch dadurch realisieren, dass man zunächst die magnetisch isotropen Magnetschichten aufbringt, dann denfiünnen anisotropen Magnetfilm und schliesslich die elektrischen Leiter.

Das

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- it - .1614681

Das in Eig.5 dargestellte erfindungägemässe SpeiGhereleraent eathält viie das iö den figuren I und 4- geeeigte S^gieae?« elementeia Mägaetfilinglernetit 1O₁ sehishtea §Ö uaä 11 aiii Magaetmäteriäl uM eiektfiSöfce Leiter 10 liad "30, wobei diese !Bestandteile die löditigüttgea erfüllen» die gü^öi? aia&ieiitMeh des ia S⁴Ig*! iiad 4 dai?gestollten spei§k§rglaaeat8 ängggsfcga wotdea

Dää ia FigiB gezeigte Speiehei?elötaeat enthält Sehißhteö 52. tiäd 55 aus ginetn Mägnetfflltgiiiäl» dns die zuvor· ätigegebeneti Eigeaößhaftea der Magaetsohiohten 50 und 51 aufweist* Diese Magnetschicnten 5t und 53 sind gu beiden Seiten der orthogonalen !Projektion der Läagö«· aehse des Iieitefs iO auf die Ebene des MägaetfilmelenientS 10 angeordnet* i)i§ Anordnung ist ao getroffen, dass die Seiten Ei. und"-B¹F* der auf dem Magaetfilffl auf liegenden Seltenfläche dieser Magnetoöhiöhten f*tallöl z\x dieser Projektion und zuelaandgr symmetrisch, in Bezug auf diese liegea*

Jede der iiagnetschichten 52 und 53 ist auf dein Magnetfilm 15 so angeordnet» dass sie mit diesem einen Magnetkreisäbschnitt kleinen magnetischen Widerstands für den Magnetfluss bildet, der sich beim Durchgang eines Steuerstroms durch den Leiter 20 rings um diesen Leiter schüesst,

BAD ORIGINAL Die

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16U661.

Die Magnetseh-lchten 50, 51, 52 und 53 sindTvoneinander durch. Zwischenräume getrennt, damit verhinderet wird, dass diese Schichten an den Rändern des im Magnetfilmölement 10 gebildeten magnetischen Bereichs geschlossene Mägnetkreise kleinen magnetischenWiderstands bilden, welche"die Wirkung der Steuerströme stören würden,.und^;durch welche der grösste Teil des Magnetflusses hindurchginge, der von der Remane.nzinduktion in dem' magnetischen Bereich hervorgerufen würde, wodurch elne^ärichtige Kopplung zwischen dem Magnetfiimeiement und den diesem Element zugeordneten Steuer- und Leseleitern verhindert würde. -

Die Magnetschichten 50 und 51 ergeben bei dem in Pig*5 dargestellten Speicherelement die gleichen Wirkungen wie bei dem in -ELg.-3 und 4 dargestellteri Speicherelement„ Insbesondere weist der magnetische Bereich, der sich, unter der Wirkung der Steuerströme in dem Magnetfilm ; bildet, annähernd den gleichen Umriss auf wie der : magnetische Bereich, der sich in dem in I¹Ig.3 und 4 dargestellten Speicherelement bildet.

Das Vorhandensein der Hagnetsfchichten 52 und 53 indem in Fig.5 gezeigten Speicherelement ergibt die in den nachstehenden Absätzen angegebenen FoIgenr

Der Magnetfluss ,der sich l)eim Durchgang eines Steuer Stroms durch den leiter 20 über das Magnetfilmelement 10

0 f) Ί U 3 3/15 9 0 schliesst

-50- 16U661

scnliesst, stellt einen Bruchteil des von diesem Strom * hervorgerufenen Gesamtmagnäbflusses dar,' der grosser ist als in dem Fall, wenn der Magnetfilm nicht mit den
Magnetschichten 52 und 53 versehen ist. Es ist dann
möglich, zur Erzielung der gewünschten magnetischen
Induktion in dem Magnetfilmelement 10 einen schwächeren Steuerstrom im Leiter 20 anzuwenden.

Perner stellt bei den Anordnungen, bei denen eine Reihe von Speicherelementen der in Pig.5 gezeigten Art verwendet wird, der sich über benachbarte Magnetfilmelemente schliessend e Magnetfluss einen kleineren Bruchteil des gesamten Magnetflusses dar, der durch die im Leiter 20 fliessenden Steuerströme hervorgerufen wird. Die Störungen, die ein solcher einem Speicherelement zugeordneter Steuerstrom bei den benachbarten Speicherelementen hervorruft, sind als) bei den Anordnungen, bei denen die Speicherelemente von Pig.5 verwendet werden, weniger bedeutend als bei
den Anordnungen,' bei denen die Speicherelemente der in Pig.3 und 4 gezeigten Art angewendet werden.

Die Erfindung ist nicht auf den Pail beschränkt, dass
sich der Ma'gnetfilm 15 über den Umriss des magnetischen B_ereichä hinaus erstreckt, wie dies in Pig.3 bis 5
dargestellt ist. Die Erfindung umfasst insbesondere
sowohl die Anordnungen, wie Speichermatrizen, bei denen

eine

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IiL τ 4 Ii ©Τ

eine Reihe vöö erfindungsjettisäen %eiefcereieffiettt§E wendet vÄ üöt die eiiieä den vöiö&hi§ä§tie& gemeinsamen Magaetfilm aufweisen, als auch die Anordnungen

bei döötti de« Mägüötfitm öö Uesehtttttsö 1st» dass Jedes S|>el&iie*el§ifleüt isoliert -'ist*

eiö SpeiGhefgieöieiit tiaek der li*£iödiiögi; am wie aas ±& Έ±%*% dargestellte Bpeiehereleiöeßt vier SicMeüten w 51» ΨΙ * 53 atta eiöeia inagiietisüii isettö^ea Mägöetffiatef iäl enthält* die in aöäloge^ Nielse aügeöi*däet siad* i*m is Figii dätgeatellte Speiehefeleiiteat uatei*&öiieidet sieh von dem iö fjg*5 gezeigteü Speieherelemeftt d&dü^Glii dass .däö dafiö efttti&ltette Magnetf ilmeleineöt ta in Förin eiaeö Ereuizes mit irie» Äiiöen beöeUnitten ist» wö^öa iSwgi Arme ÖD ülii Ö1 pafäilgl EiU der Mchtuäg:~£k teictttei* Ksgö6tiii.e-¥.ba*teett. liegen» während die beiden anderea Atme 02 aad Of pam\lei isli det Rlölitaüg'M 8ch*ei*er Hagnetisierbarkeit liegefi* Die>les tbgnetächiöhtett/-'SMJ₁ 51, ^^* ^ si&d e^tlaag dea Endea 110$ iiti 112* 115 der &tme öö _r pi» Ot bgw* 03 äügeordaet. pa& fcreüttöriäige Be&uhöeldeti des-Hägfletfllffi*.. elemeate ejeflsögliciit die Beseitigung eiaes Nadhteils des in Fig»5 dargestelltea Speicheffeleaients* Bei dieöea sctilieast sich näffllich beim V<jrhändeösein eiaesl Magnetischen Bereichs in dem Hagnetfilöieiesient ein feil des troa der Remanenz induktion in dieseni Bereich herYörgerüfeaen Magnetflusses in dem iSagnetfilm Über die Ränder dieses Bereichs, wodurch die Kopplung zwischen dein^ Hagnetfilmelement-Uud dem ieseleiter verringert wird» _;

Die

.,a. 18U6.81

Die Erfindung ist nicht auf die Anzahl und die besondere Form der Magnetschichten beschränkt j welche entlang dea Magnetfilm als Begrenzung der Stelle angeordnet sind,

ft

welche der eine Informationsaufzeichnung darstellende magnetische Bereich einnehmen soll. So kann man zur Verringerung der Induktivität der Steuerkreise durch eine VergrÖsserung des magnetischen Widerstands, welcher dem sich rings um die Leiter über He magnetischen ρ Schichten schliessenden Magnetfluss entgegengesetzt ist, diese magnetischen Schichten so beschneiden, dass ihnen eine lOrmanisotropie erteilt wird, welche eine VergrÖsserung dieses magnetischen Widerstands ergibt.

Fig.7 zeigt als Beispiel ein erfindungsgemässes Speicherelement, das sich von demjenigen von Fig.6 dadurch unterscheidet, dass die Mqgnetschichten 50, 51, 52 und 535 zur Erzeugung des angegebenen Effekts beschnitten sind« So sind die Magnetschichten 52 und 53 jeweils in " drei Teile 52/1, 52/2, 52/3 bzw. 53/1, 53/2, 53/3 unterteilt.

Patenta nsprüche

" "i ι Ί 5 9 Q

Claims (3)

; -".'■" Έ a ΐ ent a η s ρ r ü c h e

1. Speicherelement mit einem Aufzeichnungsträger in Y_o™ eines ebenen dünnen anisotropen Magnetfilmelements, das in seiner Ebene eine Richtung leichter Magnetisierbarkeit und eine senkrecht dazu liegende Richtung schwerer Magnetisierbarkeit aufweist, mit einem ersten elektrischen Leiter, der entlang dem Magnetfilm so angeordnet ist, dass die Projektion h

seiner !Längsachse auf den Magnetfilm senkrecht zu der Ebene senkrecht zu der Richtung leichter Magnetisierbarkeit liegt, und mit einem zweiten elektrischen leiter, der entlang dem Magnetfilm so angeordnet ist, dass die Projektion seiner Längsachse auf den Magnetfilm senkrecht zu der Ebene senkrecht zu der Richtung schwerer Magnetisierbarkeit liegt, dadurch gekennzeichnet, dass das Speieherelement zwei Schichten aus einem magnetisch isotropen Magnetmaterial enthält, die entlangswei Abschnitten des= Magnetfilms angeordnet sind , welche auf (I der Projektion der Längsachse des zweiten Leiters zu beiden Seiten der Projektion der Längsachse des ersten Leiters liegen, dass die Magnetschichten in Berührung mit den Abschnitten des Mag net films stehen oder" in sehr kleinem Abstand von diesen Abschnitten liegen, und dass die miteinander-in Berührung stehenden oder einander gegenüberliegenden JPlächen der Abschnitte des Magnetfllms und

der

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16U66T

der Magnetschichten eine Flächenausdehnung haben, die sehr viel grosser als jeder beliebige. Querschnitt des zwischen den Abschnitten des Magnetfilnis liegenden (Eeils des Magnetfilms in einer senkrecht zu der Richtung leichter Magnetisierbarkeit liegenden Ebene ist.

2. Speicherelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, W dass zwei weitere Schichten aus einem aagnetisch isotropen Magnetmaterial vorgesehen sind, deren Dicke grosser als die Dicke des Magnetfilms ist, dass diese weiteren Magnetschichten entlang zwei weiteren Abschnitten des Magnetfilms angeordnet sind, die auf der Projektion der Längsachse des ersten Leiters zu beiden Seiten dar Projektion der Längsachse des zweiten Leiters liegen, dass diese weiteren Magnetschichten in Berührung mit den weiteren Abschnitten des Magietfilms stehen oder in ^ sehr kleinem Abstand von diesen angeordnet sind, dass die miteinander in Berührung stehenden oder einander gegenüberliegenden Flächen der weiteren Abschnitte des Magnetfilms und der weiteren Magnetschichten eine Flächenaus— dehnung haben, die sehr viel grosser als jeder beliebige Querschnitt des zwischen den weiteren Abschnitten des Magnetfilms enthaltenen Teiles des Magnetfilms in einer senkrecht zur Richtung schwerer Magnetisierbarkeit liegenden Ebene ist, und dass zwischen den im Speicherelement enthaltenen Magnetschichten Zwischenräume vorgesehen sind.

009B33/ 15 90.

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ie-u 66-1

3. Speicherelement nach Anspruch. 2, dadurch gefcetinzeichnet, dass das tiagtietf iltnelement in Eorßi eines Kreuzes mit vier Armön Taeschnitten ist, wovon zwei Arna$ parallel ZVL der Riahtung. Ielöhter Magnetisierbarkeit und die beidea anderen Arme parallel zu del? Richtung schwerer Magüetisierbarkeit liegen, und dass die Magnetschichten auf dem Bnde eines der Arme angebracht sind.