DE1614090C - Anordnung und Aufbau zur Druckkontak tierung von Halbleiterbauelementen - Google Patents
Anordnung und Aufbau zur Druckkontak tierung von HalbleiterbauelementenInfo
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 23
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 11
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 7
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 5
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 6
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 4
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective Effects 0.000 description 1
Description
1 2
Die Erfindung betrifft eine Anordnung und einen tung schon vor dem Auflegen der Kontaktscheibe an
Aufbau zur Druckkontaktierung von Halbleiterbau- der Steuerelektrode befestigt sein. Beim Auflegen
elementen, insbesondere von Starkstromelementen in muß daher darauf geachtet werden, daß die Zuleitung
einem Gehäuse, bei der unter Verwendung eines in dem Kanal liegt.
Druckstempels die Druckkontaktierung mit einer 5 Die Erfindung sieht eine Anordnung vor, durch
großflächigen an beiden Seiten silberplattierten, run- die der Aufbau zur Druckkontaktierung sowohl von
den Kontaktscheibe durchgeführt ist, welche die ge- Diodenbauelementen als auch von Thyristorbauele-
samte zu kontaktierende Oberfläche einer Außenzone menten in einfacher Weise und ohne fertigungstech-
des Halbleiterbauelementes unter einer Zwischenlage nische Schwierigkeiten möglich ist und bei der auch
einer an diese Oberfläche legierten Goldfolie bedeckt io die seitliche Herausführung der Zuleitung einer zen-
und die Steuerelektrode^) einschließlich der die tralen Steuerelektrode zweckmäßiger ausgebildet ist.
Steuerelektrode(n) tragenden Oberfläche der Basis- Gemäß der Erfindung ist diese Anordnung so ge-
Steuerelektrode(n) tragenden Oberfläche der Basis- Gemäß der Erfindung ist diese Anordnung so ge-
zone frei läßt und welche zwecks isolierter Zufüh- troffen, daß die Kontaktscheibe mit ihrer Randfläche
rung eines Anschlußleiters an eine im Zentrum des durch ein Fixiermittel (ζ. B. Silikonlack) an der
Bauelementes angeordnete Steuerelektrode einen ra- 15 Randfläche des Halbleiterbauelementes elastisch be-
dial gerichteten. Kanal aufweist, der in eine die festigt ist.
Steuerelektrode und die Oberfläche der Basiszone Um bei einem Thyristorbauelement mit einer im
frei lassende Ausnehmung der Kontaktscheibe ein- Zentrum der Oberfläche der einen Außenzone des
mündet. Halbleiterbauelementes angebrachten Steuerelektrode
Mit einem derartigen Aufbau zur Druckkontaktie- 20 den Anschlußleiter für die Steuerelektrode in einrung
von Halbleiterbauelementen wird gegenüber fächer Weise und gesichert befestigt durch die Konälteren
Ausführungen des Elementenaufbaues, bei taktscheibe hindurchführen zu können, weist die Konweichen
nur an einen Teil der Oberfläche des Halb- taktscheibe nach einer weiteren Ausbildung der Erleiterbauelementes,
welche den Durchlaßstrom trägt, findung einen vom Zentrum der Scheibe bis zum ein Stromkontakt entweder angelötet oder mit Hilfe 35 Rand der Scheibe radial gerichteten Schlitz auf. Die
einer Druckkontaktvorrichtung angepreßt ist (klein- Steuerelektrode ist in bekannter Weise von einem
flächige Kontaktierung) bereits der beachtliche Vor- engen, vorzugsweise kreisförmigen Gebiet der Basisteil
erzielt, daß das Halbleiterbauelement einen grö- zone umgeben. Um dieses Gebiet auszusparen, hat
ßeren Durchlaßstrom führen kann und'damit auch die Kontaktscheibe im Zentrum ein entsprechend
eine höhere Stromanstiegsgeschwindigkeit des Durch- 30 großes kreisförmiges Loch, in das der Schlitz einlaßstromes
zuläßt. Dies ist besonders für Thyristor- mündet.
bauelemente von Bedeutung. Die zu kontaktierende Eine Variante dieser erfindungsgemäßen Ausbil-Oberflache
der einen Außenzone solcher Bauelemente dung der Kontaktscheibe besteht darin, daß in der
ist je nach Anzahl und Anordnung der Steuerkontakte Kontaktscheibe an der dem Druckstempel zugeganz
unterschiedlich ausgestaltet. Die Konstruktion 35 wandten Seite eine radial gerichtete Ausnehmung an
des Elementenaufbaues zur Druckkontaktierung die- Stelle des Schlitzes eingelassen ist. Der Anschlußser
Halbleiterbauelemente mit Hilfe einer Kontakt- leiter für die Steuerelektrode liegt hierbei in der
Scheibe, die die zu kontaktierende Oberfläche des Ausnehmung und ist in einem Fixiermittel, beispiels-Bauelementes
in unverrückbarer Lage genau bedeckt, weise Silikonlack, eingebettet. Bei einer derartig ausist
noch ziemlich aufwendig. 40 gebildeten Kontaktscheibe nimmt die volle Ober-
Bei einem bekannten Elementenaufbau für eine fläche der Kontaktscheibe an der Druckkontaktiescheibenförmige
Halbleiterzelle, deren Halbleiter- rung teil.
Scheibe in einem Gehäuse aus einem Keramikring und Um schließlich bei einem Thyristorbauelement mit
zwei angelöteten metallischen Deckeln unter Druck am Rand des Bauelementes angebrachten Steuereingeschlossen ist, müssen z. B. die Deckel in ihrer 45 elektroden diese Steuerelektroden einschließlich der
Form in bestimmter Weise dem inneren Elementen- sie umgebenden Gebiet der Basiszone frei zu lassen,
aufbau angepaßt sein, damit sich dieser Aufbau beim weist die Kontaktscheibe nach einer anderen wei-
und nach dem Einhäusen nicht verschieben kann. teren Ausbildung der Erfindung in der Nähe der
Die Deckel müssen derart ausgebuchtet sein, daß sie Steuerelektroden bikonvexe Aussparungen auf.
auf den Elementenaufbau nach dem Einhäusen einen 50 Die Erfindung ist ferner dadurch weiter ausgebil-Druck ausüben. det, daß die Kontaktscheibe an der Seite, die dem
auf den Elementenaufbau nach dem Einhäusen einen 50 Die Erfindung ist ferner dadurch weiter ausgebil-Druck ausüben. det, daß die Kontaktscheibe an der Seite, die dem
Selbst der Aufbau von Diodenelementen bringt Druckstempel zugewandt ist, eine dünne Schicht aus
fertigungstechnischen Aufwand mit sich, da diese Rhodium trägt. Die Stärke dieser Schicht beträgt
Elemente aus zwei in je einer Dose montierten Teilen höchstens 1 μΐη, vorzugsweise 0,5 μΐη. Die Dicke der
bestehen, nämlich einer Mo-Trägerscheibe mit dem 55 Kontaktscheibe beträgt 1 bis 2 mm. Diese Schicht
Halbleiterbauelement und einer Kontaktier- sowie aus reinem Rhodium verhindert, daß Kontaktscheibe
einer Deckscheibe, wobei die beiden Dosen genau und Druckstempel aufeinander haften bleiben, nach-
aufeinander zentriert werden müssen. dem sie z.B. beim Einhäusen des Bauelementes er-
Der vorangehend erwähnte Elementenaufbau für höhten Temperaturen ausgesetzt waren. Diesen
eine scheibenförmige Halbleiterzelle, einen Thyristor 60 Zweck erfüllt die erwähnte Schicht nicht nur bei der
mit im Oberflächenzentrum' angeordneter Steuer- Metallkombination Kupfer/Silber, sondern auch bei
elektrode, hat bereits den Vorzug, daß die Zulei- anderen Metallkombinationen,
tung zu dieser Elektrode durch einen in der Kontakt- Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den
tung zu dieser Elektrode durch einen in der Kontakt- Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den
scheibe befindlichen radial gerichteten Kanal und F i g. 1 a, Ib bis 3 a, 3 b dargestellt und werden im
durch das Gehäuse seitlich herausgeführt ist. Dieser 65 folgenden näher beschrieben. Die F i g. 1 a bis 3 a zei-
Kanal ist jedoch so eingelassen, daß nicht die ge- gen Querschnitte durch den Elementenaufbau bei
samte Außenzonenflache des Thyristors durch die einem Thyristor mit Steuerelektrode im Zentrum des
Kontaktscheibe bedeckt ist. Ferner muß die Zulei- Halbleiterbauelementes, ferner bei einem Thyristor
mit zwei Steuerelektroden am Rand des Halbleiterbauelementes und bei einem Diodenelement. Die
F i g. 1 b bis 3 b zeigen Draufsichten auf die Kontaktscheibe der Elementenaufbauten gemäß den
F i g. 1 a bis 3 a.
In allen Figuren sind gleiche Elemente mit gleichen Bezugszeichen versehen. In einzelnen sind dies
das von einer Molybdänscheibe 2 getragene Halbleiterbauelement 1, an dessen kathodenseitiger Oberfläche,
durch welche der Durchlaßstrom aus dem Bauelement herausfließt, eine Goldfolie 3 anlegiert
ist. Auf dieser Folie liegt eine Kontaktscheibe 4, beispielsweise aus Kupfer, die an der Oberfläche eine
Silberplattierung aufweist. Durch ein Fixiermittel 5, z. B. Silikonlack, wird die Kontaktscheibe 4 in einer
bestimmten gewünschten Lage unverrückbar festgehalten. Die Fixierung erfolgt vor dem Zusammenfügen
des Elementenaufbaues mit einem diesen Aufbau umschließenden Gehäuseteil, der in den Figuren
nicht dargestellt ist und welcher eine Druckkontaktvorrichtung bekannter Art, insbesondere einen Druckstempel
6 enthält.
Sowohl der Grundriß der Goldfolie als auch er Grundriß der Kontaktscheibe ist so ausgestaltet, daß
er die gesamte Oberfläche der an der Oberseite des Halbleiterbauelementes 1 liegenden Außenzone, z. B.
die kathodenseitige n+-Zone, genau überdeckt. Die Gestalt dieses Grundrisses ist in den F i g. 1 b bis
3 b für drei Ausführungsformen dargestellt. Bei dem Elementenaufbau eines Thyristors mit einer Steuerelektrode
71 im Zentrum des Halbleiterbauelementes gemäß den F i g. 1 a und 1 b ist die Goldfolie ein
Kreisring mit einem kreisförmigen Zentralloch 31. Sie ist von einer Kontaktscheibe 4 mit Zentralloch 41 bis
auf ein mit 42 bezeichnetes Gebiet nahezu genau überdeckt. Dieses Gebiet ist durch einen radial gerichteten
Schlitz 42 der Kontaktscheibe, welcher in das Zentralloch 41 einmündet, frei gelassen, durch
welchen der Anschlußleiter 72 für die Steuerelektrode
71 seitlich hindurchgeführt ist. In den Schlitz 42 und das Zentralloch 41 ist beispielsweise wieder Silikonlack
eingebettet, welcher den Anschlußleiter 72 fixiert und außerdem gegebenenfalls den pn-übergang zwischen
der Zone und der' Basiszone, an welcher der Steuerkontakt angeschlossen ist, bedeckt. Die
Kontaktscheibe kann auch so ausgebildet sein, daß sie an Stelle des Schlitzes nur eine radial gerichtete
gerade Ausnehmung 42' aufweist. Der Anschlußleiter
72 ist in diesem Falle durch diese Ausnehmung 42' hindurchgeführt.
Bei dem Elementenaufbau eines Thyristors mit zwei am Rand 11 des Halbleiterbauelementes diametral
angebrachten Steuerelektroden 71,71' gemäß F i g. 2 a und 2 b sind die Goldfolie und die Kontaktscheibe
Kreisscheiben, weiche an den Steuerelektroden bikonvexe Aussparungen 41,41' aufweisen. Die
Anschlußleiter 72 und 72' für die Steuerelektroden 71,71' können hierbei aus beliebigen Richtungen zugeführt
sein.
Bei dem Elementenaufbau eines ungesteuerten Gleichrichterventils gemäß Fig. 3a und 3b schließlich
sind die Goldfolie und die Kontaktscheibe Vollkreisscheiben.
Aus den bereits erläuterten Gründen ist die Seite der Kontaktscheibe 4, die dem Druckstempel 6 zugewandt
ist, zweckmäßig mit einer Schicht 44 aus Rhodium versehen.
Mit der Erfindung werden verschiedene Vorteile erzielt. Der hauptsächliche Vorteil besteht, wie bereits
angedeutet wurde, darin, daß bei Thyristoren mit unterschiedlicher Anzahl und Anordnung der
Steuerelektroden die gesamte Oberfläche der einen Außenzone zur Druckkontaktierung ausgenutzt werden
kann, ohne daß der Elementenaufbau fertigungstechnische Schwierigkeiten macht. Die fixierte und
radial gerichtete Hindurchführung des Anschlußleiters für die Steuerelektroden durch den Elementenaufbau
ermöglicht es, Thyristoren wie ein Diodenelement zu kontaktieren. Man kommt daher mit einfachen
geformten Kontaktierteilen aus, so daß eine einfache Konstruktion der Kontaktiervorrichtung
und eine sichere Montage der ganzen Halbleiterzelle möglich ist.
Vorteile bestehen ferner darin, daß die Kontaktscheibe 4 gleichzeitig mit dem Anbringen der Schutzbedeckung
für die pn-Übergänge auf dem Bauelement fixiert und anschließend auch die Anschlußleiter 72
ao für die Steuerelektroden 71 fixiert werden können. Der Rand der Kontaktscheibe 4 wirkt für den aufzubringenden
Fixierlack als scharf begrenzende Deckmaske. Dadurch werden selbst geringste Ungenauigkeiten
beim Aufbringen des Fixierlackes vermieden.
Claims (6)
1. Anordnung und Aufbau zur Druckkontaktierung von Halbleiterbauelementen, insbesondere
von Starkstromelementen in einem Gehäuse, bei der unter Verwendung eines Druckstempels die
Druckkontaktierung mit einer großflächigen an beiden Seiten silberplattierten, runden Kontaktscheibe
durchgeführt ist, welche die gesamte zu kontaktierende Oberfläche einer Außenzone des
Halbleiterbauelementes unter einer Zwischenlage einer an diese Oberfläche legierten Goldfolie bedeckt
und die Steuerelektrode(n) einschließlich der die Steuerelektrode(n) tragenden Oberfläche
der Basiszone frei läßt, und welche zwecks isolierter Zuführung eines Anschlußleiters an eine im
Zentrum des Bauelementes angeordnete Steuerelektrode einen radial gerichteten Kanal aufweist,
der in eine die Steuerelektrode und die Oberfläche der Basiszone frei lassende Ausnehmung
der Kontaktscheibe einmündet, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktscheibe (4)
mit ihrer Randfläche (43) durch ein Fixiermittel (5) an der Randfläche (11) des Halbleiterbauelementes
(1) elastisch befestigt ist.
2. Anordnung und Aufbau nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktscheibe
(4) zwecks Zuführung und Fixierung des Anschlußleiters (72) an eine im Zentrum des HaIbleiterbauelementes
(1) befindliche Steuerelektrode (71) einen radial gerichteten Schlitz (42) aufweist,
der in ein kreisförmiges Loch (41) im Zentrum der Scheibe (4) einmündet, welches die Steuerelektrode
(71) einschließlich der Basiszone des Bauelementes (1) frei läßt.
3. Anordnung und Aufbau nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß an der Seite
der Kontaktscheibe (4), die den Druckstempel (6) zugewandt ist, an Stelle des Schlitzes (42) eine
radial gerichtete Ausnehmung (42) eingelassen ist.
4. Anordnung und Aufbau nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktscheibe
(4) zwecks Freilassens von an die Randfläche (11)
des Halbleiterbauelementes (1) angrenzenden Steuerelektroden (71, 71') einschließlich der zugehörigen
Basiszonen bikonvexe Aussparungen (41, 41') aufweist.
5. Anordnung und Aufbau nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktscheibe
(4) an der dem Druckstempel (6) zugewandten Seite eine dünne Schicht (44) aus Rhodium trägt.
6. Anordnung und Aufbau nach Anspruch 1 und 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktscheibe
(4) 1 bis 2 mm und die Rhodiumschicht (44) höchstens 1 μπα dick ausgeführt ist.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
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