DE1546030C - Ätzlösung zum Ätzen von Silizium - Google Patents
Ätzlösung zum Ätzen von SiliziumInfo
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- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims description 27
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N HF Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229960000583 Acetic Acid Drugs 0.000 claims description 7
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 claims description 7
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011630 iodine Substances 0.000 claims description 7
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000012362 glacial acetic acid Substances 0.000 claims description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 125000005909 ethyl alcohol group Chemical group 0.000 claims 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000021110 pickles Nutrition 0.000 description 2
- FAIAAWCVCHQXDN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus trichloride Chemical compound ClP(Cl)Cl FAIAAWCVCHQXDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000834 fixative Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- MNTPMEHIQKUBIC-UHFFFAOYSA-N silicon;hydrofluoride Chemical compound F.[Si] MNTPMEHIQKUBIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Description
Die Erfindung betrifft eine Ätzlösung zum Ätzen von Silizium, welche bestimmte Metalle nicht angreift.
Eine solche Ätzlösung ist beispielsweise bei der Herstellung von Metallbasistransistoren mit einem
Emitter und einem Kollektor aus Silizium erforderlich, wenn das Emitter-Halbleiterrriaterial zunächst
auf die gesamte Fläche der Folie aus bestimmten Metallen aufgebracht wird und nachträglich zur Verkleinerung
der Emitterfläche teilweise wieder abgetragen werden muß. ■. ., , ,-.,
Die Abtragung des überflüssigen Halbleitermate- l
rials erfolgt im allgemeinen durch einen Ätzprozeß. Die Ätzlösung muß so beschaffen sein, daß sie zwar
das Halbleitermaterial, nicht aber das Metall der Metallbasis angreift. Die gebräuchlichen Siliziumbeizen
haben jedoch diese Eigenschaft nicht, so daß sie zur Herstellung von Metallbasistransistoren mit
Silizium-Emitter ungeeignet sind. Dies gilt sowohl für salpetersäurehaltige Beizen als auch für solche Beizen,
die die Halogene Fluor (F2), Chlor (Cl2) und
Brom (Br2) enthalten.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Ätzlösung aufzuzeigen, die Silizium abzutragen
vermag, dabei aber nicht auch das Metall angreift. Zur Lösung der gestellten Aufgabe wird erfindungsgemäß
vorgeschlagen, daß die Ätzlösung aus Eisessig oder einem Alkohol, aus Flußsäure und aus
Jod besteht.
Eine solche Ätzlösung eignet sich vor allem für den Fall, daß das Metall und insbesondere die
Metallbasis eines Metallbasistransistors aus Molybdän bestehen. Die Ätzlösung nach der Erfindung er- .
möglicht die gewünschte Siliziumabtragung, ohne dabei auf dem Silizium vorhandenes Metall anzugreifen.
Es ist bereits bekannt, als Ätzlösung für Silizium Flußsäure, Salpetersäure und gegebenenfalls noch
weitere Zusätze wie Brom und/oder Essigsäure zu verwenden. Diese bekannte Ätzlösung löst jedoch das
Metall von Elektroden, so daß in der Ätzmittellösung Frcmdionen enthalten sind, die sich an den gefährdeten
Stellen von pn-Übergängen ablagern können; Bei einem verbesserten Verfahren wird dieser bekannten
Ätzlösung eine Phosphorsäure zugesetzt, um die unerwünschte Wirkung der Metallionen zu kompensieren.
Eine andere bekannte Lösung besteht aus Phosphorchlorid mit Zusätzen von Brom und Jod.
Diese Ätzlösung dient aber im Gegensatz zur Erfindung direkt zum Ätzen von Metall.
Die Komponente Eisessig oder der Alkohol bilden vorzugsweise den Hauptbestandteil der Ätzlösung.
Als Alkoholbestandteil kann beispielsweise Äthylalkohol verwendet werden. Die Jodkomponente soll
vorzugsweise in geringen Mengen vorhanden sein.
Güte Ergebnisse bei Siliziumhalbleitern mit Molybdänschichten
und insbesondere bei der Emitterätzung eines Metalibasistransistors aus Silizium und Molybdän
wurden beispielsweise mit einem Gemisch erzielt, welches aus 100 ml Eisessig, 10 ml Flußsäure und 1 g
Jod besteht. Die Abtragungsgeschwindigkeit ist von der Temperatur der Ätzlösung abhängig und beträgt
beispielsweise 0,5 μπι pro 15 Minuten bei einer Temperatur
von 45° C, wenn die spezielle Ätzlösung aus 100 ml Eisessig, 10 ml Flußsäure und t g Jod beim
Abtragen des Siliziums Anwendung findet.
Claims (5)
1. Ätzlösung zum Ätzen von Silizium, dadurch gekennzeichnet, daß sie aus Eisessig
oder einem Alkohol, aus Flußsäure und aus Jod besteht.
2. Ätzlösung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sie als Alkohol Äthylalkohol
enthält.
3. Ätzlösung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß sie aus 100 ml Eisessig,
10 ml Flußsäure und 1 g Jod besteht.
4. Anwendung der Ätzlösung nach einem der Ansprüche 1 bis 3 zum Ätzen eines mit einer
Molybdänschicht versehenen Siliziumkörpers.
5. Anwendung der Ätzlösung nach einem der Ansprüche 1 bis 3 zur Herstellung von Metallbasistransistoren,
deren Metallbasis aus Molybdän und deren Halbleitermaterialien aus Silizium bestehen.
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ID=
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