DE1499797A1 - Gatterschaltung - Google Patents

Description

PHB, 31,444 Dr. üerbert Se» eh

PaUnL.w.lt Kts/Ku AnmeMir: n.V. Philips" Gloeilampenfabriektn -

AkfehTo.PHi_31.444 1499797

Anmeldung vomi 23. Hai 1'. 66

"Gatterschaltung"

Die Erfindung bezieht »ich auf eine Gatterschaltung und insbesondere auf eine Gatterschaltung für elektxOnisohe Beohen— maschinen zur Abeohwiohun^ unerwünschter Sohalteineohwingerssheinungen, dit auf dir Abtaatleitung einer Informationespeiohermatriii auftreten» die oiti »inem Abtaetverattricer verbunden ist.

to 3ei einigen elektronischen Bechnern, insbeeondere

^ Eeohnern mit einer aus Ferritkernen bestehenden Speiche matrix _{r m} ist die Signalatlrke der aus der Matrix erhaltenenlnformation

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-* sehr gering im Vergleich au den auf der Abtastleeeleitung auf- ^ tretenden SohalteinaohwingerscheinuiKen in Po ro von flausohimpulsen· tr»

Sas XnfQiBstionssignal nuss in einem Abtastveratarker verstlrkt

werden, bevor es verwendet werden kann· Deshalb hat der Abtast—

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verstärker im allgemeinen eine hohe Verstärkung. Wenn abar die groeson Sohalteinsolwiigimpulae auftreten, kann der AbtaatveΓ3tarier übersteuert und auf kurze Zeit nach dom Auftreten einen Impulses unwirksam gemaoht werden. Wenn das Informationssignal η aid nach dem Schalteinaohwingimpuls auftritt, kann es infolge der Unwirk-r samkeit des Abtastverstärkera verloren ^ehen.

Die Brfindung bezweckt, ein· Gattergahaltun-; zur Abeobwachung der unerwünschten Schalteinschwingerscheinungen ohne weaentliohe Abachwächung des Info isnat ions signal es zu schaffen.

Bine Oat te rs 3 hai tuni; ^zur Abscbwaohune unerwünschter

SohalteinaohwincVor^Sno'ey die auf einer Abtastleitung einer Infonsationaspeichereatri» ■ auftreten, ist gemSss der 2zrfiiidun^ dadurch ^ekennzeiobntty dass sie Signaleingangsmittel, Signalaas^anjsmittel, einen Potentialbezugepunkt, einen ersten als isoliertes Gatter wirksamen Feldeffekttransistor, der zwischen die Signaleingan^smittel und die Signalaus^an&aaaittel geschaltet ist, einen zweiten als isoliertes Oatter wirksamen Feldeffekttransistor, der zwisohen die Signalausgangemittel und den Bezugspunkt geschaltet ist, Vorspannungemittel, durch dia dies· Traneistoren normalerweise so vorgespannt werden, dass der erste Translator gesperrt, and der zweite leitend ist, und Mittel enthält, durch die den Transistoren Sohaltimpulse zugeführt werden, die dan ersten Transistor leitend machen und den zweiten sperren. · .

Sie als isolierte Gatter wirksamen Feldeffekttransistoren könntm als MOST bezeichnete Metalloxydhalbleitertraneiatoren vom gleichen Leitungstyp sein, und die dom ersten Treasistor zugeftthrten Sohaltimpulse können gegenüber den d*» .Bweiiisn Trenaiator zu^efahrten Sohaltimpulaengegengasetzte PolaritEI haben.

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Die entgegengeaetztpolarisierten Sohaltimpulse können von einen Impulsgeber erzeugt werden, der durch «inen Gatteri.ii.puls ausgelöst vfird.

Ter Impulsgeber kann einen Transietor enthalten, der eine Emitter, eine 3asis und einen Kollektor hat, wobei die 3asia mit weiteren Vorspannmitteln verbunden ist, durch die dieser Transistor in einen ersten Zustand vorgespannt wird, während der erwähnte Gatterimpuls zur Folge hat, dass der Zustand des Transistors geändert wird, und dass das erwähnte Paar entgegengesetzt gepolter Impulse am Kollektor bzw. tun Bndtter erzeugt wird.

Die Erfindung «chafft ferner eine Inforaationsgattersehaltung mit Inforaationseingan^sraitteln, Inforaationsausgangsraitteln, einem Potentialbeaugspunkt, einem ersten als isoliertes Gatter wirksamen Feldeffekttransistor mit einer Gatterelektrode, einer Zuleitunjselektrode, einer Untergrundelektrode und einer Ableitungselektrode, einen zweiten als isoliertes Gatter wirksamen Feldeffekttransistor mit einer Gatterelektrode, einer Zuleitungeelektrode, einer Untergrundelektrode und einer Ableituiviselektrode, Mitteln zur Verbindung der Zuleitungaelektrode des ersten Feldeffekttransistors mit den Informationseingangemitteln, Mitteln zur Verbindung der Ableitunjjselektrode des ersten Feldeffekttransistors mit der Ableitun^selektrode des zweiten Feldeffekttransistors und mit den Inforraationsausgangsmitteln, Kitteln zur Verbindung der Zuleitungselektrode des zweiten Feldeffekttransistors mit dem Bezugspotentialpunkt, Mitteln zur Verbindung der Untergrundelektrode des ersten Feldeffekttransistors mit einer gesonderten Vbrspannungs^uelle, Mitteln zur Verbindung der Untergrundelektrode des zweiten Feldeffekttransistors mit der SuIeitungsel«tetrode des zweiten Feldeffekt-

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transistors, erste.) Vorspannmitteln, die mit der des ersten Feldeffekttransistor« verbunden sind und durch die diese Traneistor normal erweise so vorgespannt wird, dHt #x gesperrt ist, zweiten Vorspannmitteln, die mit der Gatterelektrod· des zweiten Feldeffekttransistors verbunden aind und diesen normalerweise so vorspannen, dass er leitet, einer Gatterimpulsklemme, eine« Impulsgeber, dessen Eingang mit dieser Gatteriinpulakleranje verbunden ist und der, wenn dieser Qatteriapulekleeae ein CJatierimpuls zugeführt wird, zwei entgegengesetzt gepolte Impulse erzeugt, Mitteln, durch die einer dieser zwei entgegengesetzt gepolten Impulse der Oatterelektrode des ersten Feldeffekttransistors zugeführt wird, so dass dieser leitend wird, und Mitteln, durch- die der andere der zwei entgegengesetzt jepolten Impulse der ϋattorelektrode des zweiten Feldeffekttransistors zugeführt wird, so dass dieser gesperrt wird*

Sin Aueführungsbeispiel der Erfindung ist in den Zeichnungen dargestellt und wird in folgenden näher beschrieben. ,

Ss zeigern

Figur 1 das Schaltbild der Gatterschaltung,

Figur 2 die charakteristische Impulsform, die in vereohiedenen Punkten der Schaltungsanordnung nach Figur 1 auftritt.

Die Gatterschaltung nach Figur 1 besteht im wesentliehen aus einem Transformator 1, zwei als isolierte Gatter wirksaaen Feldeffekttransistoren 2 und 3, und einem Impulsgeber mit einem Transistor 4. Die Transistoren 2 und 3 sind MOST-Traneistoren mit je einer Gatterelektrode, einer Zuleitungeelektrode, einer Ableitungeelektrode und einer Untergrundelektrode, und der Transistor 4 i*t ein npn-Transistor mit einem Bnitter, einem Kollektor und einer Basis. Der Transformator 1 J³R⁸J^h* a«s einer Primärwicklung

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" 5 mit einer geerdeten Hit te 1 anzapfung und einer 3ekundarwioklung Di· Sekundlrwioklung 6 wird durch einen Anpaesungawiderstand 7 überbrückt. Sine der Klemmen der Sekundärwicklung 6 des Transformators 1 ist geerdet und die andere Klemme ist unmittelbar mit der Zuleitungselektrode des Transistor· 2 verbunden. Sie Ableitungselektrode des Traneistors 2 ist unmittelbar Bit einem Abtastverstärker 8 verbunden und seine Untergrundelektrode 25 ist mit einer niohtdargestell ten H^u*lle mit,nahezu konstanten Potential verbunden. Die Ableitungselektrode des Transistors 3 ist unmittelbar mit der Ableitungselektrode dee Traneistors 2 und mit dem Verstärker ä verbunden, und die Zuleitungselektrode des Transistors 3 ist unmittelbar mit einer geerdeten Speioherleitung 9 verbunden. Die Vorspannung fflr die Gitterelektrode des Transistors 2 wird dem Verbiodungspunkt der Widerstände 10 und 11 entnommen« die in Form eines Spannungsteilers zwischen Qleichspannungsapeiseleitungen 12 und 13 gesahaltet aind, wlhrend die Oattervorepannung für den Transistor 3 einem Spannungsteiler entnommen wird, der aus den Widerstanden 14 und 15 besteht, die !wischen die Speiseleitungen 12 und J, gesohaltet sind.

Die Impulsgebersohaltung besteht aus dem npn-Transistor 4, dessen Kollektor über einem Widerstand 16 mit der Speiseleitung

12 und dessen feit^er über einen Widerstand 1? »it der Speiseleitung

13 verbunden ist. Der Kollektor des Transistors 4 ist ferner aber einen Kondensator 18 mit der Qatterelektrode des Transistors 2 verbunden. Der Bmitter ist Ihnlicherweise aber einen Kondensator 19 mit der Qatterelektrode des Tranaistors 3 verbunden. Die Verwendung ein·· npn-Transistore und nioht eines pnp-Transietore far den Transistor 4 beruht auf der Tatsaohe, dass npn-Transletors eohneHer «ohalt«n. Dies bedeutet jedooh, dass der Transistor 4

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im allgemeinen im leitend·η Zustand ist und gesperrt wird, wenn das Inforaationasignal den Verstärker 6 au^jeführt werden muea.

Bei einer praktisch ausgeführten Schaltungsanordnung hatten di· Schaltelement« die nachstehenden Wertet Transistoren 2 und 3 Metalloxydhalb—leitertranaiator

(MOST) vom Typ 95BFY der MuIlard Ltd.

Transistoren 4 . Typ BSY39 der MuIlard Ltd. Widerstand 7 120-O- Wlderstand 10 10 lc ^ Jlderstand 11 10 k ^ Widerstand M 1Ok^- Widerstand 15 22 k SX Widerstand 16 1 k £L Widerstand 17 1 k il Kondensator 18 25 kpF Kondensator 19 25 kpP

Spannunt» der Speiseleitung 12i + 12 Volt. Spannung der Speiseleitung 13« - 12 Volt. In figur 2 zeigt die graphische Barstellung A die as Transformator 1 auftretende Wellenform. Die groesen Sohalteineohwingersoheinungen 20 und 21 treten kurz vor dem Informationsisipuls 22 auf. BIe Wirkungsweise der Gatterschaltung wird jetzt beschrieben, um au erlautem, wie die Elnachwinb-ersoheinun^en uad 21 um 99,9 Jt abgesohwloht werden, wahrend der Infoimationaimpuls mix ti· 10 % abgesohwloht wird.

Der Transistor 2 wird nonnalerweie« durch die von

den Widerstlnden 10 und 11 gelieferte Vorspannung gesperrt und ,

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bedeutet somit eine höh· Impedanz. Der Tranaistor 3 jedoch wird normalerweise duroh die Ton den Widerstanden 14 und 15 jolieferte Vorspannung im leitenden Zustand gehalten und bildet somit einen Tfeg zur 3rde mit niedriger Impedanz für die Signale und daa Rauschen auf dem Signalweg zwisohen dem Transistor 2 und dem AbtastveretErker 6. Wenn die Transistoren 2 und 3 im beschriebenen Zustand sind, «erden vom Eingangstransformator 1 herrührende Signale vom Transistor 2 äbgesohwloht und naoh Erde abgeleitet über den Transistor 3, der im leitenden Zustand eine erheblioh niedrigere Impedanz aufweist als der leg naoh Erde fiber den Abtastverat&rker

Wenn der Informationssignaliapuls 22 verstärkt

«erden muss, wird der Transistor 2 in den leitenden Zustand und der Tranaistor 3 in den gesperrten Zustand umgeschaltet. Dies erfolgt dadurch, dass ein Impuls von der in der graphischen Darstellung 3 der Figur 2 gezeigten Form der Basis des Transistors 4 »ugefflhrt wird, wodurch der Transistor 4 der Gatterelektrode des Transistors 2 einen Impuls mit der in der graphischen Darstellung C der Figur 2 gezeigten Form und der Qatterelektrpde des Transistors 3 einen ähnlichen, jedoch ungekehrten Impuls, wie er in der graphisohen Darstellung D gezeigt wird, zuführt. In diesem Falle sind die wichtigen Eigenschaften der alt isolierte Gatter wirksamen Feldeffekttransistoren ihre Kiektrodenkapasitlten, deren Einflüsse .sich im Betrieb aufheben sollen. Im Idealfall sind die Formen der in den graphisohen Darstellungen C und S gezeigten Impulse identisch, so dass, wenn die Elektrodenkapazitlten zwischen der Gatterelektrode und der Ableitungselektrode der Transistoren 2 und 3 gleich sind, dem Abtastverstärker keine Schalteinsohwingersoheinungen zugeführt werden. Wenn der Traneistor 4 jedoch eine pnp-Vorrichtung

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istι eilt die in den graphischen Darstellungen C und D der Figur n2 gezeichnete Spannung gegenüber der Spannung B etwas nach, und die !«igung der Planke der Spannung D ist infolge der Ausbildung des Impulsgeberβ nicht so steil wie die Neigung der Vorderflanke der Spannung C. Die Abweichung von der idealen Fora kann dadurch ausgenutzt werden, dass der Tranaistor in den leitenden Zustand geschaltet wird, wahrend der Transistor 3, wenn auch kurzzeitig, noch im leitenden'Zustand ist, sodass die vom Transistor 2 herbeigeführte Schalteinsohwingerscheinung nicht dem AbtaetveretSrker 8 zugeführt wird, aber über den Transistor 3 nach Erde abgeleitet wird· Wenn der Transistor 4 dennoch eine npn-Vorrlchtuno sein soll, um die Vorteile der schnellen Sohaltbarkeit au erhalten, müssen zur Erreichung des gleichen Effektes für die Vorder- und Hinterflanken die Kondensatoren 18 und 19 kreuzweise verbunden werden, so dass der Kondensator 18 mit dem Emitter und der Kondensator 19 mit dem Kollektor des pnp-Transistors 4 verbunden ist« In diesem Falle ergibt sich aber eine kleine Schalteinschwingersoheinung, und die graphische Darstellung E der Figur 2 zeigt die dem Abtastverstärker zugeführte Wellenform. Dieβθ Darstellung £ zeigt, dass diese Sohalteinsohwingerschsinungen dadüroh im Signalweg auftreten, dass die Transistoren 2 und 3 umgeschaltet werdtn.-Die Amplituden dieser Einachwingerechsinungen sind jedoch von der gleichen Oruaaenordnung wie die Amplitude des Införmationssignales, so dass sie den Abtastverstarker nicht unwirksam machen. Die Form der Einschwingerseheinung ist für die Wirkung der Sohaltung nicht von Belang, aber die Anordnung ist so ausgelegt, dass die Sinschwingerscheinung nahezu bis auf Null abgeklungen ist, bevor der lotoraätionssignalimpuls auftritt. Die Wahl des Informationssignals wird nicht beeinträchtigt und

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kann auf bekannte Weise daduroh erfolgen, dass.das Auegangssignale des Verstärkers 8 synohron abgetastet werden.

Da die unerwünschten Signale, die im Signalweg auftreten, positiv oder negativ aein können, wie dies durch die Impulse 20 und. 21 dargestellt wird, muss die Untergrundelektrode 25 des Tranaistors 2 mit einer Quelle eines Potentials verbunden werden, das negativer ist, als das maximale Potential, das vorausaiohtlich an die Zuleitungaelektrode angelegt wird. Me Untergrundelektrode dee Transistors 3 iat mit der Zuleitungselektrode verbunden, um tu verhüten,, daao die Untergrundelektrode positiver als die Zuleitungaelektrode wird. Im voratehend erwähnten praktischen Ausfflhrungsbeispiel war die Untergrundelektrode des Transistors 2 mit der Speiseleitung 13 verbunden. Die Zeitbestimmung des der Basis des Transistors 4 zuzuführenden Impulses bus· derartig sein, daaa die unerwünschten Signale abgeschwächt werden, und da· Informationssignal näherungaweiae in der Kitt· der Dauer der Sohaltimpulae fttr die Transistoren 2 und 3 auftritt. Sie duroh die Umschaltung der Tranaistoren 2 und 3 herbeigeführten Einschwingeraoheinungen, die in der graphisohen Daxstellung B der Figur 2 als Impulse 23 und 24 dargestellt sind, hatten einen Sauer von etwa 8q nsek., und die Zeit, während welcher der Transistor 2 völlig leitend war, betrug etwa 300 nsek· ■ ·

Die Anordnung wird vorsuesweise derart getroffen, dass, wenn das Informationssignal abgetastet worden ist, der Transistor 3 in den leitenden Zustand geschaltet wird, wenn der Transistor 2 duroh dl· Süokflanke des Impulaes alt der Form C in den nicht-leitenden Zustand geschaltet wird· fann die swei Sohaltimpulss nicht genau ausgeglloben werden können, kann es vorteilhaft aein, die Hinterflanken nicht lusaamenfallen au lassen.

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Der Unterschied d·· Auftretens der zwei Hinterflanken muss jedooh •in Kompromiss sein, well die Aifhe bewirkung der einen auf die andere umso kleiner ist, je weiter sie auseinanderliefen.

Wenn der erste und der zweite Transistor auf einem gemeinsamen Untergrund hergestellt sind, ist die Oleichvorspannung des Transistors 3 eingestellt, und die gemeinsame UntergründeIektrode wird ait einer Quelle verbunden, dessen Potential negativer ist, als das negativste Potential, daa ia Betrieb an die Singangselektrode des ersten Transistors gelegt wird.

Die Hetallojydhalbleiterfcransistoren 2 und 3 können offentsiohtlioh genau eo gut vo* «Inen wit vo· anderen Leitun^styp sein, sofern die Polarität der von Iapule^eber erzeugten Schalt- !•pulse anu«paet wird.

Wenn die Transistoren 2 und 3 konpleeentlre Transistoren eind, d«b· wenn der tine einen p-leitenden und der andere ein· »-leitenden Kanal hat, kennten beide Tranaistoren duroh die fleiob« Iapulsfors gesteuert werden. Auf Qrund der neuesten intwloklungwn auf de« Oebiet der vierpoligen als isolierte Satter wirkiajMA Feldaffekttranaistoren besteht die Hoffnung, dass die Uektronenkapasitlt so *inf«ateUt werden können, dass susaamenpaagend· ko»plea«ntlr· ?ierpöltranaistoren in den OatteraohalftHgiMlydi· d«n Gegenstand der Irfindung bilden, Verwendung finden kfnnen.

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Claims (2)

1. ■ „ !499797

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   f. Gatterschaltung zur AbschwÄohung unerwünschter

   •achalteineohwinserscheinungen, die auf einer Abtastleitung einer InformationsBpeichermatri.* auftreten, dadurch gekennzeichnet, dass eie Signaleingangemittel, Signalauagangsmittel, einen Potentialbezugepunkt, einen ersten ula isoliertes Gatter Wirksamen Feldeffekttransistor, der zwischen die Signaleingan^salttel und die Signalausganssmittel geeohaltet ist, einen zweiten ale isoliertes Gatter wirksamen Feldeffekttransietor, der zwiechen die Signelausgantjsraittei und den Potentialbezugapunktgeeohaltet ist, VoErspannmittel, durch die der erste und der zweite Transistor normalerweise so vorgespannt werden, dass der-erste gesperrt, bsaw., der zweite leitend ist, und Mittel enthält, durch die dem ersten und dem aweiten Transistor Sohaltiapulee augeführt vrerden, wodurch der erste in* ften* leitenden der zweit» In den gesperrten Zustand gebracht wird.
2. 2. Λ · aatterschmltune naoh Anspruch 1, daduroh gekennzeichnet, dass die als isoliertes Gatter wirksamen Feldeffekttransistoren von gleichen Leitungetyp sind, und dass die des ersten Transistor zugeführtenSohaltimpulse eine Polarität haben, die deröeniiiön. der dem zweiten Transistor zugöführtea Impulse entgegengesetzt

   ist. ■'.:. ■■,■ : ■■■ :' ■- "■■■;· · ...■■■ : ■■■■■■

   -J₀ 3. Gatteraohaltung nach Anspruch 2, daduroh gekenn-

   CD ■

   cd zeichnet, dass die entgegengesetzt gepolten Schaltimpulse von einem oo

   ⁴^ Impulsgeber erzeugt werden, wenn dieser von einem Oatterirapuls cn ■

   _j ausgelöst wird, ' .

   fO . ■ ■

   ^a 4. Oat terschalifung nach Anapruoh 3* dadurch ge kenn-.

   zeichnet, dass der Impulsgeber einen Zweipoltrajnsisto» mit einem Snitter, einer Basis und einem Kollektor enthalt, wobei Sie Basis mit weiteren Vorspannmitteln verbunden iat, durch die der

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   Transistor in einem ersten Zustand vorgespannt wird, wahrend der Qatteriapule bewirkt, dass der Transistor eeinen Zustand Ändert und dass die beiden entgegengesetzt gepolten Impulse ao Kollektor bsw. am ftaitter ersaheinen.

   5· Gatterschaltung nach einem der vorstehenden Ansprüche,

   daduroh gekennseiohnet, dass der dem zweiten Transistor zugefUhrte Sohaltimpulse eine Kennlinie mit steilerer Vorderflanke bat als der dem ersten Transistor zugeführt« Schaltimpuls, wodurch die beiden Feldeffekttransistoren kurzzeitig gleichzeitig leitend sind, so dass Sohalteinschwingerscheinungen nahezu völlig beseitigt werden» 6« Gatterschaltung nach einem der verstehenden Ansprüche,

   daduroh gekennzeichnet, dass die Signaleingangemittel einen Transformator enthalten, der eine Primärwicklung und eine Sekundärwicklung hat, wobei die Primärwicklung so ausgebildet ist, dass sie ein bipolares Signalpaar empfangen kann, und eine lütte1anzapfung aufweist, die zur gemeinsamen lfodusunterdrtiokung mit dem Bezugspunkt verbunden ist, wahrend die zweite Wicklung mit dem ersten Transistor verbunden ist*

   7« Gatterschaltung naoh einem der vorstehenden Ansprüche,

   daduroh gekennzeichnet, dass die Signalausgangstnittel aus einem Signalverstarker bestehen·

   8* Gatterschaltung nach einem der vorstehenden Ansprüche,

   dadurch gekennzeichnet, dass der erste und der zweite Transistor auf einem gemeinsamen Untergrund hergestellt sind.

   9· 0atterschaltung nach einem der vorstehenden Ansprüche,

   daduroh gekennzeichnet, dass die ElektrcdenkapazitSt des ersten Feldeffekttransistors und die des zweiten Feldeffekttransistor· ausgeglichen sind, so dass von den Transistoren erzeugte Schalteinachwingerscheinungen sich im wesentlichen aufheben. ■■-.... ;.-*?χ-::> s?t -

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   .10. Gatterschaltune naofc einem oer vorstehenden Ansprüche,

   dadurch gekennzeichnet, dass die beiden je als isoliertes Gatter wirksamen Feldeffekttransistoren Metallosydailiziumtranaietoren sind«

   1t. Informationsgatterschaltung, dadurch gekennzeichnet,

   dass si· Informationaeingangsmittel, InfoiTnationeausgangamittel, einen Potentialbezugepunkt, einen ersten als isoliertes Gatter wirksamen Feldeffekttransistor mit einer Gatterelektrode, einer Zuleitungselektrode, einer Untergrundelektrode und einer Ableitungselektrode, einen zweiten als isoliertes Gatter wirksamen Feldeffekttransistor mit einer Gatterelektrode, einer 3uleitungselektrode, einer Untergrundelektrode und einer Ableitunßselektrode, Mittel, durch die die Zuleitungeelektrode des ersten Feldeffekttransistor« mit den Infonnationseingangsinitteln verbunden wird, Mittel, durch die die Ableitungaelektrode des ersten Feldeffekttransistors mit der Ableitunßselektrode des eweiten Feldeffekttranaistoi-s und mit den Infonnationsauagangeeitteln verbunden wird, Kittel, durch, die die Zuleitungselektrode dee ssweiten Feldeffekttransietore mit den Punkt mit Beeugspotential verbunden wird, Mittel, durch die die tfetergrundelektrode des ersten Feldeffekttransietors mit einer gesonderten Vorspannungsquelle verbunden nird, Mittel, duroh die.die Untergrundelektrode des ssweiten Feldeffekttranaiatora mit der Zuleitungselektrcde dieses zweiten Feldeffekttraneistorβ verbunden nird, erst· Yorapanmittel, di· Bit der Gatterelektrode des ersten Feldeffekttransistors verbunden sind, um diesen Transistor so vorzuspannen, dass •r ncrmalsrwtis· g·sperrt' ist, anreite Vorspannoittel,' die Bit der Gatterelektrode de· »weiten Feldeffekttransistors verbunden eind, xm die »en sw«it«n Traxjeistor so Torsuspaiwen, dejie er nori^^

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   leitet, eine GatterimpulBklecGie, einen Impulsgeber, lei dem ein Eingang mit dieser Gatterimpulsklemiae verbunden ist und der ein Faar gegengeeetst gepolter Impulse liefert, wenn der Oatterimpulsklemme ein Gatterimpula zugeführt wird, Uitt·!, durch die einer der beiden entgegengesetzt ^opolten Impulse der GMtereicktrode des ersten Feldeffekttransistors zugeführt wird, um diesen Transistor leitend zu machen^ und mittel enth&Mt, durch die der andere der beiden entgegen^se tat gepolten Impulne der GatterelektxOde Cea zv/eiten Feldeffekttransistors zugeführt »'ird, um diesen zweiten Translator su sperren.

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