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DE1474481C3 - Nach dem Koinzidenzprinzip arbeitender Speicher - Google Patents

Nach dem Koinzidenzprinzip arbeitender Speicher

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DE1474481C3
DE1474481C3 DE19651474481 DE1474481A DE1474481C3 DE 1474481 C3 DE1474481 C3 DE 1474481C3 DE 19651474481 DE19651474481 DE 19651474481 DE 1474481 A DE1474481 A DE 1474481A DE 1474481 C3 DE1474481 C3 DE 1474481C3
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DE19651474481
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DE1474481B2 (de
DE1474481A1 (de
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Peter 8000 Muenchen Elsner
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
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Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
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Publication of DE1474481B2 publication Critical patent/DE1474481B2/de
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Publication of DE1474481C3 publication Critical patent/DE1474481C3/de
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/06Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element
    • G11C11/06007Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element using a single aperture or single magnetic closed circuit
    • G11C11/06014Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element using a single aperture or single magnetic closed circuit using one such element per bit
    • G11C11/06021Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element using a single aperture or single magnetic closed circuit using one such element per bit with destructive read-out
    • G11C11/06028Matrixes
    • G11C11/06035Bit core selection for writing or reading, by at least two coincident partial currents, e.g. "bit"- organised, 2L/2D, or 3D

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
  • Use Of Switch Circuits For Exchanges And Methods Of Control Of Multiplex Exchanges (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Speicher, ( die nach dem Koinzidenzprinzip arbeiten. Derartige Speicher sind an sich seit langem bekannt. Bei dem be-/ kanntesten Fall eines Koinzidenzspeichers werden als Speicherelemente Magnetringkerne verwendet. Die Magnetringkerne sind dabei nach Art einer Matrix, d. h. in Zeilen und Spalten angeorndet. Jeder der Magnetkerne einer solchen Matrix ist zum Zwecke der Ansteuerung zunächst mit einer Zeilen- und einer Spaltenleitung verbunden. Bei mehrdimensionalen Speichern sind im allgemeinen jeweils entsprechende Zeilen- und Spaltenleitungen aller Matrixebenen in Reihe geschaltet. Außerdem ist jeder Kern mit einer allen Magnetkernen einer Matrixebene gemeinsamen Inhibit- oder Informationsleitung verbunden. Mit Hilfe dieser Leitung wird jeweils bestimmt, weiche Information in einen durch die Ansteuerung einer bestimmten Zeilen- und einer bestimmten Spaltenleitung ausgewählten Magnetkern eingeschrieben werden soll. Um die in einem Magnetkern gespeicherte Information lesen zu können, sind außerdem sämtliche Magnetkerne einer Matrixebene mit einer Leseleitung verbunden. Infolge der Vielzahl der mit den Magnetkernen verketteten Leitungen ergeben sich jedoch aufwendige und komplizierte Flechtmuster. Weiterhin ist bei diesen Anordnungen nachteilig, daß bei sehr kleinen Magnetkernen relativ dünne Drähte verwendet werden müssen und somit in der Inhibitleitung eine hohe Verlustleistung und somit große Wärmeentwicklung entsteht. Außerdem ergibt sich für die Leseleitung ein hoher Generatorinnenwiderstand und somit eine geringe Energieausbeute, was andererseits wiederum einen erheblichen Aufwand an Leseverstärkern mit sich bringt. Allgemein kann man sagen, daß bei den üblichen nach dem Koinzidenzprinzip arbeitenden Speichern bei großen Speicherkapazitäten der größte Teil der Kosten im Speicherblock selbst liegt und die Kosten für die Ansteuermittel demgegenüber meist gering sind. Die Gesamtkosten könnten nur noch durch Senkung der Kosten für die Magnetkerne selbst sowie durch billigere — unter Umständen automatische — Flechtverfahren wesentlich gesenkt werden.
Es sind auch schon Speicheranordnungen bekannt, bei denen jeder Magretkern nur mit einer Zeilen- und
einer Spaltenleitung verbunden ist. Zum Abfühlen und Weiterleiten des beim Lesen einer gespeicherten Information auftretenden Signals ist z. B. bei der Anordnung nach dem französischen Patent 1 345 177, insbesondere Fig. 8, jede Spaltenleitung sowohl an ihrem Anfang als auch an ihrem Ende mit einem Widerstand in Reihe geschaltet und jeweils am Verbindungspunkt vom Widerstand am Anfang einer Spaltenleitung, und der Spaltenleitung selbst ist eine Diode angeschlossen, die andererseits gemeinsam mit den anderen Dioden der anderen Spaltenleitungen mit einer außerhalb der Matrix angeordneten zu dem Leseverstärker führenden Ausgangsleitung verbunden ist. Zwischen diese Ausgangsleitung und Masse ist außerdem noch ein Lastwiderstand 27 eingeschaltet Daraus ersieht man, daß mit dieser Lösung zwar der Lesedraht im Innern der Matrixanordnung eingespart wird, dieser Einsparung jedoch ein erheblicher Aufwand an Widerständen und Dioden in der Matrixanordnung gegenübersteht.
Speicheranordnungen, bei denen kein gesonderter Draht zum Lesen gespeicherter Informationen notwendig ist, sind auch aus den belgischen Patentschriften 634 786 und 634 787 bekanntgeworden.
Diese Speicheranordnungen arbeiten jedoch nicht mit der Koinzidenz sogenannter Halbstöme auf den mit den Kernen verknüften Leitungen.
Jedem Speicherelement sind zwei Dioden zugeordnet, von denen je nach Ansteuerung beim Lesen oder Schreiben eine durchlässig gesteuert wird, damit eine Erregung des ausgewählten Speicherelementes mit dem vollen zur Ummagnetisierung erforderlichen Strom ermöglicht. Ein Nachteil dieser Speicheranordnung liegt darin, daß für jedes Speicherelement noch zusätzlich innerhalb der Matrix zwei Entkopplungsdioden erforderlich sind. Für Speicheranordnungen großer Speicherkapazität bringt dies einen großen Aufwand an Bauelementen mit sich.
Aus dem deutschen Bundespatent 1 056 396 ergibt sich, daß sowohl beim Lesen als auch beim Schreiben die Auswahl eines von zwei Speicherelementen, die auf einem gemeinsam erregten Doppelleitungspaar in einer Koordinatenrichtung liegen, durch die Wahl der Polarität der Ansteuerimpulse in einer der beiden Koordinatenrichtungen erfolgt Die einem Doppelleitungspaar zugeordneten Speicherelemente werden dabei in entgegengesetzter Richtung vom Strojn durchflossen. Bei dieser Speicheranordnung ist zur Erzeugung der Lesesignale jedoch ein gesonderter Lesedraht erforderlich.
Ferner ist für einen Matrixspeicher, bei dem mit jedem bistabilen Speicherelement nur eine Spaltenleitung und eine Zeilenleitung verknüpft ist, bereits vorgeschlagen worden, jeweils zwei Zeilen- bzw. Spaltenleitungen zu Zeilen- bzw. Spaltenleitungspaaren zusammenzuschalten, nur jeweils in einem der beiden Kreuzungspunkte von einem Zeilen- bzw. Spaltenleitungspaar und einer Spalten- bzw. Zeilenleitung ein magnetisierbares Elemeat anzuordnen und zur Trennung des dem Ansteuersignal überlagerten Lesesignales die beiden Zeilen- bzw. Spaltenleitungen der Zeilen- bzw. Spaltenpaare mit den Eingängen einer Kompensationsschaltung zu verbinden, in der sich die Halbauswahlimpulse von zwei gleichzeitig aufgerufenen Zeilen- bzw. Spaltenleitungen kompensieren (DT-PS 1 449 806).
Dadurch, daß ein magnetisierbares Element nur jeweils an einem der beiden Kreuzungspunkte angeordnet ist, ergibt sich erstens der Nachteil, daß eine solche Speicheranordnung räumlich größer ist, da in jeder Zeile oder Spalte jeder zweite Spalten- oder Zeilendraht nicht durch die Kerne, sondern neben den Kernen vorbeiläuft, und zweitens, daß die Anzahl der in Spaltenoder Zeilenrichtung vorzusehenden Ansteuereinrichtungen doppelt so groß wie bei einer normalen Matrixanordnung ist.
' Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, einen nach dem Koinzidenzprinzip arbeitenden Speicher zu schaffen, bei dem jede Speicherzelle nur mit einer Zeilen- und Spaltenleitung verbunden ist, der jedoch weniger Aufwand erfordert als die bisherigen Speicher dieser Art. Erfindungsgemäß wird dies dadurch erreicht, daß jede Speicherzelle im Hinblick auf die ihr benachbarte Zelle der anderen Leitung des gleichen Zeilen- öder Spaltenleitungspaares entgegengesetzte, im Hinblick auf die benachbarte Speicherzelle des benachbarten Zeilen- oder Spaltenleitungspaares dagegen gleiche Orientierung hat und daß die gewünschte von zwei auf dem angesteuerten Zeilen- oder Spaltenleitungspaar befindlichen Speicherzellen durch Wahl der Polarität eines der Ansteuerströme auswählbar ist.
Zum Auswerten des beim Lesen einer gespeicherten Information auftretenden Signals ist es zweckmäßig, jede Leitung eines Zeilen- oder Spaltenleiterpaares mit einer von zwei gegenseitigen Wicklungen eines symmetrischen Übertragers zu verbinden. Die Ausgangswicklungen mindestens eines Teiles der mit den Leitungspaaren verbundenen Übertrager können in Reihe geschaltet sein und bilden die Leseleitung der Speicheranordnung. Besonders vorteilhaft ist es, als Übertrager jeweils einen Weichferritkern vorzusehen.
Weitere Einzelheiten der Erfindung werden an Hand der in den Zeichnungen dargestellten Ausführungsbeispiele näher erläutert.
Die in F i g. 1 als Beispiel dargestellte Speicheranordnung besteht im wesentlichen aus 16 der Speicherung dienenden Magnetkernen, die in 4 Zeilen und 4 Spalten angeordnet sind. Bei in der Praxis verwendeten Speicheranordnungen ist selbstverständlich die Anzahl der Magnetkerne wesentlich größen Das grundsätzliche Prinzip der dargestellten Anordnung besteht darin, daß jeder dieser Magnetkerne nur mit einer Zeilen- und einer Spaltenleitung verkettet ist. Diese Leitungen übernehmen die Aufgabe der Ansteuerung, die Aufgabe der Bestimmung, welche Information in einen ausgewählten Magnetkern eingeschrieben werden soll und die Aufgabe der Leseleitung. Dies wird unter anderem dadurch erreicht, daß jeweils die Leitungen zweier benachbarter Zeilen am Anfang und Ende miteinander verbunden sind. Auf diese Weise werden sowohl zum Schreiben als auch zum Lesen einer Information die die gewünschte Speicherzelle enthaltende Zeilenleitung und eine der benachbarten Zeilenleitungen gemeinsam angesteuert. Die zum Zwecke der Koinzidenzbildung in einer bestimmten Speicherzelle erforderliche zugehörige Spaltenleitung wird dagegen jeweils allein angesteuert. In der dargestellten Anordnung sind z. B. die Zeilenleitungen Xl und Xl einerseits und X3 und X4 andererseits sowohl an ihrem Anfang als auch an ihrem Ende miteinander verbunden.
Um nur mit zwei Leitungen pro Kern alle obengenannten Aufgaben erfüllen zu können, ist es weiterhin erforderlich, daß von den beiden auf einem gemeinsam angesteuerten Paar von Zeiienleitungen befindlichen und durch die Koinzidenzbildung mit der Spaltenleitung gemeinsam erregten Speicherzellen nur eine die zur Ummagnetisierung erforderliche Erregung erhält.
Bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel wird dies einerseits dadurch erreicht, daß die Speicherzellen jeweils innerhalb einer Zeile gleiche Orientierung, im Hinblick auf die jeweils andere Zeile des gleichen Leitungspaares jedoch entgegengesetzte Orientierung haben, und andererseits dadurch, daß die Auswahl der gewünschten von zwei auf dem Paar gemeinsam angesteuerter Zeilenleitungen befindlichen und durch Koinzidenz mit der zugehörigen Spaltenleitung gemeinsam erregten Speicherzellen durch Wahl der Polarität des Ansteuerstromes auf der zur Koinzidenzbildung gehörigen Spaltenleitung erfolgt. In dem dargestellten Beispiel sind die Magnetkerne der Zeile Xi um 45° im Gegenuhrzeigersinn, die Magnetkerne der Zeile X2 dagegen um 45° im Uhrzeigersinn gegenüber den V-Leitungen geneigt, angeordnet.
Die Magnetkerne der Zeilen Xi und X2 werden durch Zuführen eines Stromes / zu dem Leitungspaar gemeinsam angesteuert. Jeder der Magnetkerne dieser beiden Zeilen erhält aber nur die halbe zur Ummagnetisierung erforderliche Erregung, da sich der Strom / auf je einen Halbstrom 1/2 auf jeder Leitung aufteilt. Auf diese Weise sind also sämtliche Kerne der Zeilen Xi und X2 halberregt. Die Halberregung der in der Zeile Xi angeordneten Kerne hat aber, gemessen an der Erregungsrichtung, die ein im Spaltenleiter fließender Strom in den Kernen einer Spalte erzeugt, stets die umgekehrte Richtung wie diejenige der Kerne in der Zeile Xl. Durch Wahl der Polarität des jeweils in dem zur Koinzidenzbildung zugehörigen Spaltenleiter fließenden Stromes mit der Größe 1/2 ist es deshalb möglich, nur in einem der durch diesen Strom gleichzeitig erregten beiden Magnetkernen die Erregung soweit zu erhöhen, daß dieser Magnetkern ummagnetisiert wird. In dem jeweils anderen der beiden gemeinsam erregten Magnetkerne wird dagegen die durch den Zeilenstrom hervorgerufene Halberregung kompensiert. Eine Ummagnetisierung dieses Magnetkernes ist deshalb nicht möglich. In F i g. 1 wurde die Auswahl des Magnetkernes Ki dargestellt, der sich im Kreuzungspunkt der Zeilenleitung Xi und der Spaltenleitung Y2 befindet. Soll an Stelle des Magnetkernes Ki z. B. der Magnetkern Kl ummagnetisiert werden, so ist lediglich erforderlich, die Polarität des auf der Leitung Yl fließenden Halbstromes umzukehren. Der Lesevorgang verläuft analog mit in der Polarität umgekehrten Strömen, wie dies für koinzident angesteuerte Speicher bekannt ist.
Um die beim Lesen einer in einem Magnetkern gespeicherten Information durch die Ummagnetisierung in den mit dem Magnetkern verbundenen Leitern induzierte Spannung auszuwerten und einem Leseverstärker zuführen zu können, wird bei dem Speicher gemäß der Erfindung die dabei am gemeinsam angesteuerten Zeilenleitungspaar auftretende Spannungsdifferenz ausgewertet. Bei dem in F i g. 1 dargestellten Ausführungsbeispiel erfolgt dies mit Hilfe von Übertragern l/l und Ul. Jede Leitung eines gemeinsam angesteuerten Zeilenleiterpaares ist zu diesem Zweck mit einer von zwei gegensinnigen Wicklungen eines symmetrischen Übertragers verbunden. Besonders vorteilhaft ist es, als Übertrager Weichferritkerne vorzusehen. Die Ausgangswicklungen aller bzw. einer Gruppe derartiger Übertrager können in Reihe geschaltet werden und dienen als Leseleitung L der Speicheranordnung. Wegen des geringen Spannungs-Zeit-Integrals des Lesesignals können die als Übertrager dienenden Magnetkerne sehr klein sein. Ihre Größe hängt natürlich in einem gewissen Maße von der Größe der als Speicherelemente verwendeten Magnetkerne ab. Im dargestellten Ausführungsbeispiel transformieren die als Übertrager Üi bzw. Ül verwendeten Magnetkerne die Lesespannung eines gelesenen Magnetkernes im Verhältnis 2:1. Ein großer Vorteil der Verwendung von Weichferritkernen als Übertrager besteht außerdem darin, daß diese direkt mit in die Matrix eingeflochten werden können.
F i g. 2 zeigt ein erstes Ausführungsbeispiel eines mehrdimensionalen Speichers unter Verwendung von zweidimensionalen Matrixanordnungen, wie sie in F i g. 1 dargestellt sind. Einander entsprechende X-Leitungspaare aller Matrixebenen sind hintereinandergeschaltet und werden somit gemeinsam angesteuert. Die Ansteuerung der V-Leitungen erfolgt dagegen für jede Matrixebene getrennt. Es ist selbstverständlich auch möglich, die X-Leitungen und die V-Leitungen gegeneinander zu vertauschen. Jedes der X-Leitungspaare ist mit einem Übertragerkern abgeschlossen und ein gemeinsamer Lesedraht Li bzw. L2 usw. führt jeweils durch sämtliche Übertragerkerne einer Matrixebene. Falls bei großen Speichern zu viele halberregte Kerne einkoppeln, ist es auch möglich, nicht sämtliche Kerne einer Matrixebene, sondern nur Gruppen von Übertragerkernen einer Leseleitung zuzuordnen. Die der gleichen Adresse zugeordneten V-Leitungen werden auf der einen Seite — soweit möglich — parallel aus den gleichen Spannungsquellen (Ql, Ql ■ ■ ■) gespeist. Diese Spannungsquellen können z. B. eine sogenannte Diodenmatrix sein. Auf der anderen Seite sind die V-Leitungen durch Richtleiter entkoppelt. Auf dieser Seite liegen die Y-Leitungen zum Lesen und Schreiben, d. h. je nach Polarität der von den Spannungsquellen Q gelieferten bipolaren Signale an einem Widerstand Ri bzw. R2, oder an einem Schalter Sl bzw. Sl. Die Schalter Sl und Sl dienen während des Schreibvorganges zum Bestimmen der Art der einzuschreibenden Informationen, also z. B. »0« oder »1«.
F i g. 3 zeigt ein zweites Ausführungsbeispiel einer mehrdimensionalen Matrixanordnung, ebenfalls unter Verwendung von zweidimensionalen Matrixanordnungen nach F i g. 1. In diesem Fall sind die Y-Leitungen aller Matrixebenen in Reihe geschaltet, während die A"-Leitungspaare, ähnlich wie in Fig.2 die K-Leitungen, für jede Matrixebene getrennt angesteuert werden. Die der gleichen Adresse zugeordneten .Y-Leitungen werden — soweit möglich — parallel aus den gleichen Spannungsquellen Ql bzw. Ql gespeist. Diese Spannungsquellen Ql bzw. Ql liefern bipolare Impulse und können, ebenso wie bei der Ausführungsform nach F i g. 2, eine Diodenmatrix sein. Die anderen Enden der X- Leitungen sind durch Richtleiter derart voneinander entkoppelt, daß die jeweils ausgewählte X-Leitung beim Schreiben (z. B. bei einer positiven Spannung aus Q) an einem Schalter Sl bzw. Sl und beim Lesen (negative Spannung aus Q) über einen für alle X-Leitungspaare gemeinsamen, als Übertrager dienenden Lesekern Lki bzw. LkI an einem Widerstand Ri bzw. R2 liegt. Wie bei der Ausführungsform nach F i g. 2 sind die Schalter Sl und Sl je nach der Art der einzuschreibenden Information geöffnet (z. B. bei einer »0«) oder geschlossen (z. B. bei einer »1«).
Die Schaltungsanordnung nach F i g. 3 erfordert zwar bei optimaler Matrixgeometrie gegenüber der Ausführungsform nach F i g. 2 einen Mehraufwand an Entkopplungsrichtleitern. Dieser Mehraufwand wird jedoch andererseits, insbesondere bei großen, sehr schnellen Speichern durch verschiedene zusätzliche
Vorteile wieder ausgeglichen. Vorteile dieser Anordnung sind, daß die nichtausgewählten Leitungspaare von der Leseleitung abgetrennt sind und nur ein halb erregter Kern in die Leseleitung einkoppelt, wenn der Strom auf der V-Leitung etwas später eingeschaltet wird, als derjenige auf der X- Leitung. Vorteilhaft ist außerdem, daß einer Matrixebene jeweils nur ein einziger Lesekern Lki bzw. Lk2 zugeorndet ist Da die Leseleitung nur durch diesen einen Kern führt, besitzt diese in dieser Anordnung einen sehr geringen Generatorinnenwiderstand. Als Generatorinnenwiderstand tritt nämlich nur der Widerstand eines einzigen X-Leitungspaares auf. Dieser geringe Innenwiderstand ermöglicht eine sehr hohe Belastung des Lesesignals und damit eine sehr viel höhere Leistungsausbeute gegenüber den ig bekannten Anordnungen. Die mit der Leseleitung verbundene Auswerteschaltung wird dadurch sehr einfach, billig und betriebssicher. Die Ausgangsspannung der Leseleitung kann entweder in dem als Übertrager dienenden Lesekern Lki .bzw. Lk2 oder durch einen zu- ao sätzlichen Übertrager am Eingang der Auswerteschaltung hochtransformiert werden.
Sowohl für die Ausführungsform nach F i g. 1 als auch für die nach den übrigen Figuren gilt, daß an Stelle eines Magnetkernes oder eines sonstigen Übertra- »5 gers zum Auswerten der beim Lesen einer eingespeicherten Information am gemeinsam angesteuerten Zeilen- oder Spaltenleiterpaar auftretenden Spannungsdifferenz ein Differenzverstärker verwendet werden kann.
Die dargestellten Ausführungsbeispiele zeigen Anordnungen, bei denen als Speicherelemente Magnetringkerne verwendet sind. Es ist selbstverständlich, daß sich die Erfindung nicht nur speziell auf solche Speicher, sondern ganz allgemein auf Speicher bezieht, die nach dem Koinzidenzprinzip arbeiten.
F i g. 4 zeigt eine Matrixanordnung, bei der die Bestimmung, welche Informationen in einen angesteuerten Magnetkern eingespeichert werden soll, mit Hilfe einer zusätzlichen Leitung Zi bzw. 22 erfolgt. Je nachdem, ob die dem ausgewählten Magnetkern zugeordnete Z-Leitung mit einem Strom 1/2 angesteuert wird oder nicht, verbleibt der Magnetkern in seiner Lage oder wird ummagnetisiert Im übrigen entspricht die Anordnung nach F i g. 4 derjenigen nach F i g. 1. Diese Maßnahme hat gegenüber Anordnungen, wie denen nach F i g. 2 oder 3, zwar den Nachteil der zusätzlichen Leitung, aber den Vorteil des geringeren Aufwandes an Ansteuermitteln.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen 409550/272

Claims (10)

Patentansprüche:
1. Nach dem Koinzidenzprinzip arbeitende Speicheranordnung mit in Zeilen und Spalten angeordneten magnetischen Speicherzellen, bei der jede Speicherzelle nur mit einer Zeilen- und einer Spaltenleitung verbunden ist und bei der die Zeilenoder Spaltenleitungen zu Zeilen- bzw. Spaltenleitungspaaren zusammengeschaltet sind, während die zur Koinzidenzbildung erforderlichen zugehörigen Spalten- bzw. Zeilenleitungen in üblicher Weise mit den Ansteuereinrichtungen verbunden sind, und bei der zur Trennung des dem Lesesignal überlagerten Ansteuersignals die beiden Zeilen- bzw. Spaltenleitungen jedes Zeilen- bzw. Spaltenleitungspaares mit einer Kompensationseinrichtung verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, daß jede Speicherzelle im Hinblick auf die ihr benachbarte Zelle der anderen Leitung des gleichen Zeilen- oder Spaltenleitungspaares entgegengesetzte, im Hinblick auf die benachbarte Speicherzelle des benachbarten Zeilen- oder Spaltenleitungspaares dagegen gleiche Orientierung hat und daß die gewünschte von zwei auf dem angesteuerten Zeilen- oder Spaltenleitungspaar befindlichen Speicherzellen durch Wahl der Polarität eines der Ansteuerströme auswählbar ist.
2. Speicheranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zum Auswerten des beim Lesen einer gespeicherten Information entstehenden Signals jeweils die beiden Leitungen eines Zeilenoder Spaltenleitungspaares mit einem Differenzverstärker verbunden sind.
3. Speicheranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zum Auswerten des beim Lesen einer gespeicherten Information entstehenden Signals jede Leitung eines Zeilen- oder Spaltenleitungspaares mit einer von zwei gegensinnigen Wicklungen eines symmetrischen Übertragers verbunden ist.
4. Speicheranordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausgangswicklungen mindestens eines Teiles der mit den Leitungspaaren verbundenen Übertrager in Reihe geschaltet sind.
5. Speicheranordnung nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß als Übertrager jeweils ein Weichferritkern, vorzugsweise ein Ringkern, vorgesehen ist.
6. Speicheranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Art der in eine ausgewählte Speicherzelle einzuschreibenden Information durch entsprechende Ansteuerung je einer nur mit jeweils einer Leitung aller Zeilenoder Spaltenleitungspaare verketteten zusätzlichen Leitung bestimmt wird.
7. Mehrdimensionaler, aus mehreren Speicheranordnungen nach einem der Ansprüche 1 bis 6 bestehender Speicher, dadurch gekennzeichnet, daß die einander entsprechenden Zeilen- oder Spaltenleitungspaare aller Matrixebenen in Reihe geschaltet sind und damit gemeinsam, die zur Koinzidenzbildung erforderlichen Spalten- oder Zeilenleitungen dagegen für jede Matrixebene getrennt ansteuerbar sind.
8. Mehrdimensionaler, aus mehreren Speicheranordnungen nach einem der Ansprüche 1 bis 5 bestehender Speicher, dadurch gekennzeichnet, daß die einander entsprechenden zur Koinzidenzbildung erforderlichen Spalten- oder Zeilenleitungen aller Matrixebenen in Reihe geschaltet sind und damit gemeinsam, die Zeilen- oder Spaltenleitungspaare dagegen für jede Matrixebene getrennt ansteuerbar sind.
9. Speicher nach Anordnung 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß jeweils die Zeilen- oder Spaltenleitungspaare einer Matrixebene gegeneinander entkoppelt und mit einer einzigen Vorrichtung zum Auswerten des beim Lesen einer gespeicherten Information entstehenden Signals verbunden sind.
10. Speicher nach einem der Ansprüche 7 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß jeweils die zur Koinzidenzbildung erforderlichen Zeilen- oder Spaltenleitungen bzw. die Zeilen- oder Spaltenleitungspaare einer Matrixebene gegeneinander entkoppelt und mit einer einzigen Vorrichtung zum Bestimmen der in den Kern einzuschreibenden Information verbunden sind.
DE19651474481 1965-06-22 1965-06-22 Nach dem Koinzidenzprinzip arbeitender Speicher Expired DE1474481C3 (de)

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