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DE1297693B - Verstaerkender, rueckgekoppelter Modulator - Google Patents

Verstaerkender, rueckgekoppelter Modulator

Info

Publication number
DE1297693B
DE1297693B DE1967S0112748 DES0112748A DE1297693B DE 1297693 B DE1297693 B DE 1297693B DE 1967S0112748 DE1967S0112748 DE 1967S0112748 DE S0112748 A DES0112748 A DE S0112748A DE 1297693 B DE1297693 B DE 1297693B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
modulator
amplifying
negative feedback
voltage
elements
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE1967S0112748
Other languages
English (en)
Inventor
Volejnik
Dipl-Ing Wilhelm
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Priority to DE1967S0112748 priority Critical patent/DE1297693B/de
Publication of DE1297693B publication Critical patent/DE1297693B/de
Withdrawn legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03CMODULATION
    • H03C1/00Amplitude modulation
    • H03C1/52Modulators in which carrier or one sideband is wholly or partially suppressed
    • H03C1/54Balanced modulators, e.g. bridge type, ring type or double balanced type
    • H03C1/542Balanced modulators, e.g. bridge type, ring type or double balanced type comprising semiconductor devices with at least three electrodes
    • H03C1/545Balanced modulators, e.g. bridge type, ring type or double balanced type comprising semiconductor devices with at least three electrodes using bipolar transistors

Landscapes

  • Amplitude Modulation (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

  • Die Erfindung betrifft einen verstärkenden, rückgekoppelten Modulator mit wenigstens zwei verstärkenden Elementen, insbesondere für Einrichtungen der Trägerfrequenztechnik, bei dem bei Ausbildung als Doppelgegentaktmodulator vier verstärkenden Elementen über einen symmetrischen Trägerübertrager paarweise die eine oder andere Phase der Trägerspannung zugeführt wird, den zu ein und demselben Paar gehörenden verstärkenden Elementen verschiedene Phasen des Eingangssignals zugeführt werden und die Ausgänge von verschiedenen Paaren angehörenden und mit verschiedenen Phasen des Eingangssignals beaufschlagten verstärkenden Elementen jeweils miteinander verbunden und je an einen äußeren Anschluß einer symmetrischen Ausgangsschaltung gelegt sind.
  • Es wurde bereits ein Doppelgegentaktmodulator mit vier Transistoren vorgeschlagen (deutsche Auslegeschrift 1253 770), bei dem ein Eingangsübertrager, ein Trägerübertrager und ein Ausgangsübertrager jeweils als Symmetrieübertrager ausgebildet sind und bei dem die Kollektoren der Transistoren paarweise miteinander und mit einem äußeren Anschluß einer symmetrischen Primärwicklung des Ausgangsübertragers verbunden sind, deren Mittelanzapfung an einem Pol einer Stromquelle liegt. Bei diesem Doppelgegentaktmodulator sind die Basisanschlüsse zweier Transistoren jeweils derart an eine von zwei symmetrischen Sekundärwicklungen des Trägerübertragers geführt, deren Mittelanzapfungen über eine symmetrische, mit ihrer Mittelanzapfung an dem anderen Pol der Stromquelle und den damit verbundenen Emitter aller Transistoren liegende Sekundärwicklung des Eingangsübertragers miteinander verbunden sind, daß die Basiselektroden zweier kollektorseitig miteinander verbundener Transistoren jeweils an entgegengesetzten Wicklungsanschlüssen verschiedener Sekundärwicklungen des Trägerübertragers liegen.
  • Bei diesem Modulator ist keine Gegenkopplung vorgesehen.
  • Es wurde ferner bereits ein verstärkender Doppelgegentaktmodulator mit vier Transistoren vorgeschlagen, bei dem dem einen Signaleingang ein modulierendes Signal und einem Trägereingang eine Trägerspannung zugeführt wird und bei dem die Kollektoren zweier Transistoren über eine symmetrische, mit der Mittelanzapfung über eine Versorgungsspannungsquelle an ein Bezugspotential geführte Primärwicklung eines Ausgangsübertragers mit den Kollektoren der anderen beiden Transistoren verbunden sind und bei dem die Transistoren durch eine Trägerspannung zur Umpolung des im Rhythmus der Trägerfrequenz paarweise abwechselnd in den leitenden und in. den gesperrten Zustand: steuerbar sind. Bei diesem Doppelgegentaktmodulator sind die Emitter zweier, kollektorseitig zusammengeführter Transistoren jeweils miteinander verbunden und an das Bezugspotential geführt. Ferner ist jeder Anschluß des Signaleingangs jeweils unter Zwischenschaltung eines Widerstandes mit den Basisanschlüssen verschiedenen Transistorpaaren angehörender und mit den Kollektoren an verschiedenen Anschlüssen des Ausgangsübertragers liegender Transistoren verbunden. In die Zuführungen der Trägerspannung von den äußeren Anschlüssen einer mit der Mittelanzapfung am Bezugspotential liegenden, symmetrischen Sekundärwicklung eines Trägerübertragers zu den Basisanschlüssen der Transistoren ist jeweils ein Widerstand eingefügt. Nach einer Weiterbildung dieses Vorschlages kann der Doppelgegentaktmodulator derart ausgebildet werden, daß in der Verbindung der miteinander verbundenen Emitter der kollektorseitig zusammengeführten Transistoren mit dem Bezugspotential jeweils ein Widerstand eingefügt ist und daß die aus den eingefügten Widerständen gebildete Serienschaltung durch einen insbesondere einstellbaren Widerstand überbrückt ist. Dieser Modulator hat den wesentlichen Vorteil, daß ein im Hinblick auf die an den Doppelgegentaktmodulator gestellten Anforderungen oft schwierig realisierbarer symmetrischer Eingangsübertrager eingespart ist. Die in einer speziellen Ausgestaltung vorgesehene einstellbare Strom-Gegenkopplung bedingt jedoch einen relativ hohen Ausgangswiderstand des Modulators, so daß im allgemeinen nur ein Teil der Ausgangsleistung an den Verbraucher abgegeben werden kann.
  • Es ist bereits ein Doppelgegentaktmodulator mit vier Transistoren bekannt, bei dem eine kombinierte Strom-Spannungs-Gegenkopplung vorgesehen ist. Der Ausgangsübertrager dieses Doppelgegentaktmodulators besitzt eine zusätzliche Symmetriewicklung zur Bildung der von der Modulatorausgangsspannung abhängigen Gegenkopplungsspannung.
  • Bei diesem Modulator ist das Eingangssignal unmittelbar an die Basisanschlüsse, d. h. an die Eingänge der Transistoren gelegt. Die Emitter der Transistoren sind paarweise miteinander verbunden, die Emitterverbindungen jeweils über einen Widerstand an die zusätzliche Sekundärwicklung des Ausgangsübertragers angeschlossen und mit einem Widerstand zur Strom-Gegenkopplung beschaltet. Strom-Gegenkopplung und Spannungs-Gegenkopplung können dabei für sich allein jeweils verändert werden, wozu jeweils das Verstellen zweier Widerstände erforderlich ist.
  • Es ist ferner ein Modulator in Gegentaktschaltung oder Doppelgegentaktschaltung bekannt, bei dem eine einstellbare Strom-Gegenkopplung vorgesehen ist. Die zur Strom-Gegenkopplung vorgesehenen Widerstände liegen dabei jeweils in einem dem Eingangs- und Ausgangskreis eines Transistors oder zweier Transistoren gemeinsamen Strompfad. Beim Einstellen des Gegenkopplungsgrades werden Eingangs- und Ausgangsimpedanz dieses Modulators verändert.
  • Auch bei einem weiteren vorbekannten Doppelgegentaktmodulator mit vier Transistoren sind in die jeweils zwei Transistoren gemeinsamen Emitterzuleitungen Widerstände eingefügt. Zur Anpassung ist dabei am Modulatorausgang ein Parallelwiderstand erforderlich.
  • Aufgabe der Erfindung ist es, einen verstärkenden Modulator in Einfach- oder Doppelgegentaktschaltung zu schaffen, bei dem die Symmetrieeigenschaften auch bei Gegenkopplung nicht beeinträchtigt sind.
  • Eine spezielle Aufgabe der Erfindung ist es, einen gegengekoppelten verstärkenden Modulator derart auszubilden, daß eine Änderung der Gegenkopplung den Ausgangswiderstand des Modulators nicht verändert.
  • Gemäß der Erfindung wird der verstärkende-Modulator derart ausgebildet, daß bei Doppelgegentaktschaltung den Eingängen der verstärkenden Elemente sowohl die Eingangsspannungen als auch eine in der Ausgangsschaltung gebildete Rückkopplungsspannung, die Rückkopplungsspannung dabei im Sinne einer Gegenkopplung für das Nutzseitenband, jeweils über ein insbesondere durch einen ohmschen Widerstand gebildetes Entkopplungsglied zugeführt sind und daß auch bei Einfachgegentaktschaltung die im Doppelgegentaktmodulator enthaltenen Entkopplungsglieder vorhanden sind.
  • Durch diese Maßnahmen ergibt sich der Vorteil, daß die Gegenkopplung bei geringer Gegenkopplungsleistung besonders weitgehend symmetrisch und von übertragersymmetrien in besonders großem Maße unabhängig ist.
  • In weiterer Ausgestaltung der Erfindung wird der verstärkende Modulator derart ausgebildet, daß die Ausgangsschaltung bei kombinierter Strom-Spannungs-Gegenkopplung durch einen Übertrager mit zwei angezapften Wicklungen gebildet ist, die über eine Serienschaltung aus zwei Widerständen miteinander verbunden sind, deren Abgriff an Bezugspotential liegt, so daß die Gegenkopplungsspannung zwischen den Anzapfungen der übertragerwicklungen anliegt. Es ist ferner zweckmäßig, an die Ausgangsschaltung, insbesondere an die Anzapfungen der Übertragerwicklungen, ein Gegenkopplungsnetzwerk anzuschließen. In weiterer Ausgestaltung der Erfindung ist das Gegenkopplungsnetzwerk durch insbesondere einstellbare, steuerbare und/oder frequenzabhängige Schaltmittel gebildet. Dabei ergibt sich in Verbindung mit der Strom-Spannungs-Gegenkopplung der wesentliche Vorteil, daß die Umsetzerverstärkung des Modulators ohne nachteilige Auswirkungen innerhalb weiter Grenzen variiert werden kann.
  • Es ist ferner zweckmäßig, den verstärkenden Modulator derart auszubilden, daß die verstärkenden Elemente durch Transistoren gebildet sind und daß bei Ausbildung des Modulators als Gegentaktmodulator die Emitter der Transistoren und bei Ausbildung des Modulators als Doppelgegentaktmodulator die Emitterverbindungen der kollektorseitig miteinander verbundenen Transistoren, insbesondere unmittelbar, zusammen- und an Versorgungsspannung geführt sind, und daß die Eingänge der verstärkenden Elemente durch die Basisanschlüsse der Transistoren gebildet sind. Dabei wird in vorteilhafter Weise der Verstärkungsfaktor der Transistoren voll ausgenutzt, so daß der Modulator eine nur geringe Trägerleistung und Signalleistung erfordert.
  • Man kann den Modulator ferner derart ausbilden, daß bei Einspeisung des Trägers in die Mittelanzapfungen zweier Sekundärwicklungen des Eingangsübertragers die äußeren Anschlüsse der Sekundärwicklungen jeweils über einen Widerstand an den Eingang eines von zwei, ein und demselben Paar angehörenden verstärkenden Elementen geführt sind; so daß jedem verstärkenden Element sowohl die Signalspannung als auch die Trägerspannung über ein und denselben Widerstand zugeführt ist.
  • Es kann sich als zweckmäßig erweisen, jedem ver= stärkenden Element den Träger und das Signal über je einen eigenen Widerstand zuzuführen, insbesondere derart, daß alle Eingänge der verstärkenden Elemente an ein und dasselbe Klemmenpaar für das Eingangssignal geführt sind und jeweils an einen von zwei einander gegenphasigen Ausgängen einer Trägerspannungsquelle gelegt sind.
  • In Weiterbildung der Erfindung wird der Modulator derart ausgebildet, daß das Gegenkopplungsnetzwerk einen abgestimmten Resonanzkreis enthält. Durch diese Maßnahmen wird erreicht, daß die Umsetzungsverstärkung des Modulators frequenzabhängig wird und daher die Wirkung eines Entzerrers, insbesondere bei der Pilotfrequenz, erzielt werden kann.
  • Die Erfindung wird an Hand der in den F i g.1 bis 4 dargestellten Ausführungsbeispiele näher erläutert. Es zeigen F i g. 1 und 2 jeweils einen Teil eines Gegentaktmodulators mit vier verstärkenden Elementen, F i g. 3 und 4 regelbare verstärkende Doppelgegentaktmodulatoren mit vier Transistoren.
  • In den Figuren sind Schaltmittel mit gleichen Funktionen mit gleichen Bezugszeichen versehen. Der Doppelgegentaktmodulator nach F i g. 1 enthält die verstärkenden Elemente 10, 20, 30, 40, die vom Signaleingang I aus mit dem Eingangssignal beaufschlagt werden. Von diesen verstärkenden Elementen werden, was in der Figur nicht näher dargestellt ist, abwechselnd die verstärkenden Elemente 10 und 30 einerseits und die verstärkenden Elemente 20 und 40 andererseits von einer Trägerspannung durchgesteuert. Das Eingangssignal wird an die Primärwicklung 51 des Eingangsübertragers 5 gelegt. Die Sekundärwicklung 52 des Eingangsübertragers 5 besitzt die äußeren Anschlüsse 311 und 312 und ist an die Klemmenpaare 31 und 31' geführt, an denen das Eingangssignal mit umgekehrter Polarität anliegt.
  • Das Klemmenpaar 31 ist über die Widerstände 21 und 22 an die Eingänge der verstärkenden Elemente 10 und 20 geführt, deren Ausgänge miteinander verbunden und an einen äußeren Anschluß der Ausgangsschaltung 100 gelegt sind. Am anderen eingangsseitigen Anschluß der Ausgangsschaltung 100 liegen die miteinander verbundenen Ausgänge der verstärkenden Elemente 30 und 40. Diese verstärkenden Elemente 30 und 40 werden vom Klemmenpaar 31' aus über die Widerstände 23 und 24 mit dem Eingangssignal beaufschlagt.
  • Die Ausgangsschaltung 100 gibt am Modulatorausgang II das Nutzseitenband und am Klemmenpaar IV eine Gegenkopplungsspannung ab. Die Ausgangsschaltung100 enthält den Ausgangsübertrager7, dessen Primärwicklungen 71 und 72 über den Widerstand 91 miteinander verbunden sind. Die aus den Primärwicklungen 71 und 72 und dem Widerstand 91 gebildete Serienschaltung bildet den Eingang der Ausgangsschaltung 100. Die Anzapfungen der Primärwicklungen 71 und 72 sind über das Gegenkopplungsnetzwerk 9 an das Klenimeripaar IV geführt, dessen eine Klemme über den Widerstand 15 an den Eingang des verstärkenden Elementes 10 und über den Widerstand 16 an den Eingang des verstärkenden Elementes 20 gelegt ist und dessen andere Klemme über den Widerstand 17an den Eingang des verstärkenden Elementes 30 und über' den Widerstand 18 an den Eingang des verstärkenden Elementes 40 geführt ist.
  • Der Doppelgegentaktrnodulator nach F i g. 2 unter-Wheidet sich von dem in F i g.1 dargestellten Doppelgegentaktmodulator lediglich dadurch, daß die Klemmenpaare 31 und 31' an die Anschlüsse verschiedener Sekundärwicklungen 82 bzw. 83 des Eingangsübertragers 8 gelegt sind. Von den Klemmen des Klemmenpaares 31 liegt die eine Klemme am
    Anfang.- .der Sekundärwicklung 82 - und die- andere
    Klemme-am Ende der-ändereii-Sekitndäxwicklun -83*
    g : .-
    geidem anderen Klemmenp.äar 3 .' -liegt die eine
    Klemme am :Ende der :-Sekundärwicklung ,8Z un;d die
    andere-ang, der Sekündär-.vicklung 83.= Die
    verstärkenden, Elei.ente10 20 .30 40 wer en p aär=
    weise im Takt einer Trägerfreqüenä -aus- und einge-
    schaltet, und zwar so, daß die aktiven Elemeute-20
    u.id 40 sperren; yvähren.d die:. aktiven. Elei#ente-0
    ürid 30 eingeschafftet sincl,,und umgekehrt., Dadurch
    erscheint -ein-- am Eingang
    ii 'i 1 anliegendes Signal -äin
    Aüsgärill in glytliinuWer Trägerfrequenz umgepolt.
    Werden -d-. iaktiven Elemente 2Q- und 4030; und
    4b oder 20 und 30 eritferint, -so erhält, man. einen:Ein-
    fachgegentaktmodulatör _
    Zur:Einfühxung-derGege_nk 15 opplüng werden die
    Widerstände 21 bis .-24- und bis.`1.8 so- dunen-
    siönrert,- daß eine uberdre ;Gegenkopplung
    Degen den Eingäng3 'entkoppelt
    ist,-Diese :Bedingnng muß bei höherenAnförderungen
    an. die Modülätönsegenschaften erfüllt sein, da -die
    gegengekoppelte- Spannung- ,eine. andere Frequenz-
    läge.als die #ingangsspanrzun hat. Ein.Fehlabschlüß
    des-Eingangs bei diesen außerhalb.,des EingangsJM
    fxequ6näbands: liegenden rreqzenzenfhätte sonst un-
    kontrollierte Schwänküngen= :der-- Ümsetzverstärlknng
    abhängig von- der @-1@#requenz zur- Folge, ähnlich -wie
    be'i Ringmödülätaren. - Sind-'die Eingängswideratände
    der, aktiven. Elemente 10, 2030. 40' gleich groß so
    wie hochohmig-gegen_de Widerstände 15 bis 18 und
    21 bis 24, so wird die@öbenstehende Bedingung er-
    füllt,- wen die -Widerstände 21; -22,. 23: und 24 einer-
    seits -und-, diederstäivdel5 :frs 18 -andererseits:je-
    weils gleiche Werte- haben
    Das .rhythmische Umschäften -vom aktiven Ale-
    meist 10 auf das aktive;Element 20'un@d vom aktiven
    Element 30- auf das aktive Element 40 polt die,gegen-
    gekoppelte Spannung .bzw Gegenkopplungsspannung
    nicht um, Die in den Ausführungsbeispielen- vorge-
    nommene- kombinierte Stroni-Spännühgs-Gegenköpp-
    lung -hält den Ausgängswiderstand@:des. Modulators
    auch bei Ariderung des Gegenkopplüngsgrads, insbe-
    sondere bei Regelung- .-der: :Umsetzungsverstärkung
    könstaÜt: ..
    Die :Ausgangsschaltung,äst_ äm Einfachgegentakt-
    modulator prinzipiell -dieselbe- wie- dm. Doppelgegen-
    täktmodülatotWerden- z. B. die aktiven Elemente 20
    und 40 entfern, so kann- man die Widerstände 22 mi
    1G-.und 24 mit- 18 zu jeweils. -einem- Widerstand zu-
    sammenfassen. _ _
    Der- in F i g,-3- dargestellte Doppelgegentaktmodü-
    lätär stellt.-eine Weiterbildung des in F i g. 2- gezeig-
    ten Doppelgegentaktrnödulätors där.rBei dein Ein-
    gangsüberträger 8, -an dessen -Primärwicklung 81 der
    Mödülatoreingang I liegt, :sind die. Sekundärwiek= ;
    lungen 82 und 83 als -Symmetriewicklungen. ausge-
    bildet,. deren, Mittelanzapfungen über die symme-
    frische Sekundärwicklung 62 des. Trägerübertragers 6
    miteinander verbunden . sind. Die Prima rwieldung 61
    des Trägerübertragers 6. ist mit -dem. Trägereingang III f
    verbunden. An der Mittelanäapfung der Sekundär-
    wiclduug62liegt -der-Abgriff eines an Betriebsspan-
    nung angeschlossenen, aus den Widerständen 94 und
    95 -bestehenden Spannungsteilers. Mit Ililfe: dieses
    Spannungsteilers -läßt sich eine Vors pannüng ein.- E
    stellen,-durch die der.-Stromflüßwinkel bei. -der. An-
    steuerung der-Transistoren gewählt bzw die Schwel-
    lenspännungkompensiert weiden -kann.
    Die. verstärkenden Elemente sind durch die Tran-
    sistoren 1, 2, 3 und 4.gebildet, deren Emitter unniit
    telbar-miteinander verbunden und an negative--Be-
    triebsspannung geführt sind:Die Eingänge der-ver-
    stärkenden Elemente sind durch die Basisanschlüsse
    der .Transistoren 1 bis 4 gebildet. Die Kollektoren der
    Transistoren -1 und -2 sind .miteinander verbunden
    Die Kollektoren der Transistoren.3_und 4.sind eben=
    falls zusammengeführt.-
    --Bei --
    _ .- der Ausgangsschaltung 100 .besteht- der Wider-
    stand 91= düs. einer durch die Widerstände 97,-und-93
    gebildeten- Serienschaltung,- deren Abgriff - an- posi-
    tiver-Betriebsspannung liegt. Das Gegenkopplungs=
    netzwerk ist durch den einstellbaren Widerstand 90
    gebildet. Das, Klemmenpaar-IV der" Ausgangsschal-
    tung 100- liegt am einstellbaren-Widerstand 94. Aus-
    gangsschaltung und Gegenkopplungsnetzwerk -kön-
    nen-auch auf andere Weise aus dem- Ausgangssigna!
    eine -Gegenkopplungssparinung erzeugen. -
    _ Bei dem- Doppelgegentaktmodulator-- sind.. die
    Widerstände 21 bis 24 gleich groß. Auch die Wider-
    stände 15 bis 18 stimmen zweekmäßigerweise über-
    ein. _-
    Der, in Fig,4 gezeigte Doppelgegentaktmodulator
    stellt eine Weiterbildung des in Fi g. 1- .gezeigten
    Döppelgegentäktmodülators, dar, Die verstärkenden
    Elemente sind-durch die Transistoren 1 bis 4 gebildet,
    deren Emiiter- unmittelbar--miteinander- verbunden
    u n d - . ä n -negativ - e Betrieb- sspannung gelegt sind= Die
    Ausgangssehältnng,100,. das - Gegenkopplungsnetz-
    wQrk_ nnd die Anschaltüng -der Ausgangsschaltung
    und des Gegenkopplunganetzwerkes an die. Träns-
    storen'ist in Übereinstimmung mit dem Doppelgegen-
    täktmodulator nach F i g. 3 ausgeführt. Die AnstQue-
    rung der Transistoren 1 bis 4 für, das Eingangssignal
    erfolgt-wie die Anst6uerung der verstärkenden Ele-
    mente bei - dem : Doppelgegentäktmodulator nach
    Fi 9-
    *Der Trägereingang 11I_ liegt an der Primärwick-
    lung-61 des Trägerübertragers 6, dessen symmetrische
    Sekundärwicklung 62 am Abgriff des aus den Wider-
    ständen-94 und 95 bestehenden an Betriebsspannung
    liegenden Spannungsteilers gelegt ist,- . .
    Der eine. äußere -Ansehluß der Seundärwicklung
    62 ist über den Widerstand 96 an die Basis des Trän=
    sistors-1 und über den Widerstand 97 an die Basis
    des Transistors 3 geführt. Der andere Anschluß der
    Sekundärwicklung 62 ist =über den Widerstand 98 an
    die Basis des Transistors 4 und über den Widerstand
    99 an die Basis des Transistors geführt.
    Wie -bei, dem Döppelgegentaktmodülator - nach
    Fi g. 3 -w erden die Wider- stände 21- bis. 2q. einerseits
    und .die. -Widerstände 15 bis 18 andererseits jeweils
    gleich bemessen: Darüber hinaus stimmen auch die
    Widerstände 96 bis 99 in ihren Werten zweck-
    mäßigerweise überein.-
    .Bei, -_
    den in Fig. 3 und 4. gezeigten Doppelgegen-
    täktmodulatoren bleibt die gegenseitige Entkopplung
    des Eingangs 1; Ausgangs.U -und des. - Trägerein-
    gangs Z11_ auch bei vorgenommener Gegenkopplung
    nach wie vor vorhanden. - -
    Die*-in, den Figuren gezeigten Modulatorschaltun-
    gen -weisen- eine besonders hohe Umsetzungsverstär-
    kung bei=großer.Stabilität,-Symmetrie-und Klirrfrei-
    heit des Mädülators aufs -
    Bei den Doppelgegentaktmodulätoren ist jeweils
    eine Rückkopplungsschaltung vom Modulatoraüs-
    gang zum Eingang der aktiven bzwverstärkenden
    Elemente des Modulators derart vorgesehen, daß am Signaleingang des Modulators die rückgekoppelte Energie nicht auftritt. Signaleingang und Gegenkopplung sind durch eine Brückenschaltung entkoppelt, so daß die rückgekoppelte Energie vom Umsetzungsvorgang im Modulator nicht erfaßt wird.
  • Der Ausgangswiderstand des Modulators kann durch die Gegenkopplung festgelegt werden. Gegenüber Schaltungen, bei denen der Ausgangswiderstand durch einen Lastwiderstand von der Größe des Ausgangswiderstands gebildet wird, kann die Ausgangsleistung auf etwa die Hälfte reduziert werden.
  • Durch die Gegenkopplung werden auch die Ausgangsgrößen der aktiven Elemente des Modulators mit erfaßt, und zwar wegen der vorhandenen Entkopplung vom Eingang unabhängig von dem am Modulatoreingang anliegenden Generatorwiderstand. Bei den Ausführungsbeispielen nach F i g. 3 und 4 äußert sich dies darin, daß bei den Transistoren die Kollektorströme, nicht jedoch die Emitterströme gegengekoppelt sind.
  • Der im Gegenkopplungsnetzwerk enthaltene Widerstand 90, der auch zusätzlich zu weiteren Schaltmitteln vorgesehen sein kann, läßt sich besonders vorteilhaft als Stellglied zur vorzugsweise pilotgesteuerten Regelung der Umsetzungsverstärkung einsetzen. Die Unsymmetrien des Stellglieds stören im Gegenkopplungszweig weniger als bei vergleichbaren bekannten Schaltungen zur Regelung der Umsetzungsverstärkung.
  • Durch die Einführung frequenzabhängiger Elemente in den Gegenkopplungszweig kann der Frequenzgang beeinflußt werden. Durch einen auf die Pilotfrequenz abgestimmten Resonanzkreis läßt sich ein in einer pilotgeregelten Einrichtung in Verbindung mit dem Modulator vorgesehener Pilotentzerrer besonders einfach realisieren.

Claims (7)

  1. Patentansprüche: 1. Verstärkender, rückgekoppelter Modulator mit wenigstens zwei verstärkenden Elementen, insbesondere für Einrichtungen der Trägerfrequenztechnik, bei dem bei Ausbildung als Doppelgegentaktmodulator vier verstärkenden Elementen über einen symmetrischen Trägerübertrager paarweise die eine oder andere Phase der Trägerspannung zugeführt wird, den zu ein und demselben Paar gehörenden verstärkenden Elementen verschiedene Phasen des Eingangssignals zugeführt werden und die Ausgänge von verschiedenen Paaren angehörenden und mit verschiedenen Phasen des Eingangssignals beaufschlagten verstärkenden Elementen jeweils miteinander verbunden und je an einen äußeren Anschluß einer symmetrischen Ausgangsschaltung gelegt sind, dadurch gekennzeichnet, daß bei Doppelgegentaktschaltung den Eingängen der verstärkenden Elemente (10, 20, 30, 40) sowohl die Eingangsspannungen als auch eine in der Ausgangsschaltung (100) gebildete Rückkopplungsspannung dabei im Sinne einer Gegenkopplung für das Nutzseitenband, jeweils über ein insbesondere durch einen ohmschen Widerstand (15 bis 18 bzw. 21 bis 24 bzw. 96 bis 99) gebildetes Entkopplungsglied zugeführt sind und daß auch bei Einfachgegentaktschaltung die im Doppelgegentaktmodulator enthaltenen Entkopplungsglieder sind.
  2. 2. Verstärkender Modulator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausgangsschaltung bei kombinierter Strom-Spannungs-Gegenkopplung durch einen Übertrager mit zwei angezapften Wicklungen (71, 72) gebildet ist, die über eine Serienschaltung aus zwei Widerständen (92, 93) miteinander verbunden sind, deren Abgriff an Bezugspotential liegt, so daß die Gegenkopplungsspannung zwischen den Anzapfungen der übertragerwicklungen (71, 72) anliegt.
  3. 3. Verstärkender Modulator nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß an die Ausgangsschaltung (100), insbesondere an die Anzapfungen der Übertragerwicklungen (71, 72), ein Gegenkopplungsnetzwerk (9) angeschlossen ist.
  4. 4. Verstärkender Modulator nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Gegenkopplungsnetzwerk (9) durch insbesondere einstellbare, steuerbare und/oder frequenzabhängige Schaltmittel (Widerstand 90) gebildet ist.
  5. 5. Verstärkender Modulator nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die verstärkenden Elemente (10, 20, 30, 40) durch Transistoren (1, 2, 3, 4) gebildet sind und daß bei Ausbildung des Modulators als Gegentaktmodulator die Emitter der Transistoren (1, 3 bzw. 1, 2 bzw. 1, 4 bzw. 3, 4) und bei Ausbildung des Modulators als Doppelgegentaktmodulator die Emitterverbindungen der kollektorseitig miteinander verbundenen Transistoren (1, 2 bzw. 3, 4) insbesondere unmittelbar, zusammen- und an Versorgungsspannung geführt sind und daß die Eingänge der verstärkenden Elemente (10, 20, 30, 40) durch die Basisanschlüsse der Transistoren (1, 2, 3, 4) gebildet sind.
  6. 6. Verstärkender Modulator nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß bei Einspeisung des Trägers in die Mittelanzapfungen zweier Sekundärwicklungen (82, 83) des Eingangsübertragers (8) die äußeren Anschlüsse der Sekundärwicklungen (82, 83) jeweils über einen Widerstand (21, 24 bzw. 22, 23) an den Eingang eines von zwei ein und demselben Paar (1, 4 bzw. 2, 3) angehörenden verstärkenden Elementen geführt sind, so daß jedem verstärkenden Element sowohl die Signalspannung als auch die Trägerspannung über ein und denselben Widerstand (21 bis 24) zugeführt ist.
  7. 7. Verstärkender Modulator nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß jedem verstärkenden Element der Träger und das Signal über je einen eigenen Widerstand zugeführt sind, insbesondere derart, daß alle Eingänge der verstärkenden Elemente an ein und dasselbe Klemmenpaar (311, 312) für das Eingangssignal geführt sind und jeweils an einen von zwei einander gegenphasigen Ausgängen einer Trägerspannungsquelle gelegt sind. B. Verstärkender Modulator nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Gegenkopplungsnetzwerk einen abgestimmten Resonanzkreis enthält.
DE1967S0112748 1967-11-08 1967-11-08 Verstaerkender, rueckgekoppelter Modulator Withdrawn DE1297693B (de)

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB999406A (en) * 1962-09-05 1965-07-28 Ericsson Telefon Ab L M An amplitude modulator
GB1035377A (en) * 1963-11-27 1966-07-06 Ericsson Telefon Ab L M Transistor amplitude modulators
GB1076689A (en) * 1964-12-16 1967-07-19 Philips Electronic Associated Improvements in and relating to push-pull transistor modulators

Patent Citations (3)

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