DE1280121B - Verfahren zur wahlweisen Herstellung eines keramischen Dielektriums oder eines Halbleiterwiderstandes mit positivem Temperaturkoeffizienten - Google Patents
Verfahren zur wahlweisen Herstellung eines keramischen Dielektriums oder eines Halbleiterwiderstandes mit positivem TemperaturkoeffizientenInfo
- Publication number
- DE1280121B DE1280121B DED43093A DED0043093A DE1280121B DE 1280121 B DE1280121 B DE 1280121B DE D43093 A DED43093 A DE D43093A DE D0043093 A DED0043093 A DE D0043093A DE 1280121 B DE1280121 B DE 1280121B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- sintering
- production
- semiconductor resistor
- semiconductor
- ceramic dielectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 31
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 13
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 claims description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000003570 air Substances 0.000 claims description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 3
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 claims 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 4
- HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N lead oxide Chemical compound [O-2].[Pb+2] HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N strontium oxide Chemical compound [O-2].[Sr+2] IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- BDAGIHXWWSANSR-NJFSPNSNSA-N hydroxyformaldehyde Chemical compound O[14CH]=O BDAGIHXWWSANSR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910000018 strontium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 150000003482 tantalum compounds Chemical class 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
- C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
- C04B35/468—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates
- C04B35/4682—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates based on BaTiO3 perovskite phase
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/02—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/02—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient
- H01C7/022—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient mainly consisting of non-metallic substances
- H01C7/023—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient mainly consisting of non-metallic substances containing oxides or oxidic compounds, e.g. ferrites
- H01C7/025—Perovskites, e.g. titanates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1254—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on niobium or tungsteen, tantalum oxides or niobates, tantalates
- H01G4/1263—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on niobium or tungsteen, tantalum oxides or niobates, tantalates containing also zirconium oxides or zirconates
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
mit positivem Temperaturkoeffizienten durch Sintern *5 unterscheidet, herzustellen,
eines Gemisches herzustellen, das im wesentlichen aus Nachstehend wird die Erfindung in Verbindung
eines Gemisches herzustellen, das im wesentlichen aus Nachstehend wird die Erfindung in Verbindung
Bariumtitanat und Zusätzen besteht. Als Beispiele für mit einigen Ausführungsbeispielen näher erläutert,
solche Zusätze sind neben Yttriumoxyd, Wismutoxyd, Alle Sintergemische können etwa auf die folgende
solche Zusätze sind neben Yttriumoxyd, Wismutoxyd, Alle Sintergemische können etwa auf die folgende
Antimonoxyd, Wolframoxyd und Oxyden der seltenen Weise hergestellt werden: Pulverförmiges Barium-Erden
auch schon Tantalverbindungen genannt wor- so karbonat, Titandioxyd und Tantalpentoxyd, gegeden.
Als Sintertemperaturen werden große Bereiche benenfalls Bleioxyd oder Strontiumkarbonat, werden
zwischen 1000 und 15000C angegeben.
Die beiden Fachgebiete der Herstellung von keramischen Dielektrika und der Halbleiterwiderstände
laufen nebeneinander her. Es wurde bisher immer nur versucht, die Zusätze zum Bariumtitanat so auszuin
den erforderlichen Mengen ausgewogen und in einer Kugelmühle gemischt. Alsdann wird das Gemisch
einer Vorsinterung bei 900 bis 11000C, vorzugsweise
10000C, für etwa 2 Stunden unterworfen. Daraufhin wird die Masse in einer in der keramischen
Technik üblichen Weise, z. B. durch Pressen, in die gewünschte Form gebracht und gesintert.
Bei diesem Sintervorgang entscheidet es sich, ob
zum Bariumtitanat so
wählen, daß entweder ein keramisches Dielektrikum mit optimalen Eigenschaften hinsichtlich der Temperaturbeständigkeit
der Dielektrizitätskonstante oder
ein Halbleiterwiderstand mit gewünschten Widerstands- 3<
> das Endprodukt ein keramisches Dielektrikum oder werten, die sich in Abhängigkeit von der Temperatur ein Halbleiterwiderstand wird. Die jeweilige Sinterändern
sollen, erzielt wird. temperatur und Sinterzeit richtet sich nach der je-. Die Erfindung betrifft die überraschende Tatsache, weiligen Zusammensetzung des Sintergemisches,
daß man beim Herstellen eines keramischen Dielektn- Grundsätzlich läßt sich hierbei feststellen:
kums und eines Halbleiterwiderstandes mit positivem Temperaturkoeffizienten mit dem gleichen Ausgangsgemisch
arbeiten kann, wobei sich die unterschiedlichen Endprodukte mit den jeweils gewünschten Eigenschaften
lediglich durch eine unterschiedliche Temperaturbehandlung beim Sintern ergeben. Dies geschieht
dadurch, daß ein Sintergemisch, das im wesentlichen aus Bariumtitanat oder einer Mischung von Stoffen,
die beim Erhitzen im wesentlichen Bariumtitanat ergeben, mit einem Zusatz von 0,05 bis 0,3, vorzugsweise
0,1 bis 0,2 Molprozent Tantalpentoxyd verwendet wird, das bei der Herstellung eines Dielektrikums bei
1150 bis 12800C bzw. bei der Herstellung eines Halbleiterwiderstands
bei 1320 bis 135O0C jeweils in Luft, Sauerstoff oder Stickstoff gesintert wird.
Auf diese Weise lassen sich unter Verwendung der gleichen Ausgangsmaterialien und unter Beibehaltung
der gleichen Verfahrensschritte lediglich durch eine Steuerung der Temperatur und gegebenenfalls der
Zeit beim Sintern die gewünschten Endprodukte erzeugen. Es ist einleuchtend, daß hierdurch eine bestehende
Anlage zur Herstellung solcher elektrischen Keramikteile besser ausgenutzt werden kann und sich
auch die Fertigungskosten verringern lassen.
Insbesondere kann die Sinterzeit für das keramische Dielektrikum größer, vorzugsweise um ein Mehrfaches
größer sein als die Sinterzeit für den Halbleiterwiderstand. Auf diese Weise lassen sich im allgemeinen
Halbleiterwiderstände mit besonders niedrigem Kaltwiderstand herstellen.
Sämtliche Vorbereitungsschritte vor dem Sintern können für die beiden Endprodukte gleich sein. Insbesondere
kann das Sintergemisch unabhängig vom angestrebten Erzeugnis in an sich bekannter Weise bei
a) Wenn in beiden Fällen mit der gleichen Sinterzeit gearbeitet wird, genügen relativ kleine Unterschiede
zwischen den Sintertemperaturen, also beispielsweise 10 bis 500C. In dem Beispiel 4 a der
nachstehenden Tabelle wird von einer Sinterzeit von 60 Minuten ausgegangen. Hierbei beträgt die
Sintertemperatur für die Herstellung eines Dielektrikums 128O0C, während die Sinterzeit für die
Herstellung eines Halbleiterwiderstandes 132O0C
beträgt. Das entspricht einem Temperaturunterschied von 400C. Im Beispiel 6 ergeben sich die
Werte 1225°C/1180°C/45oC.
b) Oftmals ist es zweckmäßig, wenn die Sinterzeit für das keramische Dielektrikum größer oder sogar
wesentlich größer ist als diejenige für den Halbleiterwiderstand. Auf die Beispiele 4 und 4 a der
nachstehenden Tabelle sei verwiesen, aus denen sich ergibt, daß der Kaltwiderstand des Halbleiterkörpers
bei sehr kurzer Sinterzeit von 2 Minuten wesentlich geringer wird als bei einer Sinterzeit von 60 Minuten. Diese Verkürzung der
Sinterzeit hat aber eine Erhöhung der Sintertemperatur zur Folge, so daß zwischen den beiden
Sintertemperaturen für das keramische Dielektrikum und für den Halbleiterwiderstand eine
größere Differenz als die oben angegebene von 10 bis 500C auftritt.
In der Tabelle ist in den Beispielen 1 bis 5 die Tantalpentoxyd-Zusatzmenge
geändert, in den Beispielen 6 bis 9 Bleioxyd zugefügt, im Beispiel 10 gegenüber Beispiel 9 nochmals der Tantalpentoxydanteil verändert
worden. Außerdem wurde in dem Beispiel 4 a
gegenüber dem Beispiel 4 eine Änderung der Sinterzeit und der Sintertemperatur vorgenommen.
In den Diagrammen sind von den Proben der Beispiele 4, 6 und 9 jeweils der Verlauf der Dielektrizitätskonstante
Br (F i g. 1), des Verlustfaktors tg<5 (F i g. 2)
und des relativen Widerstandes R/R25 0C (Fig. 3)
in Abhängigkeit von der Temperatur aufgetragen. Man sieht daraus, daß sich in jedem Fall Dielektrika
und Halbleiterwiderstände mit einwandfrei brauchbaren Eigenschaften ergeben.
IO Für das Sinterverfahren im einzelnen gelten die an
sich üblichen Bedingungen. Insbesondere soll das Sintern in einer oxydierenden oder neutralen Atmosphäre
stattfinden, z. B. in atmosphärischer Luft, Sauerstoff oder Stickstoff. Die Ausgangsmaterialien
sollten möglichst rein sein. Der Ausdruck »im wesentlichen« in Verbindung mit Bariumtitanat soll anzeigen,
daß einer der üblichen Austauschstoffe, z. B. Bleioxyd, Strontiumoxyd, Zinnoxyd, Zirkoniumoxyd u. dgl.,
anwesend sein kann.
| Zusammensetzung des Ausgangsmaterials in Mol |
PbO | TiO2 | Ta2O6 | Halbleiterwiderstand | ter- zeit |
spezifischer Widerstand |
Sint tempe ratur |
Keramisches Dielektrikum | 5r- zeit |
spezifischer Widerstand |
relative Di elektrizitäts konstante |
Verlust faktor tg<5 ■ 10-*, |
|
| Nr. | BaO | O | 51,75 | 0,050 | Sin tem peratur |
Min. | Ohm cm | 0C | Min. | Ohmcm-lO12 | εΓϊ 25° C | 25° C | |
| 48,25 | O | 51,75 | 0,0675 | 0C | 2 | 250 | 1270 | 60 | 9 | 2390 | 1,85 | ||
| 1 | 48,25 | O | 51,75 | 0,075 | 1340 | 2 | 160 | 1270 | 60 | 12 | 2440 | 2,05 | |
| 2 | 48,25 | O | 51,75 | 0,0825 | 1340 | 2 | 45 | 1265 | 60 | 8 | 2580 | 2,10 | |
| 3 | 48,25 | 1340 | 2 | 70 | 1280 | 60 | 6 | 2530 | 1,90 | ||||
| 4 | O | 51,75 | 0,090 | 1340 | 60 | 600 | |||||||
| 4a | 48,25 | O | 51 | 0,0825 | 1320 | 2 | 50 | 1265 | 60 | 7 | 2330 | 2,10 | |
| 5 | 49 | 2 | 51 | 0,0825 | 1340 | 60 | 150 | 1180 | 60 | 15 | 1960 | 1,60 | |
| 6 | 47 | 4 | 51 | 0,0825 | 1225 | 2 | 50 | 1265 | 60 | 4 | 1940 | 2,65 | |
| 7 | 45 | 6 | 51 | 0,0825 | 1340 | 2 | 50 | 1210 | 60 | 7 | 1450 | 2,50 | |
| 8 | 43 | 6 | 51 | 0,0750 | 1340 | 2 | 100 | 1265 | 60 | 9 | 1390 | 2,85 | |
| 9 | 43 | 1340 | 2 | 90 | 1270 | 60 | 8 | 1330 | 2,70 | ||||
| 10 | 1340 | ||||||||||||
Claims (6)
1. Verfahren zum wahlweisen Herstellen im wesentlichen aus Bariumtitanat mit Tantalpentoxydzusatz
bestehender keramischer Dielektrika oder Halbleiterwiderstände mit positivem Temperaturkoeffizienten
durch Sintern, dadurchgekennzeichnet, daß ein Sintergemisch mit 0,05 bis 0,3, vorzugsweise 0,1 bis 0,2 Molprozent
Tantalpentoxyd verwendet wird, das bei der Herstellung eines Dielektrikums bei 1150 bis 128O0C
bzw. bei der Herstellung eines Halbleiterwiderstands bei 1320 bis 135O0C jeweils in Luft, Sauerstoff
oder Stickstoff gesintert wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Sinterzeit für das keramische
Dielektrikum größer, vorzugsweise um ein Mehrfaches größer ist als die Sinterzeit für den Halbleiterwiderstand.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Sintergemisch unabhängig
vom angestrebten Erzeugnis in an sich bekannter Weise bei Temperaturen von etwa 900 bis 11000C,
vorzugsweise bei 1000° C, vorgesintert wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Barium teilweise
durch Strontium oder Blei ersetzt ist.
5. Keramischer Kondensator, dadurch gekennzeichnet, daß er nach dem Verfahren eines der Ansprüche
1 bis 4 hergestellt ist.
6. Widerstand aus halbleitendem Material, dadurch gekennzeichnet, daß er nach dem Verfahren
eines der Ansprüche 1 bis 4 hergestellt ist.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DED43093A DE1280121B (de) | 1963-12-05 | 1963-12-05 | Verfahren zur wahlweisen Herstellung eines keramischen Dielektriums oder eines Halbleiterwiderstandes mit positivem Temperaturkoeffizienten |
| FR996842A FR1416206A (fr) | 1963-12-05 | 1964-11-30 | Procédé pour fabriquer à volonté un diélectrique céramique ou une résistance semiconductrice présentant un coefficient de température positif |
| GB49499/64A GB1094200A (en) | 1963-12-05 | 1964-12-04 | Sintered compacts, and ceramic dielectrics and semi-conductors constituted thereby |
| US416337A US3474043A (en) | 1963-12-05 | 1964-12-07 | Method of manufacturing ceramic dielectrics and resistances from the same composition ceramic material |
| NL6414368A NL6414368A (de) | 1963-12-05 | 1964-12-10 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DED43093A DE1280121B (de) | 1963-12-05 | 1963-12-05 | Verfahren zur wahlweisen Herstellung eines keramischen Dielektriums oder eines Halbleiterwiderstandes mit positivem Temperaturkoeffizienten |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1280121B true DE1280121B (de) | 1969-03-27 |
Family
ID=7047332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DED43093A Pending DE1280121B (de) | 1963-12-05 | 1963-12-05 | Verfahren zur wahlweisen Herstellung eines keramischen Dielektriums oder eines Halbleiterwiderstandes mit positivem Temperaturkoeffizienten |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3474043A (de) |
| DE (1) | DE1280121B (de) |
| FR (1) | FR1416206A (de) |
| GB (1) | GB1094200A (de) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5120716B1 (de) * | 1970-04-28 | 1976-06-26 | ||
| US4055438A (en) * | 1971-06-02 | 1977-10-25 | Ngk Insulators, Ltd. | Barium titanate ceramic |
| USRE29484E (en) * | 1973-03-24 | 1977-11-29 | Nippon Electric Company, Limited | Barium titanate base ceramic composition having a high dielectric constant |
| US3912527A (en) * | 1973-03-24 | 1975-10-14 | Nippon Electric Co | Barium titanate base ceramic composition having a high dielectric constant |
| JPS547070B2 (de) * | 1973-07-30 | 1979-04-03 | ||
| US4544677A (en) * | 1984-04-10 | 1985-10-01 | General Electric Company | Foamable polycarbonate compositions, articles and methods |
| JP2001130957A (ja) * | 1999-11-02 | 2001-05-15 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体磁器、半導体磁器の製造方法およびサーミスタ |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB755860A (en) * | 1953-12-12 | 1956-08-29 | George Victor Planer | Improvements in or relating to electrical ceramics |
| US2989483A (en) * | 1958-11-07 | 1961-06-20 | Bosch Arma Corp | Method of making polarized titanate ceramics |
| US3231799A (en) * | 1962-09-12 | 1966-01-25 | Sprague Electric Co | Modified barium titanate ceramic materials and capacitor |
| US3268783A (en) * | 1965-10-05 | 1966-08-23 | Murata Manufacturing Co | Capacitor comprising an nu-type semiconductor metallic oxide and a layer of compensated material |
-
1963
- 1963-12-05 DE DED43093A patent/DE1280121B/de active Pending
-
1964
- 1964-11-30 FR FR996842A patent/FR1416206A/fr not_active Expired
- 1964-12-04 GB GB49499/64A patent/GB1094200A/en not_active Expired
- 1964-12-07 US US416337A patent/US3474043A/en not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| None * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US3474043A (en) | 1969-10-21 |
| FR1416206A (fr) | 1965-10-29 |
| GB1094200A (en) | 1967-12-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE2943812C2 (de) | ||
| DE2702071C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Kondensatorkeramik auf Strontiumtitanatbasis | |
| DE19622690B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Monolithischen Keramikkondensators | |
| DE2915409C2 (de) | ||
| DE1490659A1 (de) | Gesinterter elektrischer Kaltleiterwiderstandskoerper und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE1280121B (de) | Verfahren zur wahlweisen Herstellung eines keramischen Dielektriums oder eines Halbleiterwiderstandes mit positivem Temperaturkoeffizienten | |
| DE2909098C3 (de) | Sinterkörper aus halbleitendem keramischem Material auf Basis von mit Niob oder Tantal dotiertem Strontiumtitanat mit einer elektrisch isolierenden Schicht an den Korngrenzen | |
| DE1303160B (de) | Verfahren zur Herstellung eines durch Fremdionen halbleitend gemachten elektrischen Sperrschichtkondensators. | |
| DE1293519B (de) | Verfahren zur Herstellung von dielektrischen oder halbleitenden Oxidschichten | |
| DE69613928T2 (de) | Piezoelektrische Keramik und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| DE1244038B (de) | Verfahren zur Herstellung von halbkristallinen keramischen Koerpern mit hoher Dielektrizitaetskonstante | |
| DE1182131B (de) | Ferroelektrischer keramischer Halbleiter | |
| DE2921807A1 (de) | Halbleiterkeramikkondensator und verfahren zu seiner herstellung | |
| DE1771923B1 (de) | Calciniertes bariumtitanatpulver und verfahren zu seiner herstellung | |
| DE1139063B (de) | Verfahren zur Herstellung von keramischen Isolierstoffen fuer Kondensatordielektriken | |
| DE2930634A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines dielektrischen materials mit innerhalb des volumens verteilten isolierenden barrieren | |
| DE1261602B (de) | Verfahren zum Herstellen von elektrischen Kondensatoren oder Gleichrichtern oder aehnlichen elektrischen Bauelementen mit einem Koerper aus keramischem Material hoher DK | |
| EP0208368B1 (de) | Verfahren zur Herstellung keramischer Sinterkörper | |
| DE2441450C3 (de) | Keramikkondensator und Verfahren seiner Herstellung | |
| DE1063514B (de) | Verfahren zur Herstellung eines gesinterten Titanatkoerpers sehr hoher Dielektrizitaetskonstante | |
| AT234867B (de) | Semikristalliner keramischer Körper mit hoher Dielektrizitätskonstante und Verfahren sowie Glas zur Herstellung desselben | |
| DE19817481C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Kaltleiterwerkstoffes | |
| DE1471445C (de) | Elektrischer Widerstand auf der Basis von Perowskitmatenal und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DEP0040459DA (de) | Elektrischer Isolator | |
| DE969037C (de) | Verfahren zur Herstellung gesinterter Titanatkoerper |