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DE1275591B - Transistor-Sperrschwingerschaltung - Google Patents

Transistor-Sperrschwingerschaltung

Info

Publication number
DE1275591B
DE1275591B DE1959J0016150 DEJ0016150A DE1275591B DE 1275591 B DE1275591 B DE 1275591B DE 1959J0016150 DE1959J0016150 DE 1959J0016150 DE J0016150 A DEJ0016150 A DE J0016150A DE 1275591 B DE1275591 B DE 1275591B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
transistor
blocking oscillator
voltage
transformer
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE1959J0016150
Other languages
English (en)
Inventor
Werner Ruess
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
IBM Deutschland GmbH
Original Assignee
IBM Deutschland GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by IBM Deutschland GmbH filed Critical IBM Deutschland GmbH
Priority to DE1959J0016150 priority Critical patent/DE1275591B/de
Publication of DE1275591B publication Critical patent/DE1275591B/de
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/26Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
    • H03K3/30Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using a transformer for feedback, e.g. blocking oscillator

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)

Description

  • Transistor-Sperrschwingerschaltung Die Erfindung betrifft eine durch Impulse auslösbare Transistor-Sperrschwingerschaltung zur Erzeugung von Gleichstromimpulsen mit einer von der Belastung weitgehend unabhängigen Stromstärke.
  • Für zahlreiche Anwendungen der Impulstechnik sind Impulsquellen mit einer von der Belastung weitgehend unabhängigen Stromstärke erforderlich. Derartige Impulsquellen werden beispielsweise zum Betrieb von Magnetkernspeichern benötigt, da einerseits die Auswahl eines bestimmten Kernes oder einer bestimmten Kerngruppe im allgemeinen durch die überlagerung zweier »Halbstromimpulse« erfolgt, die gemeinsam den betreffenden Kern mit Sicherheit umschalten, die aber für sich allein mit Sicherheit keine Umschaltung bewirken, und da andererseits die bei der Zuführung eines Impulses auftretende Gegenspannung außer von der Anzahl der von der Leitung durchsetzten Kerne weitgehend auch vom Schaltzustand dieser Kerne abhängig ist.
  • Bei den bisher bekanntgewordenen Transistor-Sperrschwingerschaltungen wurde der Transistor in den Sättigungsbereich der Kennlinie ausgesteuert. Da der innere Widerstand eines Transistor-Ausgangskreises im linearen Kennlinienbereich zwar sehr hoch, im Sättigungsbereich dagegen sehr klein ist, mußte der im Ausgang auftretende Strom durch Einschalten eines Widerstandes begrenzt werden. Auf diese Weise konnte aber eine Unabhängigkeit der Stromstärke von der jeweiligen Belastung nur angenähert erreicht werden, da der Begrenzungswiderstand aus Gründen der Wirtschaftlichkeit eine bestimmte Größe nicht überschreiten darf.
  • In der USA.-Patentschrift 2 810 080 wird eine durch Impulse auslösbare Transistor-Sperrschwingerschaltung zur Erzeugung von Gleichstromimpulsen angegeben, die mit positiver Rückkopplung arbeitet und den Transistor in das Sättigungsgebiet steuert. Da irgendwelche auf wechselnde Belastungen abzielende Stabilisierungsmaßnahmen jedoch nicht angegeben sind, eignen sich derartige Transistor-Sperrschwingerschaltungen nicht für die oben angegebenen Zwecke.
  • In der deutschen Auslegeschrift 1023 082 und in der Zeitschrift »Wireless World« vom Dezember 1955, S. 582 bis 586, werden selbstschwingende Transistor-Sperrschwingerschaltungen angegeben. Dabei soll die Spannung der erzeugten Gleichstromimpulse stabilisiert und unabhängig von der Belastung und allenfalls auch von wechselnden Transistoreigenschaften und Speisespannungsschwankungen gemacht werden. Der durch die Belastung fließende Strom ist dann je nach der Größe der Belastung veränderlich. Die Spannungsstabilisierung wird dabei mit Mitteln erreicht, die sich von den beim Erfindungsgegenstand verwendeten unterscheiden. So wird gemäß der genannten Auslegeschrift mit Gegenkopplung, also negativer Rückkopplung gearbeitet, die nach überschreiten eines Schwellwertes die Selbsterregung der Schaltung beeinflußt. Bei den Schaltungen nach den F i g. 7 und 8 von »Wireless World« wird die Ausgangsspannung nach überschreiten einer Bezugsspannung zur Aufladung der Speisebatterie oder zur Durchführung eines Gegenkopplungsvorganges herangezogen und damit im Ergebnis abgesenkt. Auch die beiden zuletzt genannten Literaturstellen beziehen sich nicht auf Transistor-Sperrschwingerschaltungen zur Erzeugung von Gleichstromimpulsen mit einer von der Belastung weitgehend unabhängigen Stromstärke.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die obengenannten Nachteile zu vermeiden und eine Transistor-Sperrschwingerschaltung zur Erzeugung von Gleichstromimpulsen anzugeben, deren Stromstärke weitgehend von der Belastung unabhängig ist.
  • Diese Aufgabe wird durch eine durch Impulse auslösbare Transistor-Sperrschwingerschaltung zur Erzeugung von Gleichstromimpulsen mit einer von der Belastung weitgehend unabhängigen Stromstärke gelöst, die dadurch gekennzeichnet ist, daß im Ausgangskreis ein übertrager zur positiven Rückkopplung der Impulse in den Eingangskreis angeordnet ist und daß der übertrager so ausgelegt und mit derartigen spannungsbegrenzenden Mitteln verbunden ist, daß der Transistor durch den rückgekoppelten Strom nur außerhalb des Sättigungsbereichs gesteuert wird.
  • Eine besonders vorteilhafte Ausführungsform der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß als spannungsbegrenzendes Mittel eine einer übertragerwicklung parallelgeschaltete Zenerdiode vorgesehen ist. Eine andere vorteilhafte Ausführungsform des Erfindungsgedankens ist dadurch gekennzeichnet, daß als spannungsbegrenzendes Mittel ein besonderer Begrenzerkreis mit Begrenzerdiode vorgesehen ist. Dabei hat es sich als besonders vorteilhaft erwiesen, den Begrenzerkreis mit einer besonderen Wicklung eines den Ausgangskreis und den Eingangskreis koppelnden Übertragers zu verbinden.
  • Eine weitere vorteilhafte Ausgestaltung der Erfindung ist ferner dadurch gekennzeichnet, daß die Speisespannung als Bezugspotential für den Begrenzerkreis verwendet wird.
  • Der Kern des den Ausgangskreis mit dem Eingangskreis und gegebenenfalls den Begrenzerkreis koppelnden Übertragers kann aus einem eine rechteckige Hystereseschleife aufweisenden Material bestehen. Es ist aber auch möglich, den Kern aus weichmagnetischem Material herzustellen und den Flußhub durch eine variable Vormagnetisierung zur Definierung der Impulsdauer einstellbar zu machen.
  • Eine andere besonders vorteilhafte Ausführungsform der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß der übertragerkern aus einem Material mit ausgeprägter Sättigung besteht. Das Verhältnis des Flußhubes zur Begrenzerspannung wird durch die Bemessung der Vormagnetisierungsspannung derart konstant gehalten, daß die Impulslänge unabhängig von Schwankungen der Begrenzerspannung ist. Die Impulslänge kann auch durch eine die Änderung der Induktivität bewirkende Änderung des Kernluftspaltes eingestellt werden.
  • Die Erfindung wird anschließend an Hand der Figuren näher erläutert. Es zeigt F i g. 1 eine Transistor-Sperrschwingerschaltung, deren Ausgang mit einem an sich bekannten Magnetkern-Schiebespeicher verbunden ist, F i g. 2 die graphische Darstellung der Magnetisierungskennlinie des übertragerkernmaterials der Anordnung gemäß F i g. 1, F i g. 3 die graphische Darstellung des zeitlichen Verlaufs der vom Kollektorstrom hervorgerufenen Durchflutung des übertragerkerns, F i g. 4 Durchflutungsverläufe, hervorgerufen durch die Rückkopplungs- und Begrenzerwicklungen. Der in F i g. 1 mit 1 bezeichnete Transistorsperrschwinger besteht aus dem PNP-Transistor 2, dessen Basis mit der +12-Volt-Klemme einer Stromquelle verbunden ist.
  • Der Kollektor des Transistors 2 ist über die Wicklung I des Übertragers T und über die Leitung 27 mit der --12-Volt-Klemme der Stromquelle verbunden. Die Impuls-Auslösesignale werden über die Klemme 4 und den Magnetkern 5 in den Emitterkreis 6 eingespeist, der die +12-Volt-Klemme über eine Diode D1, einen Widerstand R1 mit dem Emitter 7 des Transistors 2 verbindet. Das in den Emitterkreis eingegebene Signal erzeugt am Kollektor 8 einen Stromstoß, der über den Übertrager T, dessen Wicklungen I und II das Übersetzungsverhältnis 2: 1 haben, und über den Einpräg-Widerstand R2 an den Emitter 7 gelangt. Somit steht an der übertragerwicklung II der doppelte Strom der Wicklung I zur Verfügung. Bedingt durch das Übersetzungsverhältnis des Übertragers wird in den Eingangskreis ein zeitlich ansteigender Strom übertragen, der ohne besondere Maß- i nahmen den Transistor 2 bis in die Sättigung steuern würde. Um die mit der Aussteuerung des Transistors bis in den Sättigungsbereich verbundenen Nachteile zu vermeiden, ist der die übertragerwicklung III und die Diode D2 enthaltende Begrenzerkreis 9 vorgesehen, der die während der Impulsdauer am Übertrager auftretende Spannung begrenzt. Die Begrenzungsspannung beträgt 12 Volt, so daß die Wicklung des Übertragers T klein gehalten und die Diode D2 mit einer relativ niedrigen maximalen Sperrspannung gewählt werden kann. Um die Last in möglichst weiten Grenzen variieren zu können, wird für den Kollektorkreis eine Spannung von 24 Volt gewählt.
  • Die Rückkopplungsspannung wurde auf 6 Volt festgelegt, um den Einfluß der Exemplarstreuungen des Eingangswiderstandes auf den Emitterstrom möglichst klein zu halten. Zur Erzielung einer genügend steilen Anstiegsflanke wurde das Übersetzungsverhältnis des Übertragers wj : wjj = 2 : 1 gewählt. Damit steht an der Wicklung Wn der doppelte Strom wie an WI zur Verfügung, bis die Spannung und damit der Emitterstrom begrenzt wird. Dieser höhere Strom ist vor allem deshalb notwendig, da zu Beginn des Impulses ein wesentlich höherer Strom aus der Basis fließt, als dies dem Stromverstärkungsfaktor a entspricht. Der überschüssige Strom fließt dann in den Begrenzungskreis. Beim Eintritt in das Sättigungsgebiet des Übertragers nimmt der Magnetisierungsstrom rasch zu, bis kein überschußstrom mehr vorhanden ist und die Diode D2 sperrt. Der weitere Anstieg des Magnetisierungsstromes verkleinert nun auch den Emitterstrom, und der Sperrschwinger wird über die Rückkopplung rasch abgeschaltet.
  • Die Vorgänge am Übertrager I sind aus den F i g. 3 und 4 ersichtlich. In F i g. 3 stellt die Kurve i, - nj den zeitlichen Verlauf der Durchflutung der übertragerwicklung I dar, die durch einen Auslöseimpuls am Eingang des Sperrschwingers verursacht wird und wobei i. der Kollektorstrom und n die Windungszahl ist. Die Kurve i, - nj stellt den Verlauf der Magnetisierungsdurchflutung dar, wobei i" der Magnetisierungsstrom ist.
  • In F i g. 4 ist (i,-iu) - nj die Differenz der beiden in F i g. 3 dargestellten Kurven und stellt die übertragbare Durchflutung dar. Die Kurve i, - njj stellt die Durchflutung der Rückkopplungswindung II dar, wobei i, der durch die Rückkopplung erzielte Emitterstrom ist. Mit id # njjj wird der zeitliche Verlauf der Durchflutung der Begrenzerwicklung III bezeichnet, wobei id der Begrenzerstrom ist.
  • Aus F i g. 4 geht hervor, daß sich der Strom i, aus der Differenz der Durchflutungen (i,-Q - nj und id - n111 unter der Berücksichtigung der Windungszahl nn ergibt. Dieser Strom steuert den Transistor in eindeutiger Weise, und zwar derart, daß die Sättigung nicht erreicht wird. Aus den F i g. 3 und 4 ist ersichtlich, daß der Transistor bei Verschwinden des Emitterstromes gesperrt wird.
  • Während der Impulsdauer liegt entsprechend dem Übersetzungsverhältnis an der Wicklung I eine Spannung von 12 Volt. Wenn man für die Kollektor-Basis-Spannung einen Minimalwert von 2 Volt zuläßt, so stehen für den Lastkreis noch 10 Volt zur Verfügung. Bei einem Kollektorstrom von 300 mA kann somit der zulässige Lastwiderstand zwischen 0 und 33 9 schwanken.
  • Die Auslösung des Sperrschwingers erfolgt parallel zu dem Rückkopplungszweig. Um die Signalspannung nur wenig zu belasten, wurde sie über einen hochohmigen Widerstand R, angelegt. Dieser hoehohmige Widerstand verhindert gleichzeitig eine zu hohe Bedämpfung der Entladespannung. Die Eingangsdiode Dl dient außer der Abriegelung des Signalkreises während der Impulsdauer noch dazu, die negativen Rückstellsignale des Triggerkernes von dem Übertrager fernzuhalten, da ein anschließendes Rückschwingen des Übertragers in positive Richtung den Sperrschwinger triggern würde.

Claims (10)

  1. Patentansprüche: 1. Durch Impulse auslösbare Transistor-Sperrschwingerschaltung zur Erzeugung von Gleichstromimpulsen mit einer von der Belastung weitgehend unabhängigen Stromstärke, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß im Ausgangskreis ein Übertrager zur positiven Rückkopplung der Impulse in den Eingangskreis angeordnet ist und daß der Übertrager so ausgelegt und mit derartigen spannungsbegrenzenden Mitteln verbunden ist, daß der Transistor durch den rückgekoppelten Strom nur außerhalb des Sättigungsbereiches gesteuert wird.
  2. 2. Transistor - Sperrschwingerschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als spannungsbegrenzendes Mittel eine einer Übertragerwicklung parallelgeschaltete Zenerdiode vorgesehen ist.
  3. 3. Transistor - Sperrschwingerschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als spannungsbegrenzendes Mittel ein besonderer Begrenzerkreis mit Begrenzerdiode vorgesehen ist.
  4. 4. Transistor - Sperrschwingerschaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Begrenzerkreis mit einer besonderen Wicklung eines den Ausgangskreis und den Eingangskreis koppelnden Übertragers verbunden ist.
  5. 5. Transistor -Sperrschwingerschaltung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Speisespannung als Bezugspotential für den Begrenzerkreis verwendet wird.
  6. 6. Transistor-Sperrschwingerschaltung nach den Ansprüchen 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Kern des den Ausgangskreis mit dem Eingangskreis und gegebenenfalls den Begrenzerkreis koppelnden Übertragers aus einem eine rechteckige Hystereseschleife aufweisenden Material besteht.
  7. 7. Transistor-Sperrschwingerschaltung nach den Ansprüchen 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Kern des den Eingangskreis mit dem Ausgangskreis und gegebenenfalls den Begrenzerkreis koppelnden Übertragers aus einem weichmagnetischen Material besteht, dessen Flußhub durch eine variable Vormagnetisierung zur Definierung der Impulsdauer einstellbar ist. B.
  8. Transistor - Sperrschwingerschaltung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der übertragerkern aus einem Material mit ausgeprägter Sättigung besteht.
  9. 9. Transistor-Sperrschwingerschaltung nach den Ansprüchen 7 und 8, gekennzeichnet durch eine das Verhältnis des Flußhubes (40) zur Begrenzerspannung (U) konstant haltende Bemessung der Vormagnetisierungsspannung derart, daß die Impulslänge unabhängig von Schwankungen der Begrenzerspannung ist.
  10. 10. Transistor-Sperrschwingerschaltung nach den Ansprüchen 7 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Impulslänge durch eine die Änderung der Induktivität bewirkende Kernluftspaltänderung einstellbar ist. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Auslegeschrift Nr.1023 082; USA.-Patentschrift Nr. 2 810 080; »Wireless World«, Dezember 1955, S. 582 bis 586.
DE1959J0016150 1959-03-14 1959-03-14 Transistor-Sperrschwingerschaltung Pending DE1275591B (de)

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2810080A (en) * 1955-03-18 1957-10-15 Gen Dynamics Corp Transistor circuits
DE1023082B (de) * 1955-01-13 1958-01-23 Philips Nv Transistor-Impulsgeneratorschaltung mit Spannungsstabilisierung

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1023082B (de) * 1955-01-13 1958-01-23 Philips Nv Transistor-Impulsgeneratorschaltung mit Spannungsstabilisierung
US2810080A (en) * 1955-03-18 1957-10-15 Gen Dynamics Corp Transistor circuits

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