DE1271266B - Verfahren zur Herstellung einer Legierungsform fuer Halbleiteranordnungen - Google Patents
Verfahren zur Herstellung einer Legierungsform fuer HalbleiteranordnungenInfo
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Description
BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. α.:
HOIl
Deutsche KL; 2Xg-11/02
Nummer;
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag;
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag;
J 271266
P 12 71 266.2-33
25, Januar 1965
27.. Juni 1968
25, Januar 1965
27.. Juni 1968
Das Einsortieren und Justieren der Einzelteile einer Halbleiteranordnung in eine Legierungsform
ist ein zeitraubender und schwieriger Prozeß, den man schon dadurch vereinfacht hat, daß man die
Form mit einem den Abmessungen der Einzelteile der Halbleiteranordnungen entsprechenden Muster
versehen hat In einem bekannten Fall hat man diese Form aus einem den Halbleiterkörper und das Elektrodenmaterial
nicht benetzenden Material hergestellt und in diese Form die Einzelteils der Halbleiteranordnung
gefüllt; erst danach wurde die Anordnung mit Pulver umpreßt.
Diese Form soll aber nicht nur maßhaltig, sondern andererseits auch so weich sein, daß im Halbleiterkristall beim Einpressen in das Pulver keine Sprünge
entstehen können, insbesondere soll der Druck auf alle Teile der Halbleiteranordnung gleichmäßig übertragen
werden.
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Legierungsform für Halbleiteranordnungen
aus einem gegenüber den Halbleiteranordnungen inerten Pulver, das in eine den einzelnen Teilen der
Halbleiteranordnungen angepaßte Form vorgepreßt wird.
Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß das trockene Pulver zuerst zu einer Pille mit ebener
Oberfläche vorgepreßt wird, daß auf diese Oberfläche ein bei einer ersten Temperatur flüssiges
Bindemittel aufgebracht wird, daß dann die Pille auf eine zweite Temperatur abgekühlt wird, bei der das
Bindemittel erstarrt, und daß dann die verfestigte Oberfläche der Pille in die gewünschte Form gepreßt
wird.
Die Erfindung ermöglicht die Herstellung eines maßhaltigen Formkörpers aus gepreßtem Pulver, der
einerseits weich genug ist und damit noch die dem Pulver einer Legierungsform zugedachte Funktion
erfüllen kann, andererseits aber auch eine gleichmäßige Übertragung des Anpreßdruckes sicherstellt.
Zur näheren Erläuterung der Erfindung wird auf die Figuren Bezug genommen.
Die F i g. 2 zeigt eine metallische Grundplatte 1. In diese sind in entsprechende Aussparungen Stifte 2
und 3 eingesetzt. Auf diese Grundplatte und die Stifte 2 ist mit entsprechenden Aussparungen 5 eine
metallische becherförmige Fassung 4 aufgesetzt. Diese metallische Fassung kann an ihrer Mantelfläche,
wie gezeigt, mit weiteren Durchgangsöffnungen 5 versehen sein. Die Durchgangsöffnungen 5 erfüllen
an der Legierungsform während des Legierungsprozesses dann die Funktion, daß sie Abströmöffnungen
bilden, durch welche in der Legierungs-Verfahren zur Herstellung einer Legierungsform
für Halbleiteranordnungen
für Halbleiteranordnungen
Anmelder:
Siemens Aktiengesellschaft, Berlin und München, 8520 Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50
Als Erfinder benannt;
Gerhard Bachmann, 8000 München
form entwickelte Gase oder Dämpfe zur Ausschließung von Lunkerbildungen abströmen können. In
der Becherform 4 sitzt auf deren Boden ein Graphitkörper 6. Dieser wurde zunächst, was in der Zeichnung
nicht besonders angedeutet ist, aus pulverigem Material leicht vorgepreßt, dann in einer seiner oberen
Oberfläche nahen Zone in einen verfestigten Zustand übergeführt. Hierfür wurde er z. B. mit einer
vorbestimmten Menge entweder schmelzflüssigen Paraffins bestrichen oder besprüht oder mit einer
Paraffinauflage bestimmter Dicke an seiner Oberfläche versehen und dann eine Zeitlang auf einer
solchen Temperatur gehalten, daß dieses Paraffin in die Poren des Körpers bis zu einer vorbestimmten
Tiefe eindrang. Beim Erkalten geht dieser Graphitkörper in seiner oberflächennahen Zone in den entsprechenden
verfestigten Zustand über. Ein in dieser Weise vorbereiteter Graphitkörper 6 wurde also zunächst
in die Becherform von 4 eingesetzt. Oberhalb der Fig. 2 ist nun ein Prägestempel 7 angedeutet,
dessen untere Fläche in Draufsicht in Fig. la wiedergegeben ist. Dieser Prägestempel 7 ist in
F i g. 1 b im Schnitt dargestellt. Er weist benachbart seinem oberen Ende einen Flanschteil 8 auf, der mit
zwei Bohrungen 9 versehen ist, die für eine entsprechende Passung mit der Mantelfläche der Stifte 3
eingereicht sind. Wie aus F i g. 1 a zu entnehmen ist, ist der Prägestempel 7 an seiner unteren Fläche mit
einem Prägemuster versehen, das durch ringförmige Vertiefungen 10 und 11 gebildet wird. Jede dieser
ringförmigen Vertiefungen wird also beim Einwirken auf den zu prägenden Körper an diesem eine entsprechende
rippenartige Erhöhung bzw. eine entsprechende erhabene Ringform erzeugen. In der F i g. 2
ist bereits derjenige Zustand des Legierungsformunterteilsö
angedeutet, nach welchem der Prägestempel 7 gegen die obere Oberfläche des Legierungs-
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3 4
formteiles 6 geführt worden war und somit an der Fläche des oberen Legierungsformanteils 16 aufgeoberen
Fläche ein Muster erzeugt worden ist, welches legte Platte 17 aus hartgepreßtem Graphit bzw. eine
sich an der unteren Fläche des Prägestempels nach massive Platte aus Aluminiumoxyd, auf dieser eine
der Fig. la befindet. Nachdem der Legierungsform- metallische Platte 18, auf diese wirkend ein Druckunterteil
6 in der Fassung 4 fertiggestellt worden ist, 5 bolzen 19, der an seinem oberen Ende einen Gekann
das Aggregat 4, 6 beispielsweise von der ande- wichtskörper 20 trägt oder mit diesem eine Einheit
ren Hilfsvorrichtung getrennt werden, wie es in bildet. Dieses Gewicht 20 bildet also während des
F i g. 3 b und dem dazugehörigen Grundriß nach Legierungsvorganges dann eine zusätzliche Be-F
i g. 3 a gezeigt ist. An diesem Legierungsformunter- lastung. Das Gewicht 20 hat also den Charakter eines
teil kann an dessen oberer Oberfläche nunmehr in io Kraftspeichers. An seine Stelle kann somit auch sinndem
Prägemuster die Einschichtung der Zusammen- gemäß eine entsprechende Feder treten, die beispielsstellungen
aus Halbleiterkörper und Elektroden für weise sich dann gegen einen in der Figur nicht darjedes
der einzelnen zu legierenden Halbleiterelemente gestellten, an dem oberen Flansch 21a des Legievorgenommen
werden. Das ist auch bereits in den rungsgestells 21 befestigten Deckel andererseits ab-F
i g. 3 a, 3 b angedeutet. Es bestimmen z. B. die bei- 15 stützt. Dieses Legierungsgestell 21 hat die Form eines
den Ringformen 10« und lla eine mechanische Hohlkörpers, der außerdem an seiner unteren Fläche
Lehre für die Einschichtung der Komponenten eines einen Flansch 22 a aufweist, so daß also an der
Halbleiterelementes. Innerhalb des Ringes 11a ist ein Bodenfläche dieses Gestells 21 ein lichter Raum vor-Elektrodenmaterialkörper
12 eingesetzt worden, der handen ist, in den die bereits im Zusammenhang mit in seiner Lage durch das Zusamenwirken des inneren ao der Fig. 2 erwähnten Öffnungen S münden, durch
Randes des Rippenkörpers lla mit dem äußeren welche die bei der dem Legierungsvorgang entwickel-Rand
des Elektrodenmaterialkörpers 12 bestimmt ist. ten Gase oder Dämpfe abströmen können. Die
Es ist ferner bereits ein weiterer Elektrodenmaterial- F i g. 7 zeigt die gesamte Anordnung nach dem Einkörper
13 auf die Oberfläche des Halbleiterkörpers setzen der Legierungsformanteile 6 und 16, nachdem
aufgelegt worden, der seine Lageorientierung an sei- 25 die beiden Legierungsformteile 6 und 17 miteinander
nem inneren Rand durch den äußeren Umfang des und mit den eingeschichteten zu legierenden Kompo-Rippenkörpers
lla erfährt. Die Ringe 10& und Ub nentenzusammenstellungen verpreßt worden sind. Es
bestimmen wieder eine Lehre für die Zusammenstel- ist daher zu erkennen, daß die Elektrodenmateriallung
der Komponenten eines Halbleiterelementes. In körper im Sinne von 12, 13, 14 und 15 in die Oberdiese
Lehre wurden zunächst Elektrodenmaterialkör- 30 flächen der Graphitkörper eingepreßt worden sind,
per entsprechend den beschriebenen 12 und 13 ein- d. h., daß sie allseitig von diesen Legierungsformgesetzt.
Nunmehr ist jedoch bereits auf diese Elek- anteilen begrenzt werden. Nachdem eine solche Antrodenmaterialkörper
eine Halbleiterscheibe 14, z. B. Ordnung gemäß Fi g. 7 in den Ofen gebracht worden
aus Silizium, aufgelegt worden, die in ihrer Lage an ist bzw. einem entsprechenden Legierungsprozeß
ihrem äußeren Rand bestimmt ist durch den inneren 35 unterworfen ist, sind dann auf diese Weise gleich-Rand
des erhabenen Rippenkörpers 10 b. An dem zeitig eine entsprechende Vielzahl von Halbleiter-Lehrensystem,
welches in einem der beiden Ringe elementen in den legierten Zustand übergeführt wor-10
c und Uc für die Zusammenstellung der Kompo- den, so daß sie also in ihrem Halbleiterkörper die
nenten eines weiteren Halbleiterelementes bestimmt entsprechenden dotierten Bereiche aufweisen. Diese
ist, ist schließlich gezeigt, wie nach der EinscMchtung 40 fertiglegierten Halbleiteranordnungen können dann
von Elektrodenmaterialkörpern 12 und 13 sowie durch Zerstörung der Graphitformen aus diesen enteiner
Halbleiterscheibe im Sinne von 14 auf diese nommen und einer weiteren Bearbeitung, wie den
Halbleiterscheibe 14 nunmehr bereits derjenige Elek- bekannten erforderlichen Ätzvorgängen usw., untertrodenmaterialkörper
15 aufgelegt worden ist, wel- worfen werden.
eher von der oberen Fläche des Halbleitermaterial- 45 In den F i g. 4 und 6 ist nun noch gezeigt, wie nicht
körpers in diesen einlegiert werden soll. Ist in samt- nur der Legierungsformunterteil, sondern auch der
liehe Ringsysteme je eine vollständige Halbleiter- Legierungsformoberteil vorbereitet werden kann, so
elementekomponentenzusammenstellung eingeschich- daß er für Elektrodenmaterialkörper als Lehrkörper
tet worden, so ist damit der Legierungsformunterteil benutzt werden kann, um eine bestimmte relative
nunmehr derart vorbereitet, daß er mit dem züge- 50 Lageorientierung z. B. zwischen den von der oberen
hörigen oberen Legierungsformteil zusammengeführt Oberfläche des Halbleiterkörpers in diesen einzuwerden
kann. legierenden Körper und dem Halbleiterkörper leh-
Bei der bisher geschilderten Beschickung der renartig vorzunehmen.
Oberfläche des Legierungsformteils kann mit diesem Die F i g. 4 a und 4b zeigen einen entsprechend
nunmehr ein einfacher plattenförmiger Legierungs- 55 vorbereiteten Oberteil. Um den Zusammenhang zwiformoberteil
zusammengeführt werden, der sich in sehen der bereits erwähnten F i g. 7 und diesen
leicht vorgepreßtem Zustand befindet. Wird nunmehr Fig. 4 zu schaffen, ist in den Fig. 4b und 4a der
die gegenseitige Verpressung der beiden leicht vorge- leicht vorgepreßte Graphitkörper mit 16 a bezeichnet
preßten Legierungsformanteile, die sich, wohlbe- worden. Dieser Graphitkörper ist also ein im Sinne
merkt, wie bereits oben angeführt, in dem leicht vor- 60 des Körpers 6 nach F i g. 2 zunächst aus pulverigem
gepreßten Zustand auch in ihrer oberflächennahen Material leicht vorgepreßter Körper gewesen. Dieser
Zone nunmehr befinden müssen, vorgenommen, so wurde in einer seiner in Fig. 4b untenliegenden
ergibt sich schließlich ein Zwischenerzeugnis gemäß Fläche oberflächenbenachbarten Zone in einer der
Fig.7, in welcher für die bereits in den voraus- angegebenen Weisen verfestigt, z.B. also unter Begehenden
Figuren vorhandenen Teile der Einfach- 65 nutzung von Paraffin, und danach wurde in seine
heit halber unmittelbar die gleichen Bezugszeichen untere Fläche durch Benutzung eines Prägestempels,
beibehalten worden sind. Diese Figur zeigt außer den wie er in den F i g. 6 a und 6 b dargestellt und mit 29
bereits beschriebenen Teilen eine auf die obere bezeichnet ist, eine Einprägung vorgenommen, so
daß an seiner unteren Fläche die Vertiefungen bzw. Einprägungen 22 zur Entstehung gelangten. An der
mit 22 a gezeigten Einprägung ist gezeigt, wie bereits ein Elektrodenmaterialkörper im Sinne von 15 nach
Fig. 3a, nachdem er oder die Bodenfläche dieser Aussparungen mit einem Haftmittel, wie z. B. Paraffinöl,
benetzt worden ist, eingeführt worden ist und somit in dieser Aussparung haftet. Wird nun der
Legierungsformoberteil 16 a in allen seinen Aussparungen mit den entsprechenden eingelagerten
Elektrodenmaterialkörpern 15 versehen, so kann er dann mit dem Legierungsformunterteil zusammengeführt
werden. Um das zu veranschaulichen, ist unterhalb der Fig. 4b in Form der Fig. 5a in Zuordnung
zu Fig. 4b nochmals die gleichartige Anordnung wiedergegeben, wie sie in F i g. 2 enthalten ist.
Die Fig. 4b zeigt nun als weitere Teile einen den Graphitkörper 16 a umschließenden Fassungsteil 23,
z. B. aus Eisen bzw. Stahl, der mit zwei Durchgangskanälen 24 versehen ist, die eine derartige Lage
haben, daß sie mit den Führungsbolzen 3 nach F i g. 5 zusammengeführt werden können und außerdem
derart eingerichtet sind, daß sie eine dichte Gleitsitzpassung mit diesen eingehen, denn es kommt
ja darauf an, daß der jeweilige Elektrodenmaterialkörper 15 in eindeutig vorbestimmter Lage mit der
Oberfläche der jeweiligen Halbleiterplatte 14 zusammengeführt wird. Um auch eine sichere radiale
gegenseitige Lagesicherung von Legierungsformoberteil und -unterteil zu erreichen, ist der Fassungsteil
24 benachbart seiner unteren Fläche mit einer Eindrehung 25 versehen, so daß sich also ein Absatz 26
ergibt, mit welchem sich der Fassungsteil 23 auf den oberen Rand 4 a des becherförmigen Fassungsteils 4
aufsetzt, und zugleich aber auch ein Führungszylinder 27, welcher den Rand des becherförmigen Teiles
an seiner Außenmantelfläche umschließt und sinngemäß mit diesem für eine gegenseitige Passung eingerichtet
sein muß. Sind die beiden Teile nach F i g. 4 und 5 miteinander zusammengeführt worden, so daß
sich 23 auf den Rand 4 a von 4 aufgesetzt hat, so kann nunmehr auf die Platte 28, welche der Druckplatte
17 nach F i g. 7 entspricht, ein entsprechender Druck ausgeübt werden, um die beiden Legierungsformteilanteile
16 a und 6 aus leicht vorgepreßtem pulverigem Material miteinander zu verpressen, so
daß schließlich eine fertige Legierungsform im Sinne von den miteinander verpreßten Teilen 6 und 16 mit
den eingeschlossenen Halbleiterelementenzusammenstellungen im Sinne der F i g. 7 entspricht. Die in
dieser Weise fertiggestellte Anordnung kann dann in ein Gestell im Sinne von 21 nach F i g. 7 gebracht
werden, dem die zusätzlichen Druckplatten und Gewichte bzw. Kraftspeicher zugeordnet werden. Dann
wird in einem Ofen der Legierungsvorgang durchgeführt.
Für die Durchführung eines solchen Legierungsvorganges braucht naturgemäß nicht für jede einzelne
der hergestellten Legierungsformen 6,16, je ein solches Gestell 21 vorgesehen werden, sondern es
können sinngemäß auch mehrere solcher Legierungsformen für eine Vielzahl von zu legierenden Halbleiteranordnungen
zu einer Säule übereinandergeschichtet sowie durch einen gemeinsamen Kraftspeicher
belastet werden und in dieser Säule oder unter Benutzung dann gemeinsam für alle die Legierungsformen ein Legierungsvorgang durchgeführt werden,
in dessen Zeitraum also alle die Halbleiterelementezusammenstellungen in den legierten Zustand übergeführt
werden.
Die in den Figuren angedeuteten jeweiligen Halbleiterplatten im Sinne der von 14 bezeichneten brauchen natürlich nicht Halbleiterplatten zu sein, die für
den Legierungsvorgang einen Ausgangshalbleiterkörper darstellen, der lediglich eine einzige Dotierung
entweder vom p-Leitungstyp oder vom n-Leitungstyp aufweist, sondern ein solcher Halbleiterkörper kann
auch, wie bereits angedeutet, mit mehreren eindotierten Bereichen versehen sein. Diese Eindotierung
brauchte dabei nicht im Wege einer Legierung geschaffen worden zu sein, sondern kann vorzugsweise
auf dem Wege der Eindiffusion erzeugt worden sein, wofür das geeignete Dotierungsmaterial z. B. auf die
Oberfläche des Halbleiterkörpers in einer Ampulle aufgedampft bzw. der Oberfläche z. B. aus einer ihn
enthaltenden chemischen Verbindung abgeschieden und dann durch thermische Behandlung zur Eindiffusion
gebracht wurde. So kann also ein solcher Halbleiterkörper beispielsweise von zwei einander
gegenüberliegenden Oberflächen mit entsprechenden, durch Eindiffusion erzeugten Bereichen versehen
sein. Es wird dann also die in Verbindung mit der Erfindung geschilderte Legierung als Einlegieren in
einen solchen bereits durch Diffusion vorbehandelten und mit dotierten Bereichen versehenen Halbleiterkörper vorgenommen.
Claims (8)
1. Verfahren zur Herstellung einer Legierungsform für Halbleiteranordnungen aus einem gegenüber
den Halbleiteranordnungen inerten Pulver, das in eine den einzelnen Teilen der Halbleiteranordnungen
angepaßte Form vorgepreßt wird, dadurch gekennzeichnet, daß das trokkene
Pulver zuerst zu einer Pille mit ebener Oberfläche vorgepreßt wird, daß auf diese Oberfläche
ein bei einer ersten Temperatur flüssiges Bindemittel aufgebracht wird, daß dann die Pille
auf eine zweite Temperatur abgekühlt wird, bei der das Bindemittel erstarrt, und daß dann die
verfestigte Oberfläche der Pille in die gewünschte Form gepreßt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der vorgepreßte Unterteil an
seiner Oberfläche mit einer Schicht aus bei Zimmertemperatur festem Paraffin überzogen und
dann kurzzeitig derartig erhitzt wird, daß dieses Paraffin in eine oberflächennahe Zone des Unterteils
eindringt.
3. Verfahren nach Ansprach 1, dadurch gekennzeichnet, daß als flüssiges Bindemittel Wasser
benutzt wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als flüssiges Bindemittel Paraffinöl
benutzt wird.
5. Verfahren nach Ansprach 1, dadurch gekennzeichnet, daß als flüssiges Bindemittel ein
Alkohol benutzt wird.
6. Verfahren nach Ansprach 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß die erhabenen
Prägemusterteile der Legierungsform in der Richtung vom Legierungsformkörper zu ihren
freien Enden mit Querschnittsverjüngung erzeugt werden.
7. Verfahren n&eh Anspruch 1 oder einem der
folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere
vorbereitete verpreßte, die zu legierende» Äalb-JeitereJementezusammenstellungen
einschließende Legierungsformenkörper jn einem gemeinsamen
Gestell gestapelt und in diesem dem gemeinsamen Legierungsprozeß unterworfen werden.
8. Verfahren nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß in die
Legierungsfqrm zusammen mit einzulegjerenden
Elektrodenmaterialkörpern Halbleiterkörper mit bereits durch Eindiffusion von Dotierungsstoffen
erzeugten dotierten Zonen bestimmten Leitungstyps und Dotierungsgrades oder mit einem
Schichtensystem aus solchen Zonen eingebracht werden,
Jn Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Auslegeschriften Nr. 1046198,
554,1130524,1146 206.
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DEP1271A DE1271266B (de) | 1965-01-25 | 1965-01-25 | Verfahren zur Herstellung einer Legierungsform fuer Halbleiteranordnungen |
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DE1271266B true DE1271266B (de) | 1968-06-27 |
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DEP1271A Pending DE1271266B (de) | 1965-01-25 | 1965-01-25 | Verfahren zur Herstellung einer Legierungsform fuer Halbleiteranordnungen |
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DE (1) | DE1271266B (de) |
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DE1146206B (de) * | 1961-05-17 | 1963-03-28 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung |
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